JP5536401B2 - レーザ装置および極端紫外光光源装置 - Google Patents
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Description
図1は、この発明の実施の形態1によるレーザ装置を備えた極端紫外光(EUV)光源装置の構成を示す模式図である。このEUV光源装置は、主として、EUV光の発生源となるターゲット原子を励起させるためのレーザ光(いわゆる種レーザ光)を出力するドライバレーザと、このドライバレーザからのレーザ光を用いてEUV光を生成するEUV発生装置とを含む。ドライバレーザは、マスタオシレータである半導体レーザ61と、2段の増幅器であるプリアンプPAおよびメインアンプMAよりなる多段の増幅器とを含む。プリアンプPAおよびメインアンプMAは、それぞれCO2ガスを含む混合ガスなどの分子ガスを増幅媒体としている。
つぎに、この発明の実施の形態2について説明する。上述した実施の形態1では、半導体デバイス1を含む共振器601で増幅するレーザ光をシングル縦モードパルスレーザ光L1とし、このシングル縦モードパルスレーザ光L1の波長をプリアンプPAおよびメインアンプMAの増幅波長帯域S1〜S7のうちの一つ(増幅波長帯域S4)に合わせた。一方、この実施の形態2では、半導体デバイスを含む共振器で増幅するレーザ光をマルチ縦モードパルスレーザ光とし、このマルチ縦モードパルスレーザ光の複数の波長をプリアンプPAおよびメインアンプMAの複数の増幅波長帯域にそれぞれ合わせる。なお、以下の説明において、上記実施の形態と同様の構成については同一の符号を付し、その重複する説明を省略する。
つぎに、この発明の実施の形態3について説明する。この実施の形態3では、図7に示すように、プリアンプPAおよびメインアンプMAの増幅波長帯域S1〜S7全てにマルチ縦モードパルスレーザ光L21〜L27の波長を合わせ込むことで、マルチ縦モードパルスレーザ光L21〜L27をそれぞれ増幅する。なお、以下の説明において、上記実施の形態と同様の構成については同一の符号を付し、その重複する説明を省略する。
つぎに、この発明の実施の形態4について説明する。この実施の形態4では、図8に示すように、プリアンプPAおよびメインアンプMAの増幅波長帯域S1〜S7全てに、マルチ縦モードパルスレーザ光L31〜L43のうちの一つおいて隣り合うマルチ縦モードパルスレーザ光L31,L33,L35,L37,L39,L41,および,L43の波長を合わせ込むことで、マルチ縦モードパルスレーザ光L31,L33,L35,L37,L39,L41,および,L43をそれぞれ増幅する。なお、以下の説明において、上記実施の形態と同様の構成については同一の符号を付し、その重複する説明を省略する。
つぎに、この発明の実施の形態5について説明する。この実施の形態5では、半導体レーザから出力される縦モードパルスレーザ光の波長を直接検出し、この縦モードパルスレーザ光の波長が増幅波長帯域の波長に一致するように、半導体レーザをフィードバック制御する。なお、以下の説明において、上記実施の形態と同様の構成については同一の符号を付し、その重複する説明を省略する。
つぎに、この発明の実施の形態6について説明する。この実施の形態5では、プリアンプPAの増幅状態を検出し、この検出された増幅状態に基づいてプリアンプPAおよびメインアンプMAの増幅波長帯域の波長に半導体レーザから出力された縦モードレーザ光の波長が一致するように、半導体レーザをフィードバック制御する。なお、以下の説明において、上記実施の形態と同様の構成については同一の符号を付し、その重複する説明を省略する。
つぎに、この発明の実施の形態7について説明する。この実施の形態7による極端紫外光光源装置は、図13に示すように、プリアンプとしてスラブレーザPA10を用いている。また、極端紫外光光源装置は、スラブレーザPA10から半導体レーザ61へ戻り光が入射することを防止する光アイソレータ51と、高次横モードをカットする空間フィルタ52とを備えている。なお、以下の説明において、上記実施の形態と同様の構成については同一の符号を付し、その重複する説明を省略する。
