JP6215334B2 - レーザ装置及び極端紫外光生成システム - Google Patents
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Description
1.概要
2.用語の説明
3.EUV光生成システムの全体説明
3.1 構成
3.2 動作
4.マスタオシレータと光増幅器を含むレーザ装置
4.1 構成
4.2 動作
4.3 自励発振の課題
5.実施形態1
5.1 構成
5.2 動作
5.3 効果
5.4 その他
6.実施形態2
6.1 構成
6.2 動作
6.3 効果
7.実施形態3
7.1 構成
7.2 動作
7.3 効果
8.実施形態4
8.1 構成
8.2 動作
8.3 開き角度
8.4 効果
9.実施形態5
9.1 構成
9.2 動作
9.3 効果
10.光反射体及び光吸収体の構成要素
10.1 光反射材料
10.2 光反射面の表面処理
10.3 光吸収材料
10.4 吸収面の表面処理
10.5 光吸収体温度調節機構
11.光増幅器
11.1 光路が交差するスラブ型増幅器
11.2 光路が交差しないスラブ型増幅器
11.3 同軸型スラブ型増幅器
11.4 高速軸流型増幅器
11.5 3軸直交型増幅器
12.光スイッチ
13.他の実施形態
13.1 課題
13.2 構成及び動作
13.3 効果
LPP方式のEUV光生成システムは、ターゲット物質にパルスレーザ光を照射してプラズマ化することでEUV光を生成してもよい。レーザ光を出力するレーザ装置は、種光を出力するマスタオシレータと、出力された種光を増幅する光増幅器とを含んでもよい。複数の光増幅器が配置されてもよい。
本開示において使用される用語を以下に説明する。プラズマ生成領域は、EUV光を生成するためのプラズマの生成が開始される領域を意味し得る。プラズマ生成領域においてプラズマの生成が開始されるためには、プラズマ生成領域にターゲットが供給され、かつ、ターゲットがプラズマ生成領域に到達するタイミングでプラズマ生成領域にパルスレーザ光が集光される必要があり得る。光スイッチは、光シャッタ及び光アイソレータを含み得る。光スイッチは一方向の光の透過及び遮蔽を制御し得る。光アイソレータは双方向の光の透過及び遮蔽を制御し得る。
3.1 構成
図1に、例示的なLPP方式のEUV光生成システムの構成を概略的に示す。EUV光生成装置1は、少なくとも1つのレーザ装置3と共に用いられてもよい。本願においては、EUV光生成装置1及びレーザ装置3を含むシステムを、EUV光生成システム11と称する。図1に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、EUV光生成装置1は、チャンバ2、ターゲット供給部26を含んでもよい。
図1を参照すると、レーザ装置3から出力されたパルスレーザ光31は、レーザ光進行方向制御部34を経て、パルスレーザ光32としてウインドウ21を透過してチャンバ2内に入射してもよい。パルスレーザ光32は、少なくとも1つのレーザ光経路に沿ってチャンバ2内を進み、レーザ光集光ミラー22で反射されて、パルスレーザ光33として少なくとも1つのターゲット27に照射されてもよい。
4.1 構成
図2Aはレーザ装置3の構成例を示している。レーザ装置3は、マスタオシレータ(MO)350と、光増幅器(PA)351_1〜351_Nと、光アイソレータ(OI)352_0〜352_Nと、を含んでもよい。レーザ装置3は、光アイソレータの代わりに光スイッチとして例えば、光シャッタを含んでもよい。
光増幅器351_1〜351_Nは、それぞれ、RF電源3516によって電極3513、3514に電圧を加え、放電領域3515でレーザガスを励起しもよい。マスタオシレータ350は、所定の繰り返し周波数で、レーザ発振してもよい。光増幅器351_1〜351_Nは、マスタオシレータ350からパルスレーザ光が入射していない時においても、RF電源3516によって放電してレーザガスを励起し得る。
例えば、光増幅器351_Kで発生した自然放出光がマスタオシレータ350に向かって進行し、複数の光増幅器によって増幅され、自励発振光となり得る。また、光増幅器で発生した自然放出光及び自然放出光に起因する自励発振光は、レーザ装置3の光学素子に反射され、光学素子の反射面によってはいずれの方向にも進み得る。
