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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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Gebiet der Erfindung
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Die Erfindung betrifft ein optisches Element, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage.
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Stand der Technik
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Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise oder LCD's, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird in einer sogenannten Projektionsbelichtungsanlage durchgeführt, welche eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist. Das Bild einer mittels der Beleuchtungseinrichtung beleuchteten Maske (= Retikel) wird hierbei mittels des Projektionsobjektivs auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnetes Substrat (z.B. ein Siliziumwafer) projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.
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In für den EUV-Bereich ausgelegten Projektionsobjektiven, z.B. bei Wellenlängen von z.B. etwa 13 nm oder etwa 7 nm, werden mangels Verfügbarkeit geeigneter lichtdurchlässiger refraktiver Materialien Spiegel als optische Komponenten für den Abbildungsprozess verwendet.
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Die Erzeugung des EUV-Lichtes erfolgt mittels einer auf eine Plasma-Anregung basierenden EUV-Lichtquelle. Diese EUV-Lichtquelle weist einen CO2-Laser zur Erzeugung von Infrarotstrahlung auf, welche über eine Fokussieroptik fokussiert wird und - wie lediglich schematisch in 6 dargestellt - durch eine in einem als Ellipsoid ausgebildeten Kollektorspiegel 600 vorhandene Öffnung 601 hindurchtritt und auf ein mittels einer Targetquelle erzeugtes und einer Plasmazündungsposition zugeführtes Targetmaterial (z.B. Zinntröpfchen) gelenkt wird. Die Infrarotstrahlung heizt das in der Plasmazündungsposition befindliche Targetmaterial derart auf, dass dieses in einen Plasmazustand übergeht und EUV-Strahlung abgibt (wobei das Plasma in 6 mit „602“ bezeichnet ist). Diese EUV-Strahlung wird über den Kollektorspiegel 600 auf einen Zwischenfokus fokussiert und tritt durch diesen Zwischenfokus in eine nachfolgende Beleuchtungseinrichtung ein.
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Zur Vermeidung einer Kontamination der optischen Wirkfläche des Kollektorspiegels 600 mit Targetmaterial (im Beispiel Zinn) ist es bekannt, Wasserstoffgas (wie in 6 angedeutet) über die Kollektoroberfläche zu leiten. Die EUV-Strahlung zerlegt hierbei die Wasserstoffmoleküle in Wasserstoff-Radikale, welche sich wiederum mit dem Zinn chemisch verbinden, woraufhin die entstehende Sn-H-Verbindung abgepumpt werden kann. Zudem kann wie in 6 angedeutet auch Wasserstoffgas direkt in Richtung des Plasmas 602 geleitet werden, um Zinn (Sn)-Ionen von vorneherein von der Kollektoroberfläche fernzuhalten.
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Auch in anderen Bereichen der Projektionsbelichtungsanlage wird zur Vermeidung eines Reflexionsverlustes der reflektiven optischen Komponenten durch in das jeweilige optische System eindringende Kontaminanten die unmittelbare Umgebung der betreffenden reflektiven optischen Komponenten mit einer Atmosphäre aus Wasserstoff (als „Spülgas“) beaufschlagt, welches das Eindringen unerwünschter Kontaminanten in die unmittelbare Umgebung dieser reflektiven optischen Komponenten verhindern soll.
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In sämtlichen der vorstehend beschriebenen Fälle kann in der Praxis das Problem auftreten, dass Wasserstoff-Radikale in das auf dem Substrat der jeweiligen reflektiven optischen Komponente vorhandene Schichtsystem eindringen, bis zur Substratoberfläche gelangen, dort zu Wasserstoffmolekülen rekombinieren und über eine mit der Anreicherung von Gasphasen einhergehende Blasenbildung (sogenannte „Blisterbildung“) zu einer Schichtablösung und somit zu einem Reflektivitätsverlust bzw. einer Zerstörung des reflektiven optischen Elements führen.
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Ein solches Szenario ist lediglich schematisch in 7 angedeutet, wobei hier mit „705“ ein Spiegelsubstrat bezeichnet ist, auf welchem ein Schichtsystem aus einer Zwischenschicht 710 und einem Reflexionsschichtsystem 720 (welcher im Beispiel ein Vielfachschichtsystem aus einer alternierenden Aufeinanderfolge von Molybdän (Mo)- und Silizium (Si)-Schichten aufweist) vorgesehen sind. Wie in 7 angedeutet ist, ist das Risiko des Eindringens der Wasserstoff-Radikale in Bereichen erhöht, in denen das Reflexionsschichtsystem 720 durch Kratzer, Löcher oder Poren unterbrochen ist, da dort die durch das Vielfachschichtsystem noch bewirkte Barrierewirkung nicht mehr vorhanden ist.
