JP6203503B2 - 半導体発光装置 - Google Patents
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Description
また、本発明の請求項8に記載された発明は、請求項7において、前記第1堰き止め部の前記第1凹み部に、前記半導体発光素子とは別の素子の少なくとも一部分が配置されていることを特徴とするものである。
また、本発明の請求項9に記載された発明は、請求項4〜請求項6のいずれかにおいて、前記第1堰き止め部の上面まで前記第2封止樹脂が配置されていることを特徴とするものである。
1a… 表面
1b… 裏面
2… 回路パターン
2a… ダイボンディングパッド
2b… ワイヤボンディングパッド
2c… 外部接続電極
3… 半導体発光素子
3a… 電極
3b… 光出射面
4… ボンディングワイヤ
5… 堰き止め部
5a… 細幅部
5b… 太幅部
5c… 遷移部
5d… 上面外側端部
5e… 外側面
5f… 上面
6… 外周線
7… 内周線
7a… 線分
7b… 線分
7c… 線分
8… 領域(ボンディング領域)
8a… 拡張部
9… ダイボンディング材(接着剤)
10… 封止樹脂
10a… 表面
20… 半導体発光装置
30・・・ ツェナーダイオード
31… 接着剤
41… 基板
41a… 表面
41b… 裏面
42… 回路パターン
42a… 電極パッド
42b… 外部接続電極
43… 半導体発光素子
44… 第1堰き止め部
44a… 細幅部
44aa… 第1細幅部
44ab… 第2細幅部
44b… 太幅部
44c… 遷移部
44d… 内側面
44e… 上面
44f… 上面内側端部
44g… 外側面
45… 外周線
45a… 線分
46… 内周線
46a… 線分
47… 領域(ボンディング領域)
47a… 第1拡張部
48… 領域(外側領域)
48a… 第2拡張部
49… 線分
50… 第1封止樹脂
50a… 上面
54… 第2堰き止め部
54a… 細幅部
54b… 太幅部
54c… 遷移部
54d… 内側面
54e… 上面
54f… 上面内側端部
55… 外周線
56… 内周線
56a… 線分
56b… 線分
56c… 線分
57… 領域
57a… 拡張部
58… バンプ
60… 第2封止樹脂
70… 半導体発光装置
Claims (9)
- 半導体発光素子を実装するダイボンディングパッド部と、
当該ダイボンディングパッド部と離間し、前記ダイボンディングパッド部の一辺に並んで形成した第1パッド部と、
前記ダイボンディングパッド部の前記第1パッド部と反対側に形成した第2パッド部を導電部材により形成した基板と、
前記基板上に実装された半導体発光素子と、
前記基板表面であって前記半導体発光素子、前記ダイボンディングパッド部、前記第1パッド部及び前記第2パッド部の周囲を切れ目なく囲むように形成された第1堰き止め部と、
前記第1堰き止め部に堰き止められて、前記半導体発光素子を封止する第1封止樹脂と、を有し、
前記第1堰き止め部は、太幅部、細幅部、前記太幅部と前記細幅部との間の幅が変化する部分である遷移部とを含み、
前記第1封止樹脂は前記第1堰き止め部の上面外側端部から外側面の延長方向に立ち上がる形状であり、
前記遷移部は、前記第1パッド部もしくは前記第2パッド部の、前記第1パッド部、前記ダイボンディングパッド部及び前記第2パッド部が並んでいる方向と直交する方向側の側面の近くに位置し、前記並んでいる方向と前記第1堰き止め部とが交差する部分は前記細幅部が位置して前記第1封止樹脂が前記第1堰き止め部に対するアンカー効果を持つように作用することを特徴とする半導体発光装置。 - 前記細幅部は前記第1堰き止め部の外周方向に凹んだ凹み部を形成しており、前記凹み部に前記半導体発光素子とは別の素子の少なくとも一部分が配置されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。
- 前記第1堰き止め部の外側に該第1堰き止め部の周囲を切れ目なく囲むように設けられた、太幅部、細幅部、前記太幅部と前記細幅部との間の幅が変化する部分である遷移部とを含む第2堰き止め部と、
前記2堰き止めに堰き止められて、前記第1堰き止め部及び前記第1封止樹脂を封止する第2封止樹脂と、を有し、
前記第2堰き止め部の遷移部は、前記第2封止樹脂が前記第2堰き止め部に対するアンカー効果を持つように作用することを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。 - 前記第1堰き止め部の細幅部は、該第1堰き止め部の外周方向に凹んだ第1凹み部及び内周方向に凹んだ第2凹み部の2種類の凹み部を形成し、前記第2堰き止め部の細幅部は、該第2堰き止め部の外周方向に凹んだ凹み部を形成していることを特徴とする請求項3に記載の半導体発光装置。
- 前記第1堰き止め部の前記第1凹み部に、前記半導体発光素子とは別の素子の少なくとも一部分が配置されていることを特徴とする請求項4に記載の半導体発光装置。
- 半導体発光素子を実装するダイボンディングパッド部と、
当該ダイボンディングパッド部と離間し、前記ダイボンディングパッド部の一辺に並んで形成した第1パッド部と、
前記ダイボンディングパッド部の前記第1パッド部と反対側に形成した第2パッド部を導電部材により形成した基板と、
前記基板上に実装された半導体発光素子と、
前記基板表面であって前記半導体発光素子、前記ダイボンディングパッド部、前記第1パッド部及び前記第2パッド部の周囲を切れ目なく囲むように形成された第1堰き止め部と、
前記第1堰き止め部に堰き止められて、前記半導体発光素子を封止する第1封止樹脂と、を有し、
前記第1堰き止め部の外側に該第1堰き止め部の周囲を切れ目なく囲むように形成された、太幅部、細幅部、前記太幅部と前記細幅部との間の幅が変化する部分である遷移部とを含む第2堰き止め部と、