5.1 構成
図4は、本実施形態におけるレーザ装置3の一部の構成例を模式的に示している。光増幅器351_1は、チャンバ3517内に、各構成要素を含んでもよい。チャンバ3517に、入力ウインドウホルダ3518及び出力ウインドウホルダ3519が固定されていてもよい。入力ウインドウホルダ3518及び出力ウインドウホルダ3519は、それぞれ、入力ウインドウ3511及び出力ウインドウ3512を保持していてもよい。
マスタオシレータ350から出力されたパルスレーザ光451は、光アイソレータ352_0の出力口3521を通過して、光増幅器351_1にて増幅され得る。例えば、出力ウインドウ3512によって反射された自然放出光や出力ウインドウ3512を通過して入射した自然放出光は、励起されたレーザガスによって増幅され自励発振光452となり得る。
光増幅器351_1からの自励発振光452を光反射体401で反射し、反射された自励発振光452を光吸収体402で吸収することで、自励発振光452によって光アイソレータ352_0の端面が損傷するのを抑制し得る。特に、自励発振光452の進行経路が予め予測できる場合、当該経路上に板状の光反射体401を配置することで、板状の光反射体401と板状の光吸収体402を用いる簡単な構成で自励発振光の伝達を抑制し得る。光反射体401及び光吸収体402は、光増幅器351_1からの自励発振光452の他、自然放出光の伝播も抑制し得る。光吸収体は、光反射体で反射された光がいずれかの光増幅器の放電領域(増幅領域)に入射するのを抑制し得る。
本実施形態の光反射体401及び光吸収体402は、他の光増幅器351_2〜351_Nからの自励発振光を反射及び吸収する位置に配置し得る。光反射体401及び光吸収体402は、例えば、光増幅器の出力側と光アイソレータの入力側との間、光アイソレータが存在しない構成における光増幅器の間、光アイソレータが存在しない構成における光増幅器とマスタオシレータとの間、に配置し得る。この点は他の実施形態において同様であり得る。
以下において、実施形態2を説明する。本実施形態においては、主に、実施形態1との差異を説明する。
図5Aは、本実施形態におけるレーザ装置3の一部構成の例を模式的に示している。図5Bは、図5Aにおける光反射体501及び光吸収体502の斜視図を示す。図5A及び図5Bに示すように、光反射体501及び光吸収体502は一体的に形成されていてもよい。光反射体501及び光吸収体502は分離されていてもよい。
光吸収体502の内周面5021は、吸収面であってもよい。吸収面5021は、光反射体501の反射面5011に向いていてもよい。吸収面5021は、光反射体501の反射面5011で反射された自励発振光452を吸収してもよい。
マスタオシレータ350から出力されたパルスレーザ光451は、光反射体501の下端孔5013及び上端孔5012を通過して、光増幅器351_1に入射し得る。光増幅器351_1からの自励発振光452は、入力ウインドウ3511を通過し、光アイソレータ352_0側に出力され得る。入力ウインドウ3511を通過した自励発振光452は、光反射体501の反射面5011で反射され得る。
本実施形態は、筒状の光反射体501及び光吸収体502を使用することで、様々な方向に進む自励発振光452をより確実に吸収し得る。さらに、本実施形態は、吸収面5021の損傷を低減し得る。具体的には、円錐形状を有する光反射体501の外周面5011は曲面である。円錐の外周面5011で反射された自励発振光452は、円錐の径方向において広がりながら、光反射体501の周囲に進行する。これにより自励発振光452のエネルギ密度が低下し、吸収面5021の損傷を低減し得る。これにより、光吸収体502により反射され得る自励発振光452を低減し得る。
以下において、実施形態3を説明する。本実施形態においては、主に、上記他の実施形態との差異を説明する。
図6は、本実施形態におけるレーザ装置3の一部の構成例を模式的に示している。図6に示すように、光反射体601及び光吸収体602は分離されていてもよい。光反射体601及び光吸収体602は一体的に形成されていてもよい。
