JP6184026B2 - 反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置等の製造に用いられる反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法に関する。

一般に、半導体装置の製造工程では、フォトリソグラフィ法を用いて微細パターンの形成が行われている。また、この微細パターンの形成には通常何枚ものフォトマスクと呼ばれている転写用マスクが使用される。この転写用マスクは、一般に透光性のガラス基板上に、金属薄膜等からなる微細パターンを設けたものであり、この転写用マスクの製造においてもフォトリソグラフィ法が用いられている。

転写用マスクの種類としては、従来の透光性基板上にクロム系材料からなる遮光膜パターンを有するバイナリ型マスクのほかに、位相シフト型マスクが知られている。この位相シフト型マスクは、透光性基板上に位相シフト膜を有する構造のもので、この位相シフト膜は、所定の位相差を有するものであり、例えばモリブデンシリサイド化合物を含む材料等が用いられる。また、モリブデン等の金属のシリサイド化合物を含む材料を遮光膜として用いるバイナリ型マスクも用いられるようになってきている。

また、近年、半導体産業において、半導体デバイスの高集積化に伴い、従来の紫外光を用いたフォトリソグラフィ法の転写限界を上回る微細パターンが必要とされてきている。このような微細パターン形成を可能とするため、極紫外（ExtremeUltra Violet：以下、「ＥＵＶ」と呼ぶ。）光を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィが有望視されている。ここで、ＥＵＶ光とは、軟X線領域又は真空紫外線領域の波長帯の光を指し、具体的には波長が０．２〜１００ｎｍ程度の光のことである。このＥＵＶリソグラフィにおいて用いられるマスクとして反射型マスクが提案されている。このような反射型マスクは、基板上に露光光を反射する多層反射膜が形成され、該多層反射膜上に露光光を吸収する吸収体膜がパターン状に形成されたものである。

この反射型マスクの製造においてもフォトリソグラフィ法が用いられ、例えば特許文献１には、反射型マスクの製造に用いられる反射型マスクブランクの代表的な構造が開示されている。

特許第４８６２８９２号公報

反射型マスクブランクの代表的な構造は、上記特許文献１に開示されているように、基板の一方の主表面に、露光光（ＥＵＶ光）を反射する多層反射膜が形成され、この多層反射膜上に露光光（ＥＵＶ光）を吸収する吸収体膜が形成された構造のものである。

このような反射型マスクブランクを用いて反射型マスクを製造する場合、まず反射型マスクブランクの表面に電子線描画用のレジスト膜を形成する。次に、このレジスト膜に対し所望の電子線描画、現像を行ってレジストパターンを形成する。次いで、このレジストパターンをマスクとして、上記吸収体膜をドライエッチングして吸収体膜パターン（転写パターン）を形成することにより、多層反射膜上に吸収体膜がパターン状に形成された構造の反射型マスクが出来上がる。

ところで、上記反射型マスクブランクにおける上記多層反射膜及び吸収体膜は、通常、イオンビームスパッタリング装置やＤＣマグネトロンスパッタリング装置を用いて形成され、上記多層反射膜及び吸収体膜はいずれも基板の主表面の全面に形成され、さらに基板の端面にも回り込むように形成される。そして、上記レジスト膜は反射型マスクブランク上の全面に形成されるが、基板周縁部のレジスト膜剥離による発塵を抑制するため、通常、マスクパターンの形成されない基板周縁部のレジスト膜を除去することが行われている。

このように基板周縁部のレジスト膜が除去された（換言すれば、基板周縁部にはレジスト膜が形成されていない）状態の反射型マスクブランクを用いて上記のように反射型マスクを製造した場合、基板周縁部ではレジスト膜が形成されていないため、露出している吸収体膜がエッチングにより除去されて、多層反射膜が露出することになる。通常、反射型マスクの製造工程において、吸収体膜パターンを形成した後に、レジストパターン除去等のために酸性やアルカリ性の水溶液（薬液）を用いたウェット洗浄が行われる。また、半導体装置の製造においても、露光時に反射型マスクに付着した異物を除去するため、薬液を用いたウェット洗浄が行われる。これらの洗浄は少なくとも複数回行われる。波長１３〜１４ｎｍのＥＵＶ光に対する多層反射膜としては、Ｍｏ膜とＳｉ膜を交互に４０周期程度積層したＭｏ／Ｓｉ周期積層膜が好ましく用いられるが、本発明者は、この洗浄によって、基板周縁部において露出した多層反射膜が損傷し膜剥がれが発生することを見出した。このような多層反射膜の膜剥がれは重大なパターン欠陥となるおそれがある。

本発明は、このような従来の問題に鑑みなされたものであり、その目的とするところは、第一に、マスク製造工程やマスク使用時の洗浄等による多層反射膜の膜剥がれを防止できる反射型マスクブランク及びその製造方法、並びにこの反射型マスクブランクを用いた反射型マスクの製造方法を提供することであり、第二に、この反射型マスクを使用し、多層反射膜の膜剥がれに起因する欠陥を無くすことができる半導体装置の製造方法を提供することである。

本発明者は、上記課題を解決するため、特に反射型マスクブランクを構成する各膜の形成領域、及び反射型マスクブランクの表面に形成するレジスト膜の形成領域に着目し、鋭意検討した結果、以下の本発明の構成によれば、マスク作製後、多層反射膜の露出することがなく、マスク製造工程やマスク使用時の洗浄等による多層反射膜の膜剥がれを防止でき、また多層反射膜の膜剥がれに起因する欠陥を無くすことができることを見出した。
すなわち、上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。

（構成１）
基板上に、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜、該多層反射膜を保護するための保護膜、ＥＵＶ光を吸収する吸収体膜、およびレジスト膜が順に形成された反射型マスクブランクであって、前記基板の中心から前記多層反射膜の外周端までの距離をＬ（ＭＬ）、前記基板の中心から前記保護膜の外周端までの距離をＬ（Ｃａｐ）、前記基板の中心から前記吸収体膜の外周端までの距離をＬ（Ａｂｓ）、前記基板の中心から前記レジスト膜の外周端までの距離をＬ（Ｒｅｓ）としたとき、
Ｌ（Ａｂｓ）＞Ｌ（Ｒｅｓ）＞Ｌ（Ｃａｐ）≧Ｌ（ＭＬ）であって、且つ、前記レジスト膜の外周端は前記基板の外周端よりも内側に存在することを特徴とする反射型マスクブランクである。
上記構成１の反射型マスクブランクによれば、この反射型マスクブランクを用いて反射型マスクを作製後、吸収体膜パターンの形成されていない基板周縁部において多層反射膜が露出することがないため、マスク製造工程やマスク使用時の洗浄等による多層反射膜の膜剥がれを防止することができ、また多層反射膜の膜剥がれに起因する欠陥を無くすことが可能である。

（構成２）
基板上に、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜、該多層反射膜を保護するための保護膜、ＥＵＶ光を吸収する吸収体膜、およびレジスト膜が順に形成されている反射型マスクブランクであって、前記基板の中心から前記多層反射膜の外周端までの距離をＬ（ＭＬ）、前記基板の中心から前記保護膜の外周端までの距離をＬ（Ｃａｐ）、前記基板の中心から前記吸収体膜の外周端までの距離をＬ（Ａｂｓ）、前記基板の中心から前記レジスト膜の外周端までの距離をＬ（Ｒｅｓ）としたとき、
Ｌ（Ａｂｓ）≧Ｌ（Ｃａｐ）＞Ｌ（Ｒｅｓ）＞Ｌ（ＭＬ）であって、且つ、前記レジスト膜の外周端は前記基板の外周端よりも内側に存在することを特徴とする反射型マスクブランクである。
上記構成２の反射型マスクブランクによれば、この反射型マスクブランクを用いて反射型マスクを作製後、吸収体膜パターンの形成されていない基板周縁部において多層反射膜が露出することがないため、マスク製造工程やマスク使用時の洗浄等による多層反射膜の膜剥がれを防止することができ、また多層反射膜の膜剥がれに起因する欠陥を無くすことが可能である。

（構成３）
前記多層反射膜が形成されている側と反対側の前記基板上に導電膜が形成され、
前記基板の中心から前記導電膜の外周端までの距離をＬ（ＢＬ）としたとき、
Ｌ（ＢＬ）＞Ｌ（Ｒｅｓ）であることを特徴とする構成１又は２に記載の反射型マスクブランクである。
上記構成３の反射型マスクブランクによれば、この反射型マスクブランクを用いて反射型マスクを作製後、この反射型マスクの裏面を静電チャックで保持してＥＵＶ露光装置により被転写基板にパターンを転写して半導体装置を製造するにあたり、前記反射型マスクの吸収体膜パターンの形成されていない、基板が露出された基板周縁部に、ＥＵＶ光以外の真空紫外領域の光が入射され、基板内部に該光が入射されても基板裏面には導電膜が形成されているので、ＥＵＶ露光装置の静電チャックに真空紫外領域の光が照射されることがない。従って、前記光による静電チャックへのダメージを防止することができる。

（構成４）
前記導電膜の前記基板側には真空紫外領域の波長の光の反射を低減させる反射低減層を有することを特徴とする構成３に記載の反射型マスクブランクである。
上記構成４の反射型マスクブランクによれば、この反射型マスクブランクを用いて反射型マスクを作製後、この反射型マスクの裏面を静電チャックで保持してＥＵＶ露光装置により被転写基板にパターンを転写して半導体装置を製造するにあたり、前記反射型マスクの吸収体膜パターンの形成されていない、基板が露出された基板周縁部に、ＥＵＶ光以外の真空紫外領域の光が入射され、基板内部に該光が入射されても基板裏面には真空紫外領域の波長の光の反射を低減させる反射低減層が形成されているので、被転写基板上の不必要なレジストが感光してしまい、パターン精度が悪化するという問題が引き起こされることがない。

（構成５）
前記保護膜は、ルテニウム（Ｒｕ）を含む少なくとも２種の金属の合金からなり、該合金は全率固溶体であることを特徴とする構成１乃至４の何れかに記載の反射型マスクブランクである。
構成５にあるように、前記保護膜は、ルテニウム（Ｒｕ）を含む少なくとも２種の金属の合金からなり、該合金は全率固溶体であることにより、例えばＴａ系材料のドライエッチングに適用される塩素系ガスによるドライエッチングや、マスク製造工程やマスク使用時の薬液洗浄等による保護膜の減損が非常に少なくなる。特に、吸収体膜パターンの形成されていない基板周縁部において露出する保護膜の減損が抑制されることで、下層の多層反射膜の露出、膜剥がれを防止することができる。