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Das vorstehend beschriebene Problem kann - wie in 8a und 8b angedeutet - in Randbereichen des jeweiligen optischen Elements bzw. Spiegels besonders gravierend sein, wenn dort entweder (gemäß 8a) das besagte, die Diffusion der Wasserstoffatome behindernde Reflexionsschichtsystem 820 in Kantenbereichen freiliegt bzw. gar nicht vorhanden (8a) oder in einem Randbereich 821 durch Kratzer beschädigt ist (8b), mit der Folge, dass Wasserstoff-Radikale eindringen können und Blisterbildung auftreten kann.
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ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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Vor dem obigen Hintergrund ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein optisches Element, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, bereitzustellen, bei welchem eine Beeinträchtigung der Reflexionseigenschaften bzw. Zerstörung durch im Betrieb des optischen Elements akkumulierten Wasserstoff möglichst weitgehend vermieden wird.
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Diese Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Patentansprüche gelöst.
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Gemäß einem Aspekt der Erfindung weist ein optisches Element, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, eine optische Wirkfläche auf, sowie
- - ein Substrat;
- - ein auf dem Substrat vorhandenes Schichtsystem; und
- - eine Schutzabdeckung, welche sich über einen zur optischen Wirkfläche benachbarten Randbereich des optischen Elements erstreckt und im Betrieb des optischen Elements ein Eindringen von Wasserstoff-Radikalen in das Schichtsystem im Vergleich zu einem analogen Aufbau ohne die Schutzabdeckung reduziert;
- - wobei die Schutzabdeckung ein die Rekombination von Wasserstoff-Radikalen zu molekularem Wasserstoff unterstützendes Material aufweist.
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Dabei liegt der vorliegenden Erfindung insbesondere das Konzept zugrunde, ein Eindringen von Wasserstoff-Radikalen in den Bereich zwischen einem Substrat und darauf vorgesehenem Schichtsystem in einen Randbereich eines optischen Elements dadurch zu vermeiden, dass die Wahrscheinlichkeit für eine Rekombination dieser Wasserstoff-Radikale noch vor deren Eindringen erhöht wird. Dies erfolgt wiederum gemäß einem Aspekt der Erfindung durch Bereitstellung einer reaktiven Wandung aus geeignetem Material, welche ein Rekombinieren der mit vergleichsweise hoher Energie eintreffenden Wasserstoff-Radikale unterstützt.
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Durch Begrenzung der erfindungsgemäßen, diese reaktive Wandung bereitstellenden Schutzabdeckung auf den betreffenden Randbereich des optischen Elements wird gewährleistet, dass einerseits im übrigen Bereich der optischen Wirkfläche weiterhin die erwünschte Reinigungswirkung durch Wasserstoff-Radikale erzielt wird, andererseits aber in dem wie eingangs erläutert hinsichtlich des Eindringens der Wasserstoff-Radikale in das Schichtsystem des optischen Elements besonders gefährdeten Randbereich jedoch ein zuverlässiger Schutz gegen das Eindringen von Wasserstoff und eine damit einhergehende Blisterbildung gewährleistet wird.
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Gemäß einer Ausführungsform weist die Schutzabdeckung auf ihrer dem Randbereich zugewandten Oberfläche eine Beschichtung oder ein Einlegeteil aus dem die Rekombination von Wasserstoff-Radikalen zu molekularem Wasserstoff unterstützenden Material auf. Bei diesem Material kann es sich insbesondere um Kupfer (Cu), Silber (Ag), Gold (Au), Nickel (Ni), Kobalt (Co), Chrom (Cr) oder Vanadium (V) handeln. Im Übrigen kann die erfindungsgemäße Schutzabdeckung z.B. aus Aluminium (Al) (als Basismaterial) hergestellt sein.
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Die Erfindung ist jedoch nicht auf die vorstehend beschriebene Ausgestaltung mit einer Beschichtung aus dem die Rekombination von Wasserstoff-Radikalen unterstützenden Material beschränkt. In weiteren Ausführungsformen kann das die Rekombination von Wasserstoff-Radikalen unterstützende Material auch global als Basismaterial für die erfindungsgemäße Schutzabdeckung dienen, wobei dann auf der dem Schichtsystem abgewandten („Ober-“)Seite der Schutzabdeckung eine Beschichtung aus einem die Wasserstoffrekombination nicht unterstützenden Material (z.B. Aluminium) vorgesehen sein kann, um insoweit zu gewährleisten, dass weiterhin Wasserstoff-Radikale über die besagte Oberseite bis auf die zu reinigende optische Wirkfläche geleitet werden können.
