JP6198522B2 - 陽極接合された蒸気セル内で圧力の均一性を高める製作技法 - Google Patents
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Description
[0001]本出願は、2010年9月10日出願の米国特許出願第12/879,394号の一部継続出願であり、同出願は、2010年2月4日出願の米国特許仮出願第61/301,497号の利益を主張している。両出願は、参照により本明細書に組み込まれている。
政府の実施権
[0002]米国政府は、米国空軍との政府の契約番号FA8650−07−C−1125の条項に規定される本発明の特定の権利を有するものとする。
[0021]図1は、一実施形態によるCSAC物理パッケージ100を示し、物理パッケージ100は、本手法によって製作された蒸気セルを用いることができる。物理パッケージ100は筐体102を含み、筐体102は、物理パッケージ100の様々な機械および電子構成要素を収容する。これらの構成要素は、ウェーハレベルの微小電子機械システム(MEMS)デバイスとして製作してから、筐体102内で組み立てることができる。通常、物理パッケージ100内のCSAC構成要素には、垂直共振器表面発光レーザ(VCSEL)などのレーザダイ110と、レーザダイ110と光通信する4分の1波長板120と、4分の1波長板120と光通信する蒸気セル130と、蒸気セル130と光通信する光学検出器140とが含まれる。
[0054]実施例1は、1つまたは複数の蒸気セルを製作する方法を含み、この方法は、内部表面領域および外周を有し、第1の直径を有する第1のウェーハ内に、1つまたは複数の蒸気セルダイを形成するステップと、蒸気セルダイの上で第1のウェーハの第1の面に、第2の直径を有する第2のウェーハを陽極接合するステップと、蒸気セルダイの上で、第1のウェーハのうち第2のウェーハとは反対側の第2の面上に、第3の直径を有する第3のウェーハを位置決めするステップと、第3のウェーハの上に、第1、第2、および第3の直径より大きい直径を有する犠牲ウェーハを配置するステップと、犠牲ウェーハの上に金属化接合板を配置するステップと、犠牲ウェーハが定位置にある間に金属化接合板に電圧が印加されるときに、第1のウェーハの第2の面に第3のウェーハを陽極接合するステップとを含む。
[0056]実施例3は、実施例1および2のいずれかに記載の方法を含み、犠牲ウェーハはガラスウェーハを構成する。
[0061]実施例8は、実施例1〜7のいずれかに記載の方法を含み、1つまたは複数の蒸気セルダイはそれぞれ基板を備え、この基板は、第1のチャンバと、第2のチャンバと、第1のチャンバと第2のチャンバの間の少なくとも1つの接続経路とを有する。
[0063]実施例10は、実施例9に記載の方法を含み、温度が上昇するにつれて気体圧力が所定の速度で上昇する。
[0065]実施例12は、複数の蒸気セルダイを備え、内部表面領域および外周を有し、第1の直径を有する第1のウェーハを備える蒸気セルを製作するウェーハ構成を含む。蒸気セルダイの上で第1のウェーハの第1の面に、第1の直径と実質上同じ第2の直径を有する第2のウェーハが陽極接合される。蒸気セルダイの上で、第1のウェーハのうち第2のウェーハとは反対側の第2の面上に、第1および第2の直径と実質上同じ第3の直径を有する第3のウェーハが配置される。第3のウェーハの上に、第1、第2、および第3の直径より大きい直径を有する犠牲ウェーハが配置される。犠牲ウェーハの直径は、第1のウェーハに第3のウェーハが陽極接合されるときにアークの発生を防止するのに十分なほど大きい。
[0068]実施例15は、実施例12〜14のいずれかに記載のウェーハ構成を含み、第1のウェーハ内に複数の相互接続された通気チャネルをさらに備え、これらの通気チャネルにより、蒸気セルダイからの気体が第1のウェーハの外周の外側へ進むための少なくとも1つの経路が提供される。
[0071]実施例18は、実施例12〜17のいずれかに記載のウェーハ構成を含み、蒸気セルダイは、チップスケール原子時計の物理パッケージ向けに構成される。
[形態1]
1つまたは複数の蒸気セルを製作する方法であって、
内部表面領域および外周を有する第1のウェーハ内に、1つまたは複数の蒸気セルダイを形成するステップであって、前記第1のウェーハが第1の直径を有するステップと、
前記蒸気セルダイの上で前記第1のウェーハの第1の面に第2のウェーハを陽極接合するステップであって、前記第2のウェーハが第2の直径を有するステップと、
前記蒸気セルダイの上で、前記第2のウェーハとは反対側の前記第1のウェーハの第2の面上に第3のウェーハを位置決めするステップであって、前記第3のウェーハが第3の直径を有するステップと、
前記第3のウェーハの上に犠牲ウェーハを配置するステップであって、前記犠牲ウェーハが前記第1、第2、および第3の直径より大きい直径を有するステップと、