（構成６）
基板上に、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜、該多層反射膜を保護するための保護膜、ＥＵＶ光を吸収する吸収体膜、およびレジスト膜が順に形成された反射型マスクブランクの製造方法であって、前記基板の中心から前記多層反射膜の外周端までの距離をＬ（ＭＬ）、前記基板の中心から前記保護膜の外周端までの距離をＬ（Ｃａｐ）、前記基板の中心から前記吸収体膜の外周端までの距離をＬ（Ａｂｓ）、前記基板の中心から前記レジスト膜の外周端までの距離をＬ（Ｒｅｓ）としたとき、
Ｌ（Ａｂｓ）＞Ｌ（Ｒｅｓ）＞Ｌ（Ｃａｐ）≧Ｌ（ＭＬ）であって、且つ、前記レジスト膜の外周端は前記基板の外周端よりも内側に存在するように、前記多層反射膜、前記保護膜、前記吸収体膜、および前記レジスト膜をそれぞれ形成することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法である。
上記構成６によれば、得られた反射型マスクブランクを用いて反射型マスクを作製後、吸収体膜パターンの形成されていない基板周縁部において多層反射膜が露出することがないため、マスク製造工程やマスク使用時の洗浄等による多層反射膜の膜剥がれを防止することができ、また多層反射膜の膜剥がれに起因する欠陥を無くすことが可能である。

（構成７）
基板上に、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜、該多層反射膜を保護するための保護膜、ＥＵＶ光を吸収する吸収体膜、およびレジスト膜が順に形成された反射型マスクブランクの製造方法であって、前記基板の中心から前記多層反射膜の外周端までの距離をＬ（ＭＬ）、前記基板の中心から前記保護膜の外周端までの距離をＬ（Ｃａｐ）、前記基板の中心から前記吸収体膜の外周端までの距離をＬ（Ａｂｓ）、前記基板の中心から前記レジスト膜の外周端までの距離をＬ（Ｒｅｓ）としたとき、
Ｌ（Ａｂｓ）≧Ｌ（Ｃａｐ）＞Ｌ（Ｒｅｓ）＞Ｌ（ＭＬ）であって、且つ、前記レジスト膜の外周端は前記基板の外周端よりも内側に存在するように、前記多層反射膜、前記保護膜、前記吸収体膜、および前記レジスト膜をそれぞれ形成することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法である。
上記構成７によれば、得られた反射型マスクブランクを用いて反射型マスクを作製後、吸収体膜パターンの形成されていない基板周縁部において多層反射膜が露出することがないため、マスク製造工程やマスク使用時の洗浄等による多層反射膜の膜剥がれを防止することができ、また多層反射膜の膜剥がれに起因する欠陥を無くすことが可能である。

（構成８）
前記多層反射膜、前記保護膜、前記吸収体膜は、前記基板の周縁部に離間して遮蔽部材を設けてスパッタ成膜により形成することを特徴とする構成６又は７に記載の反射型マスクブランクの製造方法である。
構成８によれば、前記多層反射膜、前記保護膜、前記吸収体膜を、前記基板の周縁部に離間して遮蔽部材を設けてスパッタ成膜することにより、上記構成６又は構成７に記載の構成を有する反射型マスクブランクを確実に得ることができる。

（構成９）
前記多層反射膜が形成されている側と反対側の前記基板上に導電膜を形成し、
前記基板の中心から前記導電膜の外周端までの距離をＬ（ＢＬ）としたとき、
Ｌ（ＢＬ）＞Ｌ（Ｒｅｓ）とすることを特徴とする構成６乃至８の何れかに記載の反射型マスクブランクの製造方法である。
上記構成９によれば、この反射型マスクブランクを用いて反射型マスクを作製後、この反射型マスクの裏面を静電チャックで保持してＥＵＶ露光装置により被転写基板にパターンを転写して半導体装置を製造するにあたり、前記反射型マスクの吸収体膜パターンの形成されていない、基板が露出された基板周縁部に、ＥＵＶ光以外の真空紫外領域の光が入射され、基板内部に該光が入射されても基板裏面には導電膜が形成されているので、ＥＵＶ露光装置の静電チャックに真空紫外領域の光が照射されることがない。従って、前記光による静電チャックへのダメージを防止することができる。

（構成１０）
前記導電膜は、前記基板の周縁部に離間して遮蔽部材を設けてスパッタ成膜により形成することを特徴とする構成９に記載の反射型マスクブランクの製造方法である。
上記構成１０によれば、前記導電膜を、前記基板の周縁部に離間して遮蔽部材を設けてスパッタ成膜することにより、上記構成９に記載の構成を有する反射型マスクブランクを確実に得ることができる。

（構成１１）
前記導電膜の前記基板側の表面に、真空紫外領域の波長の光の反射を低減させる反射低減層を有することを特徴とする構成９又は１０に記載の反射型マスクブランクの製造方法である。
上記構成１１によれば、この反射型マスクブランクを用いて反射型マスクを作製後、この反射型マスクの裏面を静電チャックで保持してＥＵＶ露光装置により被転写基板にパターンを転写して半導体装置を製造するにあたり、前記反射型マスクの吸収体膜パターンの形成されていない、基板が露出された基板周縁部に、ＥＵＶ光以外の真空紫外領域の光が入射され、基板内部に該光が入射されても基板裏面には真空紫外域の波長の光の反射を低減させる反射低減層が形成されているので、被転写基板上の不必要なレジストが感光してしまい、パターン精度が悪化するという問題が引き起こされることがない。

（構成１２）
前記保護膜は、ルテニウム（Ｒｕ）を含む少なくとも２種の金属の合金からなり、該合金は全率固溶体であることを特徴とする構成６乃至１１の何れかに記載の反射型マスクブランクの製造方法である。
構成１２にあるように、前記保護膜は、ルテニウム（Ｒｕ）を含む少なくとも２種の金属の合金からなり、該合金は全率固溶体であることにより、例えばＴａ系材料のドライエッチングに適用される塩素系ガスによるドライエッチングや、マスク製造工程やマスク使用時の薬液洗浄等による保護膜の減損が非常に少なくなる。特に、吸収体膜パターンの形成されていない基板周縁部において露出する保護膜の減損が抑制されることで、下層の多層反射膜の露出、膜剥がれを防止することができる。

（構成１３）
構成１乃至５の何れかに記載の反射型マスクブランク、又は構成６乃至１２の何れかに記載の反射型マスクブランクの製造方法により得られる反射型マスクブランクを用いて、前記レジスト膜に対してレジストパターンを形成する工程と、形成されたレジストパターンをマスクにして前記吸収体膜をパターニングする工程とを有することを特徴とする反射型マスクの製造方法である。
上記構成の反射型マスクブランクを用いて反射型マスクを製造することにより、吸収体膜パターンの形成されていない基板周縁部において多層反射膜が露出することがないため、マスク製造工程やマスク使用時の洗浄等による多層反射膜の膜剥がれを防止することができ、また多層反射膜の膜剥がれに起因する欠陥を無くすことが可能である。
さらには、上記構成の反射型マスクブランクを用いて反射型マスクを製造することにより、この反射型マスクの裏面を静電チャックで保持してＥＵＶ露光装置により被転写基板にパターンを転写して半導体装置を製造するにあたり、前記反射型マスクの吸収体膜パターンの形成されていない、基板が露出された基板周縁部に、ＥＵＶ光以外の真空紫外領域の光が入射され、基板内部に該光が入射されても基板裏面には導電膜、好ましくは、導電膜の前記基板側の表面には、真空紫外域の波長の光の反射を低減させる反射低減層が形成されているので、ＥＵＶ露光装置の静電チャックに真空紫外領域の光が照射されることがなく、また、導電膜による反射光によって被転写基板上の不必要なレジストが感光してしまい、パターン精度が悪化するという問題が引き起こされることがない。

（構成１４）
構成１３に記載の反射型マスクの製造方法により得られる反射型マスクを用い、半導体基板上のレジスト膜に転写パターンを形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。
上記反射型マスクを用いて半導体装置を製造することにより、反射型マスクの多層反射膜の膜剥がれに起因する欠陥を無くすことができ、高品質の半導体装置を得ることができる。さらには、導電膜による反射光によって被転写基板上の不必要なレジストが感光してしまうことがなく、パターン精度が悪化することがないので、高品質の半導体装置を得ることができる。

本発明によれば、マスク製造工程やマスク使用時の洗浄等による多層反射膜の膜剥がれを防止できる反射型マスクブランク及びその製造方法、並びにこの反射型マスクブランクを用いた反射型マスクの製造方法を提供することができる。
また、本発明によれば、上記反射型マスクを用いて半導体装置を製造することにより、多層反射膜の膜剥がれに起因する欠陥を無くすことができ、高品質の半導体装置が得られる半導体装置の製造方法を提供することができる。
さらに本発明によれば、上述の効果に加え、マスク使用時のＥＵＶ露光装置の静電チャックへのダメージが防止でき、また、導電膜による反射光によって被転写基板上の不必要なレジストが感光してしまい、パターン精度が悪化することを防止できる反射型マスクブランク及びその製造方法、並びにこの反射型マスクブランクを用いた反射型マスクの製造方法を提供することができる。
さらに、導電膜による反射光によって被転写基板上の不必要なレジストが感光してしまうことがなく、パターン精度が悪化することがない高品質の半導体装置を得ることができる。

本発明に係る反射型マスクブランクの第１の実施の形態の構成を示す断面図である。 第１の実施の形態の反射型マスクブランクを用いて得られる反射型マスクの構成を示す断面図である。 本発明に係る反射型マスクブランクの第２の実施の形態の構成を示す断面図である。 第２の実施の形態の反射型マスクブランクを用いて得られる反射型マスクの構成を示す断面図である。 本発明に係る反射型マスクブランクの第３の実施の形態の構成を示す断面図である。 本発明に係る反射型マスクブランクの第４の実施の形態の構成を示す断面図である。 遮蔽部材を設けた成膜方法を示す構成図である。 遮蔽部材を設けた成膜方法を示す構成図である。 比較例の反射型マスクブランクの構成を示す断面図である。 比較例の反射型マスクブランクを用いて得られる反射型マスクの構成を示す断面図である。 本発明に係る反射型マスクブランクの第５の実施の形態の構成を示す断面図である。 第５の実施の形態の反射型マスクブランクを用いて得られる反射型マスクの構成を示す断面図である。 本発明に係る反射型マスクブランクの第６の実施の形態の構成を示す断面図である。 第６の実施の形態の反射型マスクブランクを用いて得られる反射型マスクの構成を示す断面図である。

