JP6141879B2 - 吸着部材およびそれを用いた吸着装置 - Google Patents

吸着部材およびそれを用いた吸着装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6141879B2
JP6141879B2 JP2014554302A JP2014554302A JP6141879B2 JP 6141879 B2 JP6141879 B2 JP 6141879B2 JP 2014554302 A JP2014554302 A JP 2014554302A JP 2014554302 A JP2014554302 A JP 2014554302A JP 6141879 B2 JP6141879 B2 JP 6141879B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
protrusion
adsorption
coating
top surface
liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014554302A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2014103714A1 (ja
Inventor
宏康 籾蔵
宏康 籾蔵
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Publication of JPWO2014103714A1 publication Critical patent/JPWO2014103714A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6141879B2 publication Critical patent/JP6141879B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

本発明は、例えば半導体集積回路または液晶表示装置の製造工程において、ウェハまたはガラス基板等の対象物に処理を施す際に対象物を吸着する吸着部材およびそれを用いた吸着装置に関する。
従来、半導体集積回路または液晶表示装置の製造工程において、ウェハまたはガラス基板等の対象物は、露光装置や研削装置等の各種装置によって露光や研削等の各種処理を施される。この際に、対象物は吸着部材に吸着される。
この吸着部材として、例えば特表2012−518900号公報には、水等の液体によって生成される毛細管力で基板(対象物)をクランプするための基板支持構造体(吸着部材)であって、基板(対象物)を保持するための複数の基板支持要素(突起部)が設けられた表面(吸着面)を具備した基板支持構造体が記載されている。
このような吸着部材においては、吸着面の親水性が低いと液体中に気泡が生じて対象物の吸着力が低下しやすくなる。一方、突起部の耐摩耗性が低いと対象物との接触によって突起部からパーティクルが生じて対象物を汚染しやすくなる。
本発明は、対象物の吸着力に優れ、かつ対象物の汚染を抑制した吸着部材を提供する要求に応えるものである。
本発明の一態様における吸着部材によれば、対象物の形状に対応する環状部、該環状部の内側に位置する底面および該底面から突出した柱状の複数の突起部を有するとともに、前記環状部内で前記対象物を複数の前記突起部で支持して吸着する吸着面を具備したセラミック焼結体からなる基体を備える。さらに、前記吸着部材は、基体よりも親水性が高い被膜を備える。該被膜は、前記突起部の頂面および前記突起部の側面に位置せず、前記底面における前記突起部の近傍領域以外の領域に位置している。また、前記突起部の前記頂面の算術平均粗さ(Ra)は前記底面の算術平均粗さ(Ra)よりも小さい。
本発明の一態様における吸着部材によれば、対象物の形状に対応する環状部、該環状部の内側に位置する底面および該底面から突出した柱状の複数の突起部を有するとともに、前記環状部内で前記対象物を複数の前記突起部で支持して吸着する吸着面を具備したセラミック焼結体からなる基体を備える。さらに、前記吸着部材は、珪素または酸化珪素からなる被膜を備える。該被膜は、前記突起部の頂面および前記突起部の側面に位置せず、前記底面における前記突起部の近傍領域以外の領域に位置している。また、前記突起部の前記頂面の算術平均粗さ(Ra)は前記底面の算術平均粗さ(Ra)よりも小さい。
本発明の一態様における吸着部材によれば、基体よりも親水性が高い被膜が吸着面の底面の少なくとも一部を被覆しているため、対象物の吸着力を高めることができる。さらに、セラミック焼結体からなる基体の突起部の頂面が被膜から露出しているため、突起部におけるパーティクルの発生を抑制できる。したがって、対象物の吸着力に優れ、かつ対象物の汚染を抑制した吸着部材を提供することができる。