前記犠牲ウェーハの上に金属化接合板を配置するステップと、
前記犠牲ウェーハが定位置にある間に前記金属化接合板に電圧が印加されるときに、前記第1のウェーハの前記第2の面に前記第3のウェーハを陽極接合するステップと
を含む方法。
[形態2]
形態1に記載の方法において、前記第1のウェーハ内に1つまたは複数の相互接続された通気チャネルを形成するステップをさらに含み、前記通気チャネルにより、前記1つまたは複数の蒸気セルダイからの気体が前記第1のウェーハの前記外周の外側へ進むための少なくとも1つの経路が提供され、前記通気チャネルにより、前記第2および第3のウェーハを前記第1のウェーハに陽極接合する間、前記第1のウェーハの前記内部表面領域への気体を前記第1のウェーハの前記外周の外側の気体と実質上連続する圧力平衡状態にすることが可能になる、方法。
[形態3]
蒸気セルを製作するウェーハ構成であって、
複数の蒸気セルダイを備える第1のウェーハであって、内部表面領域および外周を有し、第1の直径を有する第1のウェーハと、
前記蒸気セルダイの上で前記第1のウェーハの第1の面に陽極接合される第2のウェーハであって、前記第1の直径と実質上同じ第2の直径を有する第2のウェーハと、
前記蒸気セルダイの上で、前記第2のウェーハとは反対側の前記第1のウェーハの第2の面上に配置される第3のウェーハであって、前記第1および第2の直径と実質上同じ第3の直径を有する第3のウェーハと、
前記第3のウェーハの上に配置される犠牲ウェーハであって、前記第1、第2、および第3の直径より大きい直径を有する犠牲ウェーハと、
前記犠牲ウェーハの上の金属化接合板と
を備え、
前記第3のウェーハが前記第1のウェーハに陽極接合されるときにアークの発生を防止するのに十分なほど前記犠牲ウェーハの前記直径が大きい、ウェーハ構成。
102 筐体
104 底面
106 上面
110 レーザダイ
112 レーザビーム
120 4分の1波長板
130 蒸気セル
132 ウェーハ
134 ウェーハ
136 基板
138 チャンバ
140 光学検出器
150 下部足場
152 下部層
154 中間層
156 上部層
160 上部足場構造
200 蒸気セルダイ
205 シリコン基板
210 第1のチャンバ
215 接続経路
220 第2のチャンバ
230 曲がりくねった経路
235 ルビジウムまたは他のアルカリ金属
245 浅いトレンチ
300 ウェーハ
302 蒸気セルダイ
304 通気チャネル
306 内部表面領域
308 外周
400 CSAC物理パッケージ
402 筐体
403 本体
404 空胴
405 蓋
406 はんだ
407 側面
408 下部ステップ
409 上部ステップ
410 レーザダイ
411 底面
412 レーザビーム
420 4分の1波長板
430 蒸気セル
432 下部ガラスウェーハ
434 上部ガラスウェーハ
436 シリコンウェーハ
438 チャンバ
440 第1の光学検出器
442 第2の光学検出器
444 抵抗器
450 下部足場構造
452 足場ダイ
454 テザー
455 枠
456 ワイアボンド
460 中間足場構造
462 足場ダイ
464 テザー
465 枠
466 傾斜特徴
467 上面
470 スペーサ
472 下面
474 上面
476 開口
477 相互接続配線
478 磁気コイル巻線
479 金属スタッドバンプ
480 上部足場構造
482 足場ダイ
484 テザー
485 枠
500 ウェーハ構成
502 蒸気セル
504 第1のウェーハ
506 第2のウェーハ
508 第3のウェーハ
510 犠牲ウェーハ
512 金属化接合板
514 露出部分
600 蒸気セルダイ
605 基板
610 第1のチャンバ
615 第2のチャンバ
620 接続経路
700 シリコンウェーハ
702 蒸気セルダイ
704 通気チャネル
706 内部表面領域
708 外周
Claims (3)
- 1つまたは複数の蒸気セルを製作する方法であって、
内部表面領域および外周を有する第1のウェーハ内に、1つまたは複数の蒸気セルダイを形成するステップであって、前記第1のウェーハが第1の直径を有するステップと、
前記蒸気セルダイの上で前記第1のウェーハの第1の面に第2のウェーハを陽極接合するステップであって、前記第2のウェーハが第2の直径を有するステップと、
前記蒸気セルダイの上で、前記第2のウェーハとは反対側の前記第1のウェーハの第2の面上に第3のウェーハを位置決めするステップであって、前記第3のウェーハが第3の直径を有するステップと、
前記第3のウェーハの上に犠牲ウェーハを配置するステップであって、前記犠牲ウェーハが前記第1、第2、および第3の直径より大きい直径を有するステップと、
前記犠牲ウェーハの上に金属化接合板を配置するステップと、
前記犠牲ウェーハが定位置にある間に前記金属化接合板に電圧が印加されるときに、前記第1のウェーハの前記第2の面に前記第3のウェーハを陽極接合するステップと
