JP6141620B2 - 上塗り組成物およびフォトリソグラフィ方法 - Google Patents
上塗り組成物およびフォトリソグラフィ方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6141620B2 JP6141620B2 JP2012243368A JP2012243368A JP6141620B2 JP 6141620 B2 JP6141620 B2 JP 6141620B2 JP 2012243368 A JP2012243368 A JP 2012243368A JP 2012243368 A JP2012243368 A JP 2012243368A JP 6141620 B2 JP6141620 B2 JP 6141620B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polymer
- composition
- organic solvent
- photoresist
- topcoat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 136
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 title claims description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 153
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 91
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 51
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 43
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 34
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- GAEKPEKOJKCEMS-UHFFFAOYSA-N gamma-valerolactone Chemical compound CC1CCC(=O)O1 GAEKPEKOJKCEMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 21
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 19
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 claims description 18
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 16
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 claims description 5
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 claims description 4
- 150000001298 alcohols Chemical group 0.000 claims description 3
- OZJPLYNZGCXSJM-UHFFFAOYSA-N 5-valerolactone Chemical group O=C1CCCCO1 OZJPLYNZGCXSJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 67
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 41
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 33
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 27
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 20
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 16
- 239000012527 feed solution Substances 0.000 description 14
- -1 alkylene glycols Chemical class 0.000 description 13
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 11
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- WVYWICLMDOOCFB-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2-pentanol Chemical compound CC(C)CC(C)O WVYWICLMDOOCFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 10
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 8
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 7
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 5
- 239000002585 base Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 5
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 5
- CUDYYMUUJHLCGZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)CO CUDYYMUUJHLCGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- 239000006184 cosolvent Substances 0.000 description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 4
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 4
- FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N ethyl propionate Chemical compound CCOC(=O)CC FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 4
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- QPRQEDXDYOZYLA-UHFFFAOYSA-N 2-methylbutan-1-ol Chemical compound CCC(C)CO QPRQEDXDYOZYLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AQZGPSLYZOOYQP-UHFFFAOYSA-N Diisoamyl ether Chemical compound CC(C)CCOCCC(C)C AQZGPSLYZOOYQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004036 acetal group Chemical group 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 150000008064 anhydrides Chemical group 0.000 description 3
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 3
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 3