以下、本発明の実施の形態を詳述する。
［第１の実施の形態］
図１は、本発明に係る反射型マスクブランクの第１の実施の形態の構成を示す断面図である。
図１に示されるように、本実施の形態の反射型マスクブランク１０Ａは、基板１の一方の主表面１ａ上に、露光光であるＥＵＶ光を反射する多層反射膜２、該多層反射膜２を保護するための保護膜３、ＥＵＶ光を吸収する吸収体膜４、およびレジスト膜５が順に形成されており、基板１の他方の主表面１ｂ（以下、「裏面」とも呼ぶ。）には導電膜６が形成されている構成である。

ＥＵＶ露光用の場合、上記基板１としては、露光時の熱によるパターンの歪みを防止するため、０±１．０×１０^−７／℃の範囲内、より好ましくは０±０．３×１０^−７／℃の範囲内の低熱膨張係数を有する基板材料が好ましく用いられ、この範囲の低熱膨張係数を有する素材としては、例えば、ＳｉＯ_２−ＴｉＯ_２系ガラス（２元系（ＳｉＯ_２−ＴｉＯ_２）及び３元系（ＳｉＯ_２−ＴｉＯ_２−ＳｎＯ_２等））や、例えばＳｉＯ_２−Ａｌ_２Ｏ_３−Ｌｉ_２Ｏ系の結晶化ガラス等のガラス基板を用いることができる。

上記基板１として上記のガラス基板が好ましく用いられ、転写パターンが形成される側の主表面は、少なくともパターン転写精度、位置精度を得る観点から高平坦度となるように表面加工されている。ＥＵＶ露光用の場合、ガラス基板の転写パターンが形成される側の主表面１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域において、平坦度が０．１μｍ以下であることが好ましく、特に好ましくは０．０５μｍ以下である。また、転写パターンが形成される側と反対側の主表面は、露光装置にセットする時に静電チャックされる面であって、１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域において、平坦度が１μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以下である。なお、ここでいう平坦度とは、ＴＩＲ（TotalIndicated Reading）で示される表面の反り（変形量）を示す値であり、ガラス基板の表面を元に最小二乗法で定められる平面を焦平面としたとき、この焦平面より上にあるガラス基板の表面の最も高い位置と、焦平面より下にある最も低い位置の高低差の絶対値である。

また、上記基板１としては、上記のとおり、ＳｉＯ_２−ＴｉＯ_２系ガラスなどの低熱膨張係数を有するガラス基板が用いられるが、このようなガラス基板は、精密研磨により、表面粗さとして例えばＲＭＳで０．１ｎｍ以下の高平滑性を実現することが困難な場合がある。そのため、ガラス基板の表面粗さの低減、若しくはガラス基板表面の欠陥を低減する目的で、ガラス基板の表面に下地層を形成することが好適である。このような下地層の材料としては、露光光に対して透光性を有する必要はなく、下地層表面を精密研磨した時に高い平滑性が得られ、欠陥品質が良好となる材料が好ましく選択される。例えば、Ｓｉ又はＳｉを含有するケイ素化合物（例えばＳｉＯ_２、ＳｉＯＮなど）は、精密研磨した時に高い平滑性が得られ、欠陥品質が良好なため、好ましく用いられる。特にＳｉが好ましい。下地層の表面は、二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．１５ｎｍ以下、特に好ましくは０．１ｎｍ以下となるように精密研磨されることが望ましい。

上記多層反射膜２は、低屈折率層と高屈折率層を交互に積層させた多層膜であり、一般的には、重元素又はその化合物の薄膜と、軽元素又はその化合物の薄膜とが交互に４０〜６０周期程度積層された多層膜が用いられる。例えば、波長１３〜１４ｎｍのＥＵＶ光に対する多層反射膜としては、Ｍｏ膜とＳｉ膜を交互に４０周期程度積層したＭｏ／Ｓｉ周期積層膜が好ましく用いられる。その他に、ＥＵＶ光の領域で使用される多層反射膜として、Ｒｕ／Ｓｉ周期多層膜、Ｍｏ／Ｂｅ周期多層膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物周期多層膜Ｓｉ／Ｎｂ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ周期多層膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜などがある。露光波長により、材質を適宜選択すればよい。

上記保護膜３は、反射型マスクの製造工程におけるドライエッチングやウェット洗浄から多層反射膜を保護するために設けられる。保護膜３の材料としては、例えばルテニウム（Ｒｕ）単体や、ＲｕにＮｂ，Ｚｒ，Ｙ，Ｂ，Ｔｉ，Ｌａ，Ｍｏのうち１以上の元素を含有するルテニウム化合物、ケイ素（Ｓｉ）にＲｕ，Ｒｈ，Ｃｒ，Ｂのうち１以上の元素を含有するケイ素化合物、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｌａ、Ｂ等の材料が用いられる。これらのうち、特にＲｕを含む材料を用いると、多層反射膜の反射率特性がより良好となる。

上記吸収体膜４は、露光光であるＥＵＶ光を吸収する機能を有するもので、例えばタンタル（Ｔａ）単体又はＴａを主成分とする材料が好ましく用いられる。Ｔａを主成分とする材料は、通常、Ｔａの合金である。このような吸収体膜の結晶状態は、平滑性、平坦性の観点から、アモルファス状又は微結晶の構造を有しているものが好ましい。Ｔａを主成分とする材料としては、例えば、ＴａとＢを含む材料、ＴａとＮを含む材料、ＴａとＢを含み、更にＯとＮの少なくとも何れかを含む材料、ＴａとＳｉを含む材料、ＴａとＳｉとＮを含む材料、ＴａとＧｅを含む材料、ＴａとＧｅとＮを含む材料などを用いることができる。また、ＴａにＢ、Ｓｉ、Ｇｅ等を加えることにより、アモルファス構造が容易に得られ、平滑性を向上させることができる。さらに、ＴａにＮ、Ｏを加えれば、酸化に対する耐性が向上するため、経時的な安定性を向上させることができる。

また、上記導電膜６は、反射型マスクの静電チャッキングを促進するために設けられる。導電膜６の材料としては、シート抵抗値が１００Ω／□以下であることが好ましく、例えばＣｒ及びＮを含有する材料（ＣｒＮ）や、Ｔａを含有する材料を用いることができる。静電チャック時の導電膜の耐摩耗性及び耐薬性の向上の点では特にＴａを含有する材料が好ましい。なお、詳しくは後述するが、導電膜６としてＴａを含有する材料を用いる場合は、予め上記ガラス基板に対して少なくとも熱エネルギー又は光エネルギーを付与して、ガラス基板に含まれる水素を脱離させたガラス基板を用いることが好適である。

本実施の形態の反射型マスクブランク１０Ａにおいては、前記基板１の中心から前記多層反射膜２の外周端までの距離をＬ（ＭＬ）、前記基板１の中心から前記保護膜３の外周端までの距離をＬ（Ｃａｐ）、前記基板１の中心から前記吸収体膜４の外周端までの距離をＬ（Ａｂｓ）、前記基板１の中心から前記レジスト膜５の外周端までの距離をＬ（Ｒｅｓ）としたとき、
Ｌ（Ａｂｓ）＞Ｌ（Ｒｅｓ）＞Ｌ（Ｃａｐ）≧Ｌ（ＭＬ）の関係を満たし、且つ、前記レジスト膜５の外周端は前記基板１の外周端よりも内側に存在するように、前記多層反射膜２、前記保護膜３、前記吸収体膜４、および前記レジスト膜５をそれぞれ形成していることを特徴としている。

図１では、Ｌ（Ｃａｐ）＞Ｌ（ＭＬ）である場合を例示している。また、図１には、Ｌ（Ａｂｓ）を具体的に図示しているが、Ｌ（ＭＬ）、Ｌ（Ｃａｐ）、Ｌ（Ｒｅｓ）についても上記の意味である。また、基板１の中心とは、矩形状（例えば正方形）の基板においてはその重心の位置（重心の位置に対応する基板１の主表面１ａ上の点の位置）とする。また、上記基板１の外周端とは、基板１の主表面１ａと、面取面１ｃ（基板１の主表面１ａと側壁面１ｄとの間に介在する）との境界線をいうものとする。

図１から明らかなように、本実施の形態では、基板１の一方の主表面１ａ上に形成された多層反射膜２の形成領域を覆うように上記保護膜３が形成され、この保護膜３の形成領域を覆うように上記吸収体膜４が形成されており、これらの各膜は、上記基板１の外周端よりも内側に存在するように形成された上記レジスト膜５との間で、Ｌ（Ａｂｓ）＞Ｌ（Ｒｅｓ）＞Ｌ（Ｃａｐ）≧Ｌ（ＭＬ）の関係を満たしている。

前記レジスト膜５の外周端は前記基板１の外周端よりも内側に存在するようにしているのは、基板周縁部のレジスト膜剥離による発塵を抑制するためである。また、本実施の形態においては、前記吸収体膜４の外周端は前記基板１の外周端よりも内側に存在している。

図１は、図１に示す第１の実施の形態の反射型マスクブランク１０Ａを用いて得られる反射型マスク２０Ａの構成を示す断面図である。
反射型マスクブランク１０Ａを用いて反射型マスクを製造する場合、まず上記レジスト膜５に対し所望の電子線描画、現像を行ってレジストパターンを形成する。次いで、このレジストパターンをマスクとして、上記吸収体膜４をドライエッチングして吸収体膜パターン４ａを形成することにより、多層反射膜２及びその保護膜３上に吸収体膜パターン４ａが形成された構造の反射型マスク２０Ａが出来上がる。

図２からも明らかなように、反射型マスクブランクを構成する各膜の形成領域に関し、上述の所定の関係を満たす本実施の形態の反射型マスクブランク１０Ａを用いて反射型マスク２０Ａを製造した場合、吸収体膜パターンの形成されていない基板周縁部において多層反射膜が露出することがないため、マスク製造工程やマスク使用時の洗浄等による多層反射膜の膜剥がれを防止することができる。そのため、多層反射膜の膜剥がれに起因する欠陥の発生も無くすことができる。