本発明の一態様における吸着部材によれば、珪素または酸化珪素からなる被膜が吸着面の底面の少なくとも一部を被覆しているため、対象物の吸着力を高めることができる。さらに、セラミック焼結体からなる基体の突起部の頂面が被膜から露出しているため、突起部におけるパーティクルの発生を抑制できる。したがって、対象物の吸着力に優れ、かつ対象物の汚染を抑制した吸着部材を提供することができる。
本発明の第1実施形態による吸着部材の斜視図である。 (a)は、図1の吸着部材を厚み方向に切断した断面図の部分拡大図であり、(b)は、図2(a)の吸着部材が対象物を吸着した様子を示す図である。 (a)は、図2(a)の部分拡大図であり、(b)は、図2(a)の吸着部材の上面図の部分拡大図である。 (a)ないし(c)は、図1の吸着部材の製造方法を説明する、厚み方向に切断した断面図の部分拡大図である。 (a)ないし(c)は、図1の吸着部材の製造方法を説明する、厚み方向に切断した断面図の部分拡大図である。 (a)は、本発明の第2実施形態による吸着部材の厚み方向に切断した断面図の部分拡大図であり、(b)は、図6(a)の部分拡大図であり、(c)は、図6(a)の吸着部材の製造方法を説明する、厚み方向に切断した断面図の部分拡大図である。 本発明の他の実施形態による吸着部材の厚み方向に切断した断面図の部分拡大図である。
<第1実施形態>
以下に、本発明の第1実施形態による吸着部材について、図1ないし図3を参照しつつ詳細に説明する。
図1および図2に示す吸着部材1は、半導体集積回路の製造工程に用いられる露光装置または研削装置等の各種装置において、円板状のシリコンウェハである対象物2を吸着する部材である。吸着部材1に吸着された対象物2は、各種装置において各種処理が施される。例えば、露光装置は、吸着部材1と光源とを備えている。この露光装置は、光源から吸着部材1に吸着された対象物2に対して光を照射することによって、対象物2を露光して配線パターンを形成する。なお、対象物2は、シリコンウェハ以外のウェハであってもよく、例えばSiCウェハであってもよい。また、吸着部材1は、液晶表示装置の製造工程に用いられてもよい。この場合には、対象物2としては四角板状のガラス基板が用いられる。
本実施形態の吸着部材1は、図1ないし図3に示すように、対象物2を吸着する吸着面3を具備した基体4と、吸着面3の少なくとも一部を被覆した被膜5と、基体4を貫通して液体供給部材に接続される流路(図示せず)とを備えている。なお、液体供給部材および吸着部材1は、対象物2を吸着する吸着装置を構成する。
吸着部材1の基体4は、セラミック焼結体からなる。このセラミック焼結体としては、各種セラミック焼結体を用いることができ、中でも、耐摩耗性の観点から、アルミナ質焼結体または炭化珪素質焼結体を用いることが望ましい。セラミック焼結体からなる基体4と水との接触角は、例えば30°以上80°以下である。アルミナ質焼結体からなる基体4と水との接触角は、例えば50°程度である。炭化珪素質焼結体からなる基体4と水との接触角は、例えば60°程度である。基体4と水との接触角は、例えば、KRUSS社製接触角計を用いて、JISR 3257:1999に準じた方法で測定される。
基体4の形状は、例えば対象物2の形状に対応しており、本実施形態においては円板状である。この基体4の厚みは、例えば5mm以上15mm以下である。また、基体4の幅(直径)は、例えば200mm以上500mm以下である。
基体4の吸着面3は、図1ないし図3に示すように、対象物2の形状に対応する環状部6と、環状部6の内側に位置する底面7と、底面7から突出した突起部8とを有している。この吸着面3は、環状部6内で対象物2を複数の突起部8で支持して吸着するものである。対象物2は、後述するように、吸着面3と対象物2との間の空間9に供給される液体10によって吸着される。
環状部6は、空間9を密閉して液体10の蒸発を抑制するシール部材として機能するものである。この環状部6は、吸着面3の外縁にて底面7を取り囲む環状の突出部であり、本実施形態においては円環状である。なお、環状部6は、対象物2と接触することによって液体10の蒸発を抑制してもよいし、対象物2との間に微小な隙間が形成されることによって液体10の蒸発を抑制してもよい。
底面7は、突起部8に支持された対象物2から離れており、対象物2との間に空間9を形成するものである。この底面7は、環状部6の内側にて突起部8の間に配されている。なお、底面7は、平坦であってもよいし、段差を有していてもよい。
突起部8は、頂面11で対象物2を支持するものである。この突起部8は、環状6の内側にて底面7から突出している。本実施形態の突起部8は、円柱状である。この突起部8の高さは、例えば3μm以上10μm以下である。また、突起部8の頂面の幅(直径)は、例えば10μm以上500μm以下である。また、突起部8同士のピッチは、例えば1mm以上5mm以下である。なお、突起部8は、柱状であればよく、例えば四角柱等の多角柱状であってもよい。