つぎに、この発明の実施の形態8について説明する。上述した実施の形態1〜7による半導体レーザ61/61A/61Bは、発振縦モードの波長間隔が増幅波長帯域S1〜S7の波長間隔に略一致するような複数の発振縦モードのレーザ光を出力する。そこで、ターゲット13にSnを用いる場合、屈折率nを考慮した実質的な共振器長(光路長)ndを、1.4mm、2.8mm等と、極めて短くする必要がある。このため、半導体レーザ61が極めて小型になってしまう。なお、dは、出力結合ミラー2とリア光学モジュール3(具体的にはリア光学モジュール3内のリアミラー22またはグレーティング21)と間の距離で定まる共振器長であり、nは共振器中の屈折率である。そこで、この実施の形態8では、共振器長dを大きな値に設定する。これにより、半導体レーザを製造し易い程度の大きさとすることができる。以下に示す具体例では、共振器長dを最低限必要な共振器長の約50倍の長さとする。この場合、屈折率nを考慮した実質的な共振器長(光路長)ndは70mmとなる。なお、以下の説明において、上記実施の形態と同様の構成については同一の符号を付し、その重複する説明を省略する。
Δλs=λ/(2tanβ)・θ …(1)
ここで、グレーティングの溝本数m=20本/mm、回折角度β=6.08°となるようにグレーティング21を設置し、このグレーディング21に波長λ=10.6μmのレーザ光が広がり角度θ=2.5mradで入射した場合を想定する。この場合、図15に示した波長選択領域E1の帯域幅Δλsは、0.120μm(≒0.0206μm×6)となる。すなわち、グレーティング21による波長選択領域E1の帯域幅Δλsが、プリアンプPAおよびメインアンプMAの増幅波長帯域S1〜S7のみを選択する幅となる。
EFSR=λ^2/(2nl) …(2)
なお、nはエタロン50の光路間の屈折率であり、lはエタロン50のミラー間隔である。ここで、エタロン50に、プリアンプPAおよびメインアンプMAの増幅波長帯域S1〜S7の各波長間隔と略等しい波長間隔(=0.02006μm)の波長選択領域E21〜E27を形成させるためには、エタロン50の光路間の屈折率nとエタロン50のミラー間隔lとの積nlを2.8mmとすればよい。
LFSR=λ^2/(2nd) …(3)
なお、nは共振器間の屈折率であり、dは共振器長である。したがって、共振器長dは、次式(4)に示すように、エタロンFSRであるEFSRを共振器の縦モード間隔FSRであるLFSRの整数倍に略一致させる値に設定される。ただし、以下の式(4)において、mは整数である。
EFSR=m・LFSR …(4)
つぎに、この発明の実施の形態9について説明する。上述した実施の形態2〜8による半導体レーザ61/61A/61B/61Cは、半導体デバイス1と出力結合ミラー2とリア光学モジュール3/53とを備え、これらよりなる共振器がマルチ縦モード発振するように構成されていた。これに対し、この実施の形態9では、マルチ縦モード発振する半導体レーザの代わりに、プリアンプPAおよびメインアンプMAの増幅波長帯域のいずれかに含まれる波長のレーザ光をそれぞれシングル縦モードで発振する複数の半導体レーザからの光を合波し、これによる合波光を出力するレーザ装置を用いる。なお、以下の説明において、上記実施の形態と同様の構成については同一の符号を付し、その重複する説明を省略する。
図20は、この発明の実施の形態9の変形例9−1による極端紫外光光源装置に用いられるレーザ装置60Aの構成を示す模式図である。この変形例9−1によるレーザ装置60Aが図19に示したレーザ装置60と異なる点は、合波部63の機能を果たす光学素子として合波用グレーティング65を使用している点である。
mλ=a(sinα±sinβ) …(5)
mλ1=a(sinα1±sinβ) …(5−1)
mλ2=a(sinα2±sinβ) …(5−2)
・
・
・
mλn=a(sinαn±sinβ) …(5−n)
ここで、各半導体レーザ61の発振波長λ1、λ2・・・λnは、図3に示したようなプリアンプPAおよびメインアンプMAの発振ラインの波長のいずれでもよい。
