JP6189199B2 - コンタクト検査装置、コンタクト検査方法及び電子部品 - Google Patents

Description

本発明は、コンタクト検査装置、コンタクト検査方法及び電子部品に関する。

従来、２端子デバイスの静特性試験を行う場合において、順方向と逆方向を別々の測定ステーションで試験を行う場合、順方向試験は大電流を印加するために試験機と測定電極とを４線式で接続していた。この場合は各端子に２本のケーブルが接続されるので、その２本のケーブルを使って電極の接触状態を確認することが可能である。

しかし、逆方向試験を行う場合、印加電圧が高いものの試験電流が小さいため、試験機と測定電極とを２線式で接続する試験となり各端子には１本のケーブルしか接続されない。そこで、従来の逆方向試験では、整流特性を有する検査対象素子に対して順方向にバイアス電圧をかけて規定の電流が流れるかを確認することで、検査電極と検査対象素子との接触状態を確認していた。

具体的には、従来のコンタクト検査装置は、定電圧源に直列に電流制定用抵抗及び一方の検査電極が順に接続され、他方の検査電極と直列に接続された検出抵抗の検出部の電圧を検出することで、検査電極と検査対象素子との接触状態を確認していた。

特開２０１３−１５３５６号公報

従来のコンタクト検査装置は、検査電極と検査対象素子との接触抵抗が上昇すると、接触抵抗、定電圧源、電流制定用抵抗及び検出抵抗を含む直列回路全体の抵抗が大きくなる。その場合、この直列回路に流れる電流が小さくなることにより、検出抵抗の検出部の電圧が小さくなるので、従来のコンタクト検査装置は、検査電極と検査対象素子の接触が不良であると判定し、検査者は、検査電極を新しい検査電極に交換していた。

しかし、このように接触不良と判定された検査電極を用いて、逆方向試験で検査対象素子に対して逆バイアス電圧を印加した場合でも、検査対象素子に流れる電流が小さいので、接触抵抗における電圧降下が無視できるほど小さい。このため、逆方向試験にはほとんど影響を与えない。このように、従来では、まだ検査電極が逆方向試験で使用できる範囲の接触抵抗の値であっても、コンタクト検査装置で接触不良と判定された場合、検査電極を交換していたので、検査電極の交換頻度が高くなるという問題があった。

そこで、本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、逆方向試験に用いる検査電極の交換頻度を削減することを可能とするコンタクト検査装置、コンタクト検査方法及び電子部品を提供することを目的とする。

本発明の一態様に係るコンタクト検査装置は、
一端が電源に接続され、所定の定電流を出力する定電流源と、
一端が接地された検出抵抗と、
整流特性を有する検査対象素子の一端に電気的に接続可能な第１の検査電極と、
前記検査対象素子の他端に電気的に接続可能な第２の検査電極と、
前記第１の検査電極と前記検出抵抗の他端との間が導通している第１導通状態と、前記第１の検査電極と逆方向試験装置の高電位側端子との間が導通している第２導通状態とを切替可能な第１の切替スイッチと、
前記第２の検査電極と前記定電流源の出力との間が導通している第３導通状態と、前記第２の検査電極と前記逆方向試験装置の低電位側端子との間が導通している第４導通状態とを切替可能な第２の切替スイッチと、
前記検出抵抗の検出部の電圧と所定の基準電圧とを比較し、この比較結果に基づいて、前記検査対象素子に対する前記第１の検査電極及び前記第２の検査電極の接触状態を検出する比較検出部と、
を備え、
前記検査対象素子に順方向に電流を印加するコンタクト検査において、前記第１の検査電極と該第１の検査電極よりも高電位となっている前記第２の検査電極との間に、前記検査対象素子が順方向に接続され、前記第１の切替スイッチが前記第１導通状態に切替られ、かつ前記第２の切替スイッチが前記第３導通状態に切替られた状態で、前記比較検出部が前記接触状態を検出し、
前記検査対象素子に逆方向に電圧を印加する逆方向試験において、前記第１の切替スイッチが前記第２導通状態に切替られ、前記第２の切替スイッチが前記第４導通状態に切替られる。

本発明の一態様は、前記コンタクト検査装置において、
前記比較検出部は、前記比較結果に基づいて、前記検査対象素子と前記第１の検査電極との接触抵抗の値と前記検査対象素子と前記第２の検査電極との接触抵抗の値の和が、所定の許容値以下か否か検出し、
前記許容値及び前記電源の電圧に基づいて、前記定電流源が出力する電流の値と前記検出抵抗の値が決められている。

本発明の一態様は、前記コンタクト検査装置において、
前記第１の切替スイッチは、前記第１の検査電極と接続された第１の接点と、前記逆方向試験装置の高電位側端子と接続された第２の接点と、第３の接点と、を備え、
前記第２の切替スイッチは、前記第２の検査電極と接続された第４の接点と、前記逆方向試験装置の低電位側端子と接続された第５の接点と、第６の接点と、を備え、
一端が前記定電流源の出力に接続され他端が前記第６の接点に接続され、前記定電流源の出力と前記第６の接点との間が導通している導通状態と導通していない非導通状態とを切り替える第１スイッチと、
一端が前記第３の接点に接続され他端が前記検出抵抗の検出部に接続され、前記第３の接点と前記検出抵抗の検出部との間が導通している導通状態と導通していない非導通状態とを切り替える第２スイッチと、
を更に備える。

本発明の一態様は、前記コンタクト検査装置において、
前記第１スイッチ及び前記第２スイッチを制御し、前記コンタクト検査のときに、前記第１スイッチを導通状態にさせ、前記第２スイッチを導通状態にさせる制御部
を更に備える。

本発明の一態様は、前記コンタクト検査装置において、
前記制御部は、前記第１の切替スイッチ及び前記第２の切替スイッチを制御し、コンタクト検査のときに、前記第１の切替スイッチを第１導通状態にさせ、前記第２の切替スイッチを第３導通状態にさせ、逆方向試験のときに、第１の切替スイッチを第２導通状態にさせ、第２の切替スイッチを第４導通状態にさせる。

本発明の一態様は、前記コンタクト検査装置において、
前記検査対象素子は、ダイオードであり、前記第１の検査電極には前記ダイオードのカソードが接続され、前記第２の検査電極には前記ダイオードのアノードが接続される。

本発明の一態様に係るコンタクト検査装置は、
一端が電源に接続され、第１の定電流を出力する第１検査用電流源と、
一端が前記電源に接続され、前記第１検査用電流源が出力する電流より大きい第２の定電流を出力する第２検査用電流源と、
整流特性を有する第１検査対象素子の一端または整流特性を有し該第１検査対象素子より漏れ電流が大きい第２検査対象素子の一端に電気的に接続可能な第１の検査電極と、
前記第１検査対象素子の他端または前記第２検査対象素子の他端に電気的に接続可能な第２の検査電極と、
一端が接地された第１検査用検出抵抗と、
一端が接地され前記第１検査用検出抵抗よりも抵抗値が小さい第２検査用検出抵抗と、前記第１の検査電極と前記第１検査用検出抵抗の他端または前記第２検査用検出抵抗の他端との間が導通している第１導通状態と、前記第１の検査電極と逆方向試験装置の高電位側端子との間が導通している第２導通状態とを切替可能な第１の切替スイッチと、
前記第２の検査電極と前記第１検査用電流源の他端または前記第２検査用電流源の他端との間が導通している第３導通状態と、前記第２の検査電極と前記逆方向試験装置の低電位側端子との間が導通している第４導通状態とを切替可能な第２の切替スイッチと、
前記第１検査対象素子に対する前記第１の検査電極及び前記第２の検査電極の接触状態である第１接触状態を検査する場合、前記第１検査用検出抵抗の検出部の電圧と所定の第１基準電圧とを比較し、比較して得た第１比較結果に基づいて、前記第１接触状態を検出し、前記第２検査対象素子に対する前記第１の検査電極及び前記第２の検査電極の接触状態である第２接触状態を検査する場合、前記第２検査用検出抵抗の検出部の電圧と所定の第２基準電圧とを比較し、比較して得た第２比較結果に基づいて、前記第２接触状態を検出する比較検出部と、
を備え、
前記第１検査対象素子または前記第２検査対象素子に順方向に電流を印加するコンタクト検査において、前記第１の検査電極と該第１の検査電極よりも高電位となっている前記第２の検査電極との間に、前記第１検査対象素子または前記第２検査対象素子が順方向に接続され、前記第１の切替スイッチが前記第１導通状態に切替られ、かつ前記第２の切替スイッチが前記第３導通状態に切替られた状態で、前記比較検出部が前記第１接触状態または前記第２接触状態を検出し、
前記第１検査対象素子または前記第２検査対象素子に逆方向に電圧を印加する逆方向試験において、前記第１の切替スイッチが前記第２導通状態に切替られ、前記第２の切替スイッチが前記第４導通状態に切替られる。

本発明の一態様は、前記コンタクト検査装置において、
前記比較検出部は、前記第１比較結果に基づいて、前記第１検査対象素子と前記第１の検査電極との接触抵抗の値と前記第１検査対象素子と前記第２の検査電極との接触抵抗の値の和が所定の第１許容値以下か否か検出し、前記第２比較結果に基づいて、前記第２検査対象素子と前記第１の検査電極との接触抵抗の値と前記第２検査対象素子と前記第２の検査電極との接触抵抗の値の和が所定の第２許容値以下か否か検出し、
前記第１の許容値及び前記電源の電圧に基づいて、前記第１検査用電流源が出力する電流の値と前記第１検査用検出抵抗の値が決められており、
前記第２の許容値及び前記電源の電圧に基づいて、前記第２検査用電流源が出力する電流の値と前記第２検査用検出抵抗の値が決められている。

本発明の一態様は、前記コンタクト検査装置において、
前記第１基準電圧と前記第２基準電圧は等しく、前記第２検査用検出抵抗の値に対する前記第１検査用検出抵抗の値の比は、前記第１検査用電流源が出力する電流の値に対する前記第２検査用電流源が出力する電流の値の比に等しい。
前記第１の切替スイッチは、前記第１の検査電極に接続された第１の接点と前記逆方向試験装置の高電位側端子と接続されている第２の接点とが導通している前記第１導通状態と、前記第１の接点と第３の接点が導通している前記第２導通状態とを切替可能であり、
前記第２の切替スイッチは、前記第２の検査電極に接続された第４の接点と前記逆方向試験装置の低電位側端子と接続されている第５の接点とが導通している前記第３導通状態と、前記第４の接点と第６の接点が導通している前記第４導通状態とを切替可能であり、
前記第１検査用電流源の出力と前記第６の接点との間が導通している導通状態と導通していない非導通状態とを切り替える第１検査用第１スイッチと、
前記第２検査用電流源の出力と前記第６の接点との間が導通している導通状態と導通していない非導通状態とを切り替える第２検査用第１スイッチと、
前記第３の接点と前記第１検査用検出抵抗との間が導通している導通状態と導通していない非導通状態とを切り替える第１検査用第２スイッチと、
前記第３の接点と前記第２検査用検出抵抗との間が導通している導通状態と導通していない非導通状態とを切り替える第２検査用第２スイッチと、
を備え、
前記コンタクト検査のときに、前記第１検査用第１スイッチが導通状態に切替られ、前記第１検査用第２スイッチが導通状態に切替られ、前記第２検査用第１スイッチが非導通状態に切替られ、前記第２検査用第２スイッチが非導通状態に切替られ、
前記逆方向試験のときに、前記第１検査用第１スイッチが非導通状態に切替られ、前記第１検査用第２スイッチが非導通状態に切替られ、前記第２検査用第１スイッチが導通状態に切替られ、前記第２検査用第２スイッチが導通状態に切替られる。

