JP6179303B2 - 光走査装置、光走査装置の光源発光方法及び画像形成装置 - Google Patents

Description

本発明は、光走査装置、光走査装置の光源発光方法及び画像形成装置に関する。

電子写真方式の画像形成装置、例えば、レーザプリンタ、デジタル複写機、ファクシミリ装置等では、画像の書込みを光ビーム走査方式によって行っている。この光ビーム走査方式では、光源として、例えば半導体レーザを用い、半導体レーザから照射されるレーザ光をポリゴンミラー等の走査手段により、画像書込みの対象となる感光体の被走査面上で主走査方向に走査して感光体上に１ライン分ずつ画像を書込む。この場合、感光体に照射するレーザ光の光量は、例えば、感光体の回転速度或いは感光体の経年変化による劣化などに応じて変更する。

ところで、半導体レーザの光量を変更する際に、半導体レーザの駆動電流が低い、つまり発光量が小さい場合は、発光量が大きい場合に比べて半導体レーザ光の立上りが遅くなることが知られている。このような半導体レーザの現象は、発振ディレイといわれる。
発光した複数のレーザ光のパルス波形間で発振ディレイが起きると、半導体レーザのパルス波形におけるパルス幅に差が生し、パルス幅の再現率（ここでは、発光信号の理想の波形のパルス幅に対する実際に得られる光量のパルス幅の比率をいう）に差異が生じる。
発光量の違いに応じてパルス幅の再現率に差異が出ると、同じ線幅で印刷できない、即ち同じ印刷品質が維持できないという問題が生じる。

この発振ディレイ又はパルス幅の再現率を改善する方法として、半導体レーザを駆動する装置（半導体レーザ発光装置という）において、半導体レーザを発光させる前に、その閾値電流を超えない電流（バイアス電流という）を半導体レーザ発光装置に印加しておき、駆動電流を変調電流とバイアス電流で構成することで駆動電流を高くする方法が知られている。

ただ、この方法では、半導体レーザ発光装置に、変調電流以外に閾値電流に近いバイアス電流を入力する。そのため、そのバイアス電流により半導体レーザが自然発光（バイアス発光）を起こし、その発光により感光体に潜像が形成され、いわゆる地汚れが発生するという別の問題が発生する。

ここで、地汚れの問題については、例えば、特許文献１（特開２００４−１５３１１８号公報）には、半導体レーザ起動装置等において、バイアス電流を二段に構成し、第一のバイアス電流は地汚れが発生しない程度の閾値電流より小さい一定の電流値とし、これに第二のバイアス電流を半導体レーザの発光直前に短時間重畳して出力することが記載されている。この場合、第一と第二のバイアス電流値の合算値は閾値電流を超えないようにして、発振ディレイの問題とバイアス電流による地汚れの問題を軽減している。
しかし、特許文献１に記載された半導体レーザ発光装置では、第一及び第二のバイアス電流は、半導体レーザ起動装置光量に拘らず一定であるため、発振ディレイに起因するパルス幅の再現率に差が出る問題は解決できない。

他方、この問題に関連して、例えば、特許文献２（特開２００４−２６８４３６号公報）に記載された画像形成装置が知られている。
この画像形成装置では、一つのバイアス電流を調整して半導体レーザの光量が変化しても安定した中間調の諧調性を確保をすることがその目的であり、同文献には、発振ディレイあるいはパルス幅の再現性という表現はないが発振ディレイ等の改善を図ったものと解される。
ただ、この画像形成装置では、一つのバイアス電流を調整する都合上、その電流値は閾値電流に近いものとならざるを得ず、バイアス発光による地汚れの発生を抑えるのは難しい。

このように、発振ディレイの問題と、地汚れ防止の問題が知られ、それぞれの解決策も知られているが、従来の半導体レーザ装置を備えた光走査装置において、これらの問題を同時に解決したものはない。