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Gemäß einer Ausführungsform ist die Schutzabdeckung wenigstens bereichsweise in direktem Kontakt mit dem Schichtsystem. Hierbei kann sich die Erfindung insbesondere den Effekt zu Nutze machen, dass bei geeigneter Wahl des die Wasserstoffrekombination unterstützenden Materials (z.B. Kupfer (Cu)) der betreffende, dem Schichtsystem zugewandte Abschnitt der Schutzabdeckung hinreichend weich ist, um ein Zerkratzen des Schichtsystems - etwa eines insoweit empfindlichen Reflexionsschichtstapels aus Molybdän- und Silizium-Schichten - während der Justage oder des Transports zu vermeiden. Hingegen würde etwa bei einem vergleichsweise harten Material wie Aluminium die Gefahr von Kratzbeschädigungen bei Transport oder Justage einem direkten Kontakt der Schutzabdeckung mit dem Schichtsystem entgegenstehen.
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Zugleich kommt jedoch auch bei der vorstehend beschriebenen Ausgestaltung mit direktem Kontakt zwischen Schutzabdeckung und Schichtsystem des optischen Elements die rekombinationsfördernde Wirkung des erfindungsgemäß eingesetzten Materials insoweit zum Tragen, als bei vorhandenen Formfehlern bzw. -toleranzen (welche bereichsweise zu einer Spaltbildung bzw. einem Abheben führen können) für die in Spaltbereiche eindringenden Wasserstoff-Radikale weiterhin eine Rekombination zu molekularem Sauerstoff erreicht werden kann.
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Gemäß einer Ausführungsform ist zwischen der Schutzabdeckung und dem Schichtsystem ein Spalt ausgebildet. Hierbei kann dieser Spalt insbesondere eine mittlere Spaltdicke und eine Spaltlänge aufweisen, wobei das Verhältnis zwischen mittlerer Spaltdicke und Spaltlänge kleiner als 0.1 ist.
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Hierbei beinhaltet die Erfindung das weitere Konzept, durch die Wahl einer geeigneten Geometrie - nämlich durch Gestaltung eines zugleich schmalen und langen Spalts - die Rekombination der Wasserstoff-Radikale im Randbereich zu unterstützen.
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Gemäß einer Ausführungsform ist die Arbeitswellenlänge kleiner als 30 nm, wobei sie insbesondere im Bereich von 5 nm bis 15 nm, weiter insbesondere im Bereich von 5 nm bis 10 nm, liegen kann.
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Die vorstehend genannte Gestaltung eines möglichst schmalen und möglichst langen Spalts zwischen Schutzabdeckung und Schichtsystem zwecks verbesserter Rekombination der Wasserstoff-Radikale im Randbereich ist auch unabhängig von der zuvor beschriebenen Ausgestaltung der Schutzabdeckung mit einem die Rekombination von Wasserstoff-Radikalen zu molekularem Wasserstoff unterstützenden Material vorteilhaft.
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Gemäß einem weiteren Aspekt betrifft die Erfindung somit auch ein optisches Element, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, wobei das optische Element eine optische Wirkfläche aufweist, mit
- - einem Substrat;
- - einem auf dem Substrat vorhandenen Schichtsystem; und
- - einer Schutzabdeckung, welche sich über einen zur optischen Wirkfläche benachbarten Randbereich des optischen Elements erstreckt und im Betrieb des optischen Elements ein Eindringen von Wasserstoff-Radikalen in das Schichtsystem im Vergleich zu einem analogen Aufbau ohne die Schutzabdeckung reduziert;
- - wobei zwischen der Schutzabdeckung und dem Schichtsystem ein Spalt ausgebildet ist, welcher eine mittlere Spaltdicke und eine Spaltlänge aufweist, wobei das Verhältnis zwischen mittlerer Spaltdicke und Spaltlänge kleiner ist als 0.1.
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Gemäß einer Ausführungsform besitzt der Spalt eine mittlere Spaltdicke im Bereich von 0.1mm bis 0.6mm.