被膜5は、吸着面3における底面7の少なくとも一部を被覆しており、突起部8の頂面11を露出している。この被膜5は、底面7に直接接着しているとともに空間9に露出している。そして、被膜5は、液体10に接触する。
被膜5は、基体4よりも親水性の高い膜からなる。このような被膜5は、珪素または酸化珪素からなることが望ましい。一般的に珪素および酸化珪素はセラミック焼結体よりも水との接触角が小さく親水性が高いため、被膜5の親水性を基体4よりも高くすることができる。特に、酸化珪素からなる被膜5を用いることによって、被膜5の親水性をより高めることができる。酸化珪素からなる被膜5の水との接触角は例えば20°程度である。被膜5と水との接触角は、前述した基体4と水との接触角の測定方法と同様の方法によって測定される。なお、被膜5が珪素からなる場合は、被膜5の空間9に露出した表面が酸化していてもよい。
また、被膜5は、基体4よりも親水性の高いものであればよく、珪素または酸化珪素以外の材料からなるものでもよい。この場合の被膜5は、無機物からなることが望ましい。その結果、被膜5として有機物からなるものを用いた場合と比較して、被膜5の摩耗を抑制し、または被膜5と吸着面3との剥離を抑制することができる。これにより、パーティクルの発生を抑制することができるため、対象物2の汚染を抑制することができる。さらに、被膜5として、無機物の酸化物からなるものを用いることが望ましい。その結果、酸化物は一般的に親水性が高いため、被膜5の親水性を高めることができる。
被膜5の厚みは、突起部8の高さよりも小さい。その結果、吸着面3の底面7を被覆した被膜5と突起部8に支持された対象物2との間に空間9が形成される。このような被膜5の厚みは、例えば0.5μm以上2μm以下である。
前述した吸着部材1による対象物2の吸着は例えば以下のように行なわれる。まず、吸着面3に対象物2を載せて、突起部8の頂面11に対象物2を支持させる。この際、吸着面3と対象物2との間の空間9が形成される。次に、液体供給部材から流路を介して空間9に液体10を供給し、底面7上の被膜5および対象物2の双方に液体10を接触させる。この液体10と被膜5および対象物2との接触角が小さいと、液体10が被膜5および対象物2と濡れやすいため、液体5の側面12は、液体10の外側から内側に向かって窪んだ凹形状となる。この凹形状の側面12における表面張力によって、対象物2は吸着面3に吸着される。吸着面3から対象物2を脱着する際には、例えば流路を介して、空間9から液体10を排出する。
このように対象物2の吸着を行なうために、液体10としては、水を用いることが望ましい。水は珪素および酸化珪素との接触角が小さいため、シリコンウェハまたはガラス基板である対象物2と液体10との接触角を十分に小さくし、吸着部材1によって対象物2を吸着することができる。なお、液体10として、水の他に親水性の高い液体を用いることができ、例えばグリコール、エタノールまたはエチレングリコール等のヒドロキシル基を有するアルコールを用いてもよい。
また、液体10の側面12が凹形状となるように、空間9の高さは微小に設定されており、例えば3μm以上10μm以下である。なお、空間9の高さは、突起部8の高さおよび被膜5の厚みを適宜設定することによって、調節することができる。
ここで、本実施形態の吸着部材1は、図2および図3に示すように、底面7の少なくとも一部を被覆しているとともに突起部8の頂面11を露出させている、基体4よりも親水性が高い被膜5を備えている。
その結果、基体4よりも親水性が高い被膜5が底面7の少なくとも一部を被覆していることから、空間9に供給された液体10における気泡の発生を抑制することができる。このため、気泡に起因した対象物2の吸着力の低下を抑制することができる。さらに、基体4の突起部8の頂面11が被膜5から露出しており、この突起部8の頂面11がセラミック焼結体からなることから、突起部8の頂面11の耐摩耗性が被膜5の耐摩耗性よりも高い。したがって、対象物2との接触に起因した突起部8の頂面11からのパーティクルの発生を抑制することができる。このため、このパーティクルの付着に起因した対象物2の汚染を抑制することができる。それ故、対象物2の吸着力に優れ、かつ対象物2の汚染を抑制した吸着部材1を提供することができる。
また、突起部8の頂面11の耐摩耗性が被膜5の耐摩耗性よりも高いため、対象物2との接触に起因した突起部8の頂面11の摩耗が抑制される。これにより、突起部8の頂面11の平坦性を高めることができる。それ故、突起部8に支持された対象物2の歪みを抑制し、ひいては対象物2の処理精度を高めることができる。