本発明の一態様は、前記コンタクト検査装置において、
前記第１検査用第１スイッチ、前記第１検査用第２スイッチ、前記第２検査用第１スイッチ及び第２検査用第２スイッチを制御する制御部
を更に備え、
前記制御部は、前記コンタクト検査で前記第１接触状態を検査する場合、前記第１検査用第１スイッチを導通状態にさせ、前記第１検査用第２スイッチを導通状態にさせ、前記第２検査用第１スイッチを非導通状態にさせ、前記第２検査用第２スイッチを非導通状態にさせ、
前記制御部は、前記コンタクト検査で前記第２接触状態を検査する場合、前記第１検査用第１スイッチを非導通状態にさせ、前記第１検査用第２スイッチを非導通状態にさせ、前記第２検査用第１スイッチを導通状態にさせ、前記第２検査用第２スイッチを導通状態にさせる。

本発明の一態様は、前記コンタクト検査装置において、
前記制御部は、前記第１の切替スイッチと前記第２の切替スイッチを制御し、前記コンタクト検査のときに、前記第１の切替スイッチを前記第１導通状態にし、前記第２の切替スイッチを前記第３導通状態にし、前記逆方向試験のときに、前記第１の切替スイッチを前記第２導通状態にし、前記第２の切替スイッチを前記第４導通状態にする。

本発明の一態様は、前記コンタクト検査装置において、
前記第１検査対象素子は、前記第１の検査電極には前記第１ダイオードのカソードが接続され、前記第２の検査電極には前記ダイオードのアノードが接続される第１ダイオードであり、
前記第２検査対象素子は、前記第１ダイオードより漏れ電流が大きい第２ダイオードであり、前記第１の検査電極には前記第２ダイオードのカソードが接続され、前記第２の検査電極には前記第２ダイオードのアノードが接続される。

本発明の一態様に係るコンタクト検査方法は、
一端が電源に接続され、所定の定電流を出力する定電流源と、一端が接地された検出抵抗と、整流特性を有する検査対象素子の一端に電気的に接続可能な第１の検査電極と、前記検査対象素子の他端に電気的に接続可能な第２の検査電極と、を備え、前記検査対象素子に順方向に電流を印加するコンタクト検査のときに、前記第１の検査電極と該第１の検査電極よりも高電位となる前記第２の検査電極との間に、前記検査対象素子が順方向に接続されるコンタクト検査装置が実行するコンタクト検査方法であって、
第１の切替スイッチが、前記コンタクト検査のときに前記第１の検査電極と前記検出抵抗の検出部との間を導通させるステップと、
第２の切替スイッチが、前記コンタクト検査のときに前記第２の検査電極と前記定電流源の出力との間を導通させるステップと、
比較検出部が、前記コンタクト検査のときに、前記検出抵抗の検出部の電圧と所定の基準電圧とを比較し、この比較結果に基づいて、前記検査対象素子に対する前記第１の検査電極及び前記第２の検査電極の接触状態を検出するステップと、
前記第１の切替スイッチが、前記検査対象素子に逆方向に電圧を印加する逆方向試験のときに前記第１の検査電極と逆方向試験装置の高電位側端子との間を導通させるステップと、
前記第２の切替スイッチが、前記逆方向試験のときに前記第２の検査電極と前記逆方向試験装置の低電位側端子との間を導通させるステップと、
を有する。

本発明の一態様に係る電子部品は、
整流特性を有する電子部品であって、
一端が電源に接続され、所定の定電流を出力する定電流源と、
一端が接地された検出抵抗と、
当該電子部品の一端に電気的に接続可能な第１の検査電極と、
当該電子部品の他端に電気的に接続可能な第２の検査電極と、
前記第１の検査電極と前記検出抵抗の検出部との間が導通している第１導通状態と、前記第１の検査電極と逆方向試験装置の高電位側端子との間が導通している第２導通状態とを切替可能な第１の切替スイッチと、
前記第２の検査電極と前記定電流源の出力との間が導通している第３導通状態と、前記第２の検査電極と前記逆方向試験装置の低電位側端子との間が導通している第４導通状態とを切替可能な第２の切替スイッチと、
前記検出抵抗の検出部の電圧と所定の基準電圧とを比較し、この比較結果に基づいて、前記検査対象素子に対する前記第１の検査電極及び前記第２の検査電極の接触状態を検出する比較検出部と、
を備え、
前記検査対象素子に順方向に電流を印加するコンタクト検査のときに、前記第１の切替スイッチが前記第１導通状態に切替られ、前記第２の切替スイッチが前記第３導通状態に切替られ、前記比較検出部が前記接触状態を検出し、
前記検査対象素子に逆方向に電圧を印加する逆方向試験のときに、前記第１の切替スイッチが前記第２導通状態に切替られ、前記第２の切替スイッチが前記第４導通状態に切替られるコンタクト検査装置によって、前記第１の検査電極と該第１の検査電極よりも高電位となっている前記第２の検査電極との間に順方向に接続された後に前記コンタクト検査が行われた電子部品。

したがって、本発明の一態様に係るコンタクト検査装置は、検出抵抗に流れるバイアス電流を決める手段を電源と定電流源の組み合わせで構成することで、定電流源の出力抵抗をほぼ無限大にすることができる。このため、検査対象素子に対する第１の検査電極及び第２の検査電極の接触状態を検査する場合、第１の検査電極の接触抵抗と第２の検査電極の接触抵抗の和が所定の許容値の範囲で大きくなったとしても、検出抵抗に流れる電流が一定であるため、検出抵抗の検出部の電圧は一定である。

これにより、第１の検査電極の接触抵抗値と第２の検査電極の接触抵抗値の和が所定の許容値の範囲で大きくなっても、検出抵抗の検出部の電圧は常に所定の基準電圧以上になるので、比較検出部は、この接触抵抗和が所定の許容値の範囲で大きくなっても、検査対象素子に対する第１の検査電極及び第２の検査電極の接触を検出することができる。その結果、第１の検査電極及び第２の使用可能期間が長くなり、第１の検査電極及び第２の検査電極の交換頻度を削減することができる。

したがって、本発明の一態様に係るコンタクト検査方法は、検出抵抗に流れるバイアス電流を決める手段を電源と定電流源の組み合わせで構成することで、定電流源の出力抵抗をほぼ無限大にすることができる。このため、検査対象素子に対する第１の検査電極及び第２の検査電極の接触状態を検査する場合、第１の検査電極の接触抵抗と第２の検査電極の接触抵抗の和が所定の許容値の範囲で大きくなったとしても、検出抵抗に流れる電流が一定であるため、検出抵抗の検出部の電圧は一定である。

これにより、第１の検査電極の接触抵抗値と第２の検査電極の接触抵抗値の和が所定の許容値の範囲で大きくなっても、検出抵抗の検出部の電圧は常に所定の基準電圧以上になるので、比較検出部は、この接触抵抗和が所定の許容値の範囲で大きくなっても、検査対象素子に対する第１の検査電極及び第２の検査電極の接触を検出することができる。その結果、第１の検査電極及び第２の使用可能期間が長くなり、第１の検査電極及び第２の検査電極の交換頻度を削減することができる。

図１は、第１の実施形態に係るコンタクト検査装置１の構成の一例を示す図である。 図２は、第２の実施形態に係るコンタクト検査装置２の構成の一例を示す図である。 図３は、比較例に係るコンタクト検査装置１００の構成の一例を示す図である。

＜比較例＞
各実施形態に係るコンタクト検査装置について説明する前に、各実施形態の特徴を明確にするために、比較対象として説明する比較例に係るコンタクト検査装置１００について説明する。比較例に係るコンタクト検査装置１００は、整流特性を有する検査対象素子に対する検査電極の接触状態を検査する。この比較例では、一例として検査対象素子はダイオードＤである。

図３に示すように、コンタクト検査装置１００は、陰極が接地された電圧源Ｖ_Ｇｅｎと、一端が電圧源Ｖ_Ｇｅｎの陽極に接続された電流制定用抵抗Ｒ_Ｂと、を備える。
更に、コンタクト検査装置１００は、一端が電流制定用抵抗Ｒ_Ｂに接続され、電圧＋Ｖが入力され、制御信号Ｓｘが入力された第１スイッチＳＷ１を備える。

更に、コンタクト検査装置１００は、第５の接点Ｎｄ５が逆方向試験装置ＩＤＴの低電位側端子と接続され、第６の接点Ｎｄ６が第１スイッチＳＷ１の他端に接続された第２の切替スイッチＲＬ２を備える。ここで、逆方向試験装置ＩＤＴは、ダイオードＤに逆方向に電圧を印加する装置である。

更に、コンタクト検査装置１００は、第２の端子Ｔ２を介してダイオードＤのアノードに接続可能で、第２の切替スイッチＲＬ２の第４の接点Ｎｄ４に接続された第２の検査電極Ｅ２を備える。一例として、コンタクト検査及び逆方向検査の際に、第２の検査電極Ｅ２の先端が第２の端子Ｔ２に接続される。
更に、コンタクト検査装置１００は、第１の端子Ｔ１を介してダイオードＤのカソードに接続可能で、第１の切替スイッチＲＬ１の第１の接点Ｎｄ１に接続された第１の検査電極Ｅ１を備える。一例として、コンタクト検査及び逆方向検査の際に、第１の検査電極Ｅ１の先端が第１の端子Ｔ１に接続される。

更に、コンタクト検査装置１００は、第２の接点Ｎｄ２が逆方向試験装置ＩＤＴの高電位側端子と接続され、第３の接点Ｎｄ３が第２のスイッチＳＷ２の一端に接続された第１の切替スイッチＲＬ１を備える。

更に、コンタクト検査装置１００は、電圧＋Ｖが入力され、制御信号Ｓｘが入力された第２スイッチＳＷ２を備える。

更に、コンタクト検査装置１００は、一端が第２スイッチＳＷ２の他端に接続され、他端が接地された検出抵抗Ｒ_Ｓを備える。
更に、コンタクト検査装置１００は、入力が検出抵抗Ｒ_Ｓの一端と接続された比較検出部ＣＭＰを備える。

続いて、各部の処理について説明する。

第１スイッチＳＷ１は、この制御信号Ｓｘに応じて第１スイッチＳＷ１の一端と他端との導通及び非導通を切り替える。第１スイッチＳＷ１は、例えばゲートが制御部ＣＯＮの第１出力に接続されたトランジスタである。
第２スイッチＳＷ２は、制御信号Ｓｘに応じて第２スイッチＳＷ２の一端と他端との導通及び非導通を切り替える。第２スイッチＳＷ２は、例えばゲートが制御部ＣＯＮの第１出力に接続されたトランジスタである。

比較検出部ＣＭＰは、検出抵抗Ｒ_Ｓの一端の電圧と所定の閾値電圧とを比較し、この比較結果に応じて、ダイオードＤと第１の検査電極Ｅ１との接触及びダイオードＤと第２の検査電極Ｅ２との接触状態を判定する。

具体的には、比較検出部ＣＭＰは、検出抵抗Ｒ_Ｓの一端の電圧が、所定の閾値以上の場合、ダイオードＤと第１の検査電極Ｅ１との接触及びダイオードＤと第２の検査電極Ｅ２との接触が良好であると判定する。一方、比較検出部ＣＭＰは、検出抵抗Ｒ_Ｓの一端の電圧が、所定の閾値未満の場合、ダイオードＤと第１の検査電極Ｅ１との接触及びダイオードＤと第２の検査電極Ｅ２との接触が不良であると判定する。

