JP6144630B2 - 複合基板の製造方法、13族元素窒化物からなる機能層の製造方法 - Google Patents
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- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
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Description
Egawa, T. 2004 5 1 : : Appl. Phys. Lett.. 84,
p. 4041-4043)では、サファイア基板上に窒化ガリウム薄層を成長した後、H2アニールにより窒化ガリウム層およびサファイア基板表面をエッチングしている。このエッチングによりサファイア表面がエッチングされ、微細な凹凸が形成される。この凹凸上に窒化ガリウム薄層を再成長すると、ボイドを有する種結晶基板を作製できる。しかし、非特許文献1は、窒化ガリウム種結晶基板を用いるNaフラックス法を開示していない。
サファイア基板と種結晶膜との界面にボイドが設けられており、このボイド比率が4.5〜12.5%であることを特徴とする。
サファイア基板上に窒化ガリウムからなる下地膜を気相成長法により形成する下地膜形成工程;
サファイア基板および下地膜を水素存在下に加熱処理することによって、下地膜を除去してサファイア基板の表面を粗面化するエッチング工程;
次いでサファイア基板の表面に窒化ガリウム結晶からなる種結晶膜を気相成長法によって形成し、この際サファイア基板と種結晶膜との界面にボイドを設け、このボイド比率が4.5〜12.5%である種結晶膜形成工程;および
窒化ガリウム結晶層を前記種結晶膜上にフラックス法によって育成する結晶育成工程
を備えていることを特徴とする。
サファイア基板の上に13族元素窒化物からなる光吸収層を設ける工程;
次いで光吸収層上に窒化ガリウム結晶からなる種結晶膜を形成する種結晶膜形成工程;
次いで光吸収層にレーザ光を照射することによってボイドを形成し、この際ボイド比率が4.5〜12.5%であるボイド生成工程;および
窒化ガリウム結晶層を種結晶膜上にフラックス法によって育成する結晶育成工程
を備えていることを特徴とする。
図1(a)に示すように、サファイア基板1の表面1aに、窒化ガリウムからなる下地膜2を形成する。次いで、水素の存在下に基板および下地膜を加熱することで、図1(b)に示すように、下地膜2がほぼエッチングされて消失し、基板1Aの表面に多数の微細なクレーターが生成し、粗化面3が形成される。
サファイアのウルツ鉱構造は、c面、a面、およびm面を有する。これらの各結晶面は結晶学的に定義されるものである。下地膜、種結晶膜、およびフラックス法によって育成される窒化ガリウム結晶層の育成方向は、c面の法線方向であってよく、またa面、m面それぞれの法線方向であってもよい。
下地膜の形成方法は気相成長法であるが、有機金属化学気相成長(MOCVD: Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法、ハイドライド気相成長(HVPE)法、MBE法、昇華法を例示できる。
サファイア基板表面の粗面化は、下地膜および基板表面のエッチングが可能な条件で行う。具体的には、雰囲気中に水素を存在させ、加熱処理を行う。雰囲気中には、水素以外の気体を含有していてよく、含有していなくともよい。水素以外の気体を含有する場合には、この気体は、窒素、アルゴン、ヘリウム等が好ましい。
種結晶膜は、一層であってよく、あるいはサファイア基板側にバッファ層を含んでいて良い。種結晶膜の形成方法は気相成長法を好ましい一例として挙げることができ、有機金属化学気相成長(MOCVD: Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法、ハイドライド気相成長(HVPE)法、パルス励起堆積(PXD)法、MBE法、昇華法を例示できる。有機金属化学気相成長法が特に好ましい。
本発明によれば、微細なボイド層がある種結晶基板6を採用した。ただし、窒化ガリウム結晶層7とサファイア基板1Aとの界面での自然剥離が生ずると、複合基板として利用できない。ここで、窒化ガリウム結晶層7の厚さを200μm以下とすることで、窒化ガリウム結晶層の基板Aからの自然剥離が生じにくいようにしている。この観点からは、窒化ガリウム結晶層7の厚さは、100μm以下が好ましく、50μm以下が更に好ましい。
光吸収層の形成方法は気相成長法であるが、有機金属化学気相成長(MOCVD: Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法、ハイドライド気相成長(HVPE)法、MBE法、昇華法を例示できる。