また、上述した変形例9−1では、複数の半導体レーザ61を合波用グレーティング65における回折面上の一点を中心とした円に沿って円弧状に配置する場合を例に挙げた。ただし、これに限定されず、図21に示すように、それぞれのレーザ光の出力方向が同一方向に揃うように複数の半導体レーザ61を横並びに配置してもよい。図21は、この発明の実施の形態9の他の変形例9−2による極端紫外光光源装置に用いられる半導体レーザ60Bの構成を示す模式図である。図21に示すように、この半導体レーザ60Bは、複数の半導体レーザ61−1〜61−nと、球面凹面ミラー66と、合波用グレーティング65と、球面凹面ミラー67と、赤外用光ファイバ69とを有する。複数の半導体レーザ61−1〜61−n(61)は、レーザ光の出力方向が同一方向に揃うように並列に配置されている。球面凹面ミラー66は、各半導体レーザ61−1〜61−nから出力されたレーザ光を平行化しつつコリメート光として反射する。合波用グレーティング65は、球面凹面ミラー66からの複数のコリメート光を回折する。球面凹面ミラー67は、合波用グレーティング65によって回折されたコリメート光を集光するように反射する。赤外用光ファイバ69は、球面凹面ミラー67によって集光されたレーザ光を光ファイバスリーブ68で受光し、これをプリアンプPAへ導波する。なお、各半導体レーザ61−1〜61−nから出力されたレーザ光は、広がりつつ球面凹面ミラー66に入射する。すなわち、各半導体レーザ61−1〜61−nが球面凹面ミラー66に形成するスポットは、点ではなく、ある程度の面積を持った領域となる。したがって、球面凹面ミラー66で反射したn個のレーザ光は、ある程度の広がりを持ったコリメート光として、合波用グレーティング65の回折面における重複する領域にそれぞれ入射し、合波用グレーティング65によって回折される。この際、合波用グレーティング65に入射するn個のレーザ光(コリメート光)と合波用グレーティング65で回折されたレーザ光(回折光)とが上述した式(5−1)〜式(5−n)を成立させるような入射角度α1、α2、・・・、αnと回折角度βとの関係を持つように、半導体レーザ61と球面凹面ミラー66と合波用グレーティング65とがアレンジされる。このように、合波用グレーティング65による各レーザ光の回折角度βを同じとすることで、球面凹面ミラー66で反射された半導体レーザ61−1〜61−nからのレーザ光を合波用グレーティング66において広がりを持ったコリメート光に合波することが可能となる。
つぎに、この発明の実施の形態10について説明する。上述した実施の形態1〜9では、半導体レーザ61/61A/61B/61Cから出力されたレーザ光をそのままプリアンプPAへ出力するようにしていた。これに対し、この実施の形態10では、半導体レーザとプリアンプPAとの間に半導体レーザから出力されたレーザ光を増幅する再生増幅器を配置する。なお、以下の説明では、半導体レーザ61を用いた場合を例に挙げるが、他の半導体レーザ61A/61B/61Cを用いてもよい。また、以下の説明において、上記実施の形態と同様の構成については同一の符号を付し、その重複する説明を省略する。
2L/C≧Tsem …(6)
たとえば、シードパルス光SAの時間幅Tsemが20nsである場合、式(6)を満足する共振器長Lは、約3m以上となる。
つぎに、この発明の実施の形態11について説明する。この実施の形態11では、マスタオシレータとしての半導体レーザに、分布帰還型(DFB:Distributed feedback)の半導体レーザを適用している。
λ=λb±δλ …(7)
ここで、λb=2nΛ/mはブラッグ反射する波長、Λはグレーティングの周期、mは回折次数である。また、グレーティング71によって選択される波長幅(以下、選択波長幅という)は、2δλとなる。この選択波長幅2δλは、グレーティング71の溝深さや半導体レーザ61Dの共振器長等によって決定される値である。そこで、このグレーティング71の選択波長幅2δλに半導体レーザ61Dの縦モードが1本だけ含まれるようにグレーティング71をアレンジすることで、半導体レーザ61Aをシングル縦モードで発振させることが可能となる。このシングル縦モードの発振波長およびシングル縦モードの制御は、図4に示すプリアンプPAおよびメインアンプMAの増幅波長帯域S1〜S7の1つに発振波長が安定するように、半導体レーザ61D(特に活性層71)の温度をペルチェ素子72等によって制御することで実現可能である。これにより、シングル縦モードのレーザ光を増幅が可能となる。
つぎに、この発明の実施の形態12について説明する。上述した実施の形態9の変形例9−1によるレーザ装置60Aでは、合波するレーザ光の出力端に半導体レーザ61の出力端を用いた。このため、変形例9−1では、半導体レーザ61−1〜61n(61)を円弧状に配置する必要があった。これに対し、この実施の形態12では、合波するレーザ光の出力端に、半導体レーザ光61−1〜61−n(61)それぞれに取り付けた光ファイバ(ピグテール)の出力端を用いる。これにより、この実施の形態12では、半導体レーザ61を円弧状に配置する必要がなくなる。この結果、レーザ装置を小型化することが可能となる。なお、以下の説明において、上記実施の形態と同様の構成については同一の符号を付し、その重複する説明を省略する。