ダイオードＤと第１の検査電極Ｅ１との接触抵抗とダイオードＤと第２の検査電極Ｅ２との接触抵抗の和が上昇すると、接触抵抗と電圧源Ｖ_Ｇｅｎに直列に接続された電流制定用抵抗Ｒ_Ｂと検出抵抗Ｒ_Ｓを含む直列回路全体の抵抗が大きくなる。そうすると、その直列回路に流れる電流が小さくなるので、検出抵抗Ｒ_Ｓの検出部の電圧が小さくなる。そして、比較検出部ＣＭＰは、ダイオードＤと第１の検査電極Ｅ１との接触及びダイオードＤと第２の検査電極Ｅ２との接触が不良であると判定してしまう。その場合、検査者は、検査電極を交換することになる。

しかし、この場合であっても、逆方向試験では、検査対象素子に対して逆バイアスで電圧を印加しかつ検査対象素子に流れる電流が小さい。このため、接触抵抗Ｒ_Ｓにおける電圧降下が無視できるほど小さくなり、逆方向試験にはほとんど影響を与えない。このように、まだ検査電極が逆方向試験で使用できる範囲の接触抵抗の値であっても、コンタクト検査装置１００で接触不良と判定された場合、検査電極を交換していたので、検査電極の使用可能期間が短くなるという問題がある。

その問題に対し、検査電極の寿命を延ばすために、上述した閾値を下げることが考えられる。これは、ダイオードＤと第１の検査電極Ｅ１との接触抵抗値とダイオードＤと第２の検査電極Ｅ２との接触抵抗値の和が大きくなっても比較検出部ＣＭＰが接触が良好であると判定するようにするためである。

しかし、この接触抵抗値の和が大きくなると、検出抵抗Ｒ_Ｓに流れるバイアス電流が小さくなる。このため、検出抵抗Ｒ_Ｓの検出部の検出信号のＳＮ比が悪くなり、比較検出部ＣＭＰが検出信号の電圧値を正確に取得できなくなり、誤判定の可能性が高くなるという新たな問題が生じてしまう。

そこで、以下では、逆方向試験に用いる検査電極の使用可能期間を長くすることを可能とする実施形態に係るコンタクト検査装置、コンタクト検査方法及び電子部品について説明する。以下、本発明に係る各実施形態について図面に基づいて説明する。

＜第１の実施形態＞
第１の実施形態に係るコンタクト検査装置１は、整流特性を有する電子部品（以下、検査対象素子という）に対する検査電極の接触状態を検査する。検査対象素子は、例えば、ダイオードまたはＭＯＳトランジスタなどである。各実施形態において、一例として検査対象素子は、ダイオードＤである。なお、各実施形態において、検査対象素子は、パッケージされていないチップ状態の検査対象素子であってもよいし、パッケージされた製品状態の検査対象素子であってもよい。

図１に示すように、コンタクト検査装置１は、一端が電源（不図示）に接続され、所定の定電流を出力する定電流源ＣＣＣを備える。ここで、電源は、一例として電圧＋Ｖｆを出力する電圧源である。また定電流源ＣＣＣは、一例として、所定の定電流を出力する定電流ダイオードＣＲＤで、アノードが電源に接続されている。

更に、コンタクト検査装置１は、一端が定電流源ＣＣＣの出力（ここでは、一例として定電流ダイオードＣＲＤのカソード）に接続され、他端が後述する第２の切替スイッチＲＬ２の第６の接点Ｎｄ６に接続され、電源端子が電源（不図示）に接続され、制御端子が制御部ＣＯＮの第１出力に接続された第１スイッチＳＷ１を備える。これにより、第１スイッチＳＷ１の電源端子に電圧＋Ｖが供給される。

更に、コンタクト検査装置１は、第４の接点Ｎｄ４が第２検査電極Ｅ２の他端に接続され、第５の接点Ｎｄ５が逆方向試験装置ＩＤＴの低電位側端子と接続され、第６の接点Ｎｄ６が第１スイッチＳＷ１の他端に接続され、不図示の制御端子が制御部ＣＯＮの第３出力に接続された第２の切替スイッチＲＬ２を備える。ここで、逆方向試験装置ＩＤＴは、ダイオードＤに逆方向に電圧を印加する装置である。

更に、コンタクト検査装置１は、第１の端子Ｔ１を介してダイオードＤのカソードに接続可能で、第１の切替スイッチＲＬ１の第１の接点Ｎｄ１に接続された第１の検査電極Ｅ１を備える。

更に、コンタクト検査装置１は、第２の端子Ｔ２を介してダイオードＤのアノードに接続可能で、第２の切替スイッチＲＬ２の第４の接点Ｎｄ４に接続された第２の検査電極Ｅ２を備える。このように、コンタクト検査のときに、第１の検査電極Ｅ１とこの第１の検査電極Ｅ１よりも高電位となっている第２の検査電極Ｅ２との間に、検査対象素子が順方向に接続される。

更に、コンタクト検査装置１は、第１の接点Ｎｄ１が第１の検査電極Ｅ１に接続され、第２の接点Ｎｄ２が逆方向試験装置ＩＤＴの高電位側端子と接続され、第３の接点Ｎｄ３が第２スイッチＳＷ２の一端に接続され、制御端子が制御部ＣＯＮの第２出力に接続された第１の切替スイッチＲＬ１を備える。

更に、コンタクト検査装置１は、一端が第１の切替スイッチＲＬ１の第３の接点Ｎｄ３に接続され、他端が後述する検出抵抗Ｒ_Ｓの他端に接続され、電源端子が電源（不図示）に接続され、制御端子が制御部ＣＯＮの第１出力に接続された第２スイッチＳＷ２を備える。これにより、第２スイッチＳＷ２の電源端子に電圧＋Ｖが供給される。

更に、コンタクト検査装置１は、一端が接地され、他端が第２スイッチＳＷ２の他端に接続された検出抵抗Ｒ_Ｓを備える。
更に、コンタクト検査装置１は、一端が検出抵抗Ｒ_Ｓの他端と接続された比較検出部ＣＭＰを備える。

更に、コンタクト検査装置１は、第１出力が第１スイッチＳＷ１の制御端子及び第２スイッチＳＷ２の制御端子に接続され、第２出力が第１の切替スイッチＲＬ１の制御端子に接続され、第３出力が第２の切替スイッチＲＬ２の制御端子に接続された制御部ＣＯＮを更に備える。

続いて、各部の処理について説明する。

第１スイッチＳＷ１は、この制御信号Ｓｘに応じて第１スイッチＳＷ１の一端と他端との導通及び非導通を切り替える。これにより、第１スイッチＳＷ１は、定電流源ＣＣＣの他端と第２の切替スイッチＲＬ２の第６の接点Ｎｄ６との間が導通している導通状態と導通していない非導通状態とを切り替える。

第２スイッチＳＷ２は、この制御信号Ｓｘに応じて第２スイッチＳＷ２の一端と他端との導通及び非導通を切り替える。これにより、第２スイッチＳＷ２は、第１の切替スイッチＲＬ１の第３の接点Ｎｄ３と検出抵抗Ｒ_Ｓの他端との間が導通している導通状態と導通していない非導通状態とを切り替える。

第１の切替スイッチＲＬ１は、第１の検査電極Ｅ１と検出抵抗Ｒ_Ｓの他端との間が導通している第１導通状態と、第１の検査電極Ｅ１と逆方向試験装置ＩＤＴの高電位側端子との間が導通している第２導通状態とを切替可能である。

第２の切替スイッチＲＬ２は、第２の検査電極Ｅ２と定電流源ＣＣＣの他端との間が導通している第３導通状態と、第２の検査電極Ｅ２と逆方向試験装置ＩＤＴの低電位側端子との間が導通している第４導通状態とを切替可能である。

制御部ＣＯＮは、第１スイッチＳＷ１へ制御信号Ｓｘを出力し、第１スイッチＳＷ１を制御する。また、制御部ＣＯＮは、第２スイッチＳＷ２へ制御信号Ｓｘを出力し、第２スイッチＳＷ２を制御する。

また、制御部ＣＯＮは、第１の切替スイッチＲＬ１に第１切替スイッチ制御信号ＳＲ１を出力し、第１の切替スイッチＲＬ１を制御する。
また、制御部ＣＯＮは、第２の切替スイッチＲＬ２に第２切替スイッチ制御信号ＳＲ２を出力し、第２の切替スイッチＲＬ２を制御する。

続いて、比較検出部ＣＭＰの処理について説明する。検出抵抗Ｒ_Ｓの一端は接地されているので、検出抵抗Ｒ_Ｓの他端の電圧は検出抵抗Ｒｓの検出部の電圧に等しい。これにより、比較検出部ＣＭＰは、一例として検出抵抗Ｒ_Ｓの他端の電圧を検出することにより、検出抵抗Ｒｓの検出部の電圧を検出する。

比較検出部ＣＭＰは、検出抵抗Ｒ_Ｓの検出部の電圧と所定の基準電圧とを比較し、この比較結果に基づいて、検査対象素子（ここでは一例としてダイオードＤ）に対する第１の検査電極Ｅ１及び第２の検査電極Ｅ２の接触状態を検出する。

例えば、比較検出部ＣＭＰは、この比較結果に基づいて、検査対象素子（ここでは一例としてダイオードＤ）と第１の検査電極Ｅ１との接触抵抗値と検査対象素子（ここでは一例としてダイオードＤ）と第２の検査電極Ｅ２との接触抵抗値の和（以下、接触抵抗和という）が、所定の許容値以下か否か検出する。

なお、この許容値は、逆方向試験の際に許容できる最大の接触抵抗和の抵抗値である。より詳細には、この許容値は、逆方向試験の際に、検査対象素子と第１の検査電極Ｅ１との接触抵抗における電圧降下と、検査対象素子と第２の検査電極Ｅ２との接触抵抗における電圧降下の和が許容できる最大電圧降下量となる抵抗値である。これにより、逆方向試験の際に、検査対象素子（ここでは一例としてダイオードＤ）に最低限印加すべき電圧を印加することができる。

ここで、電源の電圧Ｖｆ、定電流源ＣＣＣが出力する電流の値Ｉ、上述した許容値Ｒ_ＭＡＸ、及び検出抵抗の値Ｒ_Ｓの関係は、Ｖｆ＝Ｉ（Ｒ_ＭＡＸ＋Ｒ_Ｓ）で表される。本実施形態では、一例として、逆方向試験の際に二つの接触抵抗で許容できる最大の合計電圧降下量と第１検査対象素子の漏れ電流から、接触抵抗和の許容値Ｒ_ＭＡＸが予め決められている。そして、この許容値Ｒ_ＭＡＸ及び電源の電圧Ｖｆに基づいて、定電流源ＣＣＣが出力する電流の値と検出抵抗Ｒ_Ｓの値が決められている。

ここで、接触抵抗和が所定の許容値以下である場合、定電流源ＣＣＣは所定の定電流を出力することができるので、検出抵抗Ｒ_Ｓにはこの定電流が流れ、検出抵抗Ｒ_Ｓの検出部の電圧は、一定となる。

一方、接触抵抗和が所定の許容値を超える場合、定電流源ＣＣＣは上述した所定の定電流よりも小さい電流を出力するので、検出抵抗Ｒ_Ｓにはこの小さい電流が流れる。その結果、接触抵抗和が所定の許容値を超える場合、検出抵抗Ｒ_Ｓの検出部の電圧は、接触抵抗和が所定の許容値以下である場合の電圧よりも小さくなる。更に、第１の検査電極Ｅ１及び第２の検査電極Ｅ２の少なくともいずれかが検査対象素子に接触していない場合、検出抵抗Ｒ_Ｓには電流が流れないので、検出抵抗Ｒ_Ｓの検出部の電圧は０Ｖである。

これらを踏まえると、比較検出部ＣＭＰは、例えば、以下のようにして接触状態を検出する。例えば、比較検出部ＣＭＰは、検出抵抗Ｒ_Ｓの検出部の電圧が所定の基準電圧以上の場合、接触状態は良好であり、接触抵抗和が所定の許容値以下であることを検出する。