レーザ加工に用いるレーザの種類は特に限定されないが、光吸収層の光吸収率が高い波長であることが望ましい。そのようなレーザの一例として、KrFエキシマレーザ、ArFエキシマレーザや、Nd:YAGレーザの第4高調波などの紫外レーザが好ましい。光吸収層では窒化ガリウム結晶の分解によってN2ガスが発生することから、クラックや割れの発生を防止するためパルスレーザによるスポット照射が好ましい。レーザの照射径は10μm以下が望ましく、3μm以下がさらに好ましい。
こうして得られた複合基板上に機能層を気相法で形成する。
こうした機能層は、単一層であってよく、複数層であってよい。また、機能としては、高輝度・高演色性の白色LEDや高速高密度光メモリ用青紫レーザディスク、ハイブリッド自動車用のインバータ用のパワーデバイスなどに用いることができる。
(種結晶基板作製)
直径4インチ630μm厚の単結晶サファイアc面基板1をMOCVD炉(有機金属気相成長炉)内に入れ、水素雰囲気中で1150℃にて10分間加熱し、表面のクリーニングを行った。次いで、基板温度を500℃まで下げ、TMG(トリメチルガリウム)、アンモニアを原料として窒化ガリウム層を30nmの厚さに成長させた。次いで、基板温度を1100℃まで上げ、TMGとアンモニアとを原料として窒化ガリウム層を1μmの厚さに成長させ、下地膜2を形成した。
TypeIIを使用した。結果を表1に示す。
6種の条件にて作製した基板を種結晶基板としてNaフラックス法にて窒化ガリウム結晶を育成した。成長に用いた原料は、金属ガリウム、金属ナトリウムおよび金属リチウムである。アルミナるつぼに金属ガリウム30g、金属ナトリウム44g、金属リチウム30mgをそれぞれ充填して、炉内温度900℃・圧力5MPaにて窒化ガリウム単結晶を約30時間育成した。るつぼから取り出したところ、条件B〜Fの基板表面に透明な窒化ガリウム単結晶が約300μmの厚さで堆積していた。条件Aでは、窒化ガリウム層が消失しサファイア基板表面が現れていた。この理由は、フラックス法による窒化ガリウム層形成過程で窒化ガリウム層がサファイア基板から自然剥離したものと考えられる。
条件Aを除いた条件B〜Fの5種類についてダイヤモンド砥粒による研磨にて平坦化し、窒化ガリウム層の厚さが70μm、直径4インチのc面GaNテンプレート(複合基板)を得た。このGaNテンプレート表面の窒化ガリウム層の転位密度をCL法により計測したところ、おおむね106〜107個/cm2程度と、種結晶基板よりも転位を一層低減する効果が確認された。(この基板を「低転位GaNテンプレート」と呼ぶ)
条件B〜Fの5種類の低転位GaNテンプレートをMOCVD炉内に入れ、水素とアンモニアガスの混合雰囲気中で1100℃にまで昇温し、その温度にてTMG、アンモニア原料として絶縁性のud-GaN層を2μmの厚さに成長させた後、モノシランを原料ガスに混入させ、n−GaN層を2μmの厚さに成長させた。その後、原料を止め、基板温度を室温まで下げた後、基板を取り出した。
(種結晶基板作製)
直径4インチ630μm厚の単結晶サファイアc面基板1をMOCVD炉(有機金属気相成長炉)内に入れ、水素雰囲気中で1200℃にて10分間加熱し、表面のクリーニングを行った。次いで、基板温度を500℃まで下げ、TMG(トリメチルガリウム)、アンモニアを原料として窒化ガリウム層を30nmの厚さに成長させた。次いで、基板温度を1100℃まで上げ、TMGとアンモニアとを原料として窒化ガリウム層を2μmの厚さに成長させ、下地膜2を形成した。
5種の条件にて作製した基板を種結晶基板としてNaフラックス法にて窒化ガリウム結晶を育成した。成長に用いた原料は、金属ガリウム、金属ナトリウムおよび金属リチウムである。アルミナるつぼに金属ガリウム30g、金属ナトリウム44g、金属リチウム30mgをそれぞれ充填して、炉内温度900℃・圧力5MPaにて窒化ガリウム単結晶を約30時間育成した。るつぼから取り出したところ、条件G〜Kの基板表面に透明な窒化ガリウム単結晶が約300μmの厚さで堆積していた。条件Gでは、窒化ガリウム層が消失しサファイア基板表面が現れていた。この理由は、フラックス法による窒化ガリウム層形成過程で窒化ガリウム層がサファイア基板から自然剥離したものと考えられる。
条件Gを除いた条件H〜Kの4種類についてダイヤモンド砥粒による研磨にて平坦化し、窒化ガリウム層の厚さが70μm、直径4インチのc面GaNテンプレート(複合基板)を得た。このGaNテンプレート表面の窒化ガリウム層の転位密度をCL法により計測したところ、おおむね106〜107個/cm2程度と、種結晶基板よりも転位を一層低減する効果が確認された。(この基板を「低転位GaNテンプレート」と呼ぶ)
条件H〜Kの4種類の低転位GaNテンプレートをMOCVD炉内に入れ、水素とアンモニアガスの混合雰囲気中で1100℃にまで昇温し、その温度にてTMG、アンモニア原料として絶縁性のud-GaN層を2μmの厚さに成長させた後、モノシランを原料ガスに混入させ、n−GaN層を2μmの厚さに成長させた。その後、原料を止め、基板温度を室温まで下げた後、基板を取り出した。
(種結晶基板作製)