本発明は、前記従来の問題を鑑みてなされたものであって、その目的は、地汚れを防止すると共に、パルス幅の再現性を向上させることにより、光量が変化しても、同じ印刷品質を維持することである。

本発明は、半導体レーザからなる光源と、該光源を発光させる光源発光装置と、前記光源から照射される光を感光体の被走査面上に偏向し走査する走査光学系を有する光走査装置であって、前記光源発光装置が、第一バイアス電流を生成し前記光源の発光する前に前記光源に出力する第一バイアス電流制御部と、前記光源発光装置に入力される発光信号に応じて前記光源を発光させる変調電流を生成し前記光源に出力する変調電流制御部と、第二バイアス電流を生成し前記光源への第一バイアス電流の出力した後、変調電流の出力する前に前記光源に出力する第二バイアス電流制御部と、を備え、前記光源に入力されるバイアス電流が前記第一バイアス電流と前記第二バイアス電流により構成され、前記第一バイアス電流値は一定値であり、前記第二バイアス電流は、目標光量に関りなくパルス幅の再現率が維持されるように前記第一バイアス電流と前記第二バイアス電流の合算値が前記光源の閾値電流未満となる範囲内において目標発光量に応じて変更されることを特徴とする光走査装置である。

本発明によれば、地汚れを防止すると共に、パルス幅の再現性を向上させることにより、光量が変化しても同じ印刷品質を維持することができる。

本実施形態に係る光走査装置を備えた画像形成装置を概略的に示す図である。 図１に示した光走査装置の構成について示す図である。 光走査装置の制御部を概略的に示すブロック図である。 第二バイアス電流及び第二バイアス電流印加時間の出力手順を示すフロー図である。 目標発光量と第二バイアス電流値係数及び第二バイアス電流印加時間係数との関係を示す表である。 パルス幅再現率の結果を、各目標発光量毎に表した図である。 パルス幅再現率の結果を、各目標発光量毎に表した図である。 パルス幅の再現率を説明するためのパルス幅を示す図である。 異なる目標発光量Ｐ１、Ｐ２に対する駆動電流の時間変化を示す図である。 異なる目標発光量Ｐ１、Ｐ２に対して時間変化するそれぞれの駆動電流を、半導体レーザ発光装置に印加したときの半導体レーザの発光量の時間的変化を示す図である。 環境温度が異なる場合における同じ目標発光量Ｐ２の駆動電流の時間変化を示す図である。 環境温度が異なる場合における同じ目標発光量Ｐ２における時間変化する駆動電流を、半導体レーザ発光装置に印加したときの半導体レーザの発光量の時間的変化を示す図である。 従来の、半導体レーザの発光量によらず、変調電流出力直前の第二バイアス電流が一定とする方法の駆動電流による、半導体レーザの発光量の時間的変化を示す図である。

次に、本発明の光走査装置をその実施形態について図面を参照して説明する。
ここでは、まず、本実施形態に係る光走査装置を備えた画像形成装置全体について概略的に説明する。
図１は、本実施形態に係る光走査装置を備えた画像形成装置を概略的に示す図である。
この画像形成装置は、感光体ドラム１０と、帯電ユニット１２と、現像ユニットのトナーカートリッジ１４と、転写ローラ１６と、感光体ドラム１０上のトナーを除去する図示しないクリーナーとから構成されている。さらに、中間転写ベルト２０と、中間転写ローラ２２と、中間転写ベルトクリーニング装置２４と、転写装置２６と、給紙レジストセンサ２８と、定着装置３０と、排紙ローラ３２と、光走査装置４０とから構成されている。

この画像形成装置において、光走査装置４０は、動作時に、タイミング制御した光ビームを感光体ドラム１０上に露光して静電潜像を形成する。形成された静電潜像は、トナーカートリッジ１４から供給されるトナーにより現像される。感光体ドラム１０上のトナー像は、転写ローラ１６により中間転写ベルト２０上に転写される。