一方、比較検出部ＣＭＰは、例えば、検出抵抗Ｒ_Ｓの検出部の電圧が０Ｖを超えかつ所定の基準電圧未満の場合、接触状態は不良であり、接触抵抗和が所定の許容値を超えていることを検出する。

一方、比較検出部ＣＭＰは、例えば、検出抵抗Ｒ_Ｓの検出部の電圧が０Ｖの場合、第１の検査電極Ｅ１と第２の検査電極Ｅ２の少なくともいずれかが検査対象素子（ここでは一例としてダイオードＤ）に接触していないことを検出する。

＜コンタクト検査のときの各部の処理＞
続いて、検査対象素子（ここでは一例としてダイオードＤ）に順方向に電流を印加するコンタクト検査のときの各部の処理について説明する。

コンタクト検査において、第１の検査電極Ｅ１とこの第１の検査電極Ｅ１よりも高電位となっている第２の検査電極Ｅ２との間に、検査対象素子が順方向に接続される。そして、第１の切替スイッチＲＬ１が第１導通状態に切替られ、かつ第２の切替スイッチＲＬ２が第３導通状態に切替られた状態で、比較検出部ＣＭＰが上記接触状態を検出する。

その際、コンタクト検査のときに、制御部ＣＯＮは、第１の切替スイッチＲＬ１を第１導通状態にさせ、第２の切替スイッチＲＬ２を第３導通状態にさせる。更に、制御部ＣＯＮは、第１スイッチＳＷ１を導通状態にさせ、第２スイッチＳＷ２を導通状態にさせる。これにより、定電流源ＣＣＣの他端と第２検査電極Ｅ２が導通し、第１検査電極Ｅ１と検出抵抗Ｒ_Ｓの他端が導通する。このため、検査対象素子（ここでは一例としてダイオードＤ）に順方向に定電流源ＣＣＣが生成する電流を印加することができる。

＜逆方向試験のときの各部の処理＞
続いて、検査対象素子（ここでは一例としてダイオードＤ）に逆方向に電圧を印加する逆方向試験のときの処理について説明する。

逆方向試験において、制御部ＣＯＮは、第１の切替スイッチＲＬ１を第２導通状態にさせ、第２の切替スイッチＲＬ２を第４導通状態にさせる。これにより、第１の切替スイッチＲＬ１が第２導通状態に切替られ、第２の切替スイッチＲＬ２が第４導通状態に切替られる。

逆方向試験のときに、制御部ＣＯＮは、第１スイッチＳＷ１を非導通状態にさせ、かつ第２スイッチＳＷ２を非導通状態にさせてもよい。

＜第１の実施形態の効果＞
以上のように、第１の実施形態に係るコンタクト検査装置１は、一端が電源に接続され、所定の定電流を出力する定電流源ＣＣＣと、一端が接地された検出抵抗Ｒ_Ｓと、を備える。

更に、コンタクト検査装置１は、整流特性を有する検査対象素子の一端に電気的に接続可能な第１の検査電極Ｅ１と、この検査対象素子の他端に電気的に接続可能な第２の検査電極Ｅ２と、を備える。

更に、コンタクト検査装置１は、第１の検査電極Ｅ１と検出抵抗Ｒ_Ｓの他端との間が導通している第１導通状態と、第１の検査電極Ｅ１と逆方向試験装置ＩＤＴの高電位側端子との間が導通している第２導通状態とを切替可能な第１の切替スイッチＲＬ１を備える。

更に、コンタクト検査装置１は、第２の検査電極Ｅ２と定電流源ＣＣＣの他端との間が導通している第３導通状態と、第２の検査電極Ｅ２と逆方向試験装置ＩＤＴの低電位側端子との間が導通している第４導通状態とを切替可能な第２の切替スイッチＲＬ２を備える。

更に、コンタクト検査装置１は、コンタクト検査のときに、検出抵抗Ｒ_Ｓの検出部の電圧と所定の基準電圧とを比較し、この比較結果に基づいて、検査対象素子に対する第１の検査電極Ｅ１及び第２の検査電極Ｅ２の接触状態を検出する比較検出部ＣＭＰを備える。

検査対象素子に順方向に電流を印加するコンタクト検査において、第１の検査電極Ｅ１とこの第１の検査電極Ｅ１よりも高電位となっている第２の検査電極Ｅ２との間に、検査対象素子が順方向に接続される。そして、第１の切替スイッチＲＬ１が第１導通状態に切替られ、第２の切替スイッチＲＬ２が第３導通状態に切替られる。
一方、検査対象素子に逆方向に電圧を印加する逆方向試験のときに、第１の切替スイッチＲＬ１が第２導通状態に切替られ、第２の切替スイッチＲＬ２が第４導通状態に切替られる。

上述した第１の実施形態に係るコンタクト検査装置１の構成によれば、検出抵抗Ｒ_Ｓに流れるバイアス電流を決める手段を電源と定電流源ＣＣＣの組み合わせで構成することで、定電流源ＣＣＣの出力抵抗をほぼ無限大にすることができる。このため、検査対象素子に対する第１の検査電極Ｅ１及び第２の検査電極Ｅ２の接触状態を検査する場合、接触抵抗和が所定の許容値の範囲で大きくなったとしても、検出抵抗Ｒ_Ｓに流れる電流が一定であるため、検出抵抗Ｒ_Ｓの検出部の電圧は一定である。

これにより、接触抵抗和が所定の許容値の範囲で大きくなっても、検出抵抗Ｒ_Ｓの検出部の電圧は常に所定の基準電圧以上になるので、比較検出部ＣＭＰは、接触抵抗和が所定の許容値の範囲で大きくなっても、検査対象素子に対する第１の検査電極Ｅ１及び第２の検査電極Ｅ２の接触を検出することができる。その結果、第１の検査電極Ｅ１及び第２の検査電極Ｅ２の寿命が長くなり、第１の検査電極Ｅ１及び第２の検査電極Ｅ２の交換頻度を削減することができる。

また、比較例におけるコンタクト検査装置１００における比較検出部ＣＭＰは、接触抵抗和が大きくなると誤判定の可能性があった。それに対し、第１の実施形態に係るコンタクト検査装置１は、接触抵抗和が所定の許容値の範囲で大きくなったとしても、検出抵抗Ｒ_Ｓの検出部の電圧は一定であるため、比較検出部ＣＭＰによる誤判定の確率を低減することができる。

更に、第１の実施形態に係るコンタクト検査装置１は、定電流源ＣＣＣを用いることで、逆方向試験における漏れ電流による接触抵抗での電圧降下に起因する接触抵抗の許容範囲のみの制約で、定電流源ＣＣＣの電流値と検出抵抗Ｒ_Ｓの値を決めることができる。その結果、第１の実施形態に係るコンタクト検査装置１は、ユーザによる定電流源ＣＣＣの電流値と検出抵抗Ｒ_Ｓの値の設定を容易にすることができる。

また、第１の実施形態に係るコンタクト検査装置１の比較検出部ＣＭＰは、この比較結果に基づいて、この検査対象素子と第１の検査電極Ｅ１との接触抵抗の値とこの検査対象素子と第２の検査電極Ｅ２との接触抵抗の値の和が、所定の許容値以下か否か検出する。ここで、この許容値及び電源の電圧Ｖｆに基づいて、定電流源ＣＣＣが出力する電流の値と検出抵抗Ｒ_Ｓの値が決められている。

これにより、逆方向試験のときに所定の電圧が検査対象素子にかかる範囲内で、検査対象素子と第１の検査電極Ｅ１との接触抵抗値と検査対象素子と第２の検査電極Ｅ２との接触抵抗値の和を許容することができる。このため、逆方向試験を行ったときに、漏れ電流によって検査電極と検査対象素子との接触抵抗による電圧降下が生じたとしても、検査対象素子に最低限印加すべき電圧が印加されたことを確実にすることができる。

＜第２の実施形態＞
続いて、第２の実施形態について説明する。第１の実施形態に係るコンタクト検査装置１は、一種類の検査対象素子に対する検査電極の接触状態を検査可能で、電流源ＣＣＣの電流値と検出抵抗ＲＳの値を一組としていた。

それに対し、第２の実施形態に係るコンタクト検査装置２は、整流特性を有する第１検査対象素子と、整流特性を有しかつこの第１検査対象素子より漏れ電流が大きい第２検査対象素子の二種類の検査対象素子に対して検査電極の接触状態を検査可能である。そして、コンタクト検査装置２は、検査対象素子の種類に応じて、電流源の電流値と検出抵抗の値の組を切り替える。これにより、コンタクト検査装置２は、検査対象素子の漏れ電流の大きさに応じて、逆方向試験の際に許容できる最大の接触抵抗和を切り替えることができる。

本実施形態では、第１検査対象素子は一例として第１ダイオードＤ１で、ある。第２検査対象素子は一例として第１ダイオードＤ１より漏れ電流が大きい第２ダイオードＤ２である。更に、本実施形態では一例として第２ダイオードＤ２は第１ダイオードよりも低耐圧である。第１ダイオードＤ１には、例えばＰＮ接合ダイオードなどがある。第２ダイオードＤ２には、例えばショットキーバリアダイオードなどがある。

図２に示すように、コンタクト検査装置２は、一端が電圧＋Ｖｆを出力する電源（不図示）に接続され、第１の定電流を出力する第１検査用電流源ＦＣＳを備える。ここで、電源は、一例として電圧＋Ｖｆを出力する電圧源である。また、第１検査用電流源ＦＣＳは、一例として、アノードがその電源に接続され、第１の定電流を出力する定電流ダイオードである。

更に、コンタクト検査装置２は、一端が電圧＋Ｖｆを出力する電源（不図示）に接続され、第１検査用電流源ＦＣＳが出力する電流より大きい第２の定電流を出力する第２検査用電流源ＳＣＳを備える。ここで第２検査用電流源ＳＣＳは、一例として、アノードがその電源に接続され、第２の定電流を出力する定電流ダイオードである。

更に、コンタクト検査装置２は、一端が第１検査用電流源ＦＣＳに接続され、他端が第２の切替スイッチＲＬ２の第６の接点Ｎｄ６に接続され、電源端子が電源（不図示）に接続され、制御端子が制御部ＣＯＮの第１出力に接続された第１検査用第１スイッチＦＳＷ１を備える。これにより、第１検査用第１スイッチＦＳＷ１の電源端子に電圧＋Ｖが供給される。

更に、コンタクト検査装置２は、一端が第２検査用電流源ＳＣＳに接続され、他端が第２の切替スイッチＲＬ２の第６の接点Ｎｄ６に接続され、電源端子が電源（不図示）に接続され、制御端子が制御部ＣＯＮの第２出力に接続された第２検査用第１スイッチＳＳＷ１を備える。これにより、第２検査用第１スイッチＳＳＷ１の電源端子に電圧＋Ｖが供給される。

更に、コンタクト検査装置２は、一端が第１の切替スイッチＲＬ１の第３の接点Ｎｄ３に接続され、他端が後述する第１検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ１の他端に接続され、電源端子が電源（不図示）に接続され、制御端子が制御部ＣＯＮの第１出力に接続された第１検査用第２スイッチＦＳＷ２を備える。これにより、第１検査用第２スイッチＦＳＷ２の電源端子に電圧＋Ｖが供給される。

更に、コンタクト検査装置２は、一端が第１の切替スイッチＲＬ１の第３の接点Ｎｄ３に接続され、他端が後述する第２検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ２の他端に接続され、電源端子が電源（不図示）に接続され、制御端子が制御部ＣＯＮの第２出力に接続された第２検査用第２スイッチＳＳＷ２を備える。これにより、第２検査用第２スイッチＳＳＷ２の電源端子に電圧＋Ｖが供給される。