直径4インチ630μm厚の単結晶サファイアc面基板1をMOCVD炉(有機金属気相成長炉)内に入れ、水素雰囲気中で1150℃にて10分加熱し、表面のクリーニングを行った。次いで、基板温度を500℃まで下げ、TMG(トリメチルガリウム)、アンモニアを原料として光吸収層として窒化ガリウム層を30nmの厚さに成長させた。次いで、基板温度を1100℃まで上げ、TMG(トリメチルガリウム)とアンモニアとを原料として窒化ガリウム層を1μmの厚さに成長させ、種結晶膜を形成し、MOCVD炉から取り出した。同じ方法で種結晶基板を6枚作製した。この種結晶膜を形成したサファイア基板の反りを測定したところ、種結晶膜を上としたときに凸形状であり、反り量はすべて15μm以下であった。
〜F ’の基板表面に透明な窒化ガリウム単結晶が約300μmの厚さで堆積していた。条件A’では、窒化ガリウム層が消失し、サファイア基板表面が現れていた。この理由は、フラックス法による窒化ガリウム層形成過程で窒化ガリウム層がサファイア基板から自然剥離したものと考えられる。
まず、実験1の条件Cと同様にして、種結晶基板を作製した。この種結晶基板上に、実験1と同様にして、Naフラックス法にて窒化ガリウム結晶を育成した。透明な窒化ガリウム単結晶が約300μmの厚さで堆積していた。
本発明は、高品質であることが要求される技術分野、例えばポスト蛍光灯といわれている高演色性の白色LEDや高速高密度光メモリ用青紫レーザディスク、ハイブリッド自動車用のインバータに用いるパワーデバイスなどに用いることができる。
Claims (12)
- サファイア基板、前記サファイア基板の表面に設けられた窒化ガリウム結晶からなる種結晶膜、およびこの種結晶膜上に結晶成長した厚さ200μm以下の窒化ガリウム結晶層を備える複合基板であって、
前記サファイア基板と前記種結晶膜との界面にボイドが設けられており、このボイド比率が4.5〜12.5%であることを特徴とする、複合基板。 - 請求項1記載の複合基板、および前記窒化ガリウム結晶層上に気相法によって形成された13族元素窒化物からなる機能層を備えていることを特徴とする、機能素子。
- 前記機能層が発光機能を有することを特徴とする、請求項2記載の機能素子。
- サファイア基板、および前記サファイア基板上に結晶成長した厚さ200μm以下の窒化ガリウム結晶層を備える複合基板を製造する方法であって、
前記サファイア基板上に窒化ガリウムからなる下地膜を気相成長法により形成する下地膜形成工程;
前記サファイア基板および前記下地膜を水素存在下に加熱処理することによって、前記下地膜を除去して前記サファイア基板の表面を粗面化するエッチング工程;
次いで前記サファイア基板の表面に窒化ガリウム結晶からなる種結晶膜を気相成長法によって形成し、この際前記サファイア基板と前記種結晶膜との界面にボイドを設け、このボイド比率が4.5〜12.5%である種結晶膜形成工程;および
前記窒化ガリウム結晶層を前記種結晶膜上にフラックス法によって育成する結晶育成工程
を備えていることを特徴とする、複合基板の製造方法。 - 前記エッチング工程を、前記下地膜の形成温度以上、1260℃以下の温度で実施することを特徴とする、請求項4記載の方法。
- 請求項4または5記載の方法によって得られた複合基板の前記窒化ガリウム結晶層上に気相法によって13族元素窒化物からなる機能層を形成することを特徴とする、13族元素窒化物からなる機能層の製造方法。
- 前記機能層が発光機能を有することを特徴とする、請求項6記載の方法。
- サファイア基板、および前記サファイア基板上に結晶成長した厚さ200μm以下の窒化ガリウム結晶層を備える複合基板を製造する方法であって、
前記サファイア基板の上に13族元素窒化物からなる光吸収層を設ける工程;
次いで前記光吸収層上に窒化ガリウム結晶からなる種結晶膜を形成する種結晶膜形成工程;
次いで前記光吸収層にレーザ光を照射することによってボイドを形成し、この際ボイド比率が4.5〜12.5%であるボイド生成工程;および
前記窒化ガリウム結晶層を前記種結晶膜上にフラックス法によって育成する結晶育成工程
を備えていることを特徴とする、複合基板の製造方法。 - 前記レーザ光としてパルスレーザを用いることを特徴とする、請求項8記載の方法。
- 前記光吸収層が窒化ガリウム結晶からなることを特徴とする、請求項8または9記載の方法。
- 請求項8〜10のいずれか一つの請求項に記載の方法によって得られた複合基板の前記窒化ガリウム結晶層上に気相法によって13族元素窒化物からなる機能層を形成することを特徴とする、13族元素窒化物からなる機能層の製造方法。
- 前記機能層が発光機能を有することを特徴とする、請求項11記載の方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11245054B2 (en) | 2017-09-27 | 2022-02-08 | Ngk Insulators, Ltd. | Base substrate, functional element, and production method for base substrate |