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001897 terpolymer Polymers 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical group N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SZNYYWIUQFZLLT-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-(2-methylpropoxy)propane Chemical compound CC(C)COCC(C)C SZNYYWIUQFZLLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFNISBHGPNMTMS-UHFFFAOYSA-N 3-methylideneoxolane-2,5-dione Chemical group C=C1CC(=O)OC1=O OFNISBHGPNMTMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RJUFJBKOKNCXHH-UHFFFAOYSA-N Methyl propionate Chemical compound CCC(=O)OC RJUFJBKOKNCXHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N Propionic acid Chemical class CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M acrylate group Chemical group C(C=C)(=O)[O-] NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical group 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004216 fluoromethyl group Chemical group [H]C([H])(F)* 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 150000003903 lactic acid esters Chemical class 0.000 description 2
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N methyl 2-hydroxypropionate Chemical group COC(=O)C(C)O LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 229940017219 methyl propionate Drugs 0.000 description 2
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 2
- 125000003518 norbornenyl group Chemical class C12(C=CC(CC1)C2)* 0.000 description 2
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 2
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- SJMYWORNLPSJQO-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC(C)(C)C SJMYWORNLPSJQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl prop-2-enoate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)C=C ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- MCJPJAJHPRCILL-UHFFFAOYSA-N (2,6-dinitrophenyl)methyl 4-methylbenzenesulfonate Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1S(=O)(=O)OCC1=C([N+]([O-])=O)C=CC=C1[N+]([O-])=O MCJPJAJHPRCILL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQRTVVANIGOXRF-UHFFFAOYSA-N (2-methyl-1-adamantyl) prop-2-enoate Chemical compound C1C(C2)CC3CC1C(C)C2(OC(=O)C=C)C3 GQRTVVANIGOXRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004169 (C1-C6) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- LJHFIVQEAFAURQ-ZPUQHVIOSA-N (NE)-N-[(2E)-2-hydroxyiminoethylidene]hydroxylamine Chemical class O\N=C\C=N\O LJHFIVQEAFAURQ-ZPUQHVIOSA-N 0.000 description 1
- GYQQFWWMZYBCIB-UHFFFAOYSA-N 1-[diazo-(4-methylphenyl)sulfonylmethyl]sulfonyl-4-methylbenzene Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1S(=O)(=O)C(=[N+]=[N-])S(=O)(=O)C1=CC=C(C)C=C1 GYQQFWWMZYBCIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PHPRWKJDGHSJMI-UHFFFAOYSA-N 1-adamantyl prop-2-enoate Chemical compound C1C(C2)CC3CC2CC1(OC(=O)C=C)C3 PHPRWKJDGHSJMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FFKFRQVYUILJCW-UHFFFAOYSA-N 1-hydroxypyrrolidine-2,5-dione;methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O.ON1C(=O)CCC1=O FFKFRQVYUILJCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPAWHGVDCJWYRJ-UHFFFAOYSA-N 1-hydroxypyrrolidine-2,5-dione;trifluoromethanesulfonic acid Chemical compound ON1C(=O)CCC1=O.OS(=O)(=O)C(F)(F)F QPAWHGVDCJWYRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXSWMAUXEHKFGX-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethylbutan-1-ol Chemical compound CC(C)C(C)CO SXSWMAUXEHKFGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVNIIPIYHHEXQA-UHFFFAOYSA-N 2-(4-methoxynaphthalen-1-yl)-4,6-bis(trichloromethyl)-1,3,5-triazine Chemical compound C12=CC=CC=C2C(OC)=CC=C1C1=NC(C(Cl)(Cl)Cl)=NC(C(Cl)(Cl)Cl)=N1 FVNIIPIYHHEXQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical class CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQWWKHJWGCWUKU-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(2,4-dinitrophenyl)ethyl]benzenesulfonic acid Chemical compound