更に、コンタクト検査装置２は、第１の接点Ｎｄ１が第１の検査電極Ｅ１に接続され、第２の接点Ｎｄ２が逆方向試験装置ＩＤＴの高電位側端子に接続され、第３の接点Ｎｄ３が第１検査用第２スイッチＦＳＷ２の一端及び第２検査用第２スイッチＳＳＷ２に接続され、不図示の制御端子が制御部ＣＯＮの第３出力に接続された第１の切替スイッチＲＬ１を備える。ここで、逆方向試験装置ＩＤＴは、第１検査対象素子または第２検査対象素子に逆方向に電圧を印加する装置である。

更に、コンタクト検査装置２は、第４の接点Ｎｄ４が第２の検査電極Ｅ２と接続され、第５の接点Ｎｄ５が逆方向試験装置ＩＤＴの低電位側端子と接続され、第６の接点Ｎｄ６が第１検査用第１スイッチＦＳＷ１の一端及び第２検査用第１スイッチＳＳＷ１の一端に接続され、不図示の制御端子が制御部ＣＯＮの第４出力に接続され第２の切替スイッチＲＬ２を備える。

更に、コンタクト検査装置２は、第１出力が第１検査用第１スイッチＦＳＷ１及び第１検査用第２スイッチＦＳＷ２と接続され、第２出力が第２検査用第１スイッチＳＳＷ１及び第２検査用第２スイッチＳＳＷ２と接続され、第３出力が第１の切替スイッチＲＬ１の制御端子と接続され、第４出力が第２の切替スイッチＲＬ２の制御端子と接続された制御部ＣＯＮを備える。

更に、コンタクト検査装置２は、第１の端子Ｔ１を介して第１検査対象素子の一端（ここでは第１ダイオードＤ１のカソード）または第２検査対象素子の一端（一例として第２ダイオードＤ２のカソード）に接続可能で、第１の切替スイッチＲＬ１の第１の接点Ｎｄ１に接続された第１の検査電極Ｅ１を備える。

なお、図２に示すように、第１検査対象素子の一例である第１ダイオードＤ１に対するコンタクト検査及び逆方向試験を行う場合、第１ダイオードＤ１のカソードが第１の検査電極Ｅ１に接続され、第１ダイオードＤ１のアノードが第２の検査電極Ｅ２に接続される。
一方、第２検査対象素子の一例である第２ダイオードＤ２に対するコンタクト検査及び逆方向試験を行う場合、第２ダイオードＤ１のカソードが第１の検査電極Ｅ１に接続され、第２ダイオードＤ１のアノードが第２の検査電極Ｅ２に接続される。

更に、コンタクト検査装置２は、第２の端子Ｔ２を介して第１検査対象素子の他端または第２検査対象素子の他端に接続可能で、第２の切替スイッチＲＬ２の第４の接点Ｎｄ４に接続された第２の検査電極Ｅ２を備える。このように、コンタクト検査のときに、第１の検査電極Ｅ１とこの第１の検査電極Ｅ１よりも高電位となっている第２の検査電極Ｅ２との間に、第１検査対象素子または第２検査対象素子が順方向に接続される。

更に、コンタクト検査装置２は、一端が接地され他端が第１検査用第２スイッチＦＳＷ２の他端に接続された第１検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ１を備える。
更に、コンタクト検査装置２は、一端が接地され他端が第２検査用第２スイッチＳＳＷ２の他端に接続され、第１検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ１よりも抵抗値が小さい第２検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ２を備える。

更に、コンタクト検査装置２は、第１入力が第１検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ１の他端に接続され第２入力が第２検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ２の他端に接続された比較検出部ＣＭＰを備える。

続いて、各部の処理について説明する。

第１検査用第１スイッチＦＳＷ１は、制御部ＣＯＮから出力された第１制御信号Ｓｘ１に基づいて、第１検査用電流源ＦＣＳの出力と第６の接点Ｎｄ６との間が導通している導通状態と導通していない非導通状態とを切り替える。第１検査用第１スイッチＦＳＷ１は、例えばゲートが制御部ＣＯＮの第１出力に接続されたトランジスタである。

第１検査用第２スイッチＦＳＷ２は、制御部ＣＯＮから出力された第１制御信号Ｓｘ１に基づいて、第３の接点Ｎｄ３と第１検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ１との間が導通している導通状態と導通していない非導通状態とを切り替える。第１検査用第２スイッチＦＳＷ２は、例えばゲートが制御部ＣＯＮの第１出力に接続されたトランジスタである。

第２検査用第１スイッチＳＳＷ１は、制御部ＣＯＮから出力された第２制御信号Ｓｘ２に基づいて、第２検査用電流源ＳＣＳの出力と第６の接点Ｎｄ６との間が導通している導通状態と導通していない非導通状態とを切り替える。第２検査用第１スイッチＳＳＷ１は、例えばゲートが制御部ＣＯＮの第２出力に接続されたトランジスタである。

第２検査用第２スイッチＳＳＷ２は、制御部ＣＯＮから出力された第２制御信号Ｓｘ２に基づいて、第３の接点Ｎｄ３と第２検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ２との間が導通している導通状態と導通していない非導通状態とを切り替える。第２検査用第２スイッチＳＳＷ２は、例えばゲートが制御部ＣＯＮの第２出力に接続されたトランジスタである。

第１の切替スイッチＲＬ１は、第１の検査電極Ｅ１と第１検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ１の他端または第２検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ２の他端との間が導通している第１導通状態と、第１の検査電極Ｅ１と逆方向試験装置ＩＤＴの高電位側端子との間が導通している第２導通状態とを切替可能である。
より詳細には、第１の切替スイッチＲＬ１は、第１の検査電極Ｅ１に接続された第１の接点Ｎｄ１と逆方向試験装置ＩＤＴの高電位側端子と接続されている第２の接点Ｎｄ２とが導通している第１導通状態と、第１の接点Ｎｄ１と第３の接点Ｎｄ３が導通している第２導通状態とを切替可能である。

第２の切替スイッチＲＬ２は、第２の検査電極Ｅ２と第１検査用電流源ＦＣＳの他端または第２検査用電流源ＳＣＳの他端との間が導通している第３導通状態と、第２の検査電極Ｅ２と逆方向試験装置ＩＤＴの低電位側端子との間が導通している第４導通状態とを切替可能である。
より詳細には、第２の切替スイッチＲＬ２は、第２の検査電極Ｅ２に接続された第４の接点Ｎｄ４と逆方向試験装置ＩＤＴの低電位側端子と接続されている第５の接点Ｎｄ５とが導通している第３導通状態と、第４の接点Ｎｄ４と第６の接点Ｎｄ６が導通している第４導通状態とを切替可能である。

制御部ＣＯＮは、例えば、第１検査用第１スイッチＦＳＷ１及び第１検査用第２スイッチＦＳＷ２へ第１制御信号Ｓｘ１を出力する。これにより、制御部ＣＯＮは、第１検査用第１スイッチＦＳＷ１及び第１検査用第２スイッチＦＳＷ２を制御する。

また、制御部ＣＯＮは、例えば、第２検査用第１スイッチＳＳＷ１及び第２検査用第２スイッチＳＳＷ２へ第２制御信号Ｓｘ２を出力する。これにより、制御部ＣＯＮは、第２検査用第１スイッチＳＳＷ１及び第２検査用第２スイッチＳＳＷを制御する。

また、制御部ＣＯＮは、第１の切替スイッチＲＬ１に第１切替スイッチ制御信号ＳＲ１を出力し、第１の切替スイッチＲＬ１を制御する。より詳細には、制御部ＣＯＮは、第１の切替スイッチＲＬ１における第１の接点Ｎｄ１と第２の接点Ｎｄ２との導通、第１の接点Ｎｄ１と第３の接点Ｎｄ３との導通の切り替えを制御する。

また、制御部ＣＯＮは、第２の切替スイッチＲＬ２に第２切替スイッチ制御信号ＳＲ２を出力し、第２の切替スイッチＲＬ２を制御する。より詳細には、制御部ＣＯＮは、第２の切替スイッチＲＬ２における第４の接点Ｎｄ４と第５の接点Ｎｄ５との導通、第４の接点Ｎｄ４と第６の接点Ｎｄ６との導通の切り替えを制御する。

比較検出部ＣＭＰは、第１検査対象素子に対する第１の検査電極Ｅ１及び第２の検査電極Ｅ２の接触状態である第１接触状態を検査する場合、第１検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ１の両端にかかる電圧と所定の第１基準電圧とを比較し、比較して得た第１比較結果に基づいて、この第１接触状態を検出する。

また、比較検出部ＣＭＰは、第２検査対象素子に対する第１の検査電極Ｅ１及び第２の検査電極Ｅ２の接触状態である第２接触状態を検査する場合、第２検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ２の両端にかかる電圧と所定の第２基準電圧とを比較し、比較して得た第２比較結果に基づいて、この第２接触状態を検出する。

その一例として、比較検出部ＣＭＰは、第１比較結果に基づいて、第１検査対象素子と第１の検査電極Ｅ１との接触抵抗値と第１検査対象素子と第２の検査電極Ｅ２との接触抵抗値の和が所定の第１許容値以下か否か検出する。

なお、この第１許容値は、第１検査対象素子について逆方向試験の際に許容できる最大の接触抵抗和である。より詳細には、この第１許容値は、逆方向試験の際に、第１検査対象素子と第１の検査電極Ｅ１との接触抵抗における電圧降下と、第１検査対象素子と第２の検査電極Ｅ２との接触抵抗における電圧降下の和が許容できる最大電圧降下量となる抵抗値である。これにより、逆方向試験の際に、第１検査対象素子に最低限印加すべき電圧を印加することができる。

また、比較検出部ＣＭＰは、例えば、第２比較結果に基づいて、第２検査対象素子と第１の検査電極Ｅ１との接触抵抗値と第２検査対象素子と第２の検査電極Ｅ２との接触抵抗値の和が所定の第２許容値以下か否か検出する。

なお、この第２許容値は、第２検査対象素子について逆方向試験の際に許容できる最大の接触抵抗和である。より詳細にはこの第２許容値は、逆方向試験の際に、第２検査対象素子と第１の検査電極Ｅ１との接触抵抗における電圧降下と、第２検査対象素子と第２の検査電極Ｅ２との接触抵抗における電圧降下の和が許容できる最大電圧降下量となる抵抗値である。これにより、逆方向試験の際に、第２検査対象素子に最低限印加すべき電圧を印加することができる。

ここで、電源の電圧Ｖｆ、第１検査用電流源ＦＣＳが出力する電流の値Ｉ１、上述した第１許容値Ｒ_ＭＡＸ１、及び第１検査用検出抵抗の値Ｒ_Ｓ１の関係は、Ｖｆ＝Ｉ１（Ｒ_ＭＡＸ１＋Ｒ_Ｓ１）で表される。

一方、電源の電圧Ｖｆ、第２検査用電流源ＳＣＳが出力する電流の値Ｉ２、上述した第２許容値Ｒ_ＭＡＸ２、及び第２検査用検出抵抗の値Ｒ_Ｓ２の関係は、Ｖｆ＝Ｉ２（Ｒ_ＭＡＸ１＋Ｒ_Ｓ２）で表される。

例えば、電源の電圧Ｖｆが５Ｖ、第１検査用電流源ＦＣＳの電流値１ｍＡ、第１検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ１が２．５ｋΩの場合、Ｖｆ＝Ｉ１（Ｒ_ＭＡＸ１＋Ｒ_Ｓ１）の関係から、第１検査対象素子の接触抵抗和の許容値Ｒ_ＭＡＸは、２５００（＝５／０．００１−２５００）Ωである。