一方、中間転写ベルト２０上のトナー画像の搬送にタイミングを合わせ、中間転写ベルト２０と転写装置２６との間に転写紙Ｓが送り込まれる。ここで、転写装置２６は、転写紙Ｓへトナー画像を転写し、定着装置３０は、トナー画像が転写された転写紙Ｓに熱と圧力を加えて定着させる。定着後、転写紙Ｓは、排紙装置に取り付けられた排紙ローラ３２により排出され、図示しない排紙トレイ上にスタックされる。

図２は、図１に示した光走査装置４０の構成について示す図である。
この光走査装置４０は、半導体レーザ（光源）発光装置１０１、カップリングレンズ１０２、アパーチャ１０３、シリンドリカルレンズ１０４、ポリゴンミラー１０５、レンズ１０６、１０７、ミラー１０８を有する。また、感光媒体としての感光体１０９、同期ミラー１１０、同期レンズ１１１、同期センサ１１２、制御部６０を有する。これらは、半導体レーザから照射される光を偏向し、感光体１０９に導く走査光学系を構成する。

光源発光装置１０１は、光走査のための光ビームを発する半導体レーザ素子であり、制御部６０により画像データに応じて駆動される。カップリングレンズ１０２を通過した光ビームは、アパーチャ１０３の開口部を通過する際に、光束周辺部の光強度の小さい部分が遮断、即ちビーム整形されて、線形結像光学系であるシリンドリカルレンズ１０４に入射する。
シリンドリカルレンズ１０４は、入射してくる光ビームを副走査方向に集光させ、光偏向器であるポリゴンミラー１０５の偏向反射面近傍に集光する。

ポリゴンミラー１０５の偏向反射面によって反射された光ビームは、ポリゴンミラー１０５の等速回転に伴い、等角速度的に偏向されつつ、走査光学系をなす２枚のレンズ１０６、１０７を通過する。さらに、ミラー１０８によって光路が折り曲げられ、被走査面をなす光導電性の感光体１０９の感光面である表面に光スポットとして集光し走査する。これによって、感光体１０９上には静電潜像が形成される。
光ビームは、走査に先立って同期ミラー１１０に入射して反射され、同期レンズ１１１によって受光素子である同期センサ１１２に集光される。感光体１０９に対する上記光ビームによる光書き込みのタイミングは、同期センサ１１２の出力信号に基づいて後述する半導体レーザ発光装置により決定される。

次に、本実施形態に係る光走査装置における第二バイアス電流制御について概略的に説明し、その後に、その制御を行うための構成要素について説明する。
本光走査装置を備えた画像形成装置は、地汚れを防止すると共に、パルス幅の再現率の差をなくすこと（再現性の向上という）により、光量が変化しても、同じ印刷品質を維持することを目的とするもので、概略以下のとおりである。

即ち本光走査装置は、目標発光量（その時点における感光体に最適な光量）と半導体レーザの環境温度に基づき、目標発光量にしたがって半導体レーザを発光させるときに、そのレーザパルスのパルス幅が一定に維持できるように制御する。つまり、パルス幅の良好な再現性が得られるようにする。
そのため、ここでは、半導体レーザ発光装置１０１にバイアス電流を印加する際に、バイアス電流値が当該半導体レーザの閾値電流値を超えないように、また地汚れの発生を最小限に抑えるようにする。しかもパルス幅の良好な再現性が得られるよう第二バイアス電流値を調整する。
その調整は、後述するように、まず、常に一定の値をとる第一バイアス電流の電流値を決定し、次に、第二バイアス電流を半導体レーザ発光装置の発光量に応じて決定する。
第二バイアス電流は、後述する手法で基準となる電流値、基準第二バイアス電流値を決定し、この基準第二バアイス電流値に対して、半導体レーザ発光装置が出力するレーザの光量、環境温度で決まるパラメータで変更を加えて求める。
この基準第二バイアス電流値及びパラメータを求める方法については後述する。

図３は、光走査装置の制御部を概略的に示すブロック図である。
光走査装置の制御部６０は、半導体レーザ発光回路（ＬＤドライバ）５０を構成するＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）と、半導体レーザ（ＬＤ）発光装置１０１と、温度センサ５３と、ＣＰＵ５１とからなる。また、画像入力装置５２が接続される。ＬＤドライバ５０は、第一バイアス電流制御部５０（１）、第二バイアス電流制御部５０（２）、変調電流制御部５０（３）及び駆動電流制御部５０（４）を備えている。

第一バイアス電流制御部５０（１）は、常に一定（又は所定）の電流値（第一バイアス電流Ｉｂ１という）を生成し、第二バイアス電流制御部５０（２）は、発光量又は環境温度に応じて所定の電流値（第二バイアス電流Ｉｂ２という）を生成する。
また、変調電流制御部５０（３）は、画像入力装置５２からの発光指令信号に応じて変調電流Ｉｍを生成する。
駆動電流制御部５０（４）には、第一バイアス電流Ｉｂ１、第二バイアス電流及Ｉｂ２及び変調電流Ｉｍが入力され、それらの電流を合算し駆動電流として半導体レーザ発光装置１０１に出力する。

ＣＰＵ５１は、ＬＤドライバ５０に制御信号（イニシャライズ指令信号）を出力し、画像入力装置５２は、発光指令信号（発光信号）、バイアス電流設定信号等の各種信号をＬＤドライバ５０に出力する。また、温度センサ５３から半導体レーザの使用環境の温度（環境温度）を検知する温度情報がＣＰＵ５１に入力される。
ＬＤには、半導体レーザ発光装置１０１の発光量を検出する図示しないモニタフォトダイオード（ＰＤ）が備えられている。また、ＣＰＵ５１が実行するプログラムや第二バイアス電流値等を求める表（テーブル）（図５）を記憶する図示しない記憶部を備える。

次に本光走査装置の制御部６０によるレーザ発光を行う第二バイアス電流の設定方法について説明する。
図４は、第二バイアス電流値及び第二バイアス電流印加時間の出力手順を示すフロー図である。
光走査装置の制御部６０（のＣＰＵ５１）は、ＬＤドライバ５０に、目標発光量（その時点の感光体１０９の感度に最適なレーザ光量）を出力する（Ｓ１０１）。

次に、ＣＰＵ５１は、温度センサ５３から温度情報を読み取り、半導体レーザの環境温度を図示しない記憶部に記憶する（Ｓ１０２）。
また、ＣＰＵ５１は、目標発光量と環境温度に応じた後述するテーブル（目標発光量に対応した、第二バイアス電流値と第二バイアス電流値の印加時間を決定するためのパラメータを記録したテーブル；図５Ａ、Ｂ）を読み込む（Ｓ１０３）。
読み込んだテーブルのパラメータ（係数）と基準第二バイアス電流値及び基準第二バイアス電流印加時間から、第二バイアス電流値及び第二バイアス電流印加時間を算出する（Ｓ１０４）。
算出した第二バイアス電流値及び第二バイアス電流印加時間をＬＤドライバに出力する（Ｓ１０５）

次に、前記テーブルの各パラメータの決定方法について、説明する。
まず、本実施形態の基準第二バイアス電流値を求める方法について説明する。
ここでは、本光走査装置（半導体レーザ発光装置１０１）において使用する最も発光量が少ない時の発光光量をＰ０とし、このときの第二バイアス電流値を基準第二バイアス電流値とする。
この基準第二バイアス電流値は、発光光量が最少の場合であるため最大値となる。ここで、第一バイアス電流と第二バイアス電流は、その合算値が閾値電流を超えるとレーザ光による地汚れが発生する。そのため、第二バイアス電流値は、当該半導体レーザの閾値電流値から一定値である第一バイアス電流値を引いた値を超えない（閾値電流未満）値とする必要がある。
その場合、基準第二バイアス電流値の最大値は、当該半導体レーザ発光装置１０１の閾値電流値から一定値である第一バイアス電流値を引いた値となる。この値は、当該半導体レーザ発光装置１０１の閾値電流値と第一バイアス電流値が一定であるため一義的に決定することができる。
なお、本光走査装置内のプログラムの実行による処理で、閾値電流値から算出した基準第二バイアス電流値の端数を切り捨てて、基準第二バイアス電流値としてもよい。

次に、発光光量Ｐ０のときのレーザ光のパルス波形の幅と理想値である矩形波におけるパルス波形の幅との比（ハルス幅の再現率）を求め、これを当該半導体レーザ発光装置１０１における目標再現率Ｎとする。
このようにして、当該半導体レーザ発光装置１０１の目標再現率Ｎを求めた上で、次に、当該半導体レーザ発光装置１０１における基準発光光量Ｐ０以外の目標発光量Ｐ１、Ｐ２・・・Ｐｎのときに、目標再現率Ｎを得るに必要な第二バイアス電流値を求める。

即ち、ここでは、まず、常温（例えば２５℃）において、第二バイアス電流値の半導体レーザ発光装置１０１への印加時間を一定にして、目標発光量（Ｐ１、Ｐ２・・・Ｐｎ）毎に、第二バイアス電流値を変化させて、その時得られるパルス幅再現率を求める（パルス幅再現率の具体的な求め方については後述する）。
図６Ａ．Ｂは、その結果を各目標発光量毎に表したグラフであり、パルス幅再現率（％）を縦軸に、第二バイアス電流値を横軸にとって、その両者の関係から、パルス幅再現率が目標再現率Ｎ（例えばＮ＝９６％）に達したときの第二バイアス電流値を求める。
次に、各光量（Ｐ１、Ｐ２・・・Ｐｎ）時における第二バイアス電流値と、基準第二バイアス電流値との比を求める。

次に、同様に、常温（例えば２５℃）において、第二バイアス電流値の半導体レーザ発光装置１０１へ印加する第二バイアス電流値を一定にして、目標発光量（Ｐ１、Ｐ２・・・Ｐｎ）毎に、第二バイアス電流印加時間を変化させて、その時得られるパルス幅再現率を求める。
図７Ａ．Ｂは、その結果を、各目標発光量毎に表したグラフであり、パルス幅再現率（％）を縦軸に、第二バイアス電流印加時間を横軸にとって、その両者の関係から、パルス幅再現率が目標再現率Ｎ（例えばＮ＝９６％）に達したときの第二バイアス電流印加時間を求める。
次に、各光量（Ｐ１、Ｐ２・・・Ｐｎ）時における第二バイアス電流印加時間と、基準第二バイアス電流印加時間との比を求める。
なお、基準第二バアイス電流印加時間は、基準第二バイアス電流を印加して、目標再現率Ｎが得られたときの基準第二バアイス電流の印加時間である。
この各光量時における、第二バイアス電流値と、基準第二バイアス電流値との比、及び各光量時における第二バイアス電流印加時間と、基準第二バイアス電流印加時間との比をまとめてテーブル（図５Ａの表）を作成する。

また、図５Ｂの表は、図５Ａの表を求め、温度が上昇した状態（表１の状態よりも２０℃温度上昇した状態）で、同様の実験を繰り返して得たものである。
ここで、パルス幅再現率（％）は、例えば、目標発光量をＰ１とし、第一バイアス電流、第二バイアス電流印加時間を固定とし、１ドットのパルス幅の画像データで、一定の温度環境の下でレーザを点灯させる。得られたレーザ光のパルス波形の幅を測定し、その測定値と理想の光パルス波形のハルス幅との比として算出される。
図８は、パルス幅の再現率を説明するためのパルス幅を示す図である。
測定して得られたパルス幅は図８Ｂにおけるｔ１であり、これを図８Ａの光量Ｐ１の時の理想の波形である矩形波における時間ｔ０との比（ｔ１／ｔ０）として得られる。