また、本実施形態の被膜5は、図2および図3に示すように、突起部8の側面13も露出させている。その結果、被膜5よりも撥水性が高い突起部8の側面13で液体10をはじきやすくし、突起部8の頂面11と対象物2との間に液体10が入り込むことを抑制することができる。それ故、突起部8に支持された対象物2の歪みを抑制し、ひいては対象物2の処理精度を高めることができる。
さらに、本実施形態の被膜5は、図3(a)および(b)に示すように、突起部8の側面13を突起部8の周方向に渡って露出させている。その結果、突起部8の頂面11と対象物2との間に液体10が入り込むことをより抑制することができる。その上、本実施形態の被膜5は、突起部8の側面13を突起部8の高さ方向に渡って露出させている。すなわち、被膜5は、突起部8の側面13を突起部8の全面を露出させている。その結果、突起部8の頂面11と対象物2との間に液体10が入り込むことをより抑制することができる。
また、本実施形態の被膜5は、図3(a)および(b)に示すように、底面7における突起部8の近傍領域14を露出させている。その結果、被膜5よりも撥水性が高い底面7における突起部8の近傍領域14で液体10をはじきやすくし、突起部8の頂面11と対象物2との間に液体10が入り込むことを抑制することができる。さらに、本実施形態の被膜5は、底面7における突起部8の近傍領域14を突起部8の周方向に渡って露出させている。その結果、突起部8の頂面11と対象物2との間に液体10が入り込むことをより抑制することができる。
突起部8と近傍領域14を露出させた被膜5との距離は、50μm以上150μm以下であることが望ましい。その結果、突起部8の頂面11と対象物2との間に液体10が入り込むことを良好に抑制しつつ、被膜5によって底面7における親水性を良好に高めることができる。
また、本実施形態の被膜5は、図3(a)および(b)に示すように、複数の突起部8を取り囲んでいる。すなわち、被膜5は、突起部8に対応した孔を有しており、吸着面3は、突起部8を取り囲む被膜5の形成領域と突起部8に対応した被膜5の非形成領域とを有する。その結果、被膜5を成膜する際に生じる被膜5の内部応力が緩和される。このため、吸着面3と被膜5との間に加わる応力が緩和され、ひいては吸着面3と被膜5との剥離を低減できる。さらに、本実施形態の被膜5は、底面7において突起部8から離れつつ、突起部8を取り囲んでいる。その結果、突起部8の頂面11と対象物2との間に液体10が入り込むことを抑制することができる。また、被膜5と突起部8との接着面積を増やして剥離を抑制するとともに、底面7の被膜5が被覆する領域を増加させて底面7における親水性を良好に高めることができる。
また、本実施形態において、突起部8の頂面11の算術平均粗さ(Ra)は、底面7の算術平均粗さ(Ra)よりも小さいことが望ましい。その結果、突起部8の頂面11においては表面粗さを低減し、頂面11と対象物2との摩擦によって生じるパーティクルを低減できる。また、底面7においては表面粗さを増加させて底面7と被膜5との接着強度を高めることができる。本実施形態においては、頂面11は研磨面であり、底面7はブラスト加工面である。これにより、突起部8の頂面11の算術平均粗さ(Ra)は、底面7の算術平均粗さ(Ra)よりも小さい。頂面11の算術平均粗さ(Ra)は、例えば0.003μm以上0.02μm以下である。また、底面7の算術平均粗さ(Ra)は、例えば0.3μm以上6.3μm以下である。なお、頂面11および底面7の算術平均粗さ(Ra)は、JISB 0601:2001に準じており、例えば、小坂研究所製表面粗さ測定機を用いて測定することができる。
次に、前述した吸着部材1の製造方法について、図4および図5を参照しつつ詳細に説明する。
(1)図4(a)および(b)に示すように、基体4を準備する。具体的には、例えば以下のように行なう。
まず、セラミック粉末に純水と有機バインダーとを加えた後、ボールミルで湿式混合してスラリーを作製する。次に、スラリーをスプレードライにて造粒する。次に、造粒したセラミック粉末を成形して成形体を作製する。次に、成形体を切削加工して所望の形状とする。次に、この成形体を例えば1000℃以上2300℃以下で焼成して焼結体を作製する。次に、この焼結体を切削加工して所望の形状として、図4(a)に示した基体用焼結体15とする。この基体用焼結体15は、対象物2に対応した形状であり、本実施形態においては円板状であるが、吸着面3は形成されていない。
次に、基体用焼結体15の一主面にラップ加工またはポリッシュ加工等の研磨加工を行なって、この一主面を研磨面とする。ラップ加工は、例えば、ダイヤモンド等からなる研磨剤と、鋳鉄等からなるラップ盤とを用いて行なうことができる。次に、突起部となる箇所にブラスト用マスクを配置した上で基体用焼結体15の一主面にブラスト加工を行なう。これにより、図4(b)に示すように、環状部6、底面7および突起部8を有する吸着面3を形成し、基体用焼結体15を基体4とする。この基体4において、突起部8の頂面11は研磨面となり、底面7はブラスト加工面となる。なお、吸着面3を形成する際に、ブラスト加工の代わりにイオンビーム加工を用いてもよい。
