JP2009222910A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】表示装置において内蔵したフォトセンサ素子の感度を向上する。
【解決手段】半導体層47の光学的距離D1が、絶縁膜46sとの界面における位相シフト量Φ1、および、入射する光Hの中心波長λとの関係において、(2×D1)/λ=(1/2π)Φ1+N(Nは、0以上の整数)を満たすように形成する。
【選択図】図13
【解決手段】半導体層47の光学的距離D1が、絶縁膜46sとの界面における位相シフト量Φ1、および、入射する光Hの中心波長λとの関係において、(2×D1)/λ=(1/2π)Φ1+N(Nは、0以上の整数)を満たすように形成する。
【選択図】図13
Description
本発明は、表示装置に関する。特に、本発明は、画素領域に画素が配置された表示パネルを含み、その表示パネルに入射する光を受光するフォトセンサ素子が、その表示パネルに設けられている表示装置に関する。
液晶表示装置,有機EL表示装置などの表示装置は、薄型、軽量、低消費電力といった利点を有する。
このような表示装置において、液晶表示装置は、一対の基板の間に液晶層が封入された液晶パネルを、表示パネルとして有している。液晶パネルは、たとえば、透過型であって、液晶パネルの背面に設けられたバックライトなどの照明装置が出射した照明光を、その液晶パネルが変調して透過させる。そして、その変調した照明光によって画像の表示が、液晶パネルの正面にて実施される。
この液晶パネルは、たとえば、アクティブマトリクス方式であり、画素スイッチング素子として機能する薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)が複数形成されているTFTアレイ基板と、そのTFTアレイ基板に対面するように対向する対向基板と、TFTアレイ基板および対向基板の間に設けられた液晶層とを有する。このアクティブマトリクス方式の液晶パネルにおいては、画素スイッチング素子が画素電極に電位を入力することによって、液晶層に印加する電圧を印加し、その画素を透過する光の透過率を制御して、その光を変調させる。
上記のような液晶パネルにおいては、上記の画素スイッチング素子として機能するTFTの他に、光を受光して受光データを得るフォトセンサ素子が位置センサ素子として内蔵されたものが提案されている。
上記のようにフォトセンサ素子が位置センサ素子として内蔵された液晶パネルは、ユーザーインターフェイスとしての機能が実現できるため、I/Oタッチパネル(Integrated−Optical touch panel)と呼ばれている。このタイプの液晶パネルにおいては、液晶パネルの前面に、別途、抵抗膜方式や静電容量方式のタッチパネルを設置する必要がなくなる。このため、装置の小型化を、容易に実現できる。また、さらに、抵抗膜方式や静電容量方式のタッチパネルを設置した場合には、そのタッチパネルによって画素領域において透過する光が減少する場合や、その光が干渉される場合があるため、表示画像の品質が低下する場合があるが、上記のように位置センサ素子として液晶パネルにフォトセンサ素子を内蔵することによって、この不具合の発生を防止できる。
このような液晶パネルにおいては、たとえば、液晶パネルの前面に触れられたユーザーの指やタッチペンなどの被検知体からの可視光線を、そのフォトセンサ素子が受光する。その後、そのフォトセンサ素子によって得られた受光データに基づいて、その被検知体が接触した位置を特定し、その特定された位置に対応する操作が、液晶表示装置自身や、その液晶表示装置に接続された他の電子機器において実施される。
上記のように、位置センサ素子として内蔵されたフォトセンサ素子を用いて、被検知体の位置を検出する場合には、そのフォトセンサ素子によって得られる受光データは、外光に含まれる可視光線の影響によって、多くのノイズを含む場合がある。また、画素領域において黒表示を実施する場合には、TFTアレイ基板に設けられたフォトセンサ素子は、被検知体から出射される可視光線を受光することが困難である。このため、正確に、被検知体の位置を検出することが、困難な場合がある。