C1=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C1CCC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1[N+]([O-])=O QQWWKHJWGCWUKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYKBUMWQWWRXJN-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(2-nitrophenyl)ethyl]benzenesulfonic acid Chemical compound C1=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C1CCC1=CC=CC=C1[N+]([O-])=O HYKBUMWQWWRXJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004172 4-methoxyphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(OC([H])([H])[H])=C([H])C([H])=C1* 0.000 description 1
- YXZXRYDYTRYFAF-UHFFFAOYSA-M 4-methylbenzenesulfonate;triphenylsulfanium Chemical compound CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 YXZXRYDYTRYFAF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PCWGTDULNUVNBN-UHFFFAOYSA-N 4-methylpentan-1-ol Chemical compound CC(C)CCCO PCWGTDULNUVNBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVHAANQOQZVVFD-UHFFFAOYSA-N 5-methylhexan-1-ol Chemical compound CC(C)CCCCO ZVHAANQOQZVVFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 0 C*CC(C)*CC(C)(C(*)*(C(*)*C)NC)C(OCCNS(C(F)(F)F)(=O)=O)=O Chemical compound C*CC(C)*CC(C)(C(*)*(C(*)*C)NC)C(OCCNS(C(F)(F)F)(=O)=O)=O 0.000 description 1
- HSLZHYJEBCNJJU-UHFFFAOYSA-N CC(C(OC(CC(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)O)C1CCCCC1)=O)=C Chemical compound CC(C(OC(CC(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)O)C1CCCCC1)=O)=C HSLZHYJEBCNJJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CIOPMBLPFVPWRP-UHFFFAOYSA-N CC(C)(C)C(CC(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)O)OC(C(C)=C)=O Chemical compound CC(C)(C)C(CC(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)O)OC(C(C)=C)=O CIOPMBLPFVPWRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRAKMRJKNAQUGB-UHFFFAOYSA-N CC(C)C(CC(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)O)OC(C(C)=C)=O Chemical compound CC(C)C(CC(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)O)OC(C(C)=C)=O FRAKMRJKNAQUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QIYCILUMSACRJN-RMKNXTFCSA-N CC(C)C/C(/OC(C(C)=C)=O)=C\C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)O Chemical compound CC(C)C/C(/OC(C(C)=C)=O)=C\C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)O QIYCILUMSACRJN-RMKNXTFCSA-N 0.000 description 1
- FCUKTJCBCPEZEL-UHFFFAOYSA-N CCC(CC(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)O)OC(C(C)=C)=O Chemical compound CCC(CC(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)O)OC(C(C)=C)=O FCUKTJCBCPEZEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXHKONLOYHBTNS-UHFFFAOYSA-N Diazomethane Chemical class C=[N+]=[N-] YXHKONLOYHBTNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acrylate Chemical compound CCOC(=O)C=C JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- NHTMVDHEPJAVLT-UHFFFAOYSA-N Isooctane Chemical compound CC(C)CC(C)(C)C NHTMVDHEPJAVLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYVQFUJDGOBPQI-UHFFFAOYSA-N Methyl-2-hydoxyisobutyric acid Chemical compound COC(=O)C(C)(C)O XYVQFUJDGOBPQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007877 V-601 Substances 0.000 description 1
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical class C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YPPVLYIFEAESGO-UHFFFAOYSA-N [2,3-bis(methylsulfonyloxy)phenyl] methanesulfonate Chemical compound CS(=O)(=O)OC1=CC=CC(OS(C)(=O)=O)=C1OS(C)(=O)=O YPPVLYIFEAESGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCYQPMGIYRPCBA-UHFFFAOYSA-N [2,3-bis(trifluoromethylsulfonyloxy)phenyl] trifluoromethanesulfonate Chemical compound FC(F)(F)S(=O)(=O)OC1=CC=CC(OS(=O)(=O)C(F)(F)F)=C1OS(=O)(=O)C(F)(F)F DCYQPMGIYRPCBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OIHCCWXZFYNOJS-UHFFFAOYSA-N [2,3-bis-(4-methylphenyl)sulfonyloxyphenyl] 