次に、以上説明した本実施の形態の反射型マスクブランクの製造方法について説明する。
［基板作製工程］
主表面を所定の平滑度、平坦度になるように鏡面研磨した後、洗浄を行ったガラス基板を準備する。使用するガラス素材は前述のとおりである。
次に、成膜工程に移る前に、予めガラス基板に含まれる水素を脱離させる処理を行ってもよい。前記基板１の裏面に形成する導電膜６としてＴａを含有する材料を用いる場合は、予め上記ガラス基板に対して少なくとも熱エネルギー又は光エネルギーを付与して、ガラス基板に含まれる水素を脱離させたガラス基板を用いることが好適である。

ガラス基板に対する加熱処理又は光照射処理により、ガラス基板の表層あるいは内部に取り込まれているＯＨ基、水素及び水等を強制的に追い出すことができる。加熱処理又は光照射処理を行った後のガラス基板に対して、タンタルを含有する導電膜６を成膜することで、タンタルを含有する導電膜６中に水素が取り込まれることを抑制でき、導電膜６の経時的な圧縮応力の増大を抑制することができる。

上述のガラス基板に対して行う加熱処理は、ガラス基板を１５０℃以上に加熱する処理であることが好ましい。１５０℃未満の加熱処理では、温度が不十分なので、ガラス基板中の水素をガラス基板外に排出させる効果が十分には得られない。加熱処理は、２００℃以上であるとより効果が得られ、より好ましくは３００℃以上、さらに好ましくは４００℃以上、特に好ましくは５００℃以上であると、加熱時間を短くしても水素をガラス基板外に排除する十分な効果が得られる。また、ガラス基板に対する加熱処理は、ガラス基板の材料の軟化点温度未満であることが必要である。軟化点温度以上であると、ガラス基板が軟化して変形してしまうためである。ガラス材料の軟化点は、例えば、ＳｉＯ_２−ＴｉＯ_２系ガラスの軟化点は１４９０℃、合成石英ガラスの軟化点は１６００℃である。また、ガラス基板の軟化による変形を確実に避けるために、加熱処理はガラス材料の軟化点よりある程度低い温度で行うことが好ましい。具体的には、ＳｉＯ_２−ＴｉＯ_２系ガラス及び合成石英ガラス等のガラスに対する加熱処理の温度は、好ましくは１２００℃以下、より好ましくは１０００℃以下、さらに好ましくは８００℃以下である。加熱処理の処理時間は、加熱温度にもよるが、少なくとも５分以上であることが好ましく、より好ましくは１０分以上、さらに好ましくは３０分以上である。

加熱処理は、ガラス基板の周囲に水素が極力排除された気体が存在する状態で行われることが好ましい。空気中には水素自体の存在量は少ないが、水蒸気は多く存在する。クリーンルーム内の空気でも湿度がコントロールされてはいるが、水蒸気は比較的多く存在する。ガラス基板に対する加熱処理をドライエア中で行うことで、水蒸気に起因する水素のガラス基板への侵入を抑制することができる。さらに、水素や水蒸気を含まない気体（窒素等の不活性ガスや希ガスなど）中でガラス基板を加熱処理することがより好ましい。また、ガラス基板の加熱処理は、真空中で行うこともできる。

次に、ガラス基板に対する光照射処理について説明する。
光照射処理は、ガラス基板の周囲に水素が極力排除された気体が存在する状態で行われることが好ましい。空気中には水素自体の存在量は少ないが、水蒸気は多く存在する。クリーンルーム内の空気でも湿度がコントロールされてはいるが、水蒸気は比較的多く存在する。ガラス基板に対する加熱処理をドライエア中で行うことで、水蒸気に起因する水素のガラス基板への侵入を抑制することができる。さらに、水素及び水蒸気を含まない気体（窒素等の不活性ガス及び希ガスなど）中でガラス基板を光照射処理することがより好ましい。光照射処理は、大気圧の気体中又は真空中で行うことができる。ガラス基板の表層及び内部に取り込まれているＯＨ基、水素及び水等を、確実に減少させるために、光照射処理対象のガラス基板の周囲をある程度以上の真空度にすることが好ましい。その真空度は、中真空（０．１Ｐａ〜１００Ｐａ）であることがより好ましい。

光照射処理に利用する光は、１．３μｍ以上の波長を含む光であることが好ましい。例えばハロゲンヒーターから発する光は、１．３μｍ以上の波長を含む光であるので、具体的には、光照射処理は、ハロゲンヒーターから発する光をガラス基板に照射する処理であることが好ましい。
光照射処理の際の光照射時間は、使用する光源の波長にもよるが、例えば、１．３μｍ以上の波長を含む光（ハロゲンヒーター）の場合、１分以上であることが好ましく、好ましくは５分以上、１０分以上が望ましい。
以上のようにしてガラス基板を作製する。

［多層反射膜成膜工程］
前述のとおり、例えば波長１３〜１４ｎｍのＥＵＶ光に対する多層反射膜２としては、Ｍｏ膜とＳｉ膜を交互に４０周期程度積層したＭｏ／Ｓｉ周期積層膜が好ましく用いられる。この多層反射膜２の成膜は、通常、イオンビームスパッタ法やマグネトロンスパッタリング法などを適用して行う。本実施の形態においては、多層反射膜１２の外周端を他の膜の外周端との間で所定の関係に調整する必要があるため、図７に示すような遮蔽部材３０を設けた成膜方法を適用することができる。基板１の周縁部に離間して遮蔽部材３０を設けることにより、スパッタ粒子が基板１の周縁部に堆積することが妨げられる。そして、遮蔽部材３０を設けることにより、多層反射膜の外周領域において膜厚傾斜領域２１を形成することができる。基板１の主表面と遮蔽部材３０との距離ｈ、遮蔽部材３０による遮蔽長さＷ、基板１の主表面の法線に対するスパッタ粒子の入射角度を調節することにより、基板１の中心から多層反射膜２の外周端までの距離Ｌ（ＭＬ）、膜厚傾斜領域２１における膜厚及び傾斜角度を制御することができる。

［保護膜成膜工程］
保護膜３としては例えばＲｕを含む材料等が好ましく用いられる。この保護膜３の成膜においても、通常、イオンビームスパッタ法やマグネトロンスパッタリング法などを適用して行う。この保護膜３についてもその外周端を他の膜の外周端との間で所定の関係に調整する必要があるため、成膜に際しては上述の図７に示すような遮蔽部材３０を設けた成膜方法を適用することができる。
保護膜３の膜厚は特に制限されないが、多層反射膜２の反射率に大きく影響を与えず、かつドライエッチング及びそれに引き続くウェット洗浄から多層反射膜２を保護することができるように適宜設定され、例えば１〜５ｎｍの範囲である。

［吸収体膜成膜工程］
吸収体膜４としては、前述のとおり例えばタンタル（Ｔａ）単体又はＴａを主成分とする材料が好ましく用いられる。この吸収体膜４の成膜は、通常、マグネトロンスパッタリング法などを適用して行う。本実施の形態においては、この吸収体膜４についてもその外周端を他の膜の外周端との間で所定の関係に調整する必要があるため、成膜に際しては例えば図８に示すような遮蔽部材５０を設けた成膜方法を適用することができる。基板１の周縁部に離間して遮蔽部材５０を設けることにより、スパッタリングターゲット４０からのスパッタ粒子が基板１の周縁部に堆積することが妨げられ、基板１の外周領域に吸収体膜４は形成されない。
吸収体膜４の膜厚は、露光光であるＥＵＶ光を十分に吸収できる厚みであればよく、用いる吸収体材料の吸収係数によっても異なるが、通常３０〜１００ｎｍ程度の範囲である。

［導電膜成膜工程］
基板１の裏面に設けられる導電膜６としては、前述のとおり、例えばＣｒ及びＮを含有する材料（ＣｒＮ）や、Ｔａを含有する材料を用いることができるが、静電チャック時の導電膜の耐摩耗性及び耐薬性の向上の点では特にＴａを含有する材料が好ましく用いられる。この導電膜６の成膜は、通常、イオンビームスパッタ法やマグネトロンスパッタリング法などを適用して行う。上述のとおり、導電膜６としてＴａを含有する材料を用いる場合は、予め上記ガラス基板に対して少なくとも熱エネルギー又は光エネルギーを付与して、ガラス基板に含まれる水素を脱離させたガラス基板を用いることが好適である。
Ｔａを含有する材料としては、タンタルを含有し、かつ水素を実質的に含有しない材料であることが好ましく、静電チャック時における導電膜６の耐摩耗性及び薬液耐性を向上することができる。

タンタルは水素を取り込むと脆性化する特性を有するため、タンタルを含有する材料からなる導電膜６を成膜した直後の状態でも水素の含有量を抑制することが望まれる。このため、タンタルを含有し、かつ水素を実質的に含有しない材料を選定することが望ましい。ここで「水素を実質的に含有しない」とは、導電膜６中の水素含有量が少なくとも５原子％以下であることをいう。導電膜６中の水素含有量の好ましい範囲は、３原子％以下であることが好ましく、検出下限値以下であることがより好ましい。

導電膜６を形成するタンタルを含有し、かつ水素を実質的に含有しない材料としては、例えば、タンタル金属、並びにタンタルに、窒素、酸素、ホウ素及び炭素から選択される一以上の元素を含有し、水素を実質的に含有しない材料などが挙げられる。具体的には、Ｔａ、ＴａＮ、ＴａＯ、ＴａＯＮ、ＴａＢ、ＴａＢＮ、ＴａＢＯ、ＴａＢＯＮ、ＴａＳｉ、ＴａＳｉＮ、ＴａＳｉＯ及びＴａＳｉＯＮから選択した材料の一種類の薄膜又は二種類以上の複数の薄膜であることができる。また、耐摩耗性を向上し、パーティクル発生を抑制するために、導電膜６は、表面平滑性の高い非晶質（アモルファス）構造であることが好ましい。なお、上述の材料は、タンタル以外の金属を含有することができる。

上記導電膜６は、タンタル及び窒素を含有し、かつ水素を実質的に含有しない材料を含むことができる。タンタルに窒素を含有させることで、導電膜６中のタンタルの酸化を抑制することができる。
また、耐摩耗性及び薬液耐性の観点からは、ＴａＢＮ及び／又はＴａＮを用いることが好ましく、ＴａＢＮ／Ｔａ_２Ｏ_５又はＴａＮ／Ｔａ_２Ｏ_５を用いることがさらに好ましい。