このような不具合を改善するために、赤外線など、可視光線以外の不可視光線を用いる技術が提案されている。ここでは、被検知体から反射される赤外線を、位置センサ素子として内蔵されたフォトセンサ素子が受光することによって、受光データを取得し、その取得したデータに基づいて、被検知体の位置を特定している(たとえば、特許文献1,特許文献2,特許文献3参照)。
しかし、上記においては、位置センサ素子として内蔵されたフォトセンサ素子が、高感度に受光データを生成することが困難な場合がある。
特に、画素スイッチング素子と同様に、多結晶シリコンの半導体層を光電変換層としてフォトセンサ素子を形成する場合には、その多結晶シリコンの半導体膜は、波長が600nm以上の光を吸収する吸収率が低いので、この不具合の発生が顕在化する場合がある。つまり、多結晶シリコンの半導体膜においては、赤外線を吸収する吸収率が可視光線の吸収率と比較して低いために、上記の不具合の発生が顕在化し、位置検出感度の低下が生ずる場合がある。
具体的には、その光電変換層である半導体層の光吸収率Aについては、以下の数式(1)のように示されるため、多結晶シリコンで形成した半導体層の厚さdが、たとえば、50nmである場合には、850nmの波長λに対する光吸収係数αが、約8.2×104(m−1)であるので、たとえば、表面反射率Rを0.3(30%)としたときは、この半導体層の光吸収率Aは、0.29%と算出され、非常に小さい。このため、上記の不具合が発生する。
この上記の不具合を改善するために、光電変換層である半導体層において、光が出射する出射面に対面するように、金属材料で金属反射層を形成することが提案されている(たとえば、特許文献4,5参照)。
ここでは、半導体層において出射面から出射された光を、金属反射層が、その半導体層へ反射することで、その半導体層において多くの光を吸収可能なように構成している。
しかしながら、上記のように、光電変換層である半導体層に入射した入射光と、金属反射層が、その半導体層へ反射する反射光との間において、干渉が生じる場合があるため、その結果、フォトセンサ素子の受光感度が低下する場合がある。
特に、上記したように、赤外線をフォトセンサ素子が受光する際において、その赤外線の波長分散を、半値幅が、たとえば、100nm以下のように狭くした場合には、上記の干渉による影響が大きくなるので、上記の不具合の発生が、更に、顕在化する場合がある。
このため、フォトセンサ素子の感度が十分でないために、位置検出感度の低下が生ずる場合がある。
したがって、本発明は、フォトセンサ素子の感度を向上可能な表示装置を提供する。
本発明は、画素領域に画素が配置された表示パネルを含み、当該表示パネルにおいて一方の面の側から入射する入射光を受光するフォトセンサ素子が当該表示パネルに設けられている表示装置であって、前記フォトセンサ素子は、前記入射光を受光し光電変換することによって電荷を生成する半導体層を有し、前記半導体層は、当該半導体層にて前記入射光が入射される入射界面と当該半導体層にて当該入射界面から入射された前記入射光が透過して出射される出射界面との間の光学的距離D1が、当該入射界面から当該出射界面に入射された前記入射光の位相と当該出射界面において前記入射光が反射された反射光の位相との間における位相シフト量Φ1、および、当該入射界面において入射された前記入射光の中心波長λとの関係において、以下の数式(1)を満たすように形成されていることを特徴とする。
(2×D1)/λ=(1/2π)Φ1+N(Nは、0以上の整数) ・・・(1)
(2×D1)/λ=(1/2π)Φ1+N(Nは、0以上の整数) ・・・(1)
