JP6141223B2 - 受光素子モジュールおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、実施の形態1による受光素子モジュールを受光面側から見た平面図であり、図2は、実施の形態1による受光素子モジュールを裏面側から見た平面図である。図3は、実施の形態1の受光素子モジュールを構成する受光素子及び素子間接続体との位置関係を模式的に示す斜視図であり、素子間接続体を接続する前の状態を素子と素子間接続体に接続された受光素子を裏面側から見た状態を示すものである。図4(a)は、実施の形態1で用いられる背面接続型の受光素子を裏面側から見た平面図、図4(b)は、図4(a)のA−B断面図である。図5(a)は、実施の形態1の受光素子と接着層との位置関係の一例を示す平面図、図5(b)は、図5(a)のA−B断面図である。図6は、実施の形態1で用いられる素子間接続体の第1層を示す平面図である。図7(a)は、実施の形態1で用いられる背面接続型の受光素子と素子間接続体の第1層の位置関係を示す平面図である。図7(b)は、実施の形態1で用いられる背面接続型の受光素子と素子間接続体の第1層の位置関係を示す平面図である。図8(a)〜図8(d)は、実施の形態1の受光素子モジュールに用いられる素子間接続体を示す図であり、図8(a)は平面図、図8(b)は図8(a)のE−F断面図、図8(c)は図8(a)のE’−F’断面図、図8(d)は図8(a)のG−H断面図である。図9(a)〜図9(c)は、実施の形態1の受光素子への素子間接続体の接続工程を示す工程断面図であり、図9(b),(c)は素子間接続体付き受光素子となっており、図1及び図2のA−B断面図である。図10は、実施の形態1の受光素子モジュールを示す断面図であり、図1と図2のC−D断面図である。図11は、この受光素子モジュールの実装工程を示すフローチャート図であり、図12(a)〜図12(c)、図13(a)〜図13(b)、図14(a)〜図14(b)は、実施の形態1の受光素子モジュールの実装工程を示す工程説明図である。なお、図1、図2、図7(a)、図8(a)〜図8(d)では、見易さのため素子封止材、フレーム、ジャンクションボックス(接続箱)、及び図1、図2、図7(a)では受光面と裏面に用いられるモジュール主面材の図示を省略している。受光素子10は、ストリング上の位置によって10a〜10fということもある。
ここでは、まず、受光素子を素子間接続体で接続した受光素子モジュールの構造について説明した後、受光素子の構造について説明し、そして受光素子間を接続する素子間接続体の構造について説明する。
裏面側の封止材22から出た電流引き出し線38は、ジャンクションボックス中の導線と接続されて、ジャンクションボックスに接続されたケーブルを通じて受光素子モジュール1の外部に取り出せるようにすることにより、受光素子モジュール1となる。
線状電極12のパターンは、ドーピングによって形成される接合かヘテロ接合や基板抵抗などによって異なるが、たとえば0.05〜0.5mm程度の幅で所定の方向に延在する直線形状部が、0.2〜2.5mmの周期で電極の延在方向とは直交する方向に配置される構造を有する。集電電極14のパターンも、ドーピングによって形成される接合かヘテロ接合かなどによって異なるが、たとえば幅0.2〜2mm程度の幅で所定の方向に延在する直線形状部が、0.2〜2.5mmの周期で電極の延在方向とは直交する方向に配置される構造を有する。
そして素子間接続体と素子電極との間の接続に際して、このような素子裏面電極は、素子の同一面に正極と負極を有するため、電極間を絶縁する必要がある。このために、図5(a)及び図5(b)に示すように、素子の電流取り出し電極15の一部のみを除き、主に集電電極14を覆い、線状電極12,電流取り出し電極13の大部分は外部に露出するように接着層26を形成する。この際、接着層26は線状電極12の上に一部重なっても良い。接着層26の形成に際しては、一旦、素子裏部分(本体部)32Aと素子基板11との間の予定されるギャップよりも厚く接着層26を形成しておき、その後で素子裏部分(本体部)32Aを素子基板11に押しつけて接着層26を横方向に広げる方法を用いることができる。この場合、接着層26の幅は集電電極14の線幅より細く形成され、素子裏部分(本体部)32Aが接続される際に広がり、図5(b)のような形状になる。
このような樹脂フィルムを用いた場合、線状電極12と素子間接続体30の素子裏部分(本体部)32Aの電気的接続を妨げない一方で、集電電極14と素子間接続体の素子裏部分(本体部)32Aとの絶縁を保つことができる。あるいは、あらかじめ素子間接続体の素子裏部分(本体部)32Aに集電電極14と同等の形状の樹脂を塗布しておき、それ以外の部分にはんだペーストを塗布しておいて、これを裏面の線状電極12、電流取り出し電極13と素子間接続体30との電気接続体21としても良い。この場合、この電気接続体21の融点に対して、これ以降に用いる電気接続体33の融点がより低い方が電気接続体21の再溶融に伴う位置ずれなどを生じずにすむため好ましい。また、その一方で接着層26の溶融温度は電気接続体21の融点より高い方が望ましい。これにより、接着工程で、接着層26を溶融温度以下に保つことで、再溶融などが生じるのを防ぐことができる。
接続プロセス1は素子ストリングの延在方向に沿って次の受光素子10を接続する場合である。あらかじめ素子裏部分(本体部)32Aが接続された受光素子10bをホットプレート上に配置し、その素子裏部分(本体部)32A部分に対し、上記受光素子10aの電流取り出し電極15に接続された素子間接続体30の素子間接続部31が重なるように配置する(図12(b))。新たな素子間接続体30の素子間接続部31を受光素子10bの電流取り出し電極15の上に配置し(図12(c)、ステップS1に戻った状態)、受光素子10aをホットプレートから外してホットプレート上には主に受光素子10b部分のみが載った状態にして、受光素子10b上の素子間接続体の外側部分32Bに下向きの圧力を加えながら再びホットプレートの温度を140〜200℃程度まで上昇させてから再び100℃程度まで温度を下げることによって、素子間接続体30の片面を被覆しているはんだを素子の裏面電極に融着させ、素子間接続体の素子裏部分(本体部)32Aと外側部分32Bとを、電気接続体33で接続する。このように前回の受光素子10aをホットプレート上から逃がすことによって、ホットプレートとともに新しい受光素子10bを加熱しても受光素子10aのはんだがはずれることがなくなる。この際、受光素子10aを冷却していても良い。なお、上記では大気圧下でゴムなどで圧力を加えたが、加熱真空ラミネータを用いるとなお良い。ここでまた、ステップS2となる。