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Gemäß einer Ausführungsform besitzt der Spalt eine Spaltlänge von wenigstens 6mm.
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Gemäß einer Ausführungsform weist der Spalt in seinem radial inneren, der optischen Wirkfläche zugewandten Abschnitt eine Abdichtung auf.
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Gemäß einer Ausführungsform ist diese Abdichtung als Geflecht oder Folienstapel, insbesondere aus Metall, ausgebildet.
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Gemäß einer Ausführungsform ist die Abdichtung als kratzvermeidende Beschichtung oder Einlegeteil, insbesondere aus Polyethylen (PE), Kleber, Poliymid (PI) oder Indium (In), ausgebildet.
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Gemäß einer Ausführungsform ist das optische Element ein Spiegel. Dabei kann es sich insbesondere (jedoch ohne dass die Erfindung hierauf beschränkt wäre) um einen Kollektorspiegel einer Plasmalichtquelle handeln.
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Die Erfindung betrifft weiter ein optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, welches wenigstens ein optisches Element mit den vorstehend beschriebenen Merkmalen aufweist. Bei dem optischen System kann es sich insbesondere um eine Plasmalichtquelle handeln.
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Die Erfindung betrifft ferner auch eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit einer Beleuchtungseinrichtung und einem Projektionsobjektiv, wobei die Beleuchtungseinrichtung im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage eine in einer Objektebene des Projektionsobjektivs befindliche Maske beleuchtet und das Projektionsobjektiv Strukturen auf dieser Maske auf eine in einer Bildebene des Projektionsobjektivs befindliche lichtempfindliche Schicht abbildet, wobei die Projektionsbelichtungsanlage ein optisches Element bzw. ein optisches System mit den vorstehend beschriebenen Merkmalen aufweist.
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Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der Beschreibung sowie den Unteransprüchen zu entnehmen.
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Die Erfindung wird nachstehend anhand von in den beigefügten Abbildungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.
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Figurenliste
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Es zeigen:
- 1-5 schematische Darstellungen zur Erläuterung des möglichen Aufbaus eines optischen Elements in beispielhaften Ausführungsformen der Erfindung;
- 6 eine schematische Darstellung zur Erläuterung des Aufbaus einer herkömmlichen EUV-Lichtquelle;
- 7-8 schematische Darstellungen zur Erläuterung des der Erfindung zugrundeliegenden Problemen; und
- 9 eine schematische Darstellung einer für den Betrieb im EUV ausgelegten Projektionsbelichtungsanlage.
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DETAILLIERTE BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSFORMEN
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9 zeigt zunächst eine lediglich schematische Darstellung einer für den Betrieb im EUV ausgelegten Projektionsbelichtungsanlage 10, in welcher die vorliegende Erfindung beispielhaft realisierbar ist.
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Gemäß 9 weist eine Beleuchtungseinrichtung der Projektionsbelichtungsanlage 10 einen Feldfacettenspiegel 3 und einen Pupillenfacettenspiegel 404 auf. Auf den Feldfacettenspiegel 4 wird das Licht einer Lichtquelleneinheit, welche eine Plasmalichtquelle 1 und einen Kollektorspiegel 2 umfasst, gelenkt. Im Lichtweg nach dem Pupillenfacettenspiegel 4 sind ein erster Teleskopspiegel 5 und ein zweiter Teleskopspiegel 6 angeordnet. Im Lichtweg nachfolgend ist ein unter streifendem Einfall betriebener Umlenkspiegel 7 angeordnet, der die auf ihn treffende Strahlung auf ein Objektfeld in der Objektebene eines in 9 lediglich angedeuteten Projektionsobjektivs mit Spiegeln 21-26 lenkt. Am Ort des Objektfeldes ist eine reflektive strukturtragende Maske 31 auf einem Maskentisch 30 angeordnet, die mit Hilfe eines Projektionsobjektivs in eine Bildebene abgebildet wird, in welcher sich ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes Substrat 41 auf einem Wafertisch 40 befindet.
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Im Weiteren werden mögliche Ausführungsformen eines erfindungsgemäßen optischen Elements unter Bezugnahme auf die schematischen Abbildungen von 1-5 beschrieben. Dabei kann es z.B. sich um einen Spiegel der Projektionsbelichtungsanlage von 9 oder auch um den Kollektorspiegel der anhand von 6 beschriebenen EUV-Lichtquelle handeln.