以上のようにして、基体4を準備することができる。
(2)図4(c)ないし図5(c)に示すように、基体4の吸着面3上に被膜5を形成して、吸着部材1を作製する。具体的には、例えば以下のように行なう。
まず、図4(c)に示すように、感光性樹脂からなるレジスト16を底面7および突起部8上に塗布する。次に、図5(a)に示すように、フォトリソグラフィ法を用いてレジスト16をパターニングする。これにより、突起部8の頂面11および側面13と底面7の近傍領域14とを被覆するとともに、底面7の少なくとも一部を露出させた成膜用マスク17を形成する。この成膜用マスク17から露出した領域を露出領域18とする。次に、図5(b)に示すように、例えばPVD法、CVD法、蒸着法、イオンプレーティング法またはスパッタリング法等の成膜法を用いて、露出領域18上および成膜用マスク17上に被膜5を成膜する。次に、図5(c)に示すように、成膜用マスク7を吸着面3から機械的に剥離して、成膜用マスク17上の被膜5を除去するとともに、露出領域18上に被膜5を残存させる。
以上のようにして、底面7の少なくとも一部、すなわち露出領域18を被覆するとともに、突起部8の頂面11および側面13と底面7の近傍領域14とを露出した被膜5を形成し、ひいては図に示した吸着部材1を作製することができる。
<第2実施形態>
次に、本発明の第2実施形態による吸着部材を、図6を参照しつつ詳細に説明する。なお、前述した第1実施形態と同様の構成に関しては、記載を省略する。
第2実施形態の吸着部材1は、図6(a)に示すように、第1実施形態の吸着部材1とは被膜5の構成が異なる。本実施形態の被膜5は、突起部8の頂面11を露出させているとともに、突起部8の側面13と底面7における突起部8の近傍領域14とを被覆している。その結果、空間9に供給された液体10における気泡の発生をより抑制することができる。
また、本実施形態の被膜5は、図6(b)に示すように、突起部8の側面13を被覆した一部が突起部8の頂面11から底面7と反対側に向かって突出してなる凸部19を有する。その結果、突起部8に対象物2を載せる際に、突起部8よりも凸部19のヤング率が低く弾性変形して対象物2に加わる応力を緩和する。このため、対象物2におけるクラックの発生を抑制することができる。また、吸着面3に対象物2を吸着する際には、凸部19が弾性変形して対象物2が突起部8と密着する。このため、対象物2の処理精度の低下を抑制できる。なお、被膜5は、凸部19を有していなくてもよい。
本実施形態の被膜5は、以下のようにして形成することができる。まず、前述した工程(1)と同様に基体4を準備する。次に、図6(c)に示すように、例えばPVD法、CVD法、蒸着法、イオンプレーティング法またはスパッタリング法等の成膜法を用いて、底面7ならびに突起部8の頂面11および側面13に被膜5を成膜する。次に、突起部8の頂面11を研磨加工する。これにより、被膜5にて突起部8の頂面11を被覆した一部を除去し、被膜5から突起部8の頂面11を露出させる。この研磨加工の際に、被膜5が珪素または酸化珪素からなると、突起部8よりも被膜5のヤング率が低く弾性変形する。このため、被膜5にて突起部8の側面13を被覆した一部が、突起部8の頂面11から底面7と反対側に向かって突出して、凸部19を形成することができる。特に、研磨加工の際に、研磨量を大きくし、研磨速度を高め、砥粒の平均粒径を大きくすると、凸部19を良好に形成することができる。以上のようにして、図6(a)および(b)に示した被膜5を形成することができる。
本発明は前述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組合せ等が可能である。
例えば、前述した本発明の実施形態においては、被膜5が底面7に直接接着した構成を例に説明したが、被膜5は底面7の少なくとも一部を被覆していればよい。例えば、図7に示すように、吸着部材1は、被膜5と底面7との間に配された介在層20をさらに備えていてもよい。この場合には、被膜5が酸化珪素からなり、介在層20が珪素からなることが望ましい。その結果、酸化珪素からなる被膜5と底面7との接着強度を高めることができる。
1 吸着部材
2 対象物
3 吸着面
4 基体
5 被膜
6 環状部
7 底面
8 突起部
9 空間
10 液体
11 突起部の頂面
12 液体の側面
13 突起部の側面
14 底面における突起部の近傍領域
15 基体用焼結体
16 レジスト
17 成膜用マスク
18 露出領域
19 凸部
20 介在層