接続プロセス2は素子ストリングの延在方向とは異なる方向に受光素子10を接続する場合である。この場合には、ステップS1で、まず、ストリングの折り返し地点の受光素子10cを素子間接続体30の外側部分32Bの下に配置し、図13(a)のように配置する。このとき、受光素子10cと素子間接続体30とはまだ加熱されておらず、接着していない。次に、はんだコートされたストリング間接続体34を基板上の電流取り出し電極15に重ねて配置する。この際、ストリング間接続体34には、既に記載したようにあらかじめ素子接続体30eが接続されており、素子列は図13(b)に示すようになる。
接続プロセス3は、受光素子モジュール1の他方の端部の受光素子10fを接続する場合である。この場合には、あらかじめ素子接続体30eの素子裏部分(本体部)32Aが接続された受光素子10fを受光面がホットプレート側になるようにホットプレート上に配置する。図14(a)に示される、あらかじめ受光素子10eの電流取り出し電極15に接続された素子間接続体の外側部分32Bを、受光素子10fと重なるように配置する(図14(b))。
実施の形態1では、素子間接続部31と、素子の裏面に接続される本体部32とが一体構造である素子間接続体30を用いて素子間を接続した場合について述べたが、本実施の形態2における受光素子モジュールは、素子間接続体として、図15及び図16(a)に示すように、本体部132と、この本体部132に重ねられるフィンガー状の素子間接続部131とで構成される別体型の素子間接続体130を用いたことを特徴とするものである。本実施の形態2の素子間接続体は、本体部132は単層構造とし、素子間接続部131をフィンガー根元部131aとフィンガー131bとからなるフィンガー状にし、フィンガー131bで本体部132の裏面側を支持した構造をなすものである。
図22は、実施の形態3による受光素子モジュールを受光面側から見た平面図であり、図23は、実施の形態3による受光素子モジュールを裏面側から見た平面図である。図24(a)〜図24(e)は、素子間接続体を示す図である。図24(a)及び図24(b)は、ストリング端以外に相当する部分の素子間接続体及びその要部拡大図であり、図24(b)は、図23及び図24(a)のO1部分の拡大図である。図24(c)及び図24(d)は、ストリングの折り返し部の素子間接続体及びその要部拡大図であり、図24(d)は、図23及び図24(c)のO2部分の拡大図である。図24(e)は、その断面図である。図25(a)は、実施の形態3で用いられる受光素子を示す平面図、図25(b)は、受光素子10の電極形成のためのコンタクト位置を示す図である。図26は、実施の形態3の素子基板上の電極と絶縁層との接触形状の一例を示す平面図であり、できあがりの素子間接続体付き受光素子を裏面(非受光面)側から素子間接続体を透過して見た場合の透視図である。図27(a)は、実施の形態3の受光素子モジュールに用いられる素子間接続体を示す平面図である。図27(b)は、受光素子上に接着層を形成して素子間接続体を接続した状態を示す図である。図28は、素子間接続体付き受光素子モジュールの素子間接続体と素子部分を取り出した状態を示す図である。図29は、受光素子と素子間接続体との接続の状態を示す断面図である。図30(a)及び図30(b)は、実施の形態3の受光素子モジュールを示す断面図であり、図23のC2−D2断面図及びC3−D3断面図である。図31は、素子間接続体付き受光素子を示す断面図、図32は、実施の形態3による受光素子モジュールの製造方法の手順の一例を示すフローチャートである。図33(a)〜図36(b)は、実施の形態3による受光素子モジュールの製造方法の手順の一例を模式的に示す平面図である。
ここでは、まず、受光素子を素子間接続体で接続した受光素子モジュールの構造について説明した後、受光素子の構造について説明し、そして受光素子間を接続する素子間接続体の構造について説明する。
として素子間接続体230の本体部232と集電電極14との短絡を抑制することが好ましい。Y方向についても同様で、点状電極12Dとそれ以外の素子基板との高低差と点状電極12D間の電極距離との比が上記と同様になるようにすることが好ましい。
また、素子間接続体の本体部232についても、受光素子310よりも大きいものを用いる場合は、一部分が受光面側から見えるようになるので、少なくとも受光面側から見える部分については同様の処理を施してもよい。
つぎに、単結晶シリコン太陽電池を用いた場合を例に挙げて、実施の形態3による受光素子モジュール1の製造方法を説明する。図32は、実施の形態3による受光素子モジュールの製造方法の手順の一例を示すフローチャートであり、図33(a)〜36(b)は、実施の形態3による受光素子モジュールの製造方法の手順の一例を模式的に示す平面図である。なお、ここでは、受光素子として、裏面に図25(a)に示した点状電極12D、電流取り出し電極15、集電電極14のようなパターンの銀電極を有する縦横156mmで略正方形状の単結晶シリコン太陽電池を用いて、図22及び図23に示した受光素子モジュール1を製造する場合を説明する。
完成後の素子間接続体230の本体部232付き受光素子のより詳細な、断面図を図31に示す。図31を参照して受光素子の製造方法について簡単に説明する。まず、100面でスライスされた素子基板11としてn型単結晶シリコン基板を用意する。はじめにKOH水溶液などのアルカリ溶液中で素子基板11の表面を10μm程度溶解させた後、硫酸と過酸化水素混合溶液、ついで、塩酸と過酸化水素水の混合溶液に素子基板11を浸漬して洗浄する。この後、基板をPOCl3雰囲気中で800〜900℃程度に加熱して、その素子基板11表面にリンを拡散させる。表面に形成されたリンガラスをフッ酸溶液中で除去する。ついで、化学的気相堆積(CVD)法により、基板の片面にシリコン酸化膜を成膜する。シリコン酸化膜の原料としてはシランやTEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate)などを用いることができる。これに続き、プラズマ支援CVD法によりシリコン酸化膜の上にシリコン窒化膜を堆積する。