導電膜６がＴａＢ薄膜の場合の組成比は、Ｂを５〜２５原子％含み、残部がＴａであることが好ましい。導電膜６がＴａＢＮの場合の組成比は、Ｂを５〜２５原子％、Ｎを５〜４０原子％含み、残部がＴａであることが好ましい。導電膜６がＴａＮの場合の組成比は、Ｎを５〜４０原子％含み、残部がＴａであることが好ましい。導電膜６がＴａＯの場合の組成比は、Ｏを１〜２０原子％含み、残部がＴａであることが好ましい。
導電膜６の膜厚は特に制限されず適宜設定されるが、例えば１０〜３００ｎｍの範囲である。
なお、上記導電膜６は、基板１に対して上記多層反射膜２を成膜する前に最初に成膜してもよい。

［レジスト膜形成工程］
レジスト膜５は、通常、回転塗布装置を用いて回転塗布（スピンコート）される。本実施の形態においては、基板周縁部のレジスト膜剥離による発塵を抑制するため、レジスト膜５の外周端は前記基板１の外周端よりも内側に存在している。このようにレジスト膜５を形成するためには、通常の回転塗布法により、ブランク主表面の全面にレジスト膜を形成し、次いでブランク周縁部において形成されたレジスト膜を除去する方法が挙げられる。

この場合、ブランク周縁部において不要なレジスト膜を除去する方法としては、たとえば、主表面全面にレジスト膜を形成したマスクブランク表面をカバー部材で覆い、このカバー部材の上からレジスト膜を溶解する溶媒を供給してこの溶媒をカバー部材の周辺部に設けられた溶媒流路を通じ、マスクブランク周縁部を除く領域においては残存され、マスクブランク周縁部においては除去されるよう、溶媒の供給量及び／又は供給装置を調整しながら溶媒を所定部位に供給することによって、不要なレジスト膜を溶媒で除去する方法を適用することができる（特許第３６０７９０３号公報参照）。また、不要なレジスト領域にレジスト剥離液を供給するための供給路と、この不要なレジスト領域のレジストを溶解した剥離液を排出するための排出路とを有するヘッド（具体的には基板の上下主表面周縁部及び端面部を囲むように断面コ字状に形成されたヘッド）を備えた除去装置を用いてもよい（例えば特開２００４−３３５８４５号公報参照）。また、マスクブランク周縁部を予めレジスト膜が形成されないようにシールした上で、通常の回転塗布法によりレジスト膜を形成する方法を適用することもできる。

以上のようにして製造される本実施の形態の反射型マスクブランク（図１参照）を用いて、反射型マスク（図２参照）を作製する方法については前述したとおりである。

［第２の実施の形態］
図３は、本発明に係る反射型マスクブランクの第２の実施の形態の構成を示す断面図である。
本実施の形態の反射型マスクブランク１０Ｂにおいては、前記基板１の中心から前記多層反射膜２の外周端までの距離をＬ（ＭＬ）、前記基板１の中心から前記保護膜３の外周端までの距離をＬ（Ｃａｐ）、前記基板１の中心から前記吸収体膜４の外周端までの距離をＬ（Ａｂｓ）、前記基板１の中心から前記レジスト膜５の外周端までの距離をＬ（Ｒｅｓ）としたとき、
Ｌ（Ａｂｓ）≧Ｌ（Ｃａｐ）＞Ｌ（Ｒｅｓ）＞Ｌ（ＭＬ）の関係を満たし、且つ、前記レジスト膜５の外周端は前記基板１の外周端よりも内側に存在するように、前記多層反射膜２、前記保護膜３、前記吸収体膜４、および前記レジスト膜５をそれぞれ形成していることを特徴としている。
なお、図３では、Ｌ（Ａｂｓ）とＬ（Ｃａｐ）がほぼ等しい場合を例示している。

図３から明らかなように、本実施の形態では、基板１の一方の主表面１ａ上に形成された多層反射膜２の形成領域を覆い、且つ主表面１ａの略全面に上記保護膜３が形成され、この保護膜３の形成領域とほぼ同一の領域を覆うように上記吸収体膜４が形成されており、これらの各膜は、上記基板１の外周端よりも内側に存在するように形成された上記レジスト膜５との間で、Ｌ（Ａｂｓ）≧Ｌ（Ｃａｐ）＞Ｌ（Ｒｅｓ）＞Ｌ（ＭＬ）の関係を満たしている。

図４は、図３に示す第２の実施の形態の反射型マスクブランク１０Ｂを用いて得られる反射型マスク２０Ｂの構成を示す断面図である。
前述の第１の実施の形態の場合と同様、反射型マスクブランク１０Ｂを用いて反射型マスクを製造するにあたっては、まず上記レジスト膜５に対し所望の電子線描画、現像を行ってレジストパターンを形成する。次いで、このレジストパターンをマスクとして、上記吸収体膜４をドライエッチングして吸収体膜パターン４ａを形成することにより、多層反射膜２及びその保護膜３上に吸収体膜パターン４ａが形成された構造の反射型マスク２０Ｂが出来上がる。

図４からも明らかなように、本実施の形態においても、反射型マスクブランクを構成する各膜の形成領域に関し、上述の所定の関係を満たす本実施の形態の反射型マスクブランク１０Ｂを用いて反射型マスク２０Ｂを製造した場合、吸収体膜パターンの形成されていない基板周縁部において多層反射膜が露出することがないため、マスク製造工程やマスク使用時の洗浄等による多層反射膜の膜剥がれを防止することができ、さらには多層反射膜の膜剥がれに起因する欠陥の発生も無くすことができる。

なお、本実施の形態においては、反射型マスク２０Ｂの基板周縁部において上記保護膜３が露出することになる。従って、上記保護膜３が、マスク製造工程やマスク使用時の洗浄等に対して十分な耐性を有していないと、上記保護膜３がこれら洗浄等により損傷し、やがては周縁部の多層反射膜２が露出して多層反射膜２の膜剥がれを引き起こすおそれがある。

上記保護膜３の材料は、前述したように、例えばルテニウム（Ｒｕ）単体や、ルテニウム化合物、ケイ素化合物等の材料が用いられるが、本実施の形態においては、保護膜３として、ルテニウム（Ｒｕ）を含む少なくとも２種の金属の合金からなり、該合金は全率固溶体である材料を用いることが好適である。このルテニウム（Ｒｕ）を含む少なくとも２種の金属の合金からなり、該合金は全率固溶体である材料を用いることにより、例えばＴａ系材料のドライエッチングに適用される塩素系ガスによるドライエッチングや、マスク製造工程やマスク使用時の薬液洗浄等による保護膜の減損が非常に少なくなる。本実施の形態のように、吸収体膜パターンの形成されていない基板周縁部において露出する保護膜の減損が抑制されることで、下層の多層反射膜の露出、膜剥がれを防止することができる。

前記全率固溶体とは、液相状態でも固相状態でも各構成金属があらゆる濃度で溶け合う合金のことである。全率固溶体である合金は非常に安定なので、塩素系ガスを使用したドライエッチングによる塩素化を受けにくい。

全率固溶体である合金としては、例えばルテニウム（Ru）とコバルト（Co）とからなる合金、ルテニウム（Ru）とレニウム（Re）とからなる合金、ニッケル（Ni）と銅（Cu）とからなる合金、金（Au）と銀（Ag）とからなる合金、銀（Ag）とスズ（Sn）とからなる合金、銀（Ag）と銅（Cu）とからなる合金及びゲルマニウム（Ge）とシリコン（Si）とからなる合金等が挙げられるが、本実施の形態においては、少なくともルテニウムを含む合金が好ましい。
これらの合金が単独で保護膜３を形成していても、２種以上の合金が併用されて保護膜３を形成していてもよい。

また、塩素系ガスを使用したドライエッチングによる塩素化を受けにくくし、ウェット洗浄による保護膜３の減膜若しくは消失の抑制効果が発揮される範囲で、保護膜３を構成する全率固溶体である合金に、酸素、窒素、水素、炭素等の元素が含まれていても構わない。
また、塩素系ガスを使用したドライエッチングによる塩素化を受けにくくし、ウェット洗浄による保護膜３の減膜若しくは消失の抑制効果が発揮される範囲で、保護膜３の極最表面に、全率固溶体である合金の酸化物、窒化物、水素化物、炭化物、酸化窒化物、酸化炭化物、酸化窒化炭化物等が形成されていても構わない。

保護膜３は、通常、反射型マスクにおいてその構成層として残存するため、ＥＵＶ光の吸収が低い（保護膜３が形成された状態において多層反射膜２の反射率が通常６３％以上（通常７３％未満）である）ことが好ましい。そのような観点からも、保護膜３は、ルテニウム（Ru）とコバルト（Co）とからなる合金又はルテニウム（Ru）とレニウム（Re）とからなる合金であることが好ましい。

ＥＵＶ光に対する高反射率の観点（反射率６３％以上）から、前記ルテニウム（Ru）とコバルト（Co）とからなる合金又はルテニウム（Ru）とレニウム（Re）とからなる合金においては、Ruの前記合金中の含有量は、７５原子％以上９９．５原子％以下であることが好ましく、９０原子％以上９９．５％以下であることがより好ましく、９５原子％以上９９．５原子％以下であることが特に好ましい。この原子組成は、オージェ電子分光法により測定することができる。

このような全率固溶体である合金からなる保護膜３においても、その形成方法や膜厚については、前述の第１の実施の形態と同様である。
なお、このような塩素系ガスによるドライエッチングや、マスク製造工程やマスク使用時の薬液洗浄等による保護膜の減損が非常に少なくなる全率固溶体である合金材料は、前述の第１の実施の形態（基板周縁部においては保護膜３は露出していない）においても好適であることは勿論である。

［第３の実施の形態］
図５は、本発明に係る反射型マスクブランクの第３の実施の形態の構成を示す断面図である。
本実施の形態の反射型マスクブランク１０Ｃは、前述の第１の実施の形態の反射型マスクブランク１０Ａの変形例であり、吸収体膜４が基板１の端面（面取面１ｃ及び側壁面１ｄ）に回り込むように形成されている。このような吸収体膜４は、吸収体膜４の成膜の際、前述の遮蔽部材５０（図８）を設けないで成膜を行うことによって形成することができる。

［第４の実施の形態］
図６は、本発明に係る反射型マスクブランクの第４の実施の形態の構成を示す断面図である。
本実施の形態の反射型マスクブランク１０Ｄは、前述の第２の実施の形態の反射型マスクブランク１０Ｂの変形例であり、保護膜３及び吸収体膜４がいずれも基板１の端面（面取面１ｃ及び側壁面１ｄ）に回り込むように形成されている。このような保護膜３及び吸収体膜４は、保護膜３及び吸収体膜４の成膜の際、前述の遮蔽部材３０又は５０（図７、図８）を設けないで成膜を行うことによって形成することができる。