Claims (7)

  1. 対象物の形状に対応する環状部、該環状部の内側に位置する底面および該底面から突出した柱状の複数の突起部を有するとともに、前記環状部内で前記対象物を複数の前記突起部で支持して吸着する吸着面を具備したセラミック焼結体からなる基体と、
    基体よりも親水性が高い被膜とを備え、
    該被膜は、前記突起部の頂面および前記突起部の側面に位置せず、前記底面における前記突起部の近傍領域以外の領域に位置し、
    前記突起部の前記頂面の算術平均粗さ(Ra)は前記底面の算術平均粗さ(Ra)よりも小さいことを特徴とする吸着部材。
  2. 請求項1に記載の吸着部材において、
    前記被膜は、珪素または酸化珪素からなることを特徴とする吸着部材。
  3. 請求項1に記載の吸着部材において、
    前記被膜は、無機物からなることを特徴とする吸着部材。
  4. 請求項3に記載の吸着部材において、
    前記被膜は、酸化物からなることを特徴とする吸着部材。
  5. 請求項に記載の吸着部材と、該吸着部材の前記底面と前記対象物との間に液体を供給する液体供給部材とを備えたことを特徴とする吸着装置。
  6. 対象物の形状に対応する環状部、該環状部の内側に位置する底面および該底面から突出した柱状の複数の突起部を有するとともに、前記環状部内で前記対象物を複数の前記突起部で支持して吸着する吸着面を具備したセラミック焼結体からなる基体と、
    素または酸化珪素からなる被膜とを備え、
    該被膜は、前記突起部の頂面および前記突起部の側面に位置せず、前記底面における前記突起部の近傍領域以外の領域に位置し、
    前記突起部の前記頂面の算術平均粗さ(Ra)は前記底面の算術平均粗さ(Ra)よりも小さいことを特徴とする吸着部材。
  7. 請求項に記載の吸着部材と、該吸着部材の前記底面と前記対象物との間に液体を供給する液体供給部材とを備えたことを特徴とする吸着装置。
JP2014554302A 2012-12-25 2013-12-11 吸着部材およびそれを用いた吸着装置 Active JP6141879B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012281259 2012-12-25
JP2012281259 2012-12-25
PCT/JP2013/083171 WO2014103714A1 (ja) 2012-12-25 2013-12-11 吸着部材およびそれを用いた吸着装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2014103714A1 JPWO2014103714A1 (ja) 2017-01-12
JP6141879B2 true JP6141879B2 (ja) 2017-06-07