一方、例えば、電圧源の電圧Ｖｆが５Ｖ、第２検査用電流源ＳＣＳの電流値１０ｍＡ、第１検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ１が２５０Ωの場合、Ｖｆ＝Ｉ２（Ｒ_ＭＡＸ２＋Ｒ_Ｓ）２の関係から、第２検査対象素子の接触抵抗和の許容値Ｒ_ＭＡＸは、２５０（＝５／０．０１−２５０）Ωである。この例の場合、第２検査対象素子の接触抵抗和の許容値Ｒ_ＭＡＸは、第１検査対象素子の接触抵抗和の許容値Ｒ_ＭＡＸの１０分の１である。

本実施形態では、一例として、逆方向試験の際に二つの接触抵抗で許容できる最大の合計電圧降下量と第１検査対象素子の漏れ電流から、接触抵抗和の第１許容値Ｒ_ＭＡＸ１が予め決められている。そして、この第１許容値Ｒ_ＭＡＸ１及び電源の電圧Ｖｆに基づいて、第１検査用電流源ＦＣＳの電流値と第１検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ１の値が決められている。

また、一例として、逆方向試験の際に二つの接触抵抗で許容できる最大の合計電圧降下量と第２検査対象素子の漏れ電流から、接触抵抗和の第２許容値Ｒ_ＭＡＸ２が予め決められている。そして、この第２許容値Ｒ_ＭＡＸ２及び電源の電圧Ｖｆに基づいて、第２検査用電流源ＳＣＳの電流値と第２検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ２の値が決められている。

その際、本実施形態では、一例として、比較検出部ＣＭＰが用いる第１基準電圧と第２基準電圧は等しく、第２検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ２の値に対する第１検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ１の値の比は、第１検査用電流源ＦＣＳが出力する電流の値に対する第２検査用電流源ＳＣＳが出力する電流の値の比に等しくなるように設定されている。

これにより、接触抵抗和が許容値以内の場合、第１検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ１の両端にかかる電圧と第２検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ２の両端にかかる電圧とが等しくなるので、比較検出部ＣＭＰは、常に同じ基準電位と比較することができる。このため、比較検出部ＣＭＰは、検査対象素子の種類が変わるごとに、基準電位を変更しなくてもよいので、処理が簡単になる。また、ユーザは、どちらの種類の検査対象素子を検査するかをコンタクト検査装置２に入力する必要がないので、第１の検査電極Ｅ１及び第２の検査電極Ｅ２の接触状態を検査する際の手間を軽減することができる。

ここで、接触抵抗和が第１許容値以下である場合、第１検査用電流源ＦＣＳは第１の定電流を出力することができるので、第１検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ１にはこの第１の定電流が流れ、第１検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ１の両端にかかる電圧は一定となる。

一方、接触抵抗和が第１許容値を超える場合、第１検査用電流源ＦＣＳが出力する電流は上述した所定の定電流よりも小さくなるので、第１検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ１にはこの小さい電流が流れる。その結果、接触抵抗和が第１許容値を超える場合、第１検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ１の一端の電圧は、接触抵抗和が第１許容値以下である場合の電圧よりも小さくなる。
更に、第１の検査電極Ｅ１及び第２の検査電極Ｅ２の少なくともいずれかが第１検査対象素子に接触していない場合、第１検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ１には電流が流れないので、第１検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ１の両端にかかる電圧は０Ｖである。

これらを踏まえると、比較検出部ＣＭＰは、第１検査対象素子に対する第１の検査電極Ｅ１及び第２の検査電極Ｅ２の接触状態である第１接触状態を検査する場合、例えば、以下のようにして接触状態を検出する。

例えば、比較検出部ＣＭＰは、第１検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ１の両端にかかる電圧が所定の第１基準電圧以上の場合、接触状態は良好であり、接触抵抗和が所定の第１許容値以下であることを検出する。

一方、比較検出部ＣＭＰは、例えば、第１検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ１の両端にかかる電圧が０Ｖを超えかつ所定の第１基準電圧未満の場合、接触状態は不良であり、接触抵抗和が所定の第１許容値を超えていることを検出する。

一方、比較検出部ＣＭＰは、例えば、第１検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ１の両端にかかる電圧が０Ｖの場合、第１の検査電極Ｅ１と第２の検査電極Ｅ２の少なくともいずれかが第１検査対象素子に接触していないことを検出する。

上述した論理と同様の論理で、接触抵抗和が第２許容値以下である場合、第２検査用電流源ＳＣＳは第２の定電流を出力することができるので、第２検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ２にはこの第２の定電流が流れ、第２検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ２の両端にかかる電圧は、一定となる。

一方、接触抵抗和が第２許容値を超える場合、第２検査用電流源ＳＣＳが出力する電流は上述した第２の定電流よりも小さくなるので、第２検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ２にはこの小さい電流が流れる。その結果、接触抵抗和が第２許容値を超える場合、第２検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ２の一端の電圧は、接触抵抗和が第２許容値以下である場合の電圧よりも小さくなる。
更に、第１の検査電極Ｅ１及び第２の検査電極Ｅ２の少なくともいずれかが第２検査対象素子に接触していない場合、第２検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ２には電流が流れないので、第２検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ２の両端にかかる電圧は０Ｖである。

これらを踏まえると、比較検出部ＣＭＰは、第２検査対象素子に対する第１の検査電極Ｅ１及び第２の検査電極Ｅ２の接触状態である第２接触状態を検査する場合、例えば、以下のようにして接触状態を検出する。

例えば、比較検出部ＣＭＰは、第２検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ２の両端にかかる電圧が所定の第２基準電圧以上の場合、接触状態は良好であり、接触抵抗和が所定の第２許容値以下であることを検出する。

一方、比較検出部ＣＭＰは、例えば、第２検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ２の両端にかかる電圧が０Ｖを超えかつ所定の第２基準電圧未満の場合、接触状態は不良であり、接触抵抗和が所定の第２許容値を超えていることを検出する。

一方、比較検出部ＣＭＰは、例えば、第２検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ２の両端にかかる電圧が０Ｖの場合、第１の検査電極Ｅ１と第２の検査電極Ｅ２の少なくともいずれかが第２検査対象素子に接触していないことを検出する。

＜コンタクト検査のときの各部の処理＞
続いて、第１検査対象素子または第２検査対象素子に順方向に電流を印加するコンタクト検査のときの各部の処理について説明する。コンタクト検査において、第１の検査電極Ｅ１とこの第１の検査電極Ｅ１よりも高電位となっている第２の検査電極Ｅ２との間に、第１検査対象素子または第２検査対象素子が順方向に接続される。

制御部ＣＯＮは、第１の切替スイッチＲＬ１を第１導通状態にし、第２の切替スイッチＲＬ２を第３導通状態にする。これにより、第１の切替スイッチＲＬ１が第１導通状態に切替られ、かつ第２の切替スイッチＲＬ２が第３導通状態に切替られた状態で、比較検出部ＣＭＰが第１接触状態または第２接触状態を検出する。

制御部ＣＯＮは、コンタクト検査で第１検査対象素子に対する第１の検査電極Ｅ１及び第２の検査電極Ｅ２の接触状態（第１接触状態）を検査する場合、第１検査用第１スイッチＦＳＷ１を導通状態にさせ、第１検査用第２スイッチＦＳＷ２を導通状態にさせ、第２検査用第１スイッチＳＳＷ１を非導通状態にさせ、第２検査用第２スイッチＳＳＷ２を非導通状態にさせる。

一方、制御部ＣＯＮは、コンタクト検査で第２検査対象素子に対する第１の検査電極Ｅ１及び第２の検査電極Ｅ２の接触状態（第２接触状態）を検査する場合、第１検査用第１スイッチＦＳＷ１を非導通状態にさせ、第１検査用第２スイッチＦＳＷ２を非導通状態にさせ、第２検査用第１スイッチＳＳＷ１を導通状態にさせ、かつ第２検査用第２スイッチＳＳＷ２を導通状態にさせる。

＜逆方向試験のときの各部の処理＞
続いて、第１検査対象素子または第２検査対象素子に逆方向に電圧を印加する逆方向試験のときの各部の処理について説明する。本実施形態では一例として、コンタクト検査が終わった後に逆方向試験を行う。その際、第１検査対象素子または第２検査対象素子は、コンタクト検査の際に接続された状態が維持されたまま、逆方向試験が行われる。

逆方向試験のとき、第１検査用第１スイッチＦＳＷ１の一端と他端が非導通状態に切替られ、第１検査用第２スイッチＦＳＷ２の一端と他端が非導通状態に切替られ、第２検査用第１スイッチＳＳＷ１の一端と他端が導通状態に切替られ、第２検査用第２スイッチＳＳＷ２の一端と他端が導通状態に切替られる。

制御部ＣＯＮは、逆方向試験のときに、第１の切替スイッチＲＬ１を第２導通状態にし、第２の切替スイッチＲＬ２を第４導通状態にする。これにより、逆方向試験のとき、第１の切替スイッチＲＬ１は第２導通状態となり、第２の切替スイッチＲＬ２は第４導通状態となる。

＜第２の実施形態の効果＞
以上のように、第２の実施形態に係るコンタクト検査装置２は、一端が電源に接続され、第１の定電流を出力する第１検査用電流源ＦＣＳと、一端がこの電源に接続され、第１検査用電流源ＦＣＳが出力する電流より大きい第２の定電流を出力する第２検査用電流源ＳＣＳと、を備える。

更に、コンタクト検査装置２は、整流特性を有する第１検査対象素子の一端または整流特性を有し該第１検査対象素子より漏れ電流が大きい第２検査対象素子の一端に電気的に接続可能な第１の検査電極Ｅ１を備える。

更に、コンタクト検査装置２は、第１検査対象素子の他端または第２検査対象素子の他端に電気的に接続可能な第２の検査電極Ｅ２と、一端が接地された第１検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ１と、一端が接地され第１検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ１よりも抵抗値が小さい第２検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ２と、を備える。

更に、コンタクト検査装置２は、第１の検査電極Ｅ１と第１検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ１の他端または第２検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ２の他端との間が導通している第１導通状態と、第１の検査電極Ｅ１と逆方向試験装置ＩＤＴの高電位側端子との間が導通している第２導通状態とを切替可能な第１の切替スイッチＲＬ１を備える。

更に、コンタクト検査装置２は、第２の検査電極Ｅ２と第１検査用電流源ＦＣＳの他端または第２検査用電流源ＳＣＳの他端との間が導通している第３導通状態と、第２の検査電極Ｅ２と逆方向試験装置ＩＤＴの低電位側端子との間が導通している第４導通状態とを切替可能な第２の切替スイッチＲＬ２を備える。

更に、コンタクト検査装置２は、第１検査対象素子に対する第１の検査電極Ｅ１及び第２の検査電極Ｅ２の接触状態である第１接触状態を検査する場合、第１検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ１の両端にかかる電圧と所定の第１基準電圧とを比較し、比較して得た第１比較結果に基づいて、この第１接触状態を検出する比較検出部ＣＭＰを備える。

この比較検出部ＣＭＰは、第２検査対象素子に対する第１の検査電極Ｅ１及び第２の検査電極Ｅ２の接触状態である第２接触状態を検査する場合、第２検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ２の両端にかかる電圧と所定の第２基準電圧とを比較し、比較して得た第２比較結果に基づいて、この第２接触状態を検出する。

コンタクト検査において、第１の検査電極Ｅ１とこの第１の検査電極Ｅ１よりも高電位となっている第２の検査電極Ｅ２との間に、第１検査対象素子または第２検査対象素子が順方向に接続される。そして、第１の切替スイッチＲＬ１が第１導通状態に切替られ、かつ第２の切替スイッチＲＬ２が第３導通状態に切替られた状態で、比較検出部ＣＭＰが上記第１接触状態または上記第２接触状態を検出する。