つぎに、この発明の実施の形態13について説明する。この実施の形態13は、上述した実施の形態12による構成において、合波用グレーティング65をリトロー配置またはこれに近づけた状態にアレンジする。なお、以下の説明において、上記実施の形態と同様の構成については同一の符号を付し、その重複する説明を省略する。
つぎに、この発明の実施の形態14について説明する。上述した実施の形態9の変形例9−2によるレーザ装置60Bでは、合波するレーザ光の出力端に半導体レーザ61の出力端を用いた。このため、変形例9−2では、半導体レーザ61−1〜61n(61)をそれぞれのレーザ光の出力方向が同一方向に揃うように横並びに配置する必要があった。これに対し、この実施の形態14では、合波するレーザ光の出力端にピグテールの出力端を用いる。これにより、この実施の形態14では、半導体レーザ61をそれぞれのレーザ光の出力方向が同一方向に揃うように横並びに配置する必要がなくなる。この結果、レーザ装置を小型化することが可能となる。なお、以下の説明において、上記実施の形態と同様の構成については同一の符号を付し、その重複する説明を省略する。
つぎに、この発明の実施の形態15について説明する。図30は、この実施の形態15による極端紫外光光源装置に用いられるレーザ装置80Cの構成を示す模式図である。上述した実施の形態14によるレーザ装置80Bでは、図29に示すように、合波用グレーティング65からの合波光を球面凹面ミラー67を用いて集光していた。これに対し、この実施の形態15によるレーザ装置80Cは、図30と図29とを比較すると明らかなように、合波用グレーティングに、レーザ光を集光可能な凹面型の合波用グレーティング85を用いる。これにより、合波光を集光するための球面凹面ミラー67を省略することができるため、レーザ装置80Cをより小型化することが可能となる。
2 出力結合ミラー
3,30,53 リア光学モジュール
4 縦モードコントローラ
5 縦モードアクチュエータ
5a 共振器アクチュエータ
5b エタロンアクチュエータ
5c グレーティングアクチュエータ
10 EUVチャンバ
12 穴部
13 ターゲット
20 コリメートレンズ
21 グレーティング
22 リアミラー
23,54 PZT
24,55 ミラーホルダ
40 発振波長縦モード検出器
41,42 増幅出力検出器
50 エタロン
51 光アイソレータ
52 空間フィルタ
52a 集光レンズ
52b コリメートレンズ
56 スペクトル検出器
60,60A,60B,80,80A,80B,80C レーザ装置
61,61−1〜61−n,61A,61B,61C,61D 半導体レーザ
62,62−1〜62−n 導波路
63 合波部
64 出力導波路
65,85 合波用グレーティング
66,67 球面凹面ミラー
68 光ファイバスリーブ
69 赤外用光ファイバ
70 活性層
71 グレーティング
72 ペルチェ素子
81,81−1〜81−n ピグテール
82,82−1〜82−n 出力端
100,100A 再生増幅器
101,102 共振器ミラー
103 偏光ビームスプリッタ
111,112 EOポッケルスセル
113 λ/4板
PA プリアンプ
MA メインアンプ
PA10 スラブレーザ
R1〜R3,R12 リレー光学系
M1〜M3 HRミラー
M4 軸外放物面ミラー
M5 EUV集光ミラー
M10,M50 ビームスプリッタ
M21,M22 ミラー
EA CO2レーザ増幅部
SA シードパルス光
SB 増幅パルス光
Claims (18)
- それぞれレーザ光を出力する複数の半導体レーザと、
前記複数の半導体レーザからそれぞれ出力された前記レーザ光を合波するグレーティングと、
分子ガスを増幅媒体として備え、複数の増幅波長帯域それぞれに含まれる波長のレーザ光を増幅する増幅器と、
前記複数の半導体レーザから出力された前記レーザ光の波長をそれぞれ検出する縦モード検出器と、
前記複数の半導体レーザそれぞれから出力される前記縦レーザ光の波長がそれぞれ前記1つ以上の増幅波長帯域のいずれかに重畳されるように前記半導体レーザを制御する制御部と、