を含む方法。 - 請求項1に記載の方法において、前記第1のウェーハ内に1つまたは複数の相互接続された通気チャネルを形成するステップをさらに含み、前記通気チャネルにより、前記1つまたは複数の蒸気セルダイからの気体が前記第1のウェーハの前記外周の外側へ進むための少なくとも1つの経路が提供され、前記通気チャネルにより、前記第2および第3のウェーハを前記第1のウェーハに陽極接合する間、前記第1のウェーハの前記内部表面領域への気体を前記第1のウェーハの前記外周の外側の気体と実質上連続する圧力平衡状態にすることが可能になる、方法。
- 第1のウェーハと、前記第1のウェーハの第1面に陽極接合された第2のウェーハと、前記第2のウェーハとは反対側の前記第1のウェーハの第2面に陽極接合された第3のウェーハとを有する蒸気セルを製作するために使用するウェーハ構成であって、
複数の蒸気セルダイを備える前記第1のウェーハであって、内部表面領域および外周を有し、第1の直径を有する前記第1のウェーハと、
前記蒸気セルダイの上で前記第1のウェーハの前記第1の面に陽極接合された前記第2のウェーハであって、前記第1の直径と実質上同じ第2の直径を有する前記第2のウェーハと、
前記蒸気セルダイの上で、前記第1のウェーハの前記第2の面上に配置される前記第3のウェーハであって、前記第1および第2の直径と実質上同じ第3の直径を有する前記第3のウェーハと、
前記第3のウェーハの上に配置される犠牲ウェーハであって、前記第1、第2、および第3の直径より大きい直径を有する犠牲ウェーハと、
前記犠牲ウェーハの上の金属化接合板と
を備え、
前記第3のウェーハが前記第1のウェーハに陽極接合されるときにアークの発生を防止するのに十分なほど前記犠牲ウェーハの前記直径が大きい、ウェーハ構成。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/662,850 US8941442B2 (en) | 2010-02-04 | 2012-10-29 | Fabrication techniques to enhance pressure uniformity in anodically bonded vapor cells |
US13/662,850 | 2012-10-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014088308A JP2014088308A (ja) | 2014-05-15 |
JP6198522B2 true JP6198522B2 (ja) | 2017-09-20 |
Family
ID=49028964
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013175327A Active JP6198522B2 (ja) | 2012-10-29 | 2013-08-27 | 陽極接合された蒸気セル内で圧力の均一性を高める製作技法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP2746876B1 (ja) |
JP (1) | JP6198522B2 (ja) |
CN (1) | CN103792838B (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6488599B2 (ja) | 2014-09-08 | 2019-03-27 | セイコーエプソン株式会社 | 量子干渉装置、原子セルの製造方法および電子機器 |
JP6852377B2 (ja) * | 2016-12-12 | 2021-03-31 | 株式会社村田製作所 | 原子発振器および電子機器 |
CN107128871B (zh) * | 2017-05-10 | 2019-04-05 | 中国电子科技集团公司第四十九研究所 | 一种基于mems原子芯片的物理封装件及其封装方法 |
US10544039B2 (en) * | 2017-09-08 | 2020-01-28 | Texas Instruments Incorporated | Methods for depositing a measured amount of a species in a sealed cavity |
JP2019165332A (ja) * | 2018-03-19 | 2019-09-26 | 株式会社リコー | 電子デバイスおよび原子発振器 |
JP7232510B2 (ja) * | 2019-01-31 | 2023-03-03 | 国立研究開発法人情報通信研究機構 | 量子光学装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005016965A (ja) * | 2003-06-23 | 2005-01-20 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | パッケージおよびその製造方法、ならびに振動ジャイロおよびその製造方法 |