Family

ID=51020803

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014554302A Active JP6141879B2 (ja) 2012-12-25 2013-12-11 吸着部材およびそれを用いた吸着装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9786538B2 (ja)
EP (1) EP2940724B1 (ja)
JP (1) JP6141879B2 (ja)
WO (1) WO2014103714A1 (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11172569B2 (en) * 2013-12-31 2021-11-09 Tai-Saw Technology Co., Ltd. Strip for an electronic device and manufacturing method thereof
WO2017071900A1 (en) * 2015-10-29 2017-05-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus substrate table and method of loading a substrate
EP3399544B1 (en) * 2017-05-04 2022-04-13 IMEC vzw Selective deposition of dielectric materials
CN109390268B (zh) * 2017-08-10 2023-02-24 台湾积体电路制造股份有限公司 具有微粒凹口的夹盘的晶圆台、处理工具与使用晶圆台的方法
JP7083080B2 (ja) * 2018-01-11 2022-06-10 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置
JP2019151896A (ja) * 2018-03-05 2019-09-12 日本特殊陶業株式会社 SiC部材及びこれからなる基板保持部材並びにこれらの製造方法
JP7166730B2 (ja) * 2018-12-11 2022-11-08 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法
JP7166729B2 (ja) * 2018-12-11 2022-11-08 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法
JP7184621B2 (ja) * 2018-12-12 2022-12-06 株式会社ディスコ 剥離方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000311933A (ja) * 1999-04-27 2000-11-07 Canon Inc 基板保持装置、基板搬送システム、露光装置、塗布装置およびデバイス製造方法ならびに基板保持部クリーニング方法
JP4502746B2 (ja) * 2004-08-26 2010-07-14 京セラ株式会社 液晶基板保持盤とその製造方法
TWI541615B (zh) * 2007-07-13 2016-07-11 瑪波微影Ip公司 在微影裝置中交換晶圓的方法
JP2009060035A (ja) * 2007-09-03 2009-03-19 Shinko Electric Ind Co Ltd 静電チャック部材、その製造方法及び静電チャック装置
JP4418032B2 (ja) * 2007-09-11 2010-02-17 キヤノンアネルバ株式会社 静電チャック
EP2399279B1 (en) 2009-02-22 2018-10-31 Mapper Lithography IP B.V. Substrate support structure, clamp preparation unit, and lithography system
GB2469112A (en) 2009-04-03 2010-10-06 Mapper Lithography Ip Bv Wafer support using controlled capillary liquid layer to hold and release wafer
JP5597524B2 (ja) * 2010-11-29 2014-10-01 京セラ株式会社 載置用部材およびその製造方法
NL2007768A (en) * 2010-12-14 2012-06-18 Asml Netherlands Bv Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder.

Also Published As

Publication number Publication date
US9786538B2 (en) 2017-10-10
EP2940724A1 (en) 2015-11-04
US20150357220A1 (en) 2015-12-10
JPWO2014103714A1 (ja) 2017-01-12
WO2014103714A1 (ja) 2014-07-03
EP2940724A4 (en) 2016-09-14
EP2940724B1 (en) 2020-05-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6141879B2 (ja) 吸着部材およびそれを用いた吸着装置
JP6001675B2 (ja) 載置用部材およびその製造方法
US20090056112A1 (en) Electrostatic chuck member, method of manufacturing the same, and electrostatic chuck device
TWI746645B (zh) 半導體裝置的製造方法和半導體製造裝置
JP2006305713A (ja) 吸着装置、研磨装置、半導体デバイス及び半導体デバイス製造方法
JP2008211098A (ja) 真空吸着装置、その製造方法および被吸着物の吸着方法
JP4782788B2 (ja) 試料保持具とこれを用いた試料吸着装置およびこれを用いた試料処理方法
JP5003015B2 (ja) 基板の研削方法
JP5261057B2 (ja) 吸着盤および真空吸着装置
WO2018020956A1 (ja) 試料保持具
JP2009166150A (ja) ウェハの製造方法
JP2011011303A (ja) Cmpパッドコンディショナ
JP2014090038A (ja) 吸着部材
TWI700148B (zh) 夾盤台、磨削裝置及磨削品的製造方法
KR102338223B1 (ko) 정전 척 장치
JP2007180102A (ja) 吸着体の製造方法及び吸着体
JP2010209371A (ja) 炭素膜被覆部材、炭素膜の形成方法及びcmpパッドコンディショナー
JP2007123411A (ja) 半導体ウェーハ用の固定治具
JP6543525B2 (ja) チャックテーブルの製造方法
JPS6133831A (ja) 真空吸着装置
JP2013531396A (ja) 化学機械研磨中に基板エッジの応力を低減するための基板ホルダ
TW202222498A (zh) 研磨墊
JP2009154246A (ja) ウェーハを吸着させる吸着部の調整方法
TW202242987A (zh) 晶圓的切割方法
WO2019225503A1 (ja) ペリクル枠及びフォトマスク並びにペリクル枠の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20161115

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170213

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20170224

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170404

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170508

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6141879

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150