この後、基板の裏面にアルミニウム(Al)及びニッケルを蒸着して積層したのち、アセトンなどの有機溶媒中でレジスト及びレジスト上のアルミニウムを除去する。素子基板11としてシリコン基板を150〜400℃程度で加熱することにより、電極と基板表面をなじませて、接触抵抗を小さくしてシリコン基板とアルミニウムとの接続をとり、図31に示すように点状電極12D及び集電電極14の第1層12a,14a及び第2層12b,14bを形成する。これらの電極第1層を形成する金属としてはアルミニウム以外に銀やニッケルなどを用いても良く、また、電極第2層に用いる金属としてはニッケルの他に、クロム、チタン、チタンタングステン、パラジウムなどを用いることができる。また、素子電極間の絶縁性及び、素子電極と素子間接続体の本体部232との間の絶縁性を向上させるために集電電極14上に絶縁層を形成しても良く、この場合の素子間接続体付き受光素子の断面は図31に示すような構造となる。このような構造では、絶縁層26cがあるために素子間接続体の本体部232がたわんでも集電電極14と直接接触せずに絶縁性を保つことができるという利点を有する。このような絶縁層を形成するペーストとしては例えば日立化成工業株式会社のHP−300などがある。
次に、このようにして作成した受光素子に図27(a)に示される素子間接続体の本体部232を接続する。本実施の形態3においては、図27(a)に示される形状に切り抜いたアルミニウムのシートを素子間接続体の本体部232として用いる。本実施の形態3ではアルミニウムシートを用いることにより、表面が酸化されても光透過性が高いアルミナとなり、アルミニウムシート基材内部のアルミニウムによって光は反射され、高い反射率を保つことができ、優れた耐久性を得ることができるという利点を有する。本実施の形態では、あらかじめ陽極酸化などによって均一な膜厚の酸化アルミニウム膜をアルミニウムシート表面に形成しておく。このことにより、酸化アルミニウム膜によって光の干渉を生じさせて受光素子を透過してきた光に対する反射率をアルミ単体よりも高くすることができるという利点を有する。あとの工程での受光素子とのはんだ付けのため、素子電極と接続される部分に対応する部分の素子間接続体表面には、はんだがつきやすいようにアルミニウム以外の金属を接続しておく。
受光素子を形成した半導体基板上に直接接着層26と素子間接続体230とを接続する手順としては、本実施の形態3においては、素子間接続体230を受光素子310に対して電気的に接続してから接着層26を形成することにする。このような順で形成する場合、接着層26の前駆体は粘度の低いものを用いて、毛細管現象により先に接続が形成された素子間接続体230と素子基板11の間に、接着層26の前駆体を注入した後に硬化させる。この際に、接着層26の前駆体液を注入する目的で、素子間接続体の本体部232の一部に小さな穴を1つあるいは複数あけておいても良い。このような接着層26としては、半導体基板の厚みによるが、半導体基板としてシリコン基板を用いた場合は、シリコンを透過するおおよそ900〜1300nm程度の光に対する光透過性が高いことが望ましい。
接続プロセス1は、素子ストリングの延在方向に沿って次の受光素子310を接続する場合である。素子間接続体の本体部232が接続され、図33(a)に示す構造になった素子間接続体230付き受光素子310aをホットプレートから外し、ホットプレートの横に置く。受光素子310bをホットプレート上に配置し、上記受光素子310aの上の素子間接続体の本体部232に接続された素子間接続部231が、受光素子310bの電流取り出し電極15の上に重なるように配置する(図33(b))。前記の素子間接続部231と重ならないように、新たな素子間接続体230の本体部232及び素子間接続部231を受光素子310bの裏面の上に配置するとともに、ホットプレート上の受光素子310b部分に下向きの圧力を加えながら再びホットプレートの温度を230℃程度まで上昇させて(ステップS303)から再び100℃程度まで温度を下げることによって、素子間接続体の素子間接続部231及び本体部232の一部、受光素子の点状電極12Dを被覆しているはんだを各導電体間で融着させ、素子間接続体の素子間接続部231と素子間接続体の本体部232、及び素子間接続体の本体部232と受光素子の点状電極12Dとを、はんだ(電気接続体21)で接続する(図33(c)、ステップS304の状態)。このように前回の受光素子310aをホットプレート上から逃がすことによって、ホットプレートとともに新しい受光素子310bを加熱しても受光素子310aのはんだが剥離することがなくなる。この際、受光素子310aに冷風をあてたり受光素子上の素子間接続体230上に熱容量の大きいものを密着させるなどして受光素子310aを冷却していても良い。なお、上記では大気圧下でゴムなどを用いて圧力を加えたが、加熱真空ラミネータを用いても良い。
接続プロセス2は、素子ストリングの延在方向とは異なる方向に受光素子310を接続する場合である。この場合には、ストリングの折り返し地点の受光素子310cをホットプレートに置いたのち(ステップS301)、ステップS302において隣にある受光素子310bの上の素子間接続体の本体部232に接続された素子間接続体230の素子間接続部231が、受光素子310cの電流取り出し電極15の上に重なるように配置する(図34(a))。また、新たに素子間接続体230の本体部232を受光素子310cの上に配置する(図34(b))。ここまでの手順は(1)と同様にしておこない、新たな素子間接続体230の素子間接続部231を受光素子310cの裏面の上に配置する際に、図34(c)に示すように(1)での素子間接続体230の素子間接続部231の配置に対して90度回転した向きに配置する。そのうえで、ホットプレート上の受光素子310c部分に下向きの圧力を加えながら再び受光素子310cが載置されているホットプレートの温度を230℃程度まで上昇させて(ステップS303)から100℃程度まで温度を下げることによって、素子間接続体の素子間接続部231及び本体部232の一部、受光素子の点状電極12Dを被覆しているはんだを各導電体間で融着させ、素子間接続体の素子間接続部231と素子間接続体の本体部232、及び素子間接続体の本体部232と受光素子の点状電極12Dとを、はんだ(電気接続体21)で接続する(図34(c)の状態で固定され、ステップS304となった状態)。このようにして受光素子310cと310bは素子間接続体により接続され、受光素子310cで素子間接続体の素子間接続部231がストリング列に対して90°折り返した状態で接続される。