4-methylbenzenesulfonate Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1S(=O)(=O)OC1=CC=CC(OS(=O)(=O)C=2C=CC(C)=CC=2)=C1OS(=O)(=O)C1=CC=C(C)C=C1 OIHCCWXZFYNOJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVLLTVALUYGYIX-UHFFFAOYSA-N [4-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]phenyl]-diphenylsulfanium Chemical compound C1=CC(OC(C)(C)C)=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 QVLLTVALUYGYIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FLVJCWKJUGNAFO-UHFFFAOYSA-N [4-[2-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]-2-oxoethoxy]phenyl]-diphenylsulfanium Chemical compound C1=CC(OCC(=O)OC(C)(C)C)=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 FLVJCWKJUGNAFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QFKJMDYQKVPGNM-UHFFFAOYSA-N [benzenesulfonyl(diazo)methyl]sulfonylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1S(=O)(=O)C(=[N+]=[N-])S(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 QFKJMDYQKVPGNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 125000005073 adamantyl group Chemical group C12(CC3CC(CC(C1)C3)C2)* 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 125000005250 alkyl acrylate group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005011 alkyl ether group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 125000004218 chloromethyl group Chemical group [H]C([H])(Cl)* 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000000994 contrast dye Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 238000010511 deprotection reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVSWJIKNEAIKJW-UHFFFAOYSA-N dimethyl-hexane Natural products CCCCCC(C)C JVSWJIKNEAIKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N dipropylamine Chemical compound CCCNCCC WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N doxepin Chemical compound C1OC2=CC=CC=C2C(=C/CCN(C)C)/C2=CC=CC=C21 ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 1
- UHKJHMOIRYZSTH-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-ethoxypropanoate Chemical compound CCOC(C)C(=O)OCC UHKJHMOIRYZSTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 125000003784 fluoroethyl group Chemical group [H]C([H])(F)C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000001165 hydrophobic group Chemical group 0.000 description 1
- ZHUXMBYIONRQQX-UHFFFAOYSA-N hydroxidodioxidocarbon(.) Chemical group [O]C(O)=O ZHUXMBYIONRQQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AQYSYJUIMQTRMV-UHFFFAOYSA-N hypofluorous acid Chemical group FO AQYSYJUIMQTRMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- PHTQWCKDNZKARW-UHFFFAOYSA-N isoamylol Chemical compound CC(C)CCO PHTQWCKDNZKARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000468 ketone group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229940057867 methyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 125000000325 methylidene group Chemical group [H]C([H])=* 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- GNVRJGIVDSQCOP-UHFFFAOYSA-N n-ethyl-n-methylethanamine Chemical compound CCN(C)CC GNVRJGIVDSQCOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000002101 nanobubble Substances 0.000 description 1
- 125000006502 nitrobenzyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N pent‐4‐en‐2‐one Natural products CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JGTNAGYHADQMCM-UHFFFAOYSA-N perfluorobutanesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F JGTNAGYHADQMCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920000233 poly(alkylene oxides) Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920002959 polymer blend Polymers 0.000 description 1
- 239000005076 polymer ester Substances 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000007761 roller coating Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229940124530 sulfonamide Drugs 0.000 description 1