を備えたことを特徴とするレーザ装置。 - 前記複数の半導体レーザにおける少なくとも1つの第1半導体レーザは、第1縦モードと第2縦モードとを含む前記レーザ光を出力し、
前記制御部は、前記第1縦モードと前記第2縦モードとの中心波長間隔が前記複数の増幅波長帯域の中心波長間隔の整数倍となるように、前記第1半導体レーザを制御する
ことを特徴とする請求項1に記載のレーザ装置。 - 前記半導体レーザは、量子カスケードレーザであることを特徴とする請求項1または2に記載のレーザ装置。
- 前記レーザ光は、パルス光であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載のレーザ装置。
- 前記マスタオシレータと前記分子ガスを増幅媒体とする増幅器との間に再生増幅器を設けたことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載のレーザ装置。
- 前記分子ガスを増幅媒体とする増幅器は、1段以上のCO2ガスレーザであることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載のレーザ装置。
- 前記制御部は、各半導体レーザが出力する前記レーザ光の時間波形を制御可能であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載のレーザ装置。
- 前記制御部は、各半導体レーザの共振器長または温度を制御することで前記レーザ光の波長を制御することを特徴とする請求項1〜7のいずれか一つに記載のレーザ装置。
- 各半導体レーザは、
1つ以上の縦モードのうち、前記複数の増幅波長帯域を全体に亘ってカバーする波長帯域に含まれる縦モードを選択する第1の波長選択手段と、
前記複数の増幅波長帯域のいずれかに対応する波長の縦モードを個別に選択する第2の波長選択手段と、
を備え、
前記第1および第2の波長選択手段は、前記共振器内に配置されていることを特徴とする請求項8に記載のレーザ装置。 - 各半導体レーザは、分布帰還型の半導体レーザであり、
前記制御部は、前記共振器の共振器長または温度を制御することで前記レーザ光の波長を制御することを特徴とする請求項1〜9のいずれか一つに記載のレーザ装置。 - 各半導体レーザは、マルチ縦モード発振することで複数の縦モードを含む前記レーザ光を出力する
ことを特徴とする請求項1〜10のいずれか一つに記載のレーザ装置。 - 前記制御部は、前記複数の半導体レーザそれぞれに設けられ、
各制御部は、各半導体レーザから出力される前記複数の縦モードのうちの少なくとも1つの縦モードの波長が前記増幅波長帯域のいずれかと一致するように該半導体レーザを制御することを特徴とする請求項11に記載のレーザ装置。 - 前記複数の半導体レーザから出力された前記レーザ光をそれぞれ導波する複数の光ファイバを備え、
前記合波部は、前記複数の光ファイバそれぞれの出力端から出力された前記レーザ光を合波することを特徴とする請求項12に記載のレーザ装置。 - 前記出力端は、前記複数のレーザ光が所定の位置で重畳するように配置され、
前記グレーティングは、前記複数のレーザ光の回折角が一致するように前記所定の位置に配置されていることを特徴とする請求項13に記載のレーザ装置。 - 前記グレーティングは、前記複数のレーザ光に対してリトロー配置されていることを特徴とする請求項14に記載のレーザ装置。
- 前記複数の光ファイバの出力端から出力された前記複数のレーザ光をそれぞれコリメート光として反射するとともに、該複数のコリメート光を所定の位置で重畳させる凹面レンズを備え、
前記グレーティングは、前記複数のコリメート光の回折角が一致するように前記所定の位置に配置されていることを特徴とする請求項13に記載のレーザ装置。 - 前記グレーティングは、前記複数のコリメート光を集光するように回折する凹面型のグレーティングであることを特徴とする請求項16に記載のレーザ装置。
- 請求項1〜17のいずれか一つに記載のレーザ装置をドライバレーザとして用い、該レーザ装置から出力されたレーザ光をターゲット原子に照射してプラズマを生成し、該プラズマから放射された極端紫外光を出力することを特徴とする極端紫外光光源装置。
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