一方、逆方向試験において、第１の切替スイッチＲＬ１が第２導通状態に切替られ、第２の切替スイッチＲＬ２が第４導通状態に切替られる。

上述した第２の実施形態に係るコンタクト検査装置１の構成によれば、第１検査対象素子に対する第１の検査電極Ｅ１及び第２の検査電極Ｅ２の接触状態を検査する場合に、接触抵抗和が第１許容値の範囲で大きくなったとしても、第１検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ１に流れる電流は一定である。このため、第１検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ１の両端にかかる電圧は一定である。

これにより、接触抵抗和が所定の許容値の範囲で大きくなっても、第１検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ１の両端にかかる電圧は常に第１基準電圧以上となる。このため、比較検出部ＣＭＰは、接触抵抗和が所定の許容値の範囲で大きくなっても、第１の検査電極Ｅ１及び第２の検査電極Ｅ２と検査対象素子との接触を検出することができる。その結果、第１の検査電極Ｅ１及び第２の検査電極Ｅ２の寿命が長くなり、第１の検査電極Ｅ１及び第２の検査電極Ｅ２の交換頻度を削減することができる。

同様に、第２検査対象素子に対する第１の検査電極Ｅ１及び第２の検査電極Ｅ２の接触状態を検査する場合に、接触抵抗和が第２許容値の範囲で大きくなったとしても、第２検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ２に流れる電流は一定である。このため、第２検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ２の両端にかかる電圧は、第２検査用電流源ＳＣＳが出力する電流の値と第２検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ２の値の積で一定となる。

これにより、接触抵抗和が所定の許容値の範囲で大きくなっても、第２検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ２の両端にかかる電圧は常に第２基準電圧以上となる。このため比較検出部ＣＭＰは、接触抵抗和が所定の許容値の範囲で大きくなっても、第１の検査電極Ｅ１及び第２の検査電極Ｅ２と検査対象素子との接触を検出することができる。その結果、第１の検査電極Ｅ１及び第２の検査電極Ｅ２の寿命が長くなり、第１の検査電極Ｅ１及び第２の検査電極Ｅ２の交換頻度を削減することができる。

以上のことから、第２の実施形態に係るコンタクト検査装置２は、第１の実施形態の効果に加えて、漏れ電流が異なる二つの検査対象素子いずれに対してもコンタクト検査及び逆方向試験を行うことができ、かつ第１の検査電極Ｅ１及び第２の検査電極Ｅ２の交換頻度を削減することができる。

また、比較検出部ＣＭＰは、上記第１比較結果に基づいて、第１検査対象素子と第１の検査電極Ｅ１との接触抵抗の値と第１検査対象素子と第２の検査電極Ｅ２との接触抵抗の値の和が所定の第１許容値以下か否か検出する。更に、比較検出部ＣＭＰは、上記第２比較結果に基づいて、第２検査対象素子と第１の検査電極Ｅ１との接触抵抗の値と第２検査対象素子と第２の検査電極Ｅ２との接触抵抗の値の和が所定の第２許容値以下か否か検出する。ここで、第１の許容値及び電源の電圧＋Ｖｆに基づいて、第１検査用電流源ＦＣＳが出力する電流の値と第１検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ１の値が決められている。また、第２の許容値及び電源の電圧＋Ｖｆに基づいて、第２検査用電流源ＳＣＳが出力する電流の値と第２検査用検出抵抗Ｒ_Ｓ２の値が決められている。

これにより、第２の実施形態に係るコンタクト検査装置１は、コンタクト検査装置２は、検査対象素子の漏れ電流の大きさに応じて、電流源の電流値と検出抵抗の値の組を切り替えることができる。このため、第１検査対象素子より漏れ電流が大きい第２検査対象素子に対してコンタクト試験を行う場合、第１検査対象素子より接触抵抗和の最大許容値を小さくすることができる。その結果、逆方向試験を行う場合に、第２検査対象素子の漏れ電流が大きくても、その漏れ電流による接触抵抗による電圧降下を、所定の許容範囲内に収めることができる。従って、第２の実施形態に係るコンタクト検査装置１は、第１の実施形態の効果に加えて、漏れ電流が異なる二つの検査対象素子いずれに対して逆方向試験を行った場合でも、検査対象素子に最低限印加すべき電圧を確実に印加することができる。

なお、制御部ＣＯＮは、検査対象素子が所定の基準よりも漏れ電流が小さい素子の場合、第１検査用第１スイッチＦＳＷ１の一端と他端との間、及び第１検査用第２スイッチＦＳＷ２の一端と他端との間を導通させ、検査対象素子が所定の基準以上の漏れ電流を有する素子の場合、第２検査用第１スイッチＳＳＷ１の一端と他端との間、及び第２検査用第２スイッチＳＳＷ２の一端と他端との間を導通させてもよい。
その場合、コンタクト検査装置２は、ユーザが入力した漏れ電流の値を受け付ける入力部を更に備え、制御部ＣＯＮは、例えば、この入力部が受け付けた漏れ電流の値を取得してもよい。

また、本発明の一態様に係るコンタクト検査方法は、一端が電源に接続され、所定の定電流を出力する定電流源ＣＣＣと、一端が接地された検出抵抗Ｒ_Ｓと、整流特性を有する検査対象素子の一端に接続可能な第１の検査電極Ｅ１と、この検査対象素子の他端に接続可能な第２の検査電極Ｅ２と、を備え、このコンタクト検査のときに、第１の検査電極Ｅ１とこの第１の検査電極Ｅ１よりも高電位となっている第２の検査電極Ｅ２との間に、この検査対象素子が順方向に接続されるコンタクト検査装置が実行するコンタクト検査方法であって、以下の手順を有する。

（第１ステップ）第１の切替スイッチＲＬ１が、この検査対象素子に順方向に電流を印加するコンタクト検査のときに第１の検査電極Ｅ１と前記検出抵抗Ｒ_Ｓの他端との間を導通させる。

（第２ステップ）第１のステップと並行して、または第１のステップ前後に、第２の切替スイッチが、前記コンタクト検査のときに第２の検査電極Ｅ２と定電流源ＣＣＣの他端との間を導通させる。

（第３ステップ）比較検出部ＣＭＰが、このコンタクト検査のときに、検出抵抗Ｒ_Ｓの検出部の電圧と所定の基準電圧とを比較し、この比較結果に基づいて、この検査対象素子に対する第１の検査電極Ｅ１及び第２の検査電極Ｅ２の接触状態を検出する。

（第４ステップ）第１の切替スイッチＲＬ１が、この検査対象素子に逆方向に電圧を印加する逆方向試験のときに第１の検査電極Ｅ１と逆方向試験装置ＩＤＴの高電位側端子との間を導通させる。

（第５ステップ）第４のステップと並行して、または第４のステップ前後に、第２の切替スイッチＲＬ２が、この逆方向試験のときに第２の検査電極Ｅ２と逆方向試験装置ＩＤＴの低電位側端子との間を導通させる。

また、本発明の一態様に係る電子部品は、整流特性を有し、以下の構成を有するコンタクト検査装置によって、第１検査電極Ｅ１と該第１の検査電極Ｅ１よりも高電位となっている第２の検査電極Ｅ２との間に順方向に接続された後にコンタクト検査が行われた電子部品である。このコンタクト検査装置は、一端が電源に接続され、所定の定電流を出力する定電流源ＣＣＣと、一端が接地された検出抵抗Ｒ_Ｓと、を備える。更に、このコンタクト検査装置は、一端が当該電子部品の一端に接続可能な第１の検査電極Ｅ１と、当該電子部品の他端に接続可能な第２の検査電極Ｅ２と、を備える。更に、このコンタクト検査装置は、当該電子部品に順方向に電流を印加するコンタクト検査のときに第１の検査電極Ｅ１と検出抵抗Ｒ_Ｓの他端との間を導通させ、当該電子部品に逆方向に電圧を印加する逆方向試験のときに第１の検査電極Ｅ１と逆方向試験装置ＩＤＴの高電位側端子との間を導通させる第１の切替スイッチＲＬ１を備える。更に、このコンタクト検査装置は、このコンタクト検査のときに第２の検査電極Ｅ２と定電流源ＣＣＣの他端との間を導通させ、この逆方向試験のときに第２の検査電極Ｅ２と逆方向試験装置ＩＤＴの低電位側端子との間を導通させる第２の切替スイッチＲＬ２を備える。更に、このコンタクト検査装置は、このコンタクト検査のときに、検出抵抗Ｒ_Ｓの検出部の電圧と所定の基準電圧とを比較し、この比較結果に基づいて、当該電子部品に対する第１の検査電極Ｅ１及び第２の検査電極Ｅ２の接触状態を検出する比較検出部ＣＭＰを備える。このコンタクト検査装置は、当該電子部品に順方向に電流を印加するコンタクト検査のときに、第１の切替スイッチＲＬ１が第１導通状態に切替られ、第２の切替スイッチＲＬ２が第３導通状態に切替られ、比較検出部ＣＭＰが接触状態を検出する。また、このコンタクト検査装置は、当該電子部品に逆方向に電圧を印加する逆方向試験のときに、第１の切替スイッチＲＬ１が第２導通状態に切替られ、第２の切替スイッチＲＬ２が第４導通状態に切替られる。

なお、各実施形態は例示であり、発明の範囲はそれらに限定されない。

１、２、１００ コンタクト検査装置
Ｖ_Ｇｅｎ 電圧源
Ｒ_Ｂ 電流制定用抵抗
ＲＬ１ 第１の切替スイッチ
ＲＬ２ 第２の切替スイッチ
Ｎｄ１ 第１の接点
Ｎｄ２ 第２の接点
Ｎｄ３ 第３の接点
Ｎｄ４ 第４の接点
Ｎｄ５ 第５の接点
Ｎｄ６ 第６の接点
ＳＷ１ 第１スイッチ
ＳＷ２ 第２スイッチ
Ｅ１ 第１の検査電極
Ｅ２ 第２の検査電極
Ｔ１ 第１の端子
Ｔ２ 第２の端子
Ｄ ダイオード
Ｒ_Ｓ 検出抵抗
ＩＤＴ 逆方向試験装置
ＣＣＣ 定電流源
ＣＲＤ 定電流ダイオード
ＣＯＮ 制御部
ＣＭＰ 比較検出部
ＦＣＳ 第１検査用電流源
ＳＣＳ 第２検査用電流源
ＦＳＷ１ 第１検査用第１スイッチ
ＳＳＷ１ 第２検査用第１スイッチ
ＦＳＷ２ 第１検査用第２スイッチ
ＳＳＷ２ 第２検査用第２スイッチ
Ｒ_Ｓ１ 第１検査用検出抵抗
Ｒ_Ｓ２ 第２検査用検出抵抗
Ｄ１ 第１ダイオード
Ｄ２ 第２ダイオード

Claims (14)