接続プロセス3は、受光素子モジュール1の他方の端部の受光素子310fを接続する場合である。この場合には、形成されたストリング列の末端の受光素子(今の場合は受光素子310e)をホットプレートからおろし、ホットプレートに隣接して置く。あらかじめ素子間接続体の本体部232が接続された受光素子310fを受光面がホットプレート側になるようにホットプレート上に配置する(ステップS301)。受光素子310fをホットプレート上に配置し、上記受光素子310eの上の素子間接続体の本体部232に接続された素子間接続体230の素子間接続部231が、受光素子310fの電流取り出し電極15の上に重なるように配置する(図36(a))。前記の受光素子310eに接続された素子間接続部231と重ならないように、新たな素子間接続体230の本体部232及び電流引き出し線38を受光素子310fの裏面の上に配置するとともに、ホットプレート上の受光素子310f及び電流引き出し線38部分に下向きの圧力を加えながら再びホットプレートの温度を230℃程度まで上昇させて(ステップS303)から再び100℃程度まで温度を下げることによって、素子間接続体の本体部232の一部、電流引き出し線38、及び受光素子の点状電極12Dを被覆しているはんだを各導電体間で融着させ、電流引き出し線38と素子間接続体の本体部232、素子間接続体の素子間接続部231と素子間接続体の本体部232、及び素子間接続体の本体部232と受光素子の点状電極12Dとを、はんだ(電気接続体21)で接続する(図36(b)、ステップS304の状態)。この際、受光素子310eに冷風をあてる、あるいは受光素子310e上の素子間接続体230の本体部232上に熱容量の大きいものを密着させるなどして受光素子310eを冷却していても良い。なお、上記では大気圧下でゴムなどで圧力を加えたが、加熱真空ラミネータを用いても良い。
その後、接着層26としてシリカフィラーを含むエポキシ樹脂前駆体を、ストリング列内の各素子と各素子間接続体の本体部232との間に供給する(ステップS305)。このような方法として具体的には、エポキシ樹脂前駆体含有液を各素子及び各素子間接続体の本体部232の周縁部に供給したのち、チャンバーのなかなどで素子列全体を減圧状態にする方法を用いることができる。このようにすると、減圧下で各素子と各素子間接続体の本体部232との間が脱気され、毛細管現象によりエポキシ樹脂前駆体含有液が各素子と各素子間接続体の本体部232との間に侵入していく。この後、受光素子配列全体を100〜150℃程度に加熱することによりエポキシ樹脂の重合反応を進行させ、接着層26を形成する。このような前駆体含有液の粘度としては低いことが好ましい。
この後、2列のストリングから構成される受光素子配列の表面側上には、受光素子配列より若干大きい程度の大きさのシート状のエチレンビニルアセテート樹脂などの封止材22とガラスなどの受光面側主面材23を配置し、受光素子配列裏面側上には受光素子配列より若干大きい程度の大きさのシート状のエチレンビニルアセテート樹脂などの封止材22と耐候性のポリエチレンテレフタラート樹脂とアルミニウムを張り合わせたシートなどからなる裏面側主面材25(バックシート)を配置した積層体を構成する。そして、この積層体を加熱真空ラミネータによって減圧下で100〜150℃の温度で20分程度加熱することによって、受光素子配列が受光面側主面材23と裏面側主面材25によって封止される(ステップS306)。
この後、封止された板状の受光素子配列の端部にシリコーン樹脂などを用いてフレームを、電流引き出し線38部分にはジャンクションボックス(接続箱)を、接着する(ステップS307)。このようにして、受光素子モジュール1を得ることができる。
以下、実際に則して、前記実施の形態1〜3あるいはその変形例における材料や構造を具体的に説明する。
このような電気的接続層を有する本実施の形態3の素子間接続体の変形例を図37及び図38に示す。図38は図37のY方向の凸部を含む面で切断した断面図である。
このような光反射性の高い基材を用いた素子間接続体の素子裏部分(本体部)532の変形例として図39のような構造のものを用いることができる。図39の素子間接続体の素子裏部分(本体部)532は、素子間接続体の素子裏部分(本体部)532上の受光素子の素子電極と接続されない部分に光透過性の高い絶縁層26bを有し、それ以外の部分がはんだなどによる接続性の高い錫によって覆われている。このような構造は、あらかじめ基材50となるアルミニウムの上に樹脂などにより絶縁層26bを図37の素子電極との電気接続領域53以外の部分に形成した後、電解めっきなどによりニッケル及び錫を絶縁膜以外の部分に選択的に形成し、プレス加工などにより凹凸構造を形成することにより作成することができる。このような素子間接続体を用いることにより図31に断面図で示したような素子間接続体付きの受光素子を作成することができる。
次に濡れ性が高く光に対する反射率が高い金属を素子間接続体の素子裏部分となる本体部632の基材50として用いる場合について図40を参照しつつ説明する。このような基材50の材料の例としては銅や錫が挙げられるがここではより反射率が高く抵抗率の小さい銅を例に用いて説明する。銅を素子間接続体の本体部632の基材50として用いる場合、銅ははんだへの濡れ性が高く、また、800nm以上の波長での反射率が高いため表面反射層を形成しなくても良い。このため、図37及び図38に示したように多層構造としなくてもよく、実施の形態2において示したように基材50としての30μm程度の厚みの銅箔のみで素子間接続体の素子裏部分となる本体部632とすることができる。ここでも本体部632は凸部632R1,凹部632R2を有している。
また、アルミニウムと銅との間には、銅の拡散や酸化を抑制する目的で溶融めっきや電気めっきなどにより錫や錫・銀はんだ層を銅箔表面に形成しても良い。このような表面に錫の層を持つ銅箔を基材50として、図41に示すように、素子間接続体の素子裏部分(本体部)である単層からなる本体部732としても良い。また、基材50を錫箔あるいは錫の板とする場合も、錫単体で素子間接続体の素子裏部分(本体部)732とすることができるが、銅と同様にアルミニウムを反射層52として図41のような構造を用いることができる。このような素子間接続体の素子裏部分である本体部732は、例えば真空蒸着などにより、メタルマスクなどを通して素子電極との接続部分以外の部分にのみ30〜40nmの厚みのアルミニウム層を銅箔上に形成し、形成した後にプレス加工によって凸部732R1,凹部732R2を形成することにより作成することができる。これらの凹凸部の形成に関して、基材が箔などで、剛性が低く、凹凸部の形状を保持するのが困難な場合は、後の工程となる受光素子と素子間接続体とを接続する際に凹凸の型を有する治具などを用いて凹凸部を保持させた状態で受光素子と素子間接続体とを接続して形成しても良い。なお、はんだに対する濡れ性のよい金属を基材として用いる場合は、はんだ性が良いので、素子間接続体間の素子間接続部にははんだ層などの被覆層は形成されていなくてよい。また、アルミニウムからなる反射層は蒸着のみならず溶融めっきなどによっても形成することができ、反射層の厚みはより厚くても良い。