- 150000003456 sulfonamides Chemical class 0.000 description 1
- 150000003871 sulfonates Chemical class 0.000 description 1
- 150000003459 sulfonic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 150000005622 tetraalkylammonium hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 1
- TUODWSVQODNTSU-UHFFFAOYSA-M trifluoromethanesulfonate;tris[4-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]phenyl]sulfanium Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1=CC(OC(C)(C)C)=CC=C1[S+](C=1C=CC(OC(C)(C)C)=CC=1)C1=CC=C(OC(C)(C)C)C=C1 TUODWSVQODNTSU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 1
- FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M triphenylsulfonium triflate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D133/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D133/04—Homopolymers or copolymers of esters
- C09D133/14—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing halogen, nitrogen, sulfur or oxygen atoms in addition to the carboxy oxygen
- C09D133/16—Homopolymers or copolymers of esters containing halogen atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L33/04—Homopolymers or copolymers of esters
- C08L33/14—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing halogen, nitrogen, sulfur, or oxygen atoms in addition to the carboxy oxygen
- C08L33/16—Homopolymers or copolymers of esters containing halogen atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D141/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a bond to sulfur or by a heterocyclic ring containing sulfur; Coating compositions based on derivatives of such polymers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D201/00—Coating compositions based on unspecified macromolecular compounds
- C09D201/005—Dendritic macromolecules
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
- C08L2205/02—Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group
- C08L2205/025—Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group containing two or more polymers of the same hierarchy C08L, and differing only in parameters such as density, comonomer content, molecular weight, structure
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
本発明の上塗り組成物はポリマーシステムと溶媒システムとを含む。このポリマーシステムはマトリックスポリマーおよび表面活性ポリマーとを含み、かつ1種以上の追加のポリマーを含むことができる。表面活性ポリマーはポリマーシステムにおける他のポリマーよりも低い表面エネルギーを有するべきである。溶媒システムはガンマ−ブチロラクトンおよび/またはガンマ−バレロラクトンから選択される第1の有機溶媒と、第2の有機溶媒とを含み、かつ追加の溶媒を含んでいても良い。第1の有機溶媒は表面活性ポリマーの表面エネルギーよりも高い表面エネルギーを有し、かつ溶媒システムにおける第2の有機溶媒およびあらゆる他の溶媒の沸点よりも高い沸点を有する。
が挙げられる。
が挙げられる。
本発明において有用なフォトレジスト組成物には、酸感受性であるマトリックスポリマーを含む化学増幅型フォトレジスト組成物が挙げられ、この酸感受性とは、ソフトベーク、活性化放射線への露光および露光後ベークの後で光酸発生剤によって生じた酸との反応の結果として、フォトレジスト組成物の層の一部として、ポリマーおよび組成物層が有機現像剤中での溶解度の変化を受けることを意味する。レジスト配合物はポジ型またはネガ型であることができるが、典型的にはポジ型である。ポジ型フォトレジストにおいては、この溶解度の変化は典型的には、マトリックスポリマーにおける光酸不安定エステルもしくはアセタール基のような酸不安定基が活性化放射線への露光および熱処理における光酸促進脱保護反応を受ける場合に、もたらされる。本発明に有用な適切なフォトレジスト組成物は市販されている。
液体フォトレジスト組成物は、例えば、スピンコーティング、ディッピング、ローラーコーティングまたは他の従来のコーティング技術により基体に適用されることができ、スピンコーティングが典型的である。スピンコーティングの場合、コーティング溶液の固形分含有量は、使用される具体的なスピニング装置、溶液の粘度、スピナーの速度およびスピニングされる時間に基づいて、所望の膜厚を提供するように調節されうる。
次の非限定的な実施例は本発明の例示である。
マトリックスポリマー合成
容器内で118.44gのメチルイソブチルカルビノール(MIBC)、78.98gのモノマーAおよび8.78gのモノマーBを一緒にし、そしてこの混合物を攪拌してこれら2種類のモノマーを溶解させることによりモノマーフィード溶液が製造された。適切な容器中で2.63gのVazo(商標)67フリーラジカル開始剤(E.I.デュポンde Nomours and Company)および85.06gのMIBKを一緒にし、そしてこの混合物を攪拌してこの開始剤を溶解させることにより、開始剤フィード溶液が製造された。206.13gのMIBCは反応容器に導入され、そしてこの容器は窒素ガスで30分間にわたってパージされた。次いで、反応容器は攪拌しつつ97℃に加熱された。反応容器へのモノマーフィード溶液および開始剤フィード溶液の導入は同時に開始された。モノマーフィード溶液は2時間の期間にわたって供給され、そして、開始剤フィード溶液は3時間の期間にわたって供給された。この反応容器は97℃でさらに2時間、攪拌しつつ維持され、次いで、室温まで冷却された。それにより、モノマーA/Bの90/10(重量%)ランダムコポリマーが形成された。このコポリマーの重量平均分子量(Mw)は9,359ダルトンであった。