好適には、前記フォトセンサ素子は、前記半導体層の出射界面に設けられている第1の絶縁層を有し、前記第1の絶縁層は、当該第1の絶縁層にて前記半導体層を介して前記入射光が入射される入射界面と当該第1の絶縁層にて当該入射界面から入射された前記入射光が透過し出射される出射界面との間の光学的距離D2が、当該入射界面から当該出射界面に入射された前記入射光の位相と当該出射界面において前記入射光が反射された反射光の位相との間における位相シフト量Φ2、および、当該入射界面において入射された前記入射光の中心波長λとの関係において、以下の数式(2)を満たすように形成されている。
(2×D2)/λ=(1/2π)Φ2+M(Mは、0以上の整数) ・・・(2)
(2×D2)/λ=(1/2π)Φ2+M(Mは、0以上の整数) ・・・(2)
好適には、前記第1の絶縁層を介して前記半導体層の出射界面に対面するように金属材料で形成された金属反射層を有する。
好適には、前記フォトセンサ素子は、前記半導体層の入射界面に設けられている第2の絶縁層を有し、前記第2の絶縁層は、当該第2の絶縁層にて前記入射光が入射される入射界面と当該第2の絶縁層にて当該入射界面から入射された入射光が透過して出射される出射界面との間の光学的距離D3が、当該入射界面から当該出射界面に入射される前記入射光の位相と当該出射界面において前記入射光が反射された反射光の位相との間における位相シフト量Φ3、および、当該入射界面において入射された前記入射光の中心波長λとの関係において、以下の数式(3)を満たすように形成されている。
(2×D3)/λ=(1/2π)Φ3+L(Lは、0以上の整数) ・・・(3)
(2×D3)/λ=(1/2π)Φ3+L(Lは、0以上の整数) ・・・(3)
好適には、前記表示パネルは、前記画素領域において前記画素をスイッチングする画素スイッチング素子を有し、前記画素スイッチング素子は、チャネル領域が形成された半導体層を有する薄膜トランジスタであり、前記フォトセンサ素子の前記半導体層は、前記画素スイッチング素子の半導体層と同じ半導体層がパターン加工されることで形成されている。
好適には、前記表示パネルの一方の面に対して反対側の他方の面に照明光を出射する照明部を含み、前記照明部は、可視光線と不可視光線とを前記照明光として出射するように構成されており、前記フォトセンサ素子は、前記表示パネルの一方の面の側において前記画素領域に移動した被検知体によって、前記照明光が反射された反射光を受光するように構成されている。
好適には、前記照明部は、中心波長が750〜1100nmの範囲にあり、半値幅が100nm以下の範囲の波長分散である赤外光線を、前記不可視光線として出射するように構成されている。
本発明は、画素領域に画素が配置された表示パネルを含み、当該表示パネルにおいて一方の面の側から入射する入射光を受光するフォトセンサ素子が当該表示パネルに設けられており、前記一方の面の側において画像を表示する表示装置であって、前記フォトセンサ素子は、前記入射光を受光し光電変換することで電荷を生成する半導体層と、前記半導体層の出射界面に設けられている第1の絶縁層とを有し、前記第1の絶縁層は、当該第1の絶縁層にて前記半導体層を介して前記入射光が入射される入射界面と当該第1の絶縁層にて当該入射界面から入射された入射光が透過し出射される出射界面との間の光学的距離D2が、当該入射界面に入射された前記入射光の位相と当該出射界面において前記入射光が反射された反射光の位相との間における位相シフト量Φ2、および、当該入射界面において入射された前記入射光の中心波長λとの関係において、以下の数式(4)を満たすように形成されている。
(2×D2)/λ=(1/2π)Φ2+M(Mは、0以上の整数) ・・・(4)
(2×D2)/λ=(1/2π)Φ2+M(Mは、0以上の整数) ・・・(4)
好適には、前記フォトセンサ素子は、前記半導体層の入射界面に設けられている第2の絶縁層を有し、前記第2の絶縁層は、当該第2の絶縁層にて前記入射光が入射される入射界面と当該第2の絶縁層にて当該入射界面から入射された入射光が透過して出射される出射界面との間の光学的距離D3が、当該入射界面から当該出射界面に入射される前記入射光の位相と当該出射界面において前記入射光が反射された反射光の位相との間における位相シフト量Φ3、および、当該入射界面において入射された前記入射光の中心波長λとの関係において、以下の数式(5)を満たすように形成されている。
(2×D3)/λ=(1/2π)Φ3+L(Lは、0以上の整数) ・・・(5)
(2×D3)/λ=(1/2π)Φ3+L(Lは、0以上の整数) ・・・(5)
本発明は、画素領域に画素が配置された表示パネルを含み、当該表示パネルにおいて一方の面の側から入射する入射光を受光するフォトセンサ素子が当該表示パネルに設けられている表示装置であって、前記フォトセンサ素子は、前記入射光を受光し光電変換することによって電荷を生成する半導体層と、前記半導体層の出射界面に設けられている第1の絶縁層とを有し、前記半導体層と前記第1の絶縁層とのそれぞれは、当該半導体層にて前記入射光が入射される入射界面と当該半導体層にて当該入射界面から入射された入射光が透過して出射される出射界面との間の光学的距離D1、および、当該第1の絶縁層にて前記半導体層を介して前記入射光が入射される入射界面と当該第1の絶縁層にて当該入射界面から入射された入射光が透過し出射される出射界面との間の光学的距離D2が、当該第1の絶縁層の入射界面から出射界面に入射された前記入射光の位相と当該第1の絶縁層の出射界面において前記入射光が反射された反射光の位相との間における位相シフト量Φ2、および、当該入射界面において入射された前記入射光の中心波長λとの関係において、以下の数式(6)を満たすように形成されている。
2×(D1+D2)/λ=(1/2π)Φ2+K(Kは、0以上の整数) ・・・(6)
2×(D1+D2)/λ=(1/2π)Φ2+K(Kは、0以上の整数) ・・・(6)
好適には、前記フォトセンサ素子は、前記半導体層の入射界面に設けられている第2の絶縁層を有し、前記第2の絶縁層は、当該第2の絶縁層にて前記入射光が入射される入射界面と当該第2の絶縁層にて当該入射界面から入射された入射光が透過して出射される出射界面との間の光学的距離D3が、当該入射界面から当該出射界面に入射される前記入射光の位相と当該出射界面において前記入射光が反射された反射光の位相との間における位相シフト量Φ3、および、当該入射界面において入射された前記入射光の中心波長λとの関係において、以下の数式(7)を満たすように形成されている。
(2×D3)/λ=(1/2π)Φ3+L(Lは、0以上の整数) ・・・(7)
(2×D3)/λ=(1/2π)Φ3+L(Lは、0以上の整数) ・・・(7)
本発明においては、フォトセンサ素子の半導体層について、上記の数式(1)を満たすような厚みで形成する。または、第1の絶縁層について、上記の数式(2),(4)を満たすような厚みで形成する。または、第2の絶縁層について、上記の数式(3),(5),(7)を満たすような厚みで形成する。または、フォトセンサ素子の半導体層と、第1の絶縁層とについて、上記の数式(6)を満たすような厚みで形成する。これにより、各層に入射した入射光が各層において共振して増幅し、フォトセンサ素子の半導体層において吸収される。よって、受光感度が向上する。
本発明によれば、フォトセンサ素子の感度を向上可能な表示装置を提供することができる。
本発明にかかる実施形態の一例について説明する。
<実施形態1>
(液晶表示装置の構成)
図1は、本発明の実施形態1において、液晶表示装置100の構成を示す断面図である。
<実施形態1>
(液晶表示装置の構成)
図1は、本発明の実施形態1において、液晶表示装置100の構成を示す断面図である。
本実施形態の液晶表示装置100は、図1に示すように、液晶パネル200と、バックライト300と、データ処理部400とを有する。各部について順次説明する。
液晶パネル200は、アクティブマトリクス方式であり、図1に示すように、TFTアレイ基板201と対向基板202と液晶層203とを有する。
この液晶パネル200においては、TFTアレイ基板201と対向基板202とが、互いに間隔を隔てるよう対面している。そして、そのTFTアレイ基板201と対向基板202との間に挟まれるように、液晶層203が設けられている。この液晶層203は、TFTアレイ基板201および対向基板202に形成された液晶配向膜(図示なし)によって配向されている。
そして、液晶パネル200は、図1に示すように、TFTアレイ基板201の側に位置するようにバックライト300が配置されており、TFTアレイ基板201において対向基板202に対面している面とは反対側の面に、バックライト300から出射された照明光Rが照射される。
本実施形態の液晶表示装置100は、たとえば、ノーマリ・ブラック方式であり、液晶パネル200において液晶層203に電圧を加えない時に光透過率が低下して黒表示が実施され、一方で、液晶層203に電圧を加えた時に光透過率が上がり、白表示が実施されるように、第1の偏光板206と第2の偏光板207とが配置されている。たとえば、第1の偏光板206と第2の偏光板207とは、互いの透過軸がクロスニコルになるように、配置されている。
図2は、本発明の実施形態1において、液晶パネル200を示す平面図である。
液晶パネル200は、図2に示すように、画素領域PAと、周辺領域CAとを有する。
液晶パネル200において画素領域PAには、図2に示すように、複数の画素Pが面に沿って配置されている。具体的には、画素領域PAにおいては、複数の画素Pが、x方向と、x方向に垂直なy方向とのそれぞれに、マトリクス状に並ぶように配置されている。
この画素領域PAにおいては、液晶パネル200の背面側に設置されたバックライト300が出射した照明光Rを、第1の偏光板206を介して背面から受け、その背面から受けた照明光Rが透過する。そして、液晶パネル200を透過した照明光Rが第2の偏光板207を透過し、画像表示が実行される。つまり、本実施形態の液晶パネル200は、透過型である。
詳細については後述するが、この画素領域PAにおいては、複数の画素Pに対応するように、複数の画像スイッチング素子(図示無し)と、複数の画素電極(図示無し)とがTFTアレイ基板201に設けられている。そして、対向基板202には、その複数の画素電極に対面する共通電極として対向電極(図示無し)が設けられると共に、複数の画素Pに対応するように、カラーフィルタ層(図示無し)が設けられている。この画素領域PAにおいては、画素スイッチング素子が画素Pをスイッチング制御することによって、第1の偏光板206を介して背面において入射する照明光Rを変調する。たとえば、ポリシリコンを半導体薄膜とするTFTが、画素スイッチング素子として形成され、液晶層203に印加する電圧をスイッチング制御することで、液晶層203の液晶分子の長尺方向の向きを変えて、照明光Rが透過する透過率を変化させる。そして、その液晶層203によって変調された照明光Rが、カラーフィルタ層によって着色され、第2の偏光板207を介して、正面側から出射し、画素領域PAにおいてカラー画像が表示される。
また、この画素領域PAにおいては、複数の画素Pに対応するように、フォトセンサ素子(図示無し)が形成されている。たとえば、フォトダイオード(図示無し)を含むように、このフォトセンサ素子が形成されている。そして、図1に示すように、液晶パネル200においてバックライト300が設置された背面に対して反対側となる正面に、ユーザーの指やタッチペンなどの被検知体Fが接触または近接した際に、その被検知体Fによって反射される光Hをフォトセンサ素子が受光し、受光データを生成するように構成されている。すなわち、対向基板202の側からTFTアレイ基板201の側へ向かう光Hをフォトセンサ素子が受光し、光電変換することによって、受光データを生成する。
液晶パネル200において周辺領域CAは、図2に示すように、画素領域PAの周辺を囲うように位置している。この周辺領域CAにおいては、図2に示すように、表示用垂直駆動回路11と、表示用水平駆動回路12と、センサ用垂直駆動回路13と、センサ用水平駆動回路14とが、周辺回路として形成されている。たとえば、画素スイッチング素子31と同様に、ポリシリコンを半導体薄膜とするTFTが、この周辺回路を構成する周辺回路素子として形成されている。