次に、このようにして求めた図５Ａ及びＢのテーブルに基づき、実際に、目標発光量に対応して第二バイアス電流を調整した結果について説明する。図５Ａ及びＢの係数は、目標発光量の増加に伴い所定の比率で低減している。
図９は、異なる目標発光量Ｐ１、Ｐ２（Ｐ１＜Ｐ２）に対する駆動電流の時間変化を示す図である。
図９Ａ、Ｂは、目標発光量Ｐ１、Ｐ２のとき、常に印加される第一バイアス電流Ｉｂ１に対して第二バイアス電流Ｉｂ２が重畳され、その後変調電流Ｉｍが重畳されることを示している。この図９Ａ、Ｂを対比すれば明らかなように、目標発光量Ｐ１に対して、それよりも大きいＰ２の場合は、第二バイアス電流値は大きく、かつ、第二バイアス電流値の印加時間も長い。

図１０は、異なる目標発光量Ｐ１、Ｐ２に対して時間変化するそれぞれの駆動電流を、半導体レーザ発光装置に印加したときの半導体レーザの発光量の時間的変化を示すものである。
図１０に示すように、第二バイアス電流値と第二バイアス電流値印加時間を目標発光量に応じて変更することにより、発光光量によらず、そのレーザ光のパルス幅がほぼ一定になる。

図１１は、環境温度が異なる場合における、同じ目標発光量Ｐ２に対する駆動電流の時間変化を示す図である。
図１１Ａ、１１Ｂは、目標発光量Ｐ２のとき、温度が高いとき（ここでは６０℃）は、温度が低いとき（ここでは２５℃）よりも、印加すべき第二バイアス電流値が大きく、また、印加時間が長いことを示している。
図１２は、環境温度が異なる場合における同じ目標発光量Ｐ２における時間変化する駆動電流を、半導体レーザ発光装置に印加したときの半導体レーザの発光量の時間的変化を示すものである。
図１２に示すように、第二バイアス電流値とその印加時間を調整することにより、レーザ光の波形のパルス幅はほぼ完全に一致し、本実施形態によれば、温度が変化してもハルス幅の再現性がきわめて良好であることを示している。

図１３は、従来の、半導体レーザの発光量によらず、変調電流出力直前の第二バイアス電流を一定とした場合における、駆動電流による半導体レーザの発光量の時間的変化を示す図である。
図１３に示す従来の半導体レーザの第二バイアス電流は、目標発光量Ｐ１、Ｐ２のいずれの場合にも同じ電流値、同じ電流印加時間である。そのため、図１３では、低い目標発光量Ｐ１の場合には、高い目標発光量Ｐ２に比べて発光量のパルス幅が短くなる（目標発光量Ｐ２の立上り波形と比較）。即ち時間差Δｔ２が発生し、発光量のパルス波形のパルス幅が短くなる。
一方、図１０は、従来例で示した図１３と比較すると明らかなように、図１３と比べ時間差は小さく、パルス幅の再現性が良好であることを示している。

本実施形態では、第二バイアス電流値と第二バイアス電流印加時間ｔｂ２を目標発光量によって変更することで、図６に示すような発光量のパルス波形のパルス幅が実現できる。目標発光量が異なっても、即ち、低い光量でも、高い発光量の場合と同じような発光量のパルス波形の立上りを示し、低光量で使用する場合のパルス幅の再現性を向上することができる。
パルス幅の再現性を向上させることにより、例えば、印字速度の変更または感光体の更新等の理由で目標発光量が変化しても、発光されるレーザ光のパルス幅を一定に維持することで、印刷品質を維持することができる。