容器内で4125.0gのモノマーD、1875.0gのモノマーE、1500.0gのモノマーFおよび1052.9gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート(PGMEA)を一緒にすることによりモノマーフィード溶液が製造された。この混合物は攪拌されてこれらモノマーを溶解させた。容器中で269.7gのWako(ワコー)V−601開始剤および2427.4gのPGMEAを一緒にすることにより、開始剤フィード溶液が製造された。この混合物は攪拌されてこの開始剤を溶解させた。3750.0gのPGMEAが反応容器に導入され、そしてこの容器は窒素ガスで30分間にわたってパージされた。次いで、反応容器は攪拌しつつ99℃に加熱された。反応容器へのモノマーフィード溶液および開始剤フィード溶液の導入は同時に開始され、2時間の期間にわたって続けられた。この反応容器は99℃でさらに2時間維持された。次いで、反応混合物は室温まで冷却された。それにより、モノマーD/E/Fの55/25/20(重量%)ターポリマーが形成された。このコポリマーの重量平均分子量(Mw)は11,905ダルトンであった。
容器内で49.22gのモノマーCおよび49.22gのDI水が一緒にされた。この混合物は攪拌されてモノマーCを溶解させ、モノマーC溶液を形成させた。容器中で935.15gのモノマーB、98.44gのモノマーC溶液および842.94gのPGMEを一緒にし、そしてこの混合物を攪拌してモノマーBを溶解させることによりモノマーフィード溶液が製造された。容器中で14.77gのVazo(商標)67フリーラジカル開始剤および132.89gのPGMEを一緒にし、そしてこの混合物を攪拌してこの開始剤を溶解させることにより、開始剤フィード溶液が製造された。975.83gのPGMEが反応容器に導入され、そしてこの容器は窒素ガスで30〜60分間にわたってパージされた。この反応容器は攪拌しつつ97℃に加熱された。この反応容器の温度が97℃に安定化した後で、この反応容器へのモノマーフィード溶液および開始剤フィード溶液の導入は同時に開始され、1.5時間の期間にわたって行われた。この反応容器は97℃でさらに4時間維持され、次いで、35℃まで冷却された。真空がこの反応容器に適用されて、PGME溶媒を除いた。反応混合物の〜40%を真空で除去した後で、真空が除かれ、そして反応混合物が室温まで冷却させられた。この反応混合物は容器内の18LのDI水に、攪拌しつつ、20〜30分間にわたって添加され、ポリマーを沈殿させた。添加完了後10分間にわたって攪拌が続けられた。得られたポリマースラリーはブフナー漏斗で濾別され、2LのDI水で2回洗浄された。得られたポリマーケーキが取り出され、真空ドライヤーで24〜48時間にわたって40℃で乾燥させられた。乾燥したポリマーは、次いで、MIBCに溶かされた。それにより、モノマーB/Cの95/5(重量%)ランダムコポリマーが形成された。このコポリマーの重量平均分子量(Mw)は25,800ダルトンであった。
以下の材料が使用されて、実施例における上塗り組成物を製造した。
1)マトリックスポリマー溶液:4−メチル−2−ペンタノール中のモノマーA/Bの90/10(重量%)ランダムコポリマー;ポリマー濃度=14.5重量%、Mw=8,500〜12,000ダルトン。
2)表面活性ポリマー溶液:PGMEA中のモノマーD/E/Fの55/25/20(重量%)ターポリマー;ポリマー濃度=52.12重量%、Mw=8,500〜13,500ダルトン。
3)追加ポリマー溶液:4−メチル−2−ペンタノール中のモノマーB/Cの95/5(重量%)ランダムコポリマー;ポリマー濃度=24.45重量%、Mw=21,000〜29,000ダルトン。
4)PAG溶液:4−メチル−2−ペンタノール中の1重量%の(4−(2−(tert−ブトキシ)−2−オキソエトキシ)フェニル)ジフェニルスルホニウムペルフルオロブチルスルホナート。
上塗り組成物はEPIC(商標)2096ポジティブフォトレジスト(ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズ)上に1100Åの厚さでコーティングされ、次いで90℃で60秒間ベークされた。DI水に関する静的接触角(CA)、後退CA、前進CAおよび転落角が各サンプルについて測定された。静的および動的接触角はKRUSS(クルス)ドロップシェイプ分析装置モデル100を用いて測定された。動的接触角測定のために、DI水の液滴サイズは50μl(マイクロリットル)であり、およびウェハステージ傾斜速度は1ユニット/秒であった。水滴が試験ウェハ表面に配置された後で、ウェハステージは直ちに傾斜を開始した。ウェハステージが傾斜している際に、液滴がその元の位置から滑り落ちるまで、液滴のビデオが20フレーム/秒の速度で撮られた。次いで、ビデオの各フレームが分析され、液滴がちょうど滑り始めるときのフレーム上の液滴の像が、その対応する接線によって、動的接触角(後退および前進)を決定するために使用された。転落(sliding)角は液滴がちょうど滑り始めたときのフレームに対応するウェハステージ傾斜角である。静的接触角測定においては、水滴は2.5μlであり、かつ傾斜していない試験ウェハ表面上に配置される。接触角は液滴の両側の接線によって決定された。報告される静的接触角は液滴の左および右側からの接触角の平均であった。結果は表2に示される。
共溶媒(cosolvent)の動的表面張力がケムダインリサーチコーポレーション(Chem−Dyne Research Corp.)からのサンサダイン(Sansadyne)表面張力計を用いて測定された。この張力計は低表面張力標準としてエタノール(200プルーフ)および高表面張力標準としてDI水を使用して較正された。較正および測定は室温(20〜21℃)で行われた。較正標準および共溶媒をはじめとする全ての材料は測定の際に室温と平衡化した温度であった。共溶媒動的表面張力は、バブルエイジ(bubble age)(これは、表面張力測定の期間(timeframe)の測定である)の関数として表された。結果は表3に示され、これは200〜250msの期間におけるジプロピレングリコールメチルエーテル(DPGME)、ガンマ−ブチロラクトンおよびガンマ−バレロラクトン共溶媒についての平均表面張力値、並びに沸点を提示する。
実施例16〜20
TEL CLEAN TRACK LITHIUS(テルクリーントラックリシウス)i+コータ/デベロッパにおいて、300mmシリコンウェハがAR(商標)26N反射防止剤(ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズ)でスピンコートされ、第1の反射防止膜(BARC)を形成した。このウェハは205℃で60秒間にわたってベークされ、760Åの厚さの第1のBARC膜厚さを生じさせた。この第1のBARC上に、AR(商標)137反射防止剤(ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズ)をスピンコートすることによって第2のBARC層が形成され、次いで、205℃で60秒間にわたってベークされて、200Åの上部BARC層を生じさせた。TEL CLEAN TRACK LITHIUS i+コータ/デベロッパにおいて、この二重BARCコートウェハ上にEPIC(商標)2096ポジティブフォトレジスト(ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズ)がコーティングされ、120℃で60秒間にわたってソフトベークされて、1100Åのレジスト層厚さを提供した。TEL CLEAN TRACK LITHIUS i+コータ/デベロッパにおいて、このフォトレジストの上に実施例3、6および7の上塗り組成物がコーティングされ、そして90℃で60秒間にわたってソフトベークされて、310Åの厚さの上塗りを提供した。これらウェハは、ASML TWINSCAN XT:1900i液浸スキャナにおいて、ダイポール(dipole;35−Y)照明、1.35NA、0.96アウターシグマ、0.76インナーシグマ、X偏光および42nm1:1ラインスペースパターンを用いて、マスクを通して露光された。露光されたウェハは、TEL CLEAN TRACK(商標)LITHIUS(商標)i+コータ/デベロッパにおいて、90℃で60秒間にわたって露光後ベークされ、次いでTMAH現像剤(2.38%)で現像されて、レジストパターンを形成した。
Claims (10)
- 液浸リソグラフィグラフィにおける使用のための上塗り組成物であって、
当該組成物が、
マトリックスポリマーと表面活性ポリマーとを含むポリマーシステム、並びに
ガンマ−バレロラクトンである第1の有機溶媒と、第2の有機溶媒とを含む溶媒システム
を含み;
前記マトリックスポリマーが前記表面活性ポリマーよりも大きな重量比で当該組成物中に存在し、
前記表面活性ポリマーが前記マトリックスポリマーの表面エネルギーよりも低い表面エネルギーを有し、
前記第1の有機溶媒が前記表面活性ポリマーの表面エネルギーよりも高い表面エネルギーを有し、並びに