また、図42(a)のように、反射層52下には電気的接続領域53がない構造も有効である。この構成によれば、凹凸をより確実に維持することができる。製造に際しては、上記の銅箔を用いた場合と同様に、例えば鉄、あるいはステンレス、もしくはコバールなどを基材の材料とし、溶融めっきなどにより基材をはんだ性のよい金属でコートしてから図38の接続領域53と同じパターンとなるように樹脂マスクを基材上に形成し、30〜50nm程度の厚みのアルミニウムを蒸着して反射層52を形成し、樹脂マスクを有機溶剤などによって除去すればよい。図42(a)に示すように局所的に反射層52と電気的接続領域53が形成された素子間接続体の本体部832を作成するには、次のようにすることができる。
この例では、受光素子と素子間接続体の本体部932との間に配される接着層26Aに、二酸化チタン粒子などの光反射体を含有させたものである。図43(a)に平面図、図43(b)に図43(a)のA−B断面図、図44に受光素子モジュールの断面図を示す。図44は図43(b)に対して直交する断面を示すものである。点状電極12Dと素子間接続体930を電気的に接続する電気接続体21は、素子間接続体の本体部932と、電流取り出し電極15及び点状電極12Dとが接続される部分だけに形成されており、他の面には絶縁層26bが形成されている。また、素子間接続体930の素子側の面を広く覆っていてもよい。ただし、電気接続体21が図43(b)のように素子間接続体本体部932の素子側の面を覆っており、かつその光反射率が受光素子の光吸収係数が小さい領域で必ずしも高くない場合でも、接着層26Aに二酸化チタン粒子などの光反射体を含ませているため、十分な集光を行うことができる。なお、受光素子の光吸収係数が小さい領域とは、例えば、光が電極を除いた部分の受光素子を1%以上透過するほどの侵入長をもち、かつ、受光素子を透過した光のうち1%以上が吸収される波長領域などを目安とすることができる。受光素子がシリコン基板からなる場合、基板の厚みによるが、800〜1300nmの波長領域である。
また、前記実施の形態3では受光素子として基板が凹凸するものについて説明したが、図45(a)に示すように、基板が平坦な表面を有しており、電極が同一面上に形成され、点状電極12Dが表面から突出した面上に形成されていてもよい。図45(b)はおもに基板内に形成された導電層の位置と素子間接続体の位置関係を示す図であり、図45(a)の断面に直交する点状電極12Dを含む面を示した断面図である。図では素子を素子間接続体で接続した状態のストリングの一部分について記載しており、受光面側のパッシベーション膜、封止材等は記載を省略している。他部については図31に示した実施の形態3の受光素子と同様であるためここでは説明を省略する。同一部位には同一符号を付した。
実施の形態4の受光素子モジュール1は、素子間接続体の素子裏部分である本体部1032の構成と形状、及び素子電極と本体部1032との間の接続のされ方が、実施の形態3とは異なっている。そこで、以下ではこれらの相違点を中心に説明する。なお、それ以外の部分については、実施の形態3で説明したものと同様であるので、その説明を省略する。
本実施の形態4においては、インバーの表面の全面に10μm程度の銅箔が接着されたものを素子間接続体の本体部1032として用いる。このような表面に銅が形成されたインバーの例としては、例えば銅とインバーの積層体銅・インバー・銅クラッド板などを用いてもよい。
また、ポリイミドは、シリコン製の受光素子が透過しやすい800〜1300nmの波長領域で光透過性が高いため、光は減衰することなく素子間接続体の本体部1132の表面層である銅によって反射され、再び受光素子へ入射することができるため、光電変換効率を低下させることがない。
実施の形態5の受光素子モジュール1は、素子間接続体の本体部1132の構成と形状、及び素子電極と素子間接続体の本体部1232との間の接続のされ方が、実施の形態3とは異なっている。そこで、以下ではこれらの相違点を中心に説明する。なお、それ以外の部分については、実施の形態3で説明したものと同様であるので、その説明を省略する。
更に、凹部1232R2を冷やしながら受光素子と素子間接続体とを接続することもできる。このような利点が生じるのは、切れ目により素子間接続体の熱抵抗が大きく、素子間接続体の面内で温度差ができやすいためである。
Claims (20)
- 背面側に極性の異なる第1および第2の電極を有する背面接続型の受光素子と、
前記第1の電極に選択的に接続されるとともに、前記第2の電極には絶縁層を介して配置され、前記第2の電極の一部を除いて、前記受光素子の前記背面側の全体を覆う板状の本体部と、前記受光素子の前記第2の電極のうち前記本体部に覆われていない部分に接続される素子間接続部と、で構成された素子間接続体と、
を備えた受光素子モジュール。 - 複数の前記受光素子を備え、前記素子間接続部は、一端を前記本体部に接続され、他端を、隣接する前記受光素子の前記第2の電極に接続される、請求項1に記載の受光素子モジュール。
- 前記本体部は、金属板で構成され、前記受光素子の前記第1の電極とは、接続部に対してのみ選択的に形成された電気接続体を介して接合された請求項1または2に記載の受光素子モジュール。
- 前記本体部は、金属板で構成され、前記受光素子の前記第1の電極とは、はんだ層を介して接合された請求項1または2に記載の受光素子モジュール。
- 前記本体部の前記受光素子の側の表面の、前記受光素子の前記第1の電極との接続点以外の部分は、受光素子を透過する光に対する光反射体で構成された請求項1から4のいずれか1項に記載の受光素子モジュール。
- 前記本体部は、前記受光素子と対向する面が、前記第2の電極に相当する領域で、前記受光素子に対して凹部を構成してなる請求項1から5のいずれか1項に記載の受光素子モジュール。
- 前記本体部と前記素子間接続部は、一体的に形成された請求項1から6のいずれか1項に記載の受光素子モジュール。
- 前記本体部と前記素子間接続部は、別体に形成された請求項1から6のいずれか1項に記載の受光素子モジュール。
- 前記受光素子は、前記第1および第2の電極と前記素子間接続体との接続部にのみ、選択的に電気接続体が形成される請求項1から8のいずれか1項に記載の受光素子モジュール。
- 前記受光素子上の前記第1の電極が前記第2の電極に比べて、前記素子間接続体の前記本体部側に向かって突出している請求項1から9のいずれか1項に記載の受光素子モジュール。
- 前記素子間接続体の本体部は、凹凸構造を有し、前記第1の電極に対して凸部で接続される請求項1から10のいずれか1項に記載の受光素子モジュール。
- 前記第2の電極の延在方向と垂直をなす方向において、前記素子間接続体の本体部の凹凸構造の、受光面側に対しての凹部の幅が、前記第1の電極の幅よりも狭い請求項11に記載の受光素子モジュール。
- 前記本体部は、前記受光素子と対向する面の前記第2の電極に相当する領域に絶縁層を有する請求項1から12のいずれか1項に記載の受光素子モジュール。
- 前記本体部と前記受光素子の間に反射性粒子を含む絶縁性樹脂が充填された請求項1から13のいずれか1項に記載の受光素子モジュール。
- 前記本体部は、前記受光素子側に配される素子裏部分と、さらにその裏面の外側に配される外側部分との2層構造体で構成された請求項1から14のいずれか1項に記載の受光素子モジュール。
- 複数の前記受光素子が前記素子間接続体で接続されてストリングを構成しており、
ストリング端部の受光素子が、ストリング内部の受光素子と相似形の電極パターンを有する受光素子モジュールであって、
ストリング端部の受光素子の素子電極が、ストリング内部の受光素子の素子電極に対して、素子基板面の頂点が形作る多角形の外角のうち少なくとも一つの外角の分だけ回転して配置される請求項1から15のいずれか1項に記載の受光素子モジュール。 - 背面側に極性の異なる第1および第2の電極を有する受光素子を形成する工程と、
前記第1の電極に選択的に接続されるとともに、前記第2の電極には絶縁層を介して配置され、前記第2の電極の一部を除いて、前記受光素子の前記背面側の全体を覆う板状の本体部と、
前記本体部に接続され、隣接する前記受光素子の第2の電極のうち前記本体部に覆われていない部分に接続される素子間接続部とを備えた素子間接続体を、前記受光素子に装着し、前記第1の電極と前記本体部、前記第2の電極と前記素子間接続部とを電気的に接続する工程とを含む受光素子モジュールの製造方法。 - 前記素子間接続体は、前記本体部と前記素子間接続部とが、別体で形成されており、
前記第1の電極に、素子間接続体の本体部を接続する工程と、
前記本体部の接続された前記受光素子の光電変換効率を測定して前記受光素子を仕分ける工程と、
仕分けられた前記受光素子の前記素子間接続部を、隣接する前記受光素子の前記本体部に接続し、複数の前記受光素子の素子間を接続する工程とを含む請求項17に記載の受光素子モジュールの製造方法。 - 前記受光素子の前記第1の電極の少なくとも一つを負電極に接続し、光電解めっきを行うことにより、前記第1の電極上に選択的にめっき層を形成する工程を含む請求項18に記載の受光素子モジュールの製造方法。
- 前記受光素子の前記第1および第2の電極の接合部を除く領域を絶縁層で被覆する工程と、
前記受光素子の一部あるいは全部をはんだ槽に浸漬することによって前記接合部にはんだ層を形成する工程を含む請求項17から19のいずれか1項に記載の受光素子モジュールの製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111933748A (zh) * | 2020-07-22 | 2020-11-13 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 背入射式日盲紫外探测器及其制作方法 |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6338990B2 (ja) | 2014-09-19 | 2018-06-06 | 株式会社東芝 | 多接合型太陽電池 |
US10636924B2 (en) * | 2014-11-26 | 2020-04-28 | Sunpower Corporation | Solar module interconnect |
CN107454983B (zh) * | 2015-03-30 | 2019-08-09 | 松下知识产权经营株式会社 | 太阳能电池组件 |
DE202015102238U1 (de) * | 2015-05-04 | 2015-06-01 | Solarworld Innovations Gmbh | Photovoltaik-Zelle und Photovoltaik-Modul |
KR102367369B1 (ko) * | 2015-05-26 | 2022-02-24 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 모듈 |
JP6272391B2 (ja) * | 2015-05-20 | 2018-01-31 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池と太陽電池モジュール |
JP6444268B2 (ja) * | 2015-06-08 | 2018-12-26 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池および太陽電池の製造方法 |
JP6486219B2 (ja) * | 2015-06-24 | 2019-03-20 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
JP6555984B2 (ja) * | 2015-08-28 | 2019-08-07 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子およびその製造方法 |
JP6307131B2 (ja) * | 2015-09-08 | 2018-04-04 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
JP6590165B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2019-10-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池セルの製造方法 |
US20180224384A1 (en) * | 2016-01-29 | 2018-08-09 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Electrode system |
CN108475706B (zh) * | 2016-03-10 | 2021-11-02 | 株式会社钟化 | 太阳能电池模块 |
JP1561706S (ja) * | 2016-03-25 | 2016-10-31 | ||
JP1559309S (ja) * | 2016-03-25 | 2016-09-26 | ||
DE102016210910A1 (de) * | 2016-06-19 | 2017-12-21 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Verschaltung von Solarzellen, die Aluminiumfolie als Rückkontakt aufweisen |
USD828292S1 (en) * | 2016-06-27 | 2018-09-11 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Solar battery module |
EP3355361B1 (en) * | 2016-12-01 | 2023-05-31 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Solar cell having high photoelectric conversion efficiency and method for producing solar cell having high photoelectric conversion efficiency |
WO2018142544A1 (ja) * | 2017-02-02 | 2018-08-09 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法 |
JP6741626B2 (ja) * | 2017-06-26 | 2020-08-19 | 信越化学工業株式会社 | 高効率裏面電極型太陽電池及びその製造方法 |
DE102018105472A1 (de) | 2018-03-09 | 2019-09-12 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung einer photovoltaischen Solarzelle, photovoltaische Solarzelle und Photovoltaikmodul |
DE102019110348A1 (de) * | 2019-04-18 | 2020-10-22 | Hanwha Q Cells Gmbh | Solarzellenanordnung |
WO2020218026A1 (ja) * | 2019-04-23 | 2020-10-29 | 株式会社カネカ | 結晶シリコン太陽電池及び結晶シリコン太陽電池の集合セル |
CN110783415A (zh) * | 2019-11-07 | 2020-02-11 | 江苏辉伦太阳能科技有限公司 | 一种新型太阳能电池组件及其制备方法 |
CN112091431B (zh) * | 2020-09-01 | 2022-03-08 | 北京航空航天大学 | 面向大尺寸超薄掩膜版的一种高精高效激光抛光方法 |
Family Cites Families (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4927770A (en) | 1988-11-14 | 1990-05-22 | Electric Power Research Inst. Corp. Of District Of Columbia | Method of fabricating back surface point contact solar cells |
JPH08298334A (ja) | 1995-04-26 | 1996-11-12 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池板 |
US6337283B1 (en) | 1999-12-30 | 2002-01-08 | Sunpower Corporation | Method of fabricating a silicon solar cell |
US20060130891A1 (en) | 2004-10-29 | 2006-06-22 | Carlson David E | Back-contact photovoltaic cells |
JP2006165148A (ja) | 2004-12-06 | 2006-06-22 | Canon Inc | 光起電力素子、光起電力素子集合体、光起電力素子モジュール、及び、それらの製造方法 |
DE112005003362T5 (de) | 2005-05-11 | 2008-02-14 | Mitsubishi Denki K.K. | Solarbatterie und Herstellungsverfahren für diese |
US20070137692A1 (en) | 2005-12-16 | 2007-06-21 | Bp Corporation North America Inc. | Back-Contact Photovoltaic Cells |
AU2006335142B2 (en) | 2005-12-21 | 2011-09-22 | Sunpower Corporation | Back side contact solar cell structures and fabrication processes |
EP2105970A4 (en) | 2006-12-26 | 2015-08-05 | Kyocera Corp | SOLAR CELL MODULE |
US7804022B2 (en) | 2007-03-16 | 2010-09-28 | Sunpower Corporation | Solar cell contact fingers and solder pad arrangement for enhanced efficiency |
JP5121365B2 (ja) | 2007-09-21 | 2013-01-16 | 京セラ株式会社 | 太陽電池モジュールおよびその製造方法 |
EP2239788A4 (en) | 2008-01-30 | 2017-07-12 | Kyocera Corporation | Solar battery element and solar battery element manufacturing method |
JP5306668B2 (ja) | 2008-02-25 | 2013-10-02 | シャープ株式会社 | 光電変換モジュールの製造方法 |
JP2009206366A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール |
JP4948473B2 (ja) * | 2008-04-21 | 2012-06-06 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュール |
JP5099698B2 (ja) | 2008-04-22 | 2012-12-19 | シャープ株式会社 | 裏面電極型太陽電池および太陽電池モジュール |
WO2010025269A1 (en) | 2008-08-27 | 2010-03-04 | Applied Materials, Inc. | Back contact solar cell modules |
NL2001958C (en) * | 2008-09-05 | 2010-03-15 | Stichting Energie | Method of monolithic photo-voltaic module assembly. |
JP5424235B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2014-02-26 | シャープ株式会社 | 太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法 |
JP5329980B2 (ja) | 2009-01-07 | 2013-10-30 | シャープ株式会社 | 太陽電池モジュール |
EP2388828A1 (en) | 2009-01-16 | 2011-11-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solar cell module and method for manufacturing solar cell module |
JP2010192572A (ja) * | 2009-02-17 | 2010-09-02 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 太陽電池セル及び太陽電池モジュール |
JP2010245399A (ja) | 2009-04-08 | 2010-10-28 | Sharp Corp | 配線シート、配線シート付き太陽電池セル、太陽電池モジュール、配線シート付き太陽電池セルの製造方法および太陽電池モジュールの製造方法 |
CN102405534A (zh) | 2009-04-23 | 2012-04-04 | 夏普株式会社 | 布线板、带布线板的太阳能电池单元以及太阳能电池模块 |
JP2010283052A (ja) | 2009-06-03 | 2010-12-16 | Sharp Corp | 配線シート、裏面電極型太陽電池セル、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール |
JPWO2010150749A1 (ja) * | 2009-06-22 | 2012-12-10 | シャープ株式会社 | 太陽電池セル、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール |
JP2011129882A (ja) | 2009-11-20 | 2011-06-30 | Hitachi Cable Ltd | 太陽電池モジュール、及び太陽電池モジュール用配線基板 |
JP5369009B2 (ja) | 2010-01-22 | 2013-12-18 | シャープ株式会社 | 配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール |
KR20120104431A (ko) | 2010-01-22 | 2012-09-20 | 샤프 가부시키가이샤 | 이면 전극형 태양전지 셀, 배선 시트, 배선 시트를 가진 태양전지 셀, 태양전지 모듈 및 배선 시트를 가진 태양전지 셀의 제조방법 |
US8829333B2 (en) | 2010-02-24 | 2014-09-09 | Kyocera Corporation | Solar cell module and method for manufacturing same |
JP2011181606A (ja) | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Sharp Corp | 太陽電池素子およびその製造方法 |
JP2012151240A (ja) | 2011-01-18 | 2012-08-09 | Sharp Corp | 太陽電池モジュール |
JP5591146B2 (ja) | 2011-02-17 | 2014-09-17 | 三菱電機株式会社 | 配線付き絶縁シートとその製造方法、太陽電池セル一体型配線付き絶縁シートとその製造方法、太陽電池モジュールの製造方法 |
CN102800723B (zh) * | 2011-05-27 | 2015-10-21 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 太阳电池组件及其制造方法 |
DE102011104159A1 (de) | 2011-06-14 | 2012-12-20 | Institut Für Solarenergieforschung Gmbh | Verfahren zum elektrischen verbinden mehrerer solarzellen und photovoltaikmodul |
JP2013098496A (ja) | 2011-11-04 | 2013-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池モジュールおよびその製造方法 |
JPWO2015072241A1 (ja) * | 2013-11-15 | 2017-03-16 | 三菱電機株式会社 | 光電変換素子モジュール及び光電変換素子モジュールの製造方法 |
-
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111933748A (zh) * | 2020-07-22 | 2020-11-13 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 背入射式日盲紫外探测器及其制作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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