５０・・・ＬＤドライバ、５０（１）・・・第一バイアス電流制御部、５０（２）・・・第二バイアス電流制御部、５０（３）・・・変調電流制御部、５０（４）・・・駆動電流制御部、５１・・・ＣＰＵ、５２・・・画像入力装置、５３・・・温度センサ、６０・・・制御部、１０１・・・半導体レーザ（ＬＤ）発光装置、Ｉｔｈ・・・閾値電流、Ｉη・・・発光電流、Ｉｂ・・・バイアス電流、Ｉｂ１・・・第一バイアス電流、Ｉｂ２・・・第二バイアス電流、Ｉｍ・・・変調電流、ｔｂ２・・・第二バイアス電流印加時間、ＬＤ・・・半導体レーザ（ＰＤ：フォトダイオードを含む）

特開２００４−１５３１１８号公報 特開２００４−２６８４３６号公報

Claims (6)

1. 半導体レーザからなる光源と、該光源を発光させる光源発光装置と、前記光源から照射される光を感光体の被走査面上に偏向し走査する走査光学系を有する光走査装置であって、
   前記光源発光装置が、第一バイアス電流を生成し前記光源の発光する前に前記光源に出力する第一バイアス電流制御部と、前記光源発光装置に入力される発光信号に応じて前記光源を発光させる変調電流を生成し前記光源に出力する変調電流制御部と、第二バイアス電流を生成し前記光源への第一バイアス電流の出力した後、変調電流の出力する前に前記光源に出力する第二バイアス電流制御部と、
   を備え、
   前記光源に入力されるバイアス電流が前記第一バイアス電流と前記第二バイアス電流により構成され、前記第一バイアス電流値は一定値であり、前記第二バイアス電流は、目標発光量に関りなくパルス幅の再現率が維持されるように前記第一バイアス電流と前記第二バイアス電流の合算値が前記光源の閾値電流未満となる範囲内において目標発光量に応じて変更されることを特徴とする光走査装置。
2. 請求項１に記載された光走査装置であって、
   前記第二バイアス電流は、前記光源の最も少ない目標発光量の場合に閾値電流値から第一バイアス電流を減じた電流値を基準第二バイアス電流値とし、また、基準第二バイアス電流値の印加時間を基準第二バイアス電流印加時間として、前記光源の目標発光量に基づき前記基準第二バイアス電流値及び基準第二バイアス電流印加時間を所定の比率で低減させる光走査装置。
3. 請求項１又は２に記載された光走査装置であって、
   前記基準第二バイアス電流値に対する前記第二バイアス電流値及び基準第二バイアス電流印加時間に対する第二バイアス電流印加時間のそれぞれの所定の比率を目標発光量毎に定めて記憶するテーブルを備えた光走査装置。
4. 請求項３に記載された光走査装置であって、
   前記テーブルは前記光源の環境温度毎に作成されたものである光走査装置。
5. 請求項１乃至３のいずれかに記載された光走査装置を備える画像形成装置。
6. 半導体レーザからなる光源と、該光源を発光させる光源発光装置と、前記光源から照射される光を感光体の被走査面上に偏向し走査する走査光学系を有する光走査装置の光源発光制御方法であって、
   第一バイアス電流を生成し前記光源の発光する前に前記光源に出力する第一バイアス電流出力工程と、第二バイアス電流を生成し前記光源への第一バイアス電流の出力した後、変調電流の出力する前に前記光源に出力する第二バイアス電流生成工程と、前記光源発光装置に入力される発光信号に応じて前記光源を発光させる変調電流を生成し前記光源に出力する変調電流出力工程と、
   を有し、
   前記第一バイアス電流値を一定値にし、前記第二バイアス電流を、目標発光量に関りなくパルス幅の再現率が維持されるように、前記第一バイアス電流と前記第二バイアス電流の合算値が前記光源の閾値電流未満となる範囲内において目標発光量に応じて変更するよう制御する光源発光制御方法。

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