前記第2堰き止め部に堰き止められて、前記第1堰き止め部及び前記第1封止樹脂を封止する第2封止樹脂と、を有し、
前記第2封止樹脂は前記第2堰き止め部の上面外側端部から外側面の延長方向に立ち上がる形状であり、
前記第2堰き止め部の遷移部は、前記第2封止樹脂が前記第2堰き止め部に対するアンカー効果を持つように作用することを特徴とする半導体発光装置。 - 前記第1堰き止め部の細幅部は、該第1堰き止め部の外周方向に凹んだ第1凹み部及び内周方向に凹んだ第2凹み部の2種類の凹み部を形成し、前記第2堰き止め部の細幅部は、該第2堰き止め部の外周方向に凹んだ凹み部を形成していることを特徴とする請求項6に記載の半導体発光装置。
- 前記第1堰き止め部の前記第1凹み部に、前記半導体発光素子とは別の素子の少なくとも一部分が配置されていることを特徴とする請求項7に記載の半導体発光装置。
- 前記第1堰き止め部の上面まで前記第2封止樹脂が配置されていることを特徴とする請求項4〜請求項6のいずれかに記載の半導体発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013029110A JP6203503B2 (ja) | 2013-02-18 | 2013-02-18 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013029110A JP6203503B2 (ja) | 2013-02-18 | 2013-02-18 | 半導体発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014157976A JP2014157976A (ja) | 2014-08-28 |
JP6203503B2 true JP6203503B2 (ja) | 2017-09-27 |
Family
ID=51578662
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013029110A Active JP6203503B2 (ja) | 2013-02-18 | 2013-02-18 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6203503B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6332342B2 (ja) * | 2015-08-20 | 2018-05-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
US9859480B2 (en) | 2015-08-20 | 2018-01-02 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing light emitting device |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0225048A (ja) * | 1988-07-14 | 1990-01-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JP3541300B2 (ja) * | 1994-09-21 | 2004-07-07 | イビデン株式会社 | 電子部品搭載装置 |
JP2004087812A (ja) * | 2002-08-27 | 2004-03-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光体 |
US9070850B2 (en) * | 2007-10-31 | 2015-06-30 | Cree, Inc. | Light emitting diode package and method for fabricating same |
JP5205724B2 (ja) * | 2006-08-04 | 2013-06-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP5211493B2 (ja) * | 2007-01-30 | 2013-06-12 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 配線基板及び半導体装置 |
JP2011258851A (ja) * | 2010-06-11 | 2011-12-22 | Komura-Tech Co Ltd | 発光素子基板およびその製法 |
US20120074434A1 (en) * | 2010-09-24 | 2012-03-29 | Jun Seok Park | Light emitting device package and lighting apparatus using the same |
JP2012099544A (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-24 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置の製造方法 |
-
2013
- 2013-02-18 JP JP2013029110A patent/JP6203503B2/ja active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014157976A (ja) | 2014-08-28 |
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