以上の第３の実施の形態の反射型マスクブランク１０Ｃまたは第４の実施の形態の反射型マスクブランク１０Ｄを用いて得られる反射型マスクにおいても、吸収体膜パターンの形成されていない基板周縁部において多層反射膜が露出することがないため、マスク製造工程やマスク使用時の洗浄等による多層反射膜の膜剥がれを防止することができ、さらには多層反射膜の膜剥がれに起因する欠陥の発生も無くすことができる。

［第５の実施の形態］
図１１は、本発明に係る反射型マスクブランクの第５の実施の形態の構成を示す断面図である。
本実施の形態の反射型マスクブランク１０Ｅは、前述の第１の実施の形態の反射型マスクブランク１０Ａの変形例であり、多層反射膜２が形成されている側と反対側の基板１上に導電膜６が形成され、基板１の中心から導電膜６の外周端までの距離をＬ（ＢＬ）としたとき、Ｌ（ＢＬ）＞Ｌ（Ｒｅｓ）の関係を満たした反射型マスクブランクである。

本実施の形態においては、この導電膜６についてもその外周端をレジスト膜５の外周端との関係で所定の関係（Ｌ（ＢＬ）＞Ｌ（Ｒｅｓ））に調整する必要があるため、成膜に際しては、例えば、図８に示すような遮蔽部材５０を設けた成膜方法を適用することができる。基板１の周縁部に離間して遮蔽部材５０を設けることにより、スパッタリングターゲット４０からのスパッタ粒子が基板１の周縁部に堆積することが妨げられ、基板１の外周領域に導電膜６は形成されない。

図１２は、図１１に示す第５の実施の形態の反射型マスクブランク１０Ｅを用いて得られる反射型マスク２０Ｅの構成を示す断面図である。
反射型マスクブランク１０Ｅを用いて反射型マスクを製造する場合、まず上記レジスト膜５に対し、所望の電子線描画、現像を行ってレジストパターンを形成する。次いで、このレジストパターンをマスクとして、上記吸収体膜４をドライエッチングして吸収体膜パターン４ａを形成することにより、多層反射膜２及びその保護膜３上に吸収体膜パターン４ａが形成された構造の反射型マスク２０Ｅを得る。

図１２からも明らかなように、反射型マスクブランクを構成する各膜の形成領域に関し、上述の所定の関係を満たす本実施の形態の反射型マスクブランク１０Ｅを用いて反射型マスク２０Ｅを製造した場合、この反射型マスク２０Ｅの裏面を静電チャックで保持してＥＵＶ露光装置により被転写基板にパターンを転写して半導体装置を製造するにあたり、反射型マスク２０Ｅの吸収体膜パターン４ａの形成されていない、基板１が露出された基板周縁部に、ＥＵＶ光以外の真空紫外領域の光が入射され、基板内部に該光が入射されても基板裏面に形成された導電膜６が形成されているので、ＥＵＶ露光装置の静電チャックに真空紫外領域（波長１９０〜４００ｎｍ）の光が照射されることがない。従って、前記光による静電チャックへのダメージを防止することができる。

また、上記導電膜６のガラス基板側の表面には、真空紫外領域の波長の光の反射を低減させる反射低減層を設けることができる。この場合、反射型マスク２０Ｅの裏面を静電チャックで保持してＥＵＶ露光装置により被転写基板にパターンを転写して半導体装置を製造するにあたり、前記反射型マスク２０Ｅの吸収体膜パターン４ａの形成されていない、基板１が露出された基板周縁部に、ＥＵＶ光以外の真空紫外領域の光が入射され、基板内部に該光が入射されても基板裏面には真空紫外領域の波長の光の反射を低減させる反射低減層が形成されているので、被転写基板上の不必要なレジストが感光してしまい、パターン精度が悪化するという問題が引き起こされることがない。上記反射低減層は、例えば、真空紫外領域の光の反射を１５％以下にする材料が選択される。

上記反射低減層の材料としては、ＣｒＯ、ＣｒＯＮ、ＴａＯ、ＴａＯＮ、ＴａＢＯ、ＴａＢＯＮ等を使用することができる。反射低減層が金属酸化物（ＣｒＯ、ＴａＯ、ＴａＢＯ等）の場合、酸素（Ｏ）の含有量は１０原子％〜９０原子％とすることが好ましい。また、反射低減層が金属酸化窒化物（ＣｒＯＮ、ＴａＯＮ、ＴａＢＯＮ等）の場合、酸素（Ｏ）と窒素（Ｎ）の合計含有量は１０原子％〜９０原子％とすることが好ましい。
ガラス基板側の表面に反射低減層が形成された導電膜６としては、ガラス基板側から反射低減層と、真空チャッキングを促進するための導電層の積層構造とすることができる。

以上の第５の実施の形態の反射型マスクブランク１０Ｅを用いて得られる反射型マスク２０Ｅにおいても、吸収体膜パターンの形成されていない基板周縁部において多層反射膜が露出することがないため、マスク製造工程やマスク使用時の洗浄等による多層反射膜の膜剥がれを防止することができ、さらには多層反射膜の膜剥がれに起因する欠陥の発生も無くすことができる。

［第６の実施の形態］
図１３は、本発明に係る反射型マスクブランクの第６の実施の形態の構成を示す断面図である。
本実施の形態の反射型マスクブランク１０Ｆは、前述の第２の実施の形態の反射型マスクブランク１０Ｂの変形例であり、多層反射膜２が形成されている側と反対側の基板１上に導電膜６が形成され、基板１の中心から導電膜６の外周端までの距離をＬ（ＢＬ）としたとき、Ｌ（ＢＬ）＞Ｌ（Ｒｅｓ）の関係を満たした反射型マスクブランクである。

本実施の形態においては、この導電膜６についてもその外周端をレジスト膜５の外周端との関係で所定の関係（Ｌ（ＢＬ）＞Ｌ（Ｒｅｓ））に調整する必要があるため、成膜に際しては、例えば、図８に示すような遮蔽部材５０を設けた成膜方法を適用することができる。基板１の周縁部に離間して遮蔽部材５０を設けることにより、スパッタリングターゲット４０からのスパッタ粒子が基板１の周縁部に堆積することが妨げられ、基板１の外周領域に導電膜６は形成されない。

図１４は、図１３に示す第６の実施の形態の反射型マスクブランク１０Ｆを用いて得られる反射型マスク２０Ｆの構成を示す断面図である。
反射型マスクブランク１０Ｆを用いて反射型マスクを製造する場合、前述と同様、まず上記レジスト膜５に対し、所望の電子線描画、現像を行ってレジストパターンを形成する。次いで、このレジストパターンをマスクとして、上記吸収体膜４をドライエッチングして吸収体膜パターン４ａを形成することにより、多層反射膜２及びその保護膜３上に吸収体膜パターン４ａが形成された構造の反射型マスク２０Ｆを得る。

図１４からも明らかなように、反射型マスクブランクを構成する各膜の形成領域に関し、上述の所定の関係を満たす本実施の形態の反射型マスクブランク１０Ｆを用いて反射型マスク２０Ｆを製造した場合、この反射型マスク２０Ｆの裏面を静電チャックで保持してＥＵＶ露光装置により被転写基板にパターンを転写して半導体装置を製造するにあたり、反射型マスク２０Ｆの吸収体膜パターン４ａの形成されていない、基板１が露出された基板周縁部に、ＥＵＶ光以外の真空紫外領域の光が入射され、基板内部に該光が入射されても基板裏面に形成された導電膜６が形成されているので、ＥＵＶ露光装置の静電チャックに真空紫外領域（波長１９０〜４００ｎｍ）の光が照射されることがない。従って、前記光による静電チャックへのダメージを防止することができる。

また、本実施の形態においても、上記導電膜６のガラス基板側の表面には、真空紫外領域の波長の光の反射を低減させる反射低減層を設けることができる。この場合、反射型マスク２０Ｆの裏面を静電チャックで保持してＥＵＶ露光装置により被転写基板にパターンを転写して半導体装置を製造するにあたり、前記反射型マスク２０Ｆの吸収体膜パターン４ａの形成されていない、基板１が露出された基板周縁部に、ＥＵＶ光以外の真空紫外領域の光が入射され、基板内部に該光が入射されても基板裏面には真空紫外領域の波長の光の反射を低減させる反射低減層が形成されているので、被転写基板上の不必要なレジストが感光してしまい、パターン精度が悪化するという問題が引き起こされることがない。ガラス基板側の表面に反射低減層が形成された導電膜６としては、ガラス基板側から反射低減層と、真空チャッキングを促進するための導電層の積層構造とすることができる。

本実施の形態における上記反射低減層の材料としては、上述の第５の実施の形態の場合と同様の材料を好ましく挙げることができる。
以上の第６の実施の形態の反射型マスクブランク１０Ｆを用いて得られる反射型マスク２０Ｆにおいても、吸収体膜パターンの形成されていない基板周縁部において多層反射膜が露出することがないため、マスク製造工程やマスク使用時の洗浄等による多層反射膜の膜剥がれを防止することができ、さらには多層反射膜の膜剥がれに起因する欠陥の発生も無くすことができる。

また、本発明は、前記基板は、少なくとも熱エネルギー又は光エネルギーを付与して、ガラス基板に含まれる水素を脱離させたガラス基板であり、前記ガラス基板の前記多層反射膜が形成された面とは反対側の面に、タンタル（Ｔａ）を含有し、かつ水素を実質的に含有しない材料からなる導電膜が形成されていることを特徴とする構成１乃至５の何れかに記載の反射型マスクブランクについても提供する。
かかる構成においては、少なくとも熱エネルギー又は光エネルギーを付与して、ガラス基板に含まれる水素を脱離させたガラス基板を用いることにより、ガラス基板の他方の主表面に形成されたＴａ系導電膜の膜応力が時間の経過とともに圧縮応力の傾向が強くなることによって、平坦度が経時的に変化することを抑制できる。

また、本発明は、前記基板としてガラス基板を使用し、該ガラス基板に対し、少なくとも熱エネルギー又は光エネルギーを付与して、前記ガラス基板に含まれる水素を脱離させた後、前記ガラス基板の一方の主表面に、前記多層反射膜、前記保護膜、前記吸収体膜、および前記レジスト膜をそれぞれ形成し、他方の主表面に、タンタル（Ｔａ）を含有し、かつ水素を実質的に含有しない材料からなる導電膜を形成することを特徴とする構成６乃至１２の何れかに記載の反射型マスクブランクの製造方法についても提供する。
かかる構成によれば、ガラス基板に対し、少なくとも熱エネルギー又は光エネルギーを付与して、前記ガラス基板に含まれる水素を脱離させることにより、前記ガラス基板の他方の主表面に形成するＴａ系導電膜の膜応力が時間の経過とともに圧縮応力の傾向が強くなることによって、平坦度が経時的に変化することを抑制できる。