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Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9718249B2 (en) | 2012-11-16 | 2017-08-01 | Apple Inc. | Laminated aluminum oxide cover component |
DE102013004558B4 (de) | 2013-03-18 | 2018-04-05 | Apple Inc. | Verfahren zur Herstellung einer oberflächenverspannten Saphirscheibe, oberflächenverspannte Saphirscheibe und elektrisches Gerät mit einer transparenten Abdeckung |
DE102013004559B4 (de) * | 2013-03-18 | 2015-07-23 | Apple Inc. | Bruchstabile Saphirscheibe und Verfahren zu ihrer Herstellung |
KR101758548B1 (ko) * | 2014-09-29 | 2017-07-14 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 질화갈륨 자립 기판, 발광 소자 및 이들의 제조 방법 |
JP6169292B1 (ja) * | 2015-12-11 | 2017-07-26 | 日本碍子株式会社 | 13族元素窒化物結晶基板および機能素子 |
CN105551939B (zh) * | 2015-12-29 | 2018-02-13 | 北京大学 | 自组装制备带空腔的iii‑v族氮化物复合衬底的方法 |
CN108884594B (zh) * | 2016-03-24 | 2021-01-22 | 日本碍子株式会社 | 晶种基板的制造方法、13族元素氮化物结晶的制造方法及晶种基板 |
WO2018079192A1 (ja) * | 2016-10-28 | 2018-05-03 | 日本碍子株式会社 | 13族元素窒化物層、複合基板および機能素子 |
JP7117690B2 (ja) * | 2017-09-21 | 2022-08-15 | 国立大学法人大阪大学 | Iii-v族化合物結晶の製造方法および半導体装置の製造方法 |
WO2020194803A1 (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-01 | 日本碍子株式会社 | 下地基板及びその製造方法 |
JP7141984B2 (ja) * | 2019-07-04 | 2022-09-26 | 株式会社サイオクス | 結晶基板 |
US11269374B2 (en) | 2019-09-11 | 2022-03-08 | Apple Inc. | Electronic device with a cover assembly having an adhesion layer |
CN111769036B (zh) * | 2020-07-07 | 2023-03-21 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 | 氮化镓单晶衬底的制备方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3957918B2 (ja) * | 1999-05-17 | 2007-08-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 窒化ガリウム単結晶の育成方法 |
FR2817395B1 (fr) * | 2000-11-27 | 2003-10-31 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'un substrat notamment pour l'optique, l'electronique ou l'optoelectronique et substrat obtenu par ce procede |
US7459025B2 (en) * | 2002-06-03 | 2008-12-02 | Tien-Hsi Lee | Methods for transferring a layer onto a substrate |
JP4088111B2 (ja) * | 2002-06-28 | 2008-05-21 | 日立電線株式会社 | 多孔質基板とその製造方法、GaN系半導体積層基板とその製造方法 |
US7524691B2 (en) * | 2003-01-20 | 2009-04-28 | Panasonic Corporation | Method of manufacturing group III nitride substrate |