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Gemäß 1 weist ein erfindungsgemäßes optisches Element in Form eines Kollektorspiegels einer EUV-Plasmalichtquelle ein Substrat 105 sowie ein auf diesem vorhandenes Schichtsystem auf, welches im Ausführungsbeispiel einen (eine alternierende Abfolge von Molybdän (Mo)- und Silizium (Si)-Schichten aufweisenden) Reflexionsschichtstapel 120 sowie eine beliebige, zwischen Reflexionsschichtstapel 120 und Substrat 105 angeordnete Zwischenschicht 110 (oder auch mehrere Zwischenschichten) aufweist.
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Wie in 1 angedeutet, wird zur Vermeidung von Kontaminationen bzw. zu Reinigungszwecken Wasserstoffgas über die Oberfläche des optischen Elements geleitet, welches unter dem Einfluss der im Betrieb des betreffenden optischen Systems vorhandenen elektromagnetischen (EUV-)Strahlung in Wasserstoff-Radikale (gekennzeichnet mit „H*“) zerlegt wird. Diese Wasserstoff-Radikale haben in für sich bekannter Weise die Funktion, eine chemische Verbindung mit auf der Oberfläche des Kollektorspiegels vorhandenen (z.B. Zinn-) Kontaminationen zu bilden, woraufhin durch Abpumpen der jeweiligen (im Beispiel Zinn (Sn)- Wasserstoff (H)-) Verbindung die erwünschte Reinigungswirkung erzielt wird.
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Gemäß 1 weist das erfindungsgemäße optische Element eine Schutzabdeckung 130 auf, welche sich über einen Randbereich des optischen Elements bzw. Kollektorspiegels erstreckt. Im Ausführungsbeispiel ist die Schutzabdeckung 130 aus Aluminium (Al) hergestellt. Zwischen der Schutzabdeckung 130 und dem Schichtsystem bzw. dem Reflexionsschichtstapel 120 befindet sich ein länglicher Spalt mit einem Verhältnis zwischen mittlerer Spaltdicke und Spaltlänge von weniger als 0.1. In Ausführungsformen kann die mittlere Spaltdicke im Bereich von 0.1mm bis 0.6mm liegen, wohingegen die Spaltlänge beispielsweise wenigstens 6mm betragen kann.
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Die Rekombination von Wasserstoff-Radikalen ist besonders begünstigt, wenn diese in Kontakt mit einem sehr gut elektrisch leitenden Metall bzw. einem Metall mit hoher elektrischer Leitfähigkeit treten können. Insbesondere bei langen und schmalen Spalten wird die Anzahl der H*-Metall-Kontakte erhöht und die Rekombination begünstigt, da die Wahrscheinlichkeit eines Kontakts entsprechend erhöht ist. Aufgrund dieser besonders schmalen sowie langen Spaltgeometrie wird im Randbereich des optischen Elements bzw. Kollektorspiegels eine Rekombination der Wasserstoff-Radikale vor deren Eindringen in das Schichtsystem begünstigt und somit die Gefahr der Blisterbildung und der damit einhergehenden Zerstörung des optischen Elements reduziert. Darüber hinaus wird durch die erfindungsgemäße Schutzabdeckung 130 auch ein mechanischer Schutz des Randbereichs des optischen Elements vor Kratzern sowie ein Strahlungsschutz gegenüber der elektromagnetischen (z.B. EUV-) Strahlung durch Abschattung erreicht.
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2 und 3 zeigen schematische Darstellungen weiterer möglicher Ausführungsformen der Erfindung, wobei im Vergleich zu 1 analoge bzw. im Wesentlichen funktionsgleiche Komponenten mit um „100“ bzw. „200“ erhöhten Bezugsziffern bezeichnet sind.
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In diesen Ausführungsformen weist der vorstehend beschriebene Spalt in seinem radial inneren, der optischen Wirkfläche zugewandten Abschnitt jeweils eine Abdichtung 240 bzw. 340 auf. Diese Abdichtung 240 bzw. 340 kann, wie in 2 bzw. 3 angedeutet, von unterschiedlicher Geometrie sein und ist vorzugsweise aus einem Material hergestellt, welches insbesondere unter Einfluss der Wasserstoff-Radikale sowie EUV-Strahlung keine Kontaminations- oder Ausgaseffekte zeigt. In Ausführungsformen kann insbesondere ein Metallgeflecht oder ein Stapel entsprechender Metallfolien als Abdichtung dienen, wodurch eine erhöhte Rekombinationsfläche für die Wasserstoff-Radikale bereitgestellt wird. In weiteren Ausführungsformen kann die betreffende Abdichtung 240 bzw. 340 auch als Träger- bzw. Kleberschicht, welche zur Vermeidung einer Kratzbeschädigung mit einem vergleichsweise weichen Metall wie z.B. Blattgold beschichtet sein kann, ausgestaltet sein. Auch kann ein weiches Grundmaterial z.B. in Form von Indium (In), Polyethylen (PE), Polyimid (PI)-Folien oder Viton eingesetzt werden, um Kratzbeschädigungen zu vermeiden.