マスタオシレータ350から出力されたパルスレーザ光451は、光吸収体602内及び光反射体601内を通過して、光増幅器351_1に入射し得る。光増幅器351_1からの自励発振光452は、入力ウインドウ3511を通過し、光アイソレータ352_0側に出力され得る。入力ウインドウ3511を通過した自励発振光452は、光反射体601の内周面である反射面6011で反射され得る。
本実施形態は、筒状の光反射体601及び光吸収体602を使用することで、様々な方向に進む自励発振光452をより確実に吸収し得る。さらに、本実施形態は、吸収面6021の損傷を低減し得る。具体的には、円錐形状を有する光反射体601の内周面6011は曲面である。円錐の内周面6011で反射された自励発振光452は、円錐の径方向において収束した後に、広がりながら進行し得る。これにより自励発振光452のエネルギ密度が低下し、吸収面6021の損傷を低減し得る。
以下において、実施形態4を説明する。本実施形態においては、主に、上記他の実施形態との差異を説明する。
図7Aは、本実施形態におけるレーザ装置3の一部の構成例を模式的に示している。図7Aに示すように、第1光増幅器351_A及び第2光増幅器351_Bの間に、第1光反射体701A、第2光反射体701B及び光吸収体702が配置されていてもよい。第1光反射体701A、第2光反射体701B及び光吸収体702は分離されていてもよく、一体で形成されていてもよい。
第1光増幅器351_Aからのパルスレーザ光451は、第1及び第2光反射体701A、701B及び光吸収体702内を通過して、第2光増幅器351_Bに入射し得る。第1光増幅器351_Aから第2光増幅器351_Bに向かう自励発振光452は、第1光反射体701Aの内周面7011A又は第2光反射体701Bの外周面7015Bに反射され得る。第2光増幅器351_Bから第1光増幅器351_Aに向かう自励発振光452は、第2光反射体701Bの内周面7011B又は第1光反射体701Aの外周面7015Aに反射され得る。
図7B及び7Cは、第1光反射体701Aの外周面7015Aと内周面7011Aとの間における、開き角度の関係を模式的に示している。図7Bに示すように、内周面7011Aの開き角度7016Aは、外周面7015Aの開き角度7017Aと一致していてもよい。
本実施形態は、第1光増幅器351_A及び第2光増幅器351_Bからの自励発振光452の伝播を効果的に抑制することができる。また、本実施形態は、光反射体701A、701Bの内周面7011A、7011Bの開き角を、外周面7015A、7015Bの開き角より小さくすることで、光反射体701A、701Bの内周面7011A、7011Bに入射する自励発振光の入射角を大きくし得る。これにより、下端孔7013A、7013Bを通過して内周面7011A、7011Bで反射した、より多くの自励発振光452が、上端孔7012A、7012Bを通過し得る。
以下において、実施形態5を説明する。本実施形態においては、主に、上記他の実施形態との差異を説明する。
図8は、本実施形態におけるレーザ装置3の一部の構成例を模式的に示している。図8に示すように、第1光増幅器351_Aと第2光増幅器351_Bとの間に、第1光反射体801A、第2光反射体801B、第1光吸収体802A、第2光吸収体802Bが配置されていてもよい。第1光反射体801A及び第1光吸収体802Aは、一体的又は分離して形成されていてもよい。第2光反射体801B及び第2光吸収体802Bは、一体的又は分離して形成されていてもよい。
第1光増幅器351_Aからのパルスレーザ光451は、第1光吸収体802A、第1光反射体801A、第2光反射体801B、第2光吸収体802B内を通過して、第2光増幅器351_Bに入射し得る。第1光増幅器351_Aから第2光増幅器351_Bに向かう自励発振光452は、第2光反射体801Bの内周面8011Bに反射され得る。第2光増幅器351_Bから第1光増幅器351_Aに向かう自励発振光452は、第1光反射体801Aの内周面8011Aに反射され得る。
本実施形態においては、光反射体801A、801Bの端面が、第1光増幅器351_A及び第2光増幅器351_Bからの自励発振光452に照射されにくいため、自励発振光452の反射方向をより効果的に制御し得る。
10.1 光反射材料
光反射体は、全体が自励発振光を反射する光反射材料で形成されていてもよく、本体表面に自励発振光を反射する反射材料で形成された反射層を有していてもよい。自励発振光の光反射材料としては、Al、Au、Cu等金属を使用することができる。光反射材料は、自励発振光の少なくとも一部の波長の光を反射し得る。
光反射体の反射面は、研磨された面でもよい。反射面は、反射率を高めるコーティングが施されてもよい。コーティングは、屈折率の異なる2種類の材料を交互に積層した膜によって構成されてもよい。例えば、膜は高屈折率材料としてZnSe、ZnS、低屈折率材料としてThF4、PbF2を使用してもよい。高屈折率材料と低屈折率材料の膜厚を制御することによって、所望の分光反射率特性を実現してもよい。コーティングを施す場合、光反射体の基板材としてはZnSe、ダイヤモンド等を使用してもよい。また、自励発振光の入射角が大きい場合、表面研磨されたZnSe、ダイヤモンド等を光反射材料として使用してもよい。
光吸収体は、全体が自励発振光を吸収する光吸収材料で形成されていてもよく、本体表面に自励発振光を吸収する光吸収材料で形成された吸収層を有していてもよい。光吸収材料としては、Al、Cu等金属のほかSi、GaAs、ZnSe、ダイヤモンド等を使用することができる。光吸収材料は、自励発振光の少なくとも一部の波長の光を吸収し得る。
図9A及び図9Bは、光吸収体901の構成例を示す。光吸収体901は、基板912と、光吸収材料で形成された吸収面910を有していてもよい。吸収面910にはフィン911を形成してもよい。フィン911により、反射光の拡散を抑制し得る。吸収面910は、サンドブラストによって所定の表面粗さを持った表面に仕上げられてもよい。これにより、吸収率を高め得る。
図9A及び図9Bに示すように、光吸収体901は温度調節機構を備えてもよい。図9Aに示すように、温度調節機構は、光吸収体901に形成された温度調節媒体通路913と、温度調節媒体循環装置931と、温度調節器932とを含んでもよい。温度調節機構は光の吸収による光吸収体901の熱を排出し、光吸収体901の過熱を抑制し得る。若しくは、図9Bに示すように、温度調節機構は、吸収面910と異なる面に、空冷フィン933を有していてもよい。
以下において、光増幅器351_Lのバリエーションを説明する。レーザ装置3は、以下に説明するいずれの構成の光増幅器も使用し得る。
図10A及び図10Bは、光路が交差するスラブ型増幅器351_Lの構成例を模式的に示している。図10Bは、図10AにおけるXB−XB断面図を示す。スラブ型増幅器351_Lは、他の構成要素を収容するチャンバ3517を含んでもよい。スラブ型増幅器351_Lは、さらに、CO2を含むレーザガスと、放電によりレーザガスを励起する電極3513、3514と、電極3513、3514にRF電圧を供給するRF電源3516と、を含んでもよい。
図11A及び11Bは、スラブ型増幅器351_Lの他の構成例を模式的に示している。図11Bは、図11AにおけるXIB−XIB断面図を示す。本例のスラブ型増幅器351_Lにおいて、ミラー3551、3552は、凹面ミラーであり得る。レーザ光は、励起されたレーザガス内において、入力側凹面ミラー3551と出力側凹面ミラー3552と間で、反射を繰り返し、増幅され得る。レーザガス内で反射を繰り返すレーザ光の光路は、交差しなくともよい。
図12A及び図12Bは、同軸型スラブ増幅器351_Lの構成例を模式的に示している。図12Aは、同軸型スラブ増幅器351_Lの斜視図を示しており、一部構成要素が透視されている。図12Bは、同軸型スラブ増幅器351_Lを出力側から見た図を示している。
図13A〜図13Cは、高速軸流型増幅器351_Lの構成例を模式的に示している。図13Aは、高速軸流型増幅器351_Lの斜視図を示しており、一部構成要素が透視されている。図13Bは、高速軸流型増幅器351_Lの上面図を示しており、一部構成要素が透視されている。図13Cは、図13BにおけるXIIIC−XIIIC断面図である。
図14A及び図14Bは、3軸直交型増幅器351_Lの構成例を模式的に示している。図14Aは3軸直交型増幅器351_Lの側面図を示している。一部構成要素は透視されている。図14Bは、図14AにおけるXIVB−XIVB断面図を示している。
図15は、光スイッチの一つである光アイソレータ352_L(Lは0〜Nの任意数)の構成例を模式的に示している。光アイソレータ352_Lは、高電圧電源393と、EOポッケルスセル394と、第1偏光子396と、第2偏光子397と、λ/2板398と、を含んでもよい。EOポッケルスセル394は、電気光学結晶399を挟んで対向する位置に設けられた一対の電極395A、395B含んでもよい。
13.1 課題
本実施形態は、光増幅器351_Lの自然放出光がドロップレット27によって反射されることによる課題及びその解決手段を説明する。マスタオシレータ350がパルスレーザ光を出力していない時でも、光増幅器351_Lの自然放出光は、ドロップレット27に入射し得る。ドロップレット27は、入射光を反射し得る。また、レーザ装置3内の透過光学素子は、ドロップレット27によって反射された光を反射し得る。そのため、連続して放出されるドロップレット27とレーザ装置3の光学素子との間において、光共振が起こり得る。
図17A及び図17Bは、本実施形態のレーザ装置3の構成例を模式的に示している。図17Aは、図16と同様に、X軸方向において見た、レーザ装置3及びターゲット供給部26を示している。図17Bは、図17AにおけるXVIIB−XVIIB断面図を示し、ドロップレット27の軌道と平行なY軸方向において見た、レーザ装置3及びドロップレット27を示している。
本実施形態によれば、光増幅器351_Lからの自然放出光が、レーザ装置3における透過光学素子とドロップレット27との間で反射を繰り返し、光共振を発生させることを抑制し得る。
Claims (8)
- パルスレーザ光を出力するマスタオシレータと、
前記マスタオシレータから出力されたパルスレーザ光の光路上に配置され、前記パルスレーザ光を順次増幅する複数の光増幅器と、
前記パルスレーザ光を通過させ前記複数の光増幅器のいずれかで発生した自励発振光を反射する光反射体と、
前記光反射体によって反射された自励発振光を受光し吸収する光吸収体と、を含み、
前記光反射体は、前記パルスレーザ光を通過させる孔を有する筒状体であり、
前記光反射体の内周面及び外周面は、前記自励発振光を反射する反射面である、レーザ装置。 - 請求項1に記載のレーザ装置であって、
前記光吸収体は、前記パルスレーザ光を通過させる孔を有する筒状体であり、前記光反射体と同軸上に配置される、レーザ装置。 - 請求項1に記載のレーザ装置であって、
前記内周面の開き角度は、前記外周面の開き角度よりも小さい、レーザ装置。 - 請求項1に記載のレーザ装置であって、
前記光反射体の材料は、Al、Au、Cuの少なくとも一つを含む、レーザ装置。 - 請求項1に記載のレーザ装置であって、
前記光吸収体の材料は、Al、Cu、Si、GaAs、ZnSe、ダイヤモンドの少なくとも一つを含む、レーザ装置。 - 請求項1に記載のレーザ装置であって、
前記光吸収体は前記光反射体を内部に収容するよう構成されている、レーザ装置。 - 請求項1に記載のレーザ装置であって、
前記マスタオシレータと前記光増幅器との間、又は前記複数の光増幅器の間に配置された、光アイソレータをさらに含む、レーザ装置。 - 請求項7に記載のレーザ装置であって、
前記光反射体は、前記光アイソレータと前記光増幅器との間に配置される、レーザ装置。
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JP5368261B2 (ja) * | 2008-11-06 | 2013-12-18 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法 |
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Cited By (1)
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