前記第1の有機溶媒が前記第2の有機溶媒の沸点より高い沸点を有する;
上塗り組成物。 - 液浸リソグラフィグラフィにおける使用のための上塗り組成物であって、
当該組成物が、
マトリックスポリマーと表面活性ポリマーとを含むポリマーシステム、並びに
ガンマ−ブチロラクトンおよび/またはガンマ−バレロラクトンから選択される第1の有機溶媒と、第2の有機溶媒とを含む溶媒システム
を含み;
前記マトリックスポリマーが前記表面活性ポリマーよりも大きな重量比で当該組成物中に存在し、
前記表面活性ポリマーが前記マトリックスポリマーの表面エネルギーよりも低い表面エネルギーを有し、
前記第1の有機溶媒が前記表面活性ポリマーの表面エネルギーよりも高い表面エネルギーを有し、
前記第1の有機溶媒が前記第2の有機溶媒の沸点より高い沸点を有し;並びに
前記表面活性ポリマーが1以上の酸不安定基を含む;
上塗り組成物。 - 前記第1の有機溶媒がガンマ−ブチロラクトンである請求項2に記載の上塗り組成物。
- 前記第1の有機溶媒がガンマ−バレロラクトンである請求項2に記載の上塗り組成物。
- 前記第1の有機溶媒が前記溶媒システムを基準にして1〜10重量%の量で存在している請求項1〜4のいずれか1項に記載の上塗り組成物。
- 前記第1の有機溶媒が前記上塗り組成物中の第2の有機溶媒および他の溶媒の沸点よりも高い沸点を有する請求項1〜5のいずれか1項に記載の上塗り組成物。
- 前記第2の有機溶媒がアルコール、アルキルエーテル、アルカンおよびこれらの組み合わせから選択される請求項1〜6のいずれか1項に記載の上塗り組成物。
- 前記表面活性ポリマーが1以上のフッ素化基を含む請求項1〜7のいずれか1項に記載の上塗り組成物。
- 基体上のフォトレジスト層;および
前記フォトレジスト層上の請求項1〜8のいずれか1項の上塗り組成物の層;
を含むコーティングされた基体。 - (a)基体上にフォトレジスト層を適用し;
(b)前記フォトレジスト組成物層上に請求項1〜8のいずれか1項の上塗り組成物の層を適用し;
(c)前記フォトレジスト層を化学線に露光し;並びに
(d)露光されたフォトレジスト層を現像剤と接触させてフォトレジストパターンを形成する;
ことを含む、フォトリソグラフィパターンを形成する方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161556324P | 2011-11-07 | 2011-11-07 | |
US61/556,324 | 2011-11-07 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013127610A JP2013127610A (ja) | 2013-06-27 |
JP6141620B2 true JP6141620B2 (ja) | 2017-06-07 |
Family
ID=48200755
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012243368A Active JP6141620B2 (ja) | 2011-11-07 | 2012-11-05 | 上塗り組成物およびフォトリソグラフィ方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9063425B2 (ja) |
JP (1) | JP6141620B2 (ja) |
KR (1) | KR102028937B1 (ja) |
CN (1) | CN103087606B (ja) |
TW (1) | TWI528114B (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11846885B2 (en) | 2013-12-30 | 2023-12-19 | Rohm And Haas Electronic Materials, Llc | Topcoat compositions and photolithographic methods |
TWI582536B (zh) * | 2014-10-31 | 2017-05-11 | 羅門哈斯電子材料有限公司 | 圖案形成方法 |
JP6134367B2 (ja) * | 2014-10-31 | 2017-05-24 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | フォトレジスト保護膜組成物 |
US20160130462A1 (en) * | 2014-11-07 | 2016-05-12 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Topcoat compositions and photolithographic methods |
CN106324998B (zh) * | 2015-07-01 | 2019-07-02 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光刻图形的形成方法 |
US9957339B2 (en) | 2015-08-07 | 2018-05-01 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Copolymer and associated layered article, and device-forming method |
US9815930B2 (en) | 2015-08-07 | 2017-11-14 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Block copolymer and associated photoresist composition and method of forming an electronic device |
TWI643916B (zh) * | 2015-09-30 | 2018-12-11 | 羅門哈斯電子材料韓國公司 | 用於光微影之罩面層組合物及方法 |
CN105334697B (zh) * | 2015-12-08 | 2019-10-11 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 光刻胶组合物及彩色滤光片的制作方法 |
US10042259B2 (en) * | 2016-10-31 | 2018-08-07 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Topcoat compositions and pattern-forming methods |
US10197918B2 (en) | 2016-10-31 | 2019-02-05 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Photoresist topcoat compositions and methods of processing photoresist compositions |
US10684549B2 (en) * | 2016-12-31 | 2020-06-16 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Pattern-formation methods |
US11086220B2 (en) * | 2017-10-31 | 2021-08-10 | Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. | Underlayer coating compositions for use with photoresists |
JP6730417B2 (ja) * | 2017-12-31 | 2020-07-29 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | フォトレジスト組成物および方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4840554B2 (ja) * | 2001-09-13 | 2011-12-21 | 日産化学工業株式会社 | 反射防止膜の表面エネルギーの調整方法 |
KR100598176B1 (ko) | 2004-07-06 | 2006-07-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 상부 반사방지막 중합체, 이의 제조방법 및 이를 함유하는상부 반사방지막 조성물 |