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4 und 5 zeigen weitere Ausführungsformen der Erfindung, wobei im Vergleich zu 1 analoge bzw. im Wesentlichen funktionsgleiche Komponenten mit um „300“ bzw. „400“ erhöhten Bezugsziffern bezeichnet sind.
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Diesen Ausführungsformen ist gemeinsam, dass die Schutzabdeckung 430 bzw. 530 auf ihrer dem Randbereich des optischen Elements bzw. Kollektorspiegels zugewandten Oberfläche eine Beschichtung 450 bzw. 550 aus einem die Rekombination von Wasserstoff-Radikalen zu molekularem Wasserstoff unterstützenden Material aufweist. Alternativ kann anstelle einer Beschichtung auch ein oder ein Einlegeteil („Inlay“) aus den entsprechenden Materialen eingesetzt werden. Bei diesem Material kann es sich beispielsweise um Kupfer (Cu), Silber (Ag), Gold (Au), Nickel (Ni), Kobalt (Co), Chrom (Cr) oder Vanadium (V) handeln. Somit wird in diesen Ausführungsformen jeweils eine reaktive Wandung aus geeignetem Material bereitgestellt, welche eine Rekombination der Wasserstoff-Radikale unterstützt, wodurch die Gefahr des Eindringens von Wasserstoff-Radikalen in das Schichtsystem über den Reflexionsschichtstapel 420 bzw. 520 signifikant verringert wird.
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Während sich im Ausführungsbeispiel von 4 die Beschichtung 450 über die gesamte, dem Schichtsystem bzw. dem Reflexionsschichtstapel 420 zugewandte Oberfläche der Schutzabdeckung 430 erstreckt und - insoweit analog zu dem Ausführungsbeispiel von 1 - ein endlicher Spaltabstand zwischen Schutzabdeckung 430 und Schichtsystem bzw. Reflexionsschichtstapel 420 vorhanden ist, ist die Beschichtung 550 gemäß dem Ausführungsbeispiel von 5 lediglich in einem radial inneren Teilabschnitt der Schutzabdeckung 530 vorgesehen, wobei sie unter Schließen des betreffenden Spaltes unmittelbar auf dem Schichtsystem bzw. Reflexionsschichtstapel 520 aufliegt. Infolge der Ausgestaltung der Beschichtung aus einem vergleichsweise weichen Material (wie z.B. Kupfer) wird hierbei zugleich eine Kratzbeschädigung des Reflexionsschichtstapels 520 vermieden.
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In weiteren Ausführungsformen kann die erfindungsgemäße Schutzabdeckung auch global aus einem der vorstehend beschriebenen, die Wasserstoffrekombination fördernden Materialien (wie z.B. Kupfer) hergestellt sein, wobei in diesem Falle auf der dem Schichtsystem bzw. Reflexionsschichtstapel abgewandten (Ober-) Fläche dieser Schutzabdeckung eine die Rekombination der Wasserstoff-Radikale nicht unterstützende Beschichtung vorgesehen ist, um weiterhin ein Zuleiten von Wasserstoffgas in den zu reinigenden Bereich der optischen Wirkfläche des optischen Elements zu ermöglichen.
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Wenn die Erfindung auch anhand spezieller Ausführungsformen beschrieben wurde, erschließen sich für den Fachmann zahlreiche Variationen und alternative Ausführungsformen, z.B. durch Kombination und/oder Austausch von Merkmalen einzelner Ausführungsformen. Dementsprechend versteht es sich für den Fachmann, dass derartige Variationen und alternative Ausführungsformen von der vorliegenden Erfindung mit umfasst sind, und die Reichweite der Erfindung nur im Sinne der beigefügten Patentansprüche und deren Äquivalente beschränkt ist.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- DE 102014216240 A1 [0010]
- DE 102014222534 A1 [0010]
- DE 102013102670 A1 [0010]
- DE 102011077983 A1 [0010]
- WO 2012/136420 A1 [0010]
- EP 2905637 A1 [0010]