JP4422473B2 (ja) * | 2003-01-20 | 2010-02-24 | パナソニック株式会社 | Iii族窒化物基板の製造方法 |
JP4457576B2 (ja) * | 2003-05-08 | 2010-04-28 | 住友電気工業株式会社 | Iii−v族化合物結晶およびその製造方法 |
JP4920875B2 (ja) * | 2003-05-29 | 2012-04-18 | パナソニック株式会社 | Iii族窒化物結晶の製造方法、およびiii族窒化物基板の製造方法 |
US7309534B2 (en) * | 2003-05-29 | 2007-12-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Group III nitride crystals usable as group III nitride substrate, method of manufacturing the same, and semiconductor device including the same |
EP1654111B1 (en) * | 2003-05-30 | 2020-02-12 | Siemens Medical Solutions USA, Inc. | Method for fabrication of a detector component using laser technology |
JP4901115B2 (ja) * | 2004-03-04 | 2012-03-21 | 昭和電工株式会社 | 窒化ガリウム系半導体素子 |
JP2005281067A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物結晶基板およびその製造方法ならびにiii族窒化物半導体デバイス |
CN100505166C (zh) * | 2006-12-19 | 2009-06-24 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 | 在异质基底上制备高质量GaN单晶厚膜的方法 |
JP5256198B2 (ja) * | 2007-07-13 | 2013-08-07 | 日本碍子株式会社 | Iii族窒化物単結晶の製造方法 |
KR20100049274A (ko) * | 2008-11-03 | 2010-05-12 | 삼성엘이디 주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
WO2010101272A1 (ja) * | 2009-03-03 | 2010-09-10 | 宇部興産株式会社 | 発光素子形成用複合基板、発光ダイオード素子及びその製造方法 |
WO2012050888A2 (en) * | 2010-09-28 | 2012-04-19 | North Carolina State University | Gallium nitride based structures with embedded voids and methods for their fabrication |
KR20120079392A (ko) * | 2011-01-04 | 2012-07-12 | (주)세미머티리얼즈 | 반도체 발광소자의 제조방법 |
JP2012151261A (ja) * | 2011-01-19 | 2012-08-09 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 半導体発光素子、半導体発光素子の保護膜及びその作製方法 |
JP5488562B2 (ja) * | 2011-10-21 | 2014-05-14 | 日立金属株式会社 | 窒化物半導体基板の製造方法 |
-
2013
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11245054B2 (en) | 2017-09-27 | 2022-02-08 | Ngk Insulators, Ltd. | Base substrate, functional element, and production method for base substrate |
US11437233B2 (en) | 2017-09-27 | 2022-09-06 | Ngk Insulators, Ltd. | Base substrate, functional element, and method for manufacturing base substrate |
Also Published As
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---|---|---|
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