US7400207B2 (en) * | 2004-01-06 | 2008-07-15 | Sarnoff Corporation | Anodically bonded cell, method for making same and systems incorporating same |
US7292111B2 (en) * | 2004-04-26 | 2007-11-06 | Northrop Grumman Corporation | Middle layer of die structure that comprises a cavity that holds an alkali metal |
US20060022761A1 (en) * | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Abeles Joseph H | Chip-scale atomic clock (CSAC) and method for making same |
JP5121493B2 (ja) * | 2008-02-21 | 2013-01-16 | セイコーインスツル株式会社 | 圧電振動子の製造方法 |
JP2009212416A (ja) * | 2008-03-06 | 2009-09-17 | Epson Toyocom Corp | ガスセルの製造方法及びガスセル |
JP2009215099A (ja) * | 2008-03-10 | 2009-09-24 | Konica Minolta Holdings Inc | 陽極接合方法及び液滴吐出ヘッドの製造方法 |
CN101407372B (zh) * | 2008-11-07 | 2011-01-12 | 清华大学 | 一种原子蒸气泡的制作方法 |
CN101598772B (zh) * | 2009-06-26 | 2011-12-07 | 中北大学 | 微型原子蒸汽泡制作方法 |
JP5421690B2 (ja) * | 2009-08-12 | 2014-02-19 | セイコーインスツル株式会社 | パッケージの製造方法 |
US8242851B2 (en) * | 2010-02-04 | 2012-08-14 | Honeywell International Inc. | Processes for stabilizing a VCSEL in a chip-scale atomic clock |
US8299860B2 (en) * | 2010-02-04 | 2012-10-30 | Honeywell International Inc. | Fabrication techniques to enhance pressure uniformity in anodically bonded vapor cells |
US20110187464A1 (en) * | 2010-02-04 | 2011-08-04 | Honeywell International Inc. | Apparatus and methods for alkali vapor cells |
JP2012191138A (ja) * | 2011-03-14 | 2012-10-04 | Seiko Epson Corp | ガスセルユニット、原子発振器および電子装置 |
-
2013
- 2013-08-22 EP EP13181421.2A patent/EP2746876B1/en active Active
- 2013-08-27 JP JP2013175327A patent/JP6198522B2/ja active Active
- 2013-08-29 CN CN201310383281.9A patent/CN103792838B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103792838A (zh) | 2014-05-14 |
EP2746876A2 (en) | 2014-06-25 |
EP2746876A3 (en) | 2018-01-10 |
EP2746876B1 (en) | 2019-04-10 |
CN103792838B (zh) | 2017-08-11 |
JP2014088308A (ja) | 2014-05-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160822 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170428 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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