JP6150593B2 - チップ抵抗器 - Google Patents
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Description
従って、本発明のチップ抵抗器によれば、小型低背化しつつ、電圧印可時に抵抗体が発する熱を効率良く放散することができる。
このチップ抵抗器11は、凹部2を有するセラミック基板1と、凹部2に充填された抵抗体3と、第1表面電極4a及び第2表面電極4bと、第1裏面電極5a及び第2裏面電極5bと、第1側面電極6a及び第2側面電極6bと、保護層7とを、主な構成要素として備える。
セラミック基板1は、平板状であり、後記する抵抗体3や保護層7が形成される表面と、表面と対向する裏面を有する。さらに、対向する一対の短側面と、対向する一対の長側面とを有する。そして、セラミック基板1の中央部には、厚み方向に窪む凹部2を有する。
凹部2は、図1及び図2のように、セラミック基板1の表面側から平面視した場合、第1凹部領域2aと第2凹部領域2bと第3凹部領域2cとから構成される。
第1凹部領域2aは、第1表面電極4aと重なる部分を含む領域であって、後記する第3凹部領域2cより幅が広い領域のことである。また、第1凹部領域2aは、第3凹部領域2cから第1表面電極4a側の凹部2の端部に向かって漸次広がる第1漸開領域2aAと、第1漸開領域2aAから凹部2の端部に向かってセラミック基板1の長辺方向と平行に伸びる第1平行領域2aBと、から構成される。そして、図2のように、第1平行領域2aBの一部は第1表面電極4aと重なっており、第1漸開領域2aAは第3凹部領域2cと第1平行領域2aBの間に配置される。尚、本実施形態においては、幅とはセラミック基板1の短辺方向の長さのことである。
第2凹部領域2bは、第2表面電極4bと重なる部分を含む領域であって、後記する第3凹部領域2cより幅が広い領域のことである。また、第2凹部領域2bは、第3凹部領域2cから第2表面電極4b側の凹部2の端部に向かって漸次広がる第2漸開領域2bAと、第2漸開領域2bAから凹部2の端部に向かってセラミック基板1の長辺方向と平行に伸びる第2平行領域2bBとから構成される。そして、図2のように、第2平行領域2bBの一部は第2表面電極4bと重なっており、第2漸開領域2bAは第3凹部領域3cと第2平行領域2bBの間に配置される。尚、本実施形態においては、幅とはセラミック基板1の短辺方向の長さのことである。
第3凹部領域2cは、第1凹部領域2aと第2凹部領域2bとを連結する領域であって、セラミック基板1の長辺方向(第1表面電極4aと第2表面電極4bとが対向する方向)と平行に所定の幅で伸びる領域である。
抵抗体3は、凹部2に充填して形成される。そのため、抵抗体3は、図1のように、セラミック基板1の表面側から平面視した形状は、凹部2と略同一の形状となる。また、抵抗体3の横断面の形状は、図3のように、凹部2と略同一の形状となる。
金属を主成分とする材料で構成される一対の電極である、第1表面電極4a及び第2表面電極4bは、抵抗体3のセラミック基板1の長辺方向の両端部のそれぞれに対向して当接される。具体的には、第1表面電極4aは、セラミック基板1の表面から第1凹部領域2aの側面及び底面の一部に配置される。また、第2表面電極4bは、セラミック基板1の表面から第2凹部領域2bの側面及び底面の一部に配置される。すなわち、本実施形態の場合、表面電極の一部は、セラミック基板1と抵抗体3に挟まれた状態で配置されている。
尚、第1表面電極4a及び第2表面電極4bと、抵抗体3との接触面積を大きくするために、第1表面電極4a及び第2表面電極4bの幅と、凹部2の第1平行領域2aB及び第2平行領域2bBの幅とは、近似していることが好ましい。
金属を主成分とする材料で構成される第1裏面電極5a及び第2裏面電極5bは、セラミック基板1の裏面に離間して配置される。そして、第1裏面電極5aは第1表面電極4aと同極であり、第2裏面電極5bは第2表面電極4bと同極である。これら同極の電極同士は、後記する側面電極によって電気的に接続される。
金属を主成分とする材料で構成される第1側面電極6aは、セラミック基板1の第1表面電極4a側の短側面に形成され、第1表面電極4aと同極の第1裏面電極5aとを連結し、電気的に接続する。
金属を主成分とする材料で構成される第2側面電極6bは、セラミック基板1の第2表面電極4b側の短側面に形成され、第2表面電極4bと同極の第2裏面電極5bとを連結し、電気的に接続する。
絶縁膜からなる保護層7は、抵抗体3を保護するため、抵抗体3を覆うように形成される。保護層7を構成する絶縁膜は、ガラスや樹脂等の材料から構成される。
また、Ag−Pdペーストに限定されず、例えばAgペーストを用いてもよい。
2 凹部
2a 第1凹部領域
2aA 第1漸開領域
2aB 第1平行領域
2b 第2凹部領域
2bA 第2漸開領域
2bB 第2平行領域
2c 第3凹部領域
3 抵抗体
4a 第1表面電極
4b 第2表面電極
5a 第1裏面電極
5b 第2裏面電極
6a 第1側面電極
6b 第2側面電極
7 保護層
11 チップ抵抗器
Claims (3)
- 表面に凹部が形成されるセラミック基板と、
前記凹部に充填される抵抗体と、
前記抵抗体と電気的に接続するとともに、前記抵抗体の両端部に対向して当接される一対の電極である第1表面電極及び第2表面電極と、
を備えるチップ抵抗器であって、
前記セラミック基板を前記表面側から平面視した場合、
前記凹部は、
前記第1表面電極の一部と少なくとも一部が重なる第1凹部領域と、
前記第2表面電極の一部と少なくとも一部が重なる第2凹部領域と、
前記第1表面電極と前記第2表面電極の対向方向に所定幅で伸びて、前記第1凹部領域と前記第2凹部領域とを連結する第3凹部領域と、
を有し、
前記第1凹部領域と前記第2凹部領域の幅は、前記第3凹部領域の前記所定幅よりも広い
ことを特徴とするチップ抵抗器。 - 前記セラミック基板を前記表面側から平面視した場合、
前記第1表面電極と重ならない前記第1凹部領域が、前記第1表面電極と前記第3凹部領域との間に在り、
前記第2表面電極と重ならない前記第2凹部領域が、前記第2表面電極と前記第3凹部領域との間に在る
ことを特徴とする請求項1に記載のチップ抵抗器。 - 前記セラミック基板の裏面に、
前記第1表面電極と電気的に接続する第1裏面電極と、
前記第2表面電極と電気的に接続する第2裏面電極と、
をさらに備え、
前記セラミック基板を前記表面側から平面視した場合、
前記第1裏面電極と前記第2裏面電極の形成領域は前記抵抗体の形成領域と重なる
ことを特徴とする請求項1または2に記載のチップ抵抗器。
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