1. 一端が電源に接続され、所定の定電流を出力する定電流源と、
   一端が接地された検出抵抗と、
   整流特性を有する検査対象素子の一端に電気的に接続可能な第１の検査電極と、
   前記検査対象素子の他端に電気的に接続可能な第２の検査電極と、
   前記第１の検査電極と前記検出抵抗の検出部との間が導通している第１導通状態と、前記第１の検査電極と逆方向試験装置の高電位側端子との間が導通している第２導通状態とを切替可能な第１の切替スイッチと、
   前記第２の検査電極と前記定電流源の出力との間が導通している第３導通状態と、前記第２の検査電極と前記逆方向試験装置の低電位側端子との間が導通している第４導通状態とを切替可能な第２の切替スイッチと、
   前記検出抵抗の検出部の電圧と所定の基準電圧とを比較し、この比較結果に基づいて、前記検査対象素子に対する前記第１の検査電極及び前記第２の検査電極の接触状態を検出する比較検出部と、
   を備え、
   前記検査対象素子に順方向に電流を印加するコンタクト検査において、前記第１の検査電極と該第１の検査電極よりも高電位となっている前記第２の検査電極との間に、前記検査対象素子が順方向に接続され、前記第１の切替スイッチが前記第１導通状態に切替られ、かつ前記第２の切替スイッチが前記第３導通状態に切替られた状態で、前記比較検出部が前記接触状態を検出し、
   前記検査対象素子に逆方向に電圧を印加する逆方向試験において、前記第１の切替スイッチが前記第２導通状態に切替られ、前記第２の切替スイッチが前記第４導通状態に切替られる
   コンタクト検査装置。
2. 前記比較検出部は、前記比較結果に基づいて、前記検査対象素子と前記第１の検査電極との接触抵抗の値と前記検査対象素子と前記第２の検査電極との接触抵抗の値の和が、所定の許容値以下か否か検出し、
   前記許容値及び前記電源の電圧に基づいて、前記定電流源が出力する電流の値と前記検出抵抗の値が決められている
   請求項１に記載のコンタクト検査装置。
3. 前記第１の切替スイッチは、前記第１の検査電極と接続された第１の接点と、前記逆方向試験装置の高電位側端子と接続された第２の接点と、第３の接点と、を備え、
   前記第２の切替スイッチは、前記第２の検査電極と接続された第４の接点と、前記逆方向試験装置の低電位側端子と接続された第５の接点と、第６の接点と、を備え、
   一端が前記定電流源の出力に接続され他端が前記第６の接点に接続され、前記定電流源の出力と前記第６の接点との間が導通している導通状態と導通していない非導通状態とを切り替える第１スイッチと、
   一端が前記第３の接点に接続され他端が前記検出抵抗の検出部に接続され、前記第３の接点と前記検出抵抗の検出部との間が導通している導通状態と導通していない非導通状態とを切り替える第２スイッチと、
   を更に備える請求項１または２に記載のコンタクト検査装置。
4. 前記第１スイッチ及び前記第２スイッチを制御し、前記コンタクト検査のときに、前記第１スイッチを導通状態にさせ、前記第２スイッチを導通状態にさせる制御部
   を更に備える請求項３に記載のコンタクト検査装置。
5. 前記制御部は、前記第１の切替スイッチ及び前記第２の切替スイッチを制御し、前記コンタクト検査のときに、前記第１の切替スイッチを第１導通状態にさせ、前記第２の切替スイッチを第３導通状態にさせ、前記逆方向試験のときに、第１の切替スイッチを第２導通状態にさせ、第２の切替スイッチを第４導通状態にさせる
   請求項４に記載のコンタクト検査装置。
6. 前記検査対象素子は、ダイオードであり、前記第１の検査電極には前記ダイオードのカソードが接続され、前記第２の検査電極には前記ダイオードのアノードが接続される
   請求項１から５のいずれか一項に記載のコンタクト検査装置。
7. 一端が電源に接続され、第１の定電流を出力する第１検査用電流源と、
   一端が前記電源に接続され、前記第１検査用電流源が出力する電流より大きい第２の定電流を出力する第２検査用電流源と、
   整流特性を有する第１検査対象素子の一端または整流特性を有し該第１検査対象素子より漏れ電流が大きい第２検査対象素子の一端に電気的に接続可能な第１の検査電極と、
   前記第１検査対象素子の他端または前記第２検査対象素子の他端に電気的に接続可能な第２の検査電極と、
   一端が接地された第１検査用検出抵抗と、
   一端が接地され前記第１検査用検出抵抗よりも抵抗値が小さい第２検査用検出抵抗と、前記第１の検査電極と前記第１検査用検出抵抗の他端または前記第２検査用検出抵抗の他端との間が導通している第１導通状態と、前記第１の検査電極と逆方向試験装置の高電位側端子との間が導通している第２導通状態とを切替可能な第１の切替スイッチと、
   前記第２の検査電極と前記第１検査用電流源の他端または前記第２検査用電流源の他端との間が導通している第３導通状態と、前記第２の検査電極と前記逆方向試験装置の低電位側端子との間が導通している第４導通状態とを切替可能な第２の切替スイッチと、
   前記第１検査対象素子に対する前記第１の検査電極及び前記第２の検査電極の接触状態である第１接触状態を検査する場合、前記第１検査用検出抵抗の検出部の電圧と所定の第１基準電圧とを比較し、比較して得た第１比較結果に基づいて、前記第１接触状態を検出し、前記第２検査対象素子に対する前記第１の検査電極及び前記第２の検査電極の接触状態である第２接触状態を検査する場合、前記第２検査用検出抵抗の検出部の電圧と所定の第２基準電圧とを比較し、比較して得た第２比較結果に基づいて、前記第２接触状態を検出する比較検出部と、
   を備え、
   前記第１検査対象素子または前記第２検査対象素子に順方向に電流を印加するコンタクト検査において、前記第１の検査電極と該第１の検査電極よりも高電位となっている前記第２の検査電極との間に、前記第１検査対象素子または前記第２検査対象素子が順方向に接続され、前記第１の切替スイッチが前記第１導通状態に切替られ、かつ前記第２の切替スイッチが前記第３導通状態に切替られた状態で、前記比較検出部が前記第１接触状態または前記第２接触状態を検出し、
   前記第１検査対象素子または前記第２検査対象素子に逆方向に電圧を印加する逆方向試験において、前記第１の切替スイッチが前記第２導通状態に切替られ、前記第２の切替スイッチが前記第４導通状態に切替られる
   コンタクト検査装置。
8. 前記比較検出部は、前記第１比較結果に基づいて、前記第１検査対象素子と前記第１の検査電極との接触抵抗の値と前記第１検査対象素子と前記第２の検査電極との接触抵抗の値の和が所定の第１許容値以下か否か検出し、前記第２比較結果に基づいて、前記第２検査対象素子と前記第１の検査電極との接触抵抗の値と前記第２検査対象素子と前記第２の検査電極との接触抵抗の値の和が所定の第２許容値以下か否か検出し、
   前記第１の許容値及び前記電源の電圧に基づいて、前記第１検査用電流源が出力する電流の値と前記第１検査用検出抵抗の値が決められており、
   前記第２の許容値及び前記電源の電圧に基づいて、前記第２検査用電流源が出力する電流の値と前記第２検査用検出抵抗の値が決められている
   請求項７に記載のコンタクト検査装置。
9. 前記第１基準電圧と前記第２基準電圧は等しく、前記第２検査用検出抵抗の値に対する前記第１検査用検出抵抗の値の比は、前記第１検査用電流源が出力する電流の値に対する前記第２検査用電流源が出力する電流の値の比に等しい
   請求項７または８に記載のコンタクト検査装置。
10. 前記第１の切替スイッチは、前記第１の検査電極に接続された第１の接点と前記逆方向試験装置の高電位側端子と接続されている第２の接点とが導通している前記第１導通状態と、前記第１の接点と第３の接点が導通している前記第２導通状態とを切替可能であり、 前記第２の切替スイッチは、前記第２の検査電極に接続された第４の接点と前記逆方向試験装置の低電位側端子と接続されている第５の接点とが導通している前記第３導通状態と、前記第４の接点と第６の接点が導通している前記第４導通状態とを切替可能であり、 前記第１検査用電流源の出力と前記第６の接点との間が導通している導通状態と導通していない非導通状態とを切り替える第１検査用第１スイッチと、
    前記第２検査用電流源の出力と前記第６の接点との間が導通している導通状態と導通していない非導通状態とを切り替える第２検査用第１スイッチと、
    前記第３の接点と前記第１検査用検出抵抗との間が導通している導通状態と導通していない非導通状態とを切り替える第１検査用第２スイッチと、
    前記第３の接点と前記第２検査用検出抵抗との間が導通している導通状態と導通していない非導通状態とを切り替える第２検査用第２スイッチと、
    を備え、
    前記コンタクト検査のときに、前記第１検査用第１スイッチが導通状態に切替られ、前記第１検査用第２スイッチが導通状態に切替られ、前記第２検査用第１スイッチが非導通状態に切替られ、前記第２検査用第２スイッチが非導通状態に切替られ、
    前記逆方向試験のときに、前記第１検査用第１スイッチが非導通状態に切替られ、前記第１検査用第２スイッチが非導通状態に切替られ、前記第２検査用第１スイッチが導通状態に切替られ、前記第２検査用第２スイッチが導通状態に切替られる
    請求項７から９のいずれか一項に記載のコンタクト検査装置。
11. 前記第１検査用第１スイッチ、前記第１検査用第２スイッチ、前記第２検査用第１スイッチ及び第２検査用第２スイッチを制御する制御部
    を更に備え、
    前記制御部は、前記コンタクト検査で前記第１接触状態を検査する場合、前記第１検査用第１スイッチを導通状態にさせ、前記第１検査用第２スイッチを導通状態にさせ、前記第２検査用第１スイッチを非導通状態にさせ、前記第２検査用第２スイッチを非導通状態にさせ、
    前記制御部は、前記コンタクト検査で前記第２接触状態を検査する場合、前記第１検査用第１スイッチを非導通状態にさせ、前記第１検査用第２スイッチを非導通状態にさせ、 前記第２検査用第１スイッチを導通状態にさせ、前記第２検査用第２スイッチを導通状態にさせる
    請求項１０に記載のコンタクト検査装置。
12. 前記制御部は、前記第１の切替スイッチと前記第２の切替スイッチを制御し、前記コンタクト検査のときに、前記第１の切替スイッチを前記第１導通状態にし、前記第２の切替スイッチを前記第３導通状態にし、前記逆方向試験のときに、前記第１の切替スイッチを
    前記第２導通状態にし、前記第２の切替スイッチを前記第４導通状態にする
    請求項１１に記載のコンタクト検査装置。
13. 前記第１検査対象素子は、第１ダイオードであり、前記第１の検査電極には前記第１ダイオードのカソードが接続され、前記第２の検査電極には前記第１ダイオードのアノードが接続され、
    前記第２検査対象素子は、前記第１ダイオードより漏れ電流が大きい第２ダイオードであり、前記第１の検査電極には前記第２ダイオードのカソードが接続され、前記第２の検査電極には前記第２ダイオードのアノードが接続される
    請求項７から１２のいずれか一項に記載のコンタクト検査装置。
14. 一端が電源に接続され、所定の定電流を出力する定電流源と、一端が接地された検出抵抗と、整流特性を有する検査対象素子の一端に電気的に接続可能な第１の検査電極と、前記検査対象素子の他端に電気的に接続可能な第２の検査電極と、を備え、前記検査対象素子に順方向に電流を印加するコンタクト検査のときに、前記第１の検査電極と該第１の検査電極よりも高電位となる前記第２の検査電極との間に、前記検査対象素子が順方向に接続されるコンタクト検査装置が実行するコンタクト検査方法であって、
    第１の切替スイッチが、前記コンタクト検査のときに前記第１の検査電極と前記検出抵抗の検出部との間を導通させるステップと、
    第２の切替スイッチが、前記コンタクト検査のときに前記第２の検査電極と前記定電流源の出力との間を導通させるステップと、
    比較検出部が、前記コンタクト検査のときに、前記検出抵抗の検出部の電圧と所定の基準電圧とを比較し、この比較結果に基づいて、前記検査対象素子に対する前記第１の検査電極及び前記第２の検査電極の接触状態を検出するステップと、
    前記第１の切替スイッチが、前記検査対象素子に逆方向に電圧を印加する逆方向試験のときに前記第１の検査電極と逆方向試験装置の高電位側端子との間を導通させるステップと、
    前記第２の切替スイッチが、前記逆方向試験のときに前記第２の検査電極と前記逆方向試験装置の低電位側端子との間を導通させるステップと、
    を有するコンタクト検査方法。

Images