以下、実施例により、本発明の実施の形態を更に具体的に説明する。
（実施例１）
両面研磨装置を用い、酸化セリウム砥粒やコロイダルシリカ砥粒により段階的に研磨し、低濃度のケイフッ酸で基板表面を表面処理したＳｉＯ_２−ＴｉＯ_２系のガラス基板（大きさが約１５２．４ｍｍ×約１５２．４ｍｍ、厚さが約６．３５ｍｍ）を準備した。
得られたガラス基板の平坦度を測定したところ、１４２ｍｍ×１４２ｍｍの測定領域において、１００ｎｍ以下となっており良好であった。また、表面粗さは、１μｍ×１μｍの測定領域において、二乗平均平方根粗さＲＭＳで０．０８ｎｍとなっており極めて良好であった。
また、最大表面粗さ（Ｒｍａｘ）は、１μｍ×１μｍの測定領域において、０．６０ｎｍで、Ｒｍａｘ／ＲＭＳは７．５となっており、表面粗さのばらつきは小さく良好であった。

次に、上記ガラス基板を加熱炉に設置し、炉内の気体を炉外と同じ気体（クリーンルーム内の空気）とし、加熱温度５５０℃で４５分間の加熱処理を行った。さらに、加熱処理後のガラス基板に対し、洗剤による洗浄と純水によるリンス洗浄を行い、さらに大気中でＸｅエキシマランプを照射し、紫外線と、その紫外線によって発生するＯ_３とによって主表面の洗浄を行った。
洗浄後のガラス基板中の水素濃度を、ＨＦＳ分析法（水素前方散乱分析法）を用いて測定した結果、水素含有量は検出下限値以下であった。

次に、上記ガラス基板上に、イオンビームスパッタリング装置を用いて、Ｓｉ膜（膜厚：４．２ｎｍ）とＭｏ膜（膜厚：２．８ｎｍ）を一周期として、４０周期積層して多層反射膜（総膜厚２８０ｎｍ）を形成し、多層反射膜付き基板を得た。なお、この多層反射膜の成膜は、基板周縁部の所定の領域には成膜されないように、前述の図７に示すような遮蔽部材を設けた成膜方法により行った。

次に、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置を用いて、上記多層反射膜上にＲｕＮｂからなる保護膜（膜厚：２．５ｎｍ）を形成し、さらに該保護膜上に、ＴａＢＮ膜（膜厚：５６ｎｍ）とＴａＢＯ膜（膜厚：１４ｎｍ）の積層膜からなる吸収体膜を形成した。なお、この保護膜及び吸収体膜の成膜は、基板周縁部の所定の領域には成膜されないように、前述の図８に示すような遮蔽部材を設けた成膜方法により行った。また、同じくＤＣマグネトロンスパッタリング装置を用いて、基板の裏面にＴａＮ導電膜（膜厚：２０ｎｍ）を形成した。

次に、上記吸収体膜の表面上に、レジスト膜として、電子線描画用ポジ型レジスト膜を１２０ｎｍの膜厚に形成した。レジスト膜の形成は、スピンナー（回転塗布装置）を用いて、回転塗布した。次いで、基板の外周端から内側に１ｍｍの領域上に形成されたレジスト膜を前述の特許第３６０７９０３号公報に記載された方法を適用して除去した。

なお、以上の基板の一方の主表面に形成した多層反射膜、保護膜、吸収体膜及びレジスト膜については、前述のＬ（Ａｂｓ）＞Ｌ（Ｒｅｓ）＞Ｌ（Ｃａｐ）≧Ｌ（ＭＬ）の関係を満たすように、Ｌ（Ａｂｓ）：７５．５ｍｍ、Ｌ（Ｒｅｓ）：７５ｍｍ、Ｌ（Ｃａｐ）：７４．５ｍｍ、Ｌ（ＭＬ）：７４．５ｍｍとし、各膜をそれぞれ形成した。
これによって、例えば図１に示すような構成のＥＵＶ反射型マスクブランクが得られた。

次に、このＥＵＶ反射型マスクブランクを用いて、ＥＵＶ反射型マスクを作製した。
まず、ＥＵＶ反射型マスクブランクの上記レジスト膜に対して電子線描画機によりマスクパターンを描画、現像を行い、レジストパターンを形成した。

次に、このレジストパターンをマスクとして、吸収体膜を、フッ素系ガス（ＣＦ_４ガス）によりＴａＢＯ膜を、塩素系ガス（Ｃｌ_２ガス）によりＴａＢＮ膜をエッチング除去して、保護膜上に吸収体膜パターンを形成した。
さらに、吸収体膜パターン上に残ったレジストパターンを熱硫酸で除去し、前述の図２に示すようなＥＵＶ反射型マスクを得た。

この得られたＥＵＶ反射型マスクについてマスク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）により欠陥検査を行った。
次に、この得られた反射型マスクに対して、硫酸過水、アンモニア過水を使用したウェット洗浄を行った。硫酸過水の洗浄条件は、硫酸（９８質量％）と過酸化水素（３０質量％）を混合比率４：１とした硫酸過水を使用し、温度９０℃、時間２０分とした。また、アンモニア過水の洗浄条件は、アンモニア（２９質量％）と過酸化水素（３０質量％）と水を混合比率１：１：５としたアンミニア過水を使用し、温度７０℃、時間２０分とした。

上記ウェット洗浄後のＥＵＶ反射型マスクについてもマスク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）により欠陥検査を行い、ウェット洗浄前後の欠陥検査結果を対比したところ、洗浄による増加欠陥は特に確認されなかった。
また、上記反射型マスクについて、経時的な平坦度の変化についても確認したが、平坦度の変化は殆ど確認されなかった。
こうして得られた本実施例の反射型マスクを露光装置にセットし、レジスト膜を形成した半導体基板上へのパターン転写を行う場合、反射型マスク起因の転写パターンの欠陥も無く、良好なパターン転写を行うことができる。

（実施例２）
実施例１における保護膜として、全率固溶体の合金であるルテニウム（Ｒｕ）とコバルト（Ｃｏ）とからなる合金を用いたこと以外は実施例１と同様にして保護膜を形成した。また、本実施例では、基板の一方の主表面に形成した多層反射膜、保護膜、吸収体膜及びレジスト膜については、Ｌ（Ａｂｓ）≧Ｌ（Ｃａｐ）＞Ｌ（Ｒｅｓ）＞Ｌ（ＭＬ）の関係を満たすように、Ｌ（Ａｂｓ）：７５．５ｍｍ、Ｌ（Ｃａｐ）：７５．５ｍｍ、Ｌ（Ｒｅｓ）：７５ｍｍ、Ｌ（ＭＬ）：７４．５ｍｍとし、各膜をそれぞれ形成した。
以上のこと以外は、実施例１と同様にして、例えば図３に示すような構成のＥＵＶ反射型マスクブランクが得られた。

次に、このＥＵＶ反射型マスクブランクを用いて、実施例１と同様にしてＥＵＶ反射型マスクを作製し、前述の図４に示すようなＥＵＶ反射型マスクを得た。

この得られたＥＵＶ反射型マスクについてマスク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）により欠陥検査を行った。
次に、この得られた反射型マスクに対して、実施例１と同様の硫酸過水、アンモニア過水を使用したウェット洗浄を５回繰り返し行った。

上記ウェット洗浄後のＥＵＶ反射型マスクについてもマスク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）により欠陥検査を行い、ウェット洗浄前後の欠陥検査結果を対比したところ、洗浄による増加欠陥は特に確認されなかった。
こうして得られた本実施例の反射型マスクを露光装置にセットし、レジスト膜を形成した半導体基板上へのパターン転写を行う場合、反射型マスク起因の転写パターンの欠陥も無く、良好なパターン転写を行うことができる。

（比較例１）
本比較例では、基板の一方の主表面に形成した多層反射膜、保護膜、吸収体膜及びレジスト膜について、Ｌ（Ａｂｓ）≧Ｌ（Ｃａｐ）＞Ｌ（ＭＬ）＞Ｌ（Ｒｅｓ）の関係となるように、Ｌ（Ａｂｓ）：７５．５ｍｍ、Ｌ（Ｃａｐ）：７５．５ｍｍ、Ｌ（ＭＬ）：７５ｍｍ、Ｌ（Ｒｅｓ）：７４．５ｍｍとし、各膜をそれぞれ形成した。
各膜の材料は実施例１と同一である。
以上のこと以外は、実施例１と同様にして、図９に示すような構成のＥＵＶ反射型マスクブランクを得た。

次に、このＥＵＶ反射型マスクブランクを用いて、実施例１と同様にしてＥＵＶ反射型マスクを作製し、図１０に示すようなＥＵＶ反射型マスクを得た。

この得られたＥＵＶ反射型マスクについてマスク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）により欠陥検査を行った。
次に、この得られた反射型マスクに対して、実施例１と同様の硫酸過水、アンモニア過水を使用したウェット洗浄を行った。

上記ウェット洗浄後のＥＵＶ反射型マスクについてマスク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）により欠陥検査を行い、ウェット洗浄前後の欠陥検査結果を対比したところ、洗浄による増加欠陥は２４３個と大幅に増加した。
この欠陥箇所を詳細に確認した結果、主に基板周縁部における多層反射膜の膜剥がれによるものであることが判明した。これは、図１０からも明らかなように本比較例の反射型マスクにおいては、マスク作製後、基板周縁部の保護膜が露出するため、洗浄等により保護膜が損傷した場合、露出する下層の多層反射膜の膜剥がれが起こり易いことが原因であると考えられる。

（実施例３）
実施例１において、導電膜の成膜を、基板周縁部の所定の領域には成膜されないように、前述の図８に示すような遮蔽部材を設けた成膜方法により行った以外は実施例１と同様にしてＥＵＶ反射型マスクブランクを作製した。
なお、導電膜については、Ｌ（ＢＬ）：７５．５ｍｍとし、レジスト膜との関係において、Ｌ（ＢＬ）＞Ｌ（Ｒｅｓ）の関係を満たすように形成した。
これによって、図１１に示すような構成のＥＵＶ反射型マスクブランクが得られた。
次に、このＥＵＶ反射型マスクブランクを用いて、実施例１と同様にしてＥＵＶ反射型マスクを作製し、前述の図１２に示すようなＥＵＶ反射型マスクを得た。