JP2006051469A (ja) * | 2004-08-16 | 2006-02-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | ドライレジスト感光材料の製造方法およびドライレジスト感光材料 |
WO2006035790A1 (ja) | 2004-09-30 | 2006-04-06 | Jsr Corporation | 共重合体および上層膜形成組成物 |
EP1720072B1 (en) * | 2005-05-01 | 2019-06-05 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Compositons and processes for immersion lithography |
KR100640643B1 (ko) | 2005-06-04 | 2006-10-31 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트용 탑 코팅 조성물과 이를 이용한포토레지스트 패턴 형성 방법 |
TWI598223B (zh) | 2006-03-10 | 2017-09-11 | 羅門哈斯電子材料有限公司 | 用於光微影之組成物及製程 |
US8895229B2 (en) | 2006-10-13 | 2014-11-25 | Jsr Corporation | Composition for formation of upper layer film, and method for formation of photoresist pattern |
US20080311530A1 (en) * | 2007-06-15 | 2008-12-18 | Allen Robert D | Graded topcoat materials for immersion lithography |
JP2009122325A (ja) * | 2007-11-14 | 2009-06-04 | Fujifilm Corp | トップコート組成物、それを用いたアルカリ現像液可溶性トップコート膜及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP5503916B2 (ja) * | 2008-08-04 | 2014-05-28 | 富士フイルム株式会社 | レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP5277128B2 (ja) * | 2008-09-26 | 2013-08-28 | 富士フイルム株式会社 | 液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
EP2204694A1 (en) * | 2008-12-31 | 2010-07-07 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Compositions and processes for photolithography |
EP2204392A1 (en) * | 2008-12-31 | 2010-07-07 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Compositions and processes for photolithography |
JP5647793B2 (ja) * | 2009-03-30 | 2015-01-07 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、及びそれを用いたパターン形成方法 |
WO2011034099A1 (ja) * | 2009-09-15 | 2011-03-24 | Jsr株式会社 | 上層膜形成組成物及びフォトレジストパターンの形成方法 |
US9223217B2 (en) | 2010-02-19 | 2015-12-29 | International Business Machines Corporation | Sulfonamide-containing topcoat and photoresist additive compositions and methods of use |
WO2011118644A1 (ja) * | 2010-03-23 | 2011-09-29 | Jsr株式会社 | 上層膜形成用組成物及びレジストパターン形成方法 |
US9122159B2 (en) | 2011-04-14 | 2015-09-01 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Compositions and processes for photolithography |
-
2012
- 2012-11-05 JP JP2012243368A patent/JP6141620B2/ja active Active
- 2012-11-07 TW TW101141263A patent/TWI528114B/zh active
- 2012-11-07 US US13/671,528 patent/US9063425B2/en active Active
- 2012-11-07 KR KR1020120125571A patent/KR102028937B1/ko active IP Right Grant
- 2012-11-07 CN CN201210595814.5A patent/CN103087606B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9063425B2 (en) | 2015-06-23 |
US20130115553A1 (en) | 2013-05-09 |
CN103087606B (zh) | 2016-01-20 |
CN103087606A (zh) | 2013-05-08 |
TWI528114B (zh) | 2016-04-01 |
TW201327060A (zh) | 2013-07-01 |
JP2013127610A (ja) | 2013-06-27 |
KR102028937B1 (ko) | 2019-10-07 |
KR20130050265A (ko) | 2013-05-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6141620B2 (ja) | 上塗り組成物およびフォトリソグラフィ方法 | |
JP6034588B2 (ja) | フォトリソグラフィのための組成物および方法 | |
JP6423941B2 (ja) | トップコート組成物及びパターン形成方法 | |
KR101723417B1 (ko) | 탑코트 조성물 및 포토리소그래피 방법 | |
JP2016091036A (ja) | トップコート組成物及びフォトリソグラフィー方法 | |
JP2016212420A (ja) | フォトレジストトップコート組成物及びフォトレジスト組成物を処理する方法 | |
JP6971280B2 (ja) | フォトレジストトップコート組成物およびフォトレジスト組成物を加工する方法 | |
TWI707925B (zh) | 光阻面塗層組合物及處理光阻組合物之方法 | |
KR102314297B1 (ko) | 포토레지스트 탑코트 조성물 및 포토레지스트 조성물의 처리 방법 | |
KR102017647B1 (ko) | 포토레지스트 탑코트 조성물 및 포토레지스트 조성물을 가공하는 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151022 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160727 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160816 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161116 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170427 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170508 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6141620 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |