JP6140970B2 - 表示装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
図1は本発明に係る表示装置100のタッチパネル部を示す平面図であり、図2は、図1に該当するタッチパネルにおけるA−A線での表示装置100の断面図である。
以下、タッチパネル12の断面構成を用いて、本発明に係る実施の形態1について説明する。図4は、図1に示すB−B線でのタッチパネル12の断面構成を示す図である。
次に、図24〜図28を用いて、本発明に係る実施の形態2について説明する。なお、図13〜図22を用いて説明した実施の形態1の製造方法と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
以上説明した実施の形態2では、半透過膜の上に非低反射膜を形成する構成について示したが、透明膜の上に非低反射膜を設ける構成としてしても良い。以下、図29〜図33を用いて当該構成の製造方法について説明する。
図34は、実施の形態3に係るタッチパネル12の断面構成を示す断面図である。図34に示すように、実施の形態3に係るタッチパネル12では、透明基板20上に、導電膜31、透明膜32、半透過膜33および透明膜35の順で配設された積層配線で構成される下層配線30B、下層配線端子301Bおよびマーク類MK1が配設され、これらを覆うように層間絶縁膜21が配設されている。
以上説明した実施の形態3のタッチパネル12の断面構成において、実施の形態2と同様に、下層配線成膜時に最表面に非低反射膜を成膜し、下層配線パターニング後に非低反射膜を除去する構成としても良い。
図36は、実施の形態4に係るタッチパネル12の断面構成を示す断面図である。図36に示すように、実施の形態4に係るタッチパネル12では、透明基板20上に、導電膜31および透明膜32の順で配設された積層配線で構成される下層配線30C、下層配線端子301Cおよびマーク類MK2が配設され、これらを覆うように層間絶縁膜21が配設されている。
図37は、実施の形態5に係るタッチパネル12の断面構成を示す断面図である。図37に示すように、実施の形態5に係るタッチパネル12では、透明基板20上に、導電膜31で構成される下層配線30D、下層配線端子301Dおよびマーク類MK3が配設され、これらを覆うように反射防止膜としての透明膜36が配設され、透明膜36を覆うように層間絶縁膜21が配設されている。
以上説明した実施の形態5においては、下層配線30Dおよび上層配線40Dはそれぞれ導電膜31および41で構成された単層構造を有していたが、図38に示すように、2層の積層配線としても良い。
以上説明した実施の形態5においては、下層配線30Dおよび上層配線40Dまたは、下層配線30Eおよび上層配線40Eはそれぞれ反射率が70%以下の膜の表面を透明膜36および透明膜46単層で覆う構造を有していたが、図46および図47に示すように多層膜で覆う構造としても良い。
Claims (23)
- 下地層上に配設された導電膜と、
前記導電膜上に配設された第1および第2の透明膜と、前記第1および第2の透明膜の間に配設された半透過膜と、を有する積層配線と、
前記積層配線の端部に設けられ、前記積層配線と少なくとも同じ積層構造を有する配線端子部と、前記積層配線および少なくとも前記配線端子部を覆う絶縁膜と、を備えた表示装置。 - 前記第1および第2の透明膜のうち、上層側となる方は、前記絶縁膜の屈折率より高い屈折率を有する、請求項1記載の表示装置。
- 前記第1および第2の透明膜および前記半透過膜は、前記導電膜上に、前記第1の透明膜、前記半透過膜および前記第2の透明膜の順に積層される、請求項1記載の表示装置。
- 下地層上に配設された第1の透明膜と、前記第1の透明膜上に配設された半透過膜と、その上に配設された第2の透明膜と、その上に配設された導電膜と、を有する積層配線と、
前記積層配線の端部に設けられ、前記積層配線と少なくとも同じ積層構造を有する配線端子部と、前記積層配線および少なくとも前記配線端子部を覆う絶縁膜と、を備えた表示装置。 - 前記第1の透明膜の光路長は、0.09〜0.14μmに設定され、
前記第2の透明膜の光路長は、0.02〜0.20μmに設定される、請求項3または請求項4記載の表示装置。 - 前記第2の透明膜の光路長は、前記第1の透明膜の光路長よりも長く設定される、請求項5記載の表示装置。
- 前記第1の透明膜は、
酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズの何れか1つを含む酸化物群、
シリコン、アルミニウム、タンタル、ジルコニウム、イットリウム、ハフニウム、ニオブ、チタンの何れかを主成分とする酸化物群、および
シリコン、アルミニウムの何れかを主成分とする窒化物群の中から選択される1つの材質を含み、
前記第2の透明膜は、
酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズの何れか1つを含む酸化物群、
アルミニウム、タンタル、ジルコニウム、イットリウム、ハフニウム、ニオブ、チタンの何れかを主成分とする酸化物群、および
シリコン、アルミニウムの何れかを主成分とする窒化物群の中から選択される1つの材質を含む、請求項1記載の表示装置。 - 前記配線端子部において、
前記絶縁膜を貫通すると共に、前記第1および第2の透明膜および、前記半透過膜の何れかを貫通する開口部を有する、請求項1記載の表示装置。 - 下地層上に配設された導電膜と、
前記導電膜上に配設された導電性の透明膜と、を有する積層配線と、
前記積層配線の端部に設けられ、前記積層配線と同じ積層構造を有する配線端子部と、
前記積層配線および前記配線端子部を覆う絶縁膜と、を備え、
前記透明膜の光路長は、0.02〜0.20μmに設定され、
前記透明膜の屈折率は、前記絶縁膜の屈折率より高く設定される表示装置。 - 前記導電膜は、
Mo、Cr、Ti、Ni、Ta、Wの中から選択される1つの材質を含む、請求項9記載の表示装置。 - 前記導電膜は、
Mo、Cr、Ti、Ni、Ta、Wの中から選択される1つの材質を含む第1の導電膜と、
室温での抵抗率が10μΩcm以下の第2の導電膜との積層膜で構成される、請求項9記載の表示装置。 - 前記半透過膜は、Mo、Cr、Ti、Ni、Ta、Wの中から選択される1つの材質を含む、請求項1記載の表示装置。
- 下地層上に配設された導電膜を有する配線層と、
前記配線層の端部に設けられ、前記配線層と同じ構造を有する配線端子部と、
前記導電膜の上面および側面を覆う反射防止膜と、
前記反射防止膜を覆う絶縁膜と、を備えた表示装置。 - 前記反射防止膜は、透明絶縁膜であって前記下地層の全面を覆い、
前記透明絶縁膜の光路長は、0.02〜0.20μmに設定され、
前記透明絶縁膜の屈折率は、前記絶縁膜の屈折率より高く設定される、請求項13記載の表示装置。 - 前記導電膜は、
室温での抵抗率が10μΩcm以下の第2の導電膜と
前記第2の導電膜の上面および側面を覆う、Mo、Cr、Ti、Ni、Ta、Wの中から選択される1つの材質を含む第1の導電膜との積層膜で構成される、請求項13記載の表示装置。 - 前記反射防止膜は、
前記導電膜上に、透明膜、半透過膜の順に配設された多層膜で構成される、請求項13記載の表示装置。 - 前記透明膜は、
酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズの何れか1つを含む酸化物群、
シリコン、アルミニウム、タンタル、ジルコニウム、イットリウム、ハフニウム、ニオブ、チタンの何れかを主成分とする酸化物群、および
シリコン、アルミニウムの何れかを主成分とする窒化物群の中から選択される1つの材質を含み、
前記半透過膜は、Mo、Cr、Ti、Ni、Ta、Wの中から選択される1つの材質を含む、請求項16記載の表示装置。 - 前記反射防止膜は、
前記導電膜上に、第1の透明膜、半透過膜、第2の透明膜の順に配設された多層膜で構成される、請求項13記載の表示装置。 - 前記第1の透明膜は、
酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズの何れか1つを含む酸化物群、
シリコン、アルミニウム、タンタル、ジルコニウム、イットリウム、ハフニウム、ニオブ、チタンの何れかを主成分とする酸化物群、および
シリコン、アルミニウムの何れかを主成分とする窒化物群の中から選択される1つの材質を含み、
前記第2の透明膜は、
酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズの何れか1つを含む酸化物群、
アルミニウム、タンタル、ジルコニウム、イットリウム、ハフニウム、ニオブ、チタンの何れかを主成分とする酸化物群、および
シリコン、アルミニウムの何れかを主成分とする窒化物群の中から選択される1つの材質を含み、
前記半透過膜は、Mo、Cr、Ti、Ni、Ta、Wの中から選択される1つの材質を含む、請求項18記載の表示装置。 - 前記下地層の前記積層配線および前記配線端子部が設けられた主面とは反対側の主面側に設けられた画像表示モジュールを備える、請求項1または9に記載の表示装置。
- 前記下地層の前記配線層および前記配線端子部が設けられた主面とは反対側の主面側に設けられた画像表示モジュールを備える、請求項13記載の表示装置。
- (a)下地層上に導電膜を形成し、前記導電膜上に、非低反射膜が最上層となるように、透明膜、半透過膜および前記非低反射膜を形成する工程と、
(b)前記非低反射膜上に所定のパターンを有するレジストマスクを形成する工程と、
(c)前記レジストマスクをエッチングマスクとして、前記非低反射膜、前記半透過膜、前記透明膜および前記導電膜をエッチングによりパターニングする工程と、
(d)前記工程(c)の後に、前記レジストマスクを除去する工程と、
(e)前記工程(d)の後に、前記非低反射膜を除去して前記導電膜、前記透明膜および前記半透過膜を含む積層配線および該積層配線の端部の配線端子部を形成する工程と、
(f)前記積層配線および前記配線端子部上を絶縁膜で覆う工程と、を備え、
前記工程(a)は、
前記非低反射膜を、前記レジストマスクの写真製版工程での露光の際のフォーカス動作用光源に対して、反射率が25%以上となる膜で形成する工程を含む、表示装置の製造方法。 - (a)下地層上に導電膜を形成し、前記導電膜上に、透明膜および非低反射膜をこの順に形成する工程と、
(b)前記非低反射膜上に所定のパターンを有するレジストマスクを形成する工程と、
(c)前記レジストマスクをエッチングマスクとして、前記非低反射膜、前記透明膜および前記導電膜をエッチングによりパターニングする工程と、
(d)前記工程(c)の後に、前記レジストマスクを除去する工程と、
(e)前記工程(d)の後に、前記非低反射膜の膜厚を減じて半透過膜とし、前記導電膜、前記透明膜および前記半透過膜を含む積層配線および該積層配線の端部の配線端子部を形成する工程と、
(f)前記積層配線および前記配線端子部上を絶縁膜で覆う工程と、を備え、
前記工程(a)は、
前記非低反射膜を、前記レジストマスクの写真製版工程での露光の際のフォーカス動作用光源に対して、反射率が25%以上となる膜で形成する工程を含む、表示装置の製造方法。
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