この得られたＥＵＶ反射型マスクについてマスク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）により欠陥検査を行った。
次に、この得られた反射型マスクに対して、実施例１と同様の硫酸過水、アンモニア過水を使用したウェット洗浄を５回繰り返し行った。
上記ウェット洗浄後のＥＵＶ反射型マスクについてもマスク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）により欠陥検査を行い、ウェット洗浄前後の欠陥検査結果を対比したところ、洗浄による増加欠陥は特に確認されなかった。

こうして得られた本実施例の反射型マスクを露光装置にセットし、レジスト膜を形成した半導体基板上へのパターン転写を行う場合、反射型マスク起因の転写パターンの欠陥も無く、良好なパターン転写を行うことができる。また、基板が露出された基板周縁部にＥＵＶ光以外の真空紫外領域の光が入射され、基板内部に該光が入射されても基板裏面に形成された導電膜が形成されているので、露光装置の静電チャックに前記光が照射されることがない。

（実施例４）
実施例３において、導電膜を基板側から前述の反射低減層のＴａ_２Ｏ_５膜（膜厚５０ｎｍ）とＴａＮ膜（膜厚：２０ｎｍ）を形成した以外は、実施例３と同様にＥＵＶ反射型マスクブランク、及びＥＵＶ反射型マスクを作製した。
この得られたＥＵＶ反射型マスクについてマスク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）により欠陥検査を行った。
次に、この得られた反射型マスクに対して、実施例１と同様の硫酸過水、アンモニア過水を使用したウェット洗浄を５回繰り返し行った。

上記ウェット洗浄後のＥＵＶ反射型マスクについてもマスク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）により欠陥検査を行い、ウェット洗浄前後の欠陥検査結果を対比したところ、洗浄による増加欠陥は特に確認されなかった。
こうして得られた本実施例の反射型マスクを露光装置にセットし、レジスト膜を形成した半導体基板上へのパターン転写を行う場合、反射型マスク起因の転写パターンの欠陥も無く、良好なパターン転写を行うことができる。また、基板が露出された基板周縁部にＥＵＶ光以外の真空紫外光領域の光が入射され、基板内部に該光が入射されても基板裏面には反射低減層が設けられた導電膜が形成されているので、被転写基板上の不必要なレジストが感光してしまい、パターン精度が悪化することがなく、良好なパターン転写を行うことができる。

１ 基板（ガラス基板）
２ 多層反射膜
３ 保護膜
４ 吸収体膜
５ レジスト膜
６ 導電膜
１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅ，１０Ｆ 反射型マスクブランク
２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｅ，２０Ｆ 反射型マスクブランク
３０，５０ 遮蔽部材
４０ スパッタリングターゲット

Claims (22)

1. 基板上に、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜、ＥＵＶ光を吸収する吸収体膜、およびレジスト膜が順に形成された反射型マスクブランクであって、
   前記基板の中心から前記多層反射膜の外周端までの距離をＬ（ＭＬ）、前記基板の中心から前記吸収体膜の外周端までの距離をＬ（Ａｂｓ）、前記基板の中心から前記レジスト膜の外周端までの距離をＬ（Ｒｅｓ）としたとき、
   Ｌ（Ａｂｓ）＞Ｌ（Ｒｅｓ）＞Ｌ（ＭＬ）であって、且つ、前記レジスト膜の外周端は前記基板の外周端よりも内側に存在することを特徴とする反射型マスクブランク。
2. 前記多層反射膜と吸収体膜との間に形成され、前記多層反射膜を保護するための保護膜を備え、
   前記基板の中心から前記保護膜の外周端までの距離をＬ（Ｃａｐ）としたとき、
   Ｌ（Ａｂｓ）＞Ｌ（Ｒｅｓ）＞Ｌ（Ｃａｐ）≧Ｌ（ＭＬ）であることを特徴とする請求項１に記載の反射型マスクブランク。
3. 前記多層反射膜と吸収体膜との間に形成され、前記多層反射膜を保護するための保護膜を備え、
   前記基板の中心から前記保護膜の外周端までの距離をＬ（Ｃａｐ）としたとき、
   Ｌ（Ａｂｓ）≧Ｌ（Ｃａｐ）＞Ｌ（Ｒｅｓ）＞Ｌ（ＭＬ）であることを特徴とする請求項１に記載の反射型マスクブランク。
4. 前記多層反射膜が形成されている側と反対側の前記基板上に導電膜が形成され、
   前記基板の中心から前記導電膜の外周端までの距離をＬ（ＢＬ）としたとき、
   Ｌ（ＢＬ）＞Ｌ（Ｒｅｓ）であることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の反射型マスクブランク。
5. 前記導電膜の前記基板側には真空紫外域の波長の光の反射を低減させる反射低減層を有することを特徴とする請求項４に記載の反射型マスクブランク。
6. 前記保護膜は、ルテニウム（Ｒｕ）を含む少なくとも２種の金属の合金からなり、該合金は全率固溶体であることを特徴とする請求項２乃至５の何れかに記載の反射型マスクブランク。
7. 基板上に、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜、ＥＵＶ光を吸収する吸収体膜、およびレジスト膜が順に形成された反射型マスクブランクの製造方法であって、
   前記基板の中心から前記多層反射膜の外周端までの距離をＬ（ＭＬ）、前記基板の中心から前記吸収体膜の外周端までの距離をＬ（Ａｂｓ）、前記基板の中心から前記レジスト膜の外周端までの距離をＬ（Ｒｅｓ）としたとき、
   Ｌ（Ａｂｓ）＞Ｌ（Ｒｅｓ）＞Ｌ（ＭＬ）であって、且つ、前記レジスト膜の外周端は前記基板の外周端よりも内側に存在するように、前記多層反射膜、前記吸収体膜、および前記レジスト膜をそれぞれ形成することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
8. 前記多層反射膜と吸収体膜との間に形成され、前記多層反射膜を保護するための保護膜を備え、
   前記基板の中心から前記保護膜の外周端までの距離をＬ（Ｃａｐ）としたとき、
   Ｌ（Ａｂｓ）＞Ｌ（Ｒｅｓ）＞Ｌ（Ｃａｐ）≧Ｌ（ＭＬ）となるように前記多層反射膜、前記保護膜、前記吸収体膜、および前記レジスト膜をそれぞれ形成することを特徴とする請求項７に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
9. 前記多層反射膜と吸収体膜との間に形成され、前記多層反射膜を保護するための保護膜を備え、
   前記基板の中心から前記保護膜の外周端までの距離をＬ（Ｃａｐ）としたとき、
   Ｌ（Ａｂｓ）≧Ｌ（Ｃａｐ）＞Ｌ（Ｒｅｓ）＞Ｌ（ＭＬ）となるように、前記多層反射膜、前記保護膜、前記吸収体膜、および前記レジスト膜をそれぞれ形成することを特徴とする請求項７に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
10. 前記多層反射膜、前記保護膜、前記吸収体膜は、前記基板の周縁部に離間して遮蔽部材を設けてスパッタ成膜により形成することを特徴とする請求項８又は９に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
11. 前記多層反射膜が形成されている側と反対側の前記基板上に導電膜を形成し、
    前記基板の中心から前記導電膜の外周端までの距離をＬ（ＢＬ）としたとき、
    Ｌ（ＢＬ）＞Ｌ（Ｒｅｓ）とすることを特徴とする請求項７乃至１０の何れかに記載の反射型マスクブランクの製造方法。
12. 前記導電膜は、前記基板の周縁部に離間して遮蔽部材を設けてスパッタ成膜により形成することを特徴とする請求項１１に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
13. 前記導電膜の前記基板側には真空紫外域の波長の光の反射を低減させる反射低減層を有することを特徴とする請求項１１又は１２に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
14. 前記保護膜は、ルテニウム（Ｒｕ）を含む少なくとも２種の金属の合金からなり、該合金は全率固溶体であることを特徴とする請求項８乃至１３の何れかに記載の反射型マスクブランクの製造方法。
15. 請求項１乃至６の何れかに記載の反射型マスクブランク、又は請求項７乃至１４の何れかに記載の反射型マスクブランクの製造方法により得られる反射型マスクブランクを用いて、前記レジスト膜に対してレジストパターンを形成する工程と、形成されたレジストパターンをマスクにして前記吸収体膜をパターニングする工程とを有することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
16. 基板上に、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜、およびＥＵＶ光を吸収する吸収体膜パターンが順に形成された反射型マスクであって、
    前記基板の中心から前記多層反射膜の外周端までの距離Ｌ（ＭＬ）が、前記基板の中心から前記吸収体膜パターンの外周端までの距離より小さく、前記基板の周縁部において、前記多層反射膜が露出しないように前記吸収体膜パターンが形成されており、
    前記多層反射膜と吸収体膜パターンとの間に形成され、前記多層反射膜を保護するための保護膜を備え、前記基板の中心から前記保護膜の外周端までの距離をＬ（Ｃａｐ）としたとき、Ｌ（Ｃａｐ）≧Ｌ（ＭＬ）であることを特徴とする反射型マスク。
17. 前記基板の周縁部において、前記保護膜が露出しないように前記吸収体膜パターンが形成されていることを特徴とする請求項１６に記載の反射型マスク。
18. 前記基板の周縁部において、前記保護膜が露出するように前記吸収体膜パターンが形成されていることを特徴とする請求項１６に記載の反射型マスク。
19. 前記保護膜は、ルテニウム（Ｒｕ）を含む少なくとも２種の金属の合金からなり、該合金は全率固溶体であることを特徴とする請求項１６乃至１８の何れかに記載の反射型マスク。
20. 前記多層反射膜が形成されている側と反対側の前記基板上に形成された導電膜を備え、
    前記基板の中心から前記導電膜の外周端までの距離Ｌ（ＢＬ）が、前記基板の中心から前記吸収体膜パターンの外周端までの距離より大きいことを特徴とする請求項１６乃至１９の何れかに記載の反射型マスク。
21. 前記導電膜の前記基板側には真空紫外域の波長の光の反射を低減させる反射低減層を有することを特徴とする請求項２０に記載の反射型マスク。
22. 請求項１５に記載の反射型マスクの製造方法により得られる反射型マスク、又は請求項１６乃至２１の何れかに記載の反射型マスクを用い、半導体基板上のレジスト膜に転写パターンを形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

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