そして、画素領域PAにおいて画素Pに対応するように設けられた複数の画素スイッチング素子を、表示用垂直駆動回路11および表示用水平駆動回路12が線順次に駆動し、画像表示を実行する。そして、これと共に、画素領域PAにおいて画素Pに対応するように設けられた複数のフォトセンサ素子(図示無し)を、センサ用垂直駆動回路13とセンサ用水平駆動回路14とが線順次に駆動し、受光データを収集する。
具体的には、表示用垂直駆動回路11は、y方向において複数の画素Pに対応するように形成された画素スイッチング素子に接続されている。そして、表示用垂直駆動回路11は、供給される制御信号に基づいて、そのy方向に並ぶ複数の画素スイッチング素子に、走査信号を、順次、供給する。ここでは、x方向に並ぶ複数の画素Pに対応して形成された複数の画素スイッチング素子のそれぞれにゲート線(図示無し)が接続され、そのゲート線が垂直方向yに並ぶ複数の画素Pに対応するように複数形成されており、表示用垂直駆動回路11は、その複数のゲート線を順次選択するように、走査信号を供給する。
表示用水平駆動回路12は、x方向において複数の画素Pに対応するように形成された各画素スイッチング素子(図示無し)に接続されている。そして、表示用水平駆動回路12は、供給される制御信号に基づいて、そのy方向に並ぶ複数の画素スイッチング素子のそれぞれに、映像データ信号を順次供給する。ここでは、垂直方向yに並ぶ複数の画素Pに対応して形成された複数の画素スイッチング素子のそれぞれに信号線(図示無し)が接続され、その信号線が水平方向xに並ぶ複数の画素Pに対応するように複数形成されており、表示用水平駆動回路12は、その複数の信号線に、順次、映像データ信号を供給する。そして、表示用垂直駆動回路11によって走査信号が供給された画素スイッチング素子を介して、その映像データ信号が液晶層203に印加され、画像表示が実行される。
センサ用垂直駆動回路13は、y方向において複数の画素Pに対応するように形成された複数のフォトセンサ素子(図示無し)に接続されている。そして、センサ用垂直駆動回路13は、供給される制御信号に基づいて、そのy方向に並ぶ複数のフォトセンサ素子において、受光データを読み出すフォトセンサ素子を選択するように走査信号を供給する。ここでは、x方向に並ぶ複数のフォトセンサ素子のそれぞれに対応するように、ゲート線(図示無し)が設けられ、そのゲート線がy方向に並ぶ複数のフォトセンサ素子に対応するように複数形成されており、センサ用垂直駆動回路13は、その複数のゲート線を順次選択するように走査信号を供給する。
センサ用水平駆動回路14は、x方向において複数の画素Pに対応するように形成された複数のフォトセンサ素子(図示無し)に接続されている。そして、センサ用水平駆動回路14は、供給される制御信号に基づいて、そのy方向に並ぶ複数のフォトセンサ素子から受光データを、順次、読み出す。ここでは、y方向に並ぶ複数の画素Pに対応して形成された複数のフォトセンサ素子のそれぞれに、信号線(図示無し)が接続され、その信号線がx方向に並ぶ複数の画素Pに対応するように複数形成されており、センサ用水平駆動回路14は、その複数の信号線を介してフォトセンサ素子から、順次、受光データを読み出す。具体的には、センサ用垂直駆動回路13によって走査信号が供給され、選択されたフォトセンサ素子から受光データを、順次、読み出す。
バックライト300は、図1に示すように、液晶パネル200の背面に対面しており、その液晶パネル200の背面に照明光Rを出射する。
具体的には、バックライト300は、液晶パネル200を構成するTFTアレイ基板201の側に配置されており、そのTFTアレイ基板201において対向基板202に対面している面に対して反対側の面に、照明光Rを照射する。つまり、バックライト300は、TFTアレイ基板201の側から対向基板202の側へ向かうように照明光Rを照明する。
データ処理部400は、図1に示すように、制御部401と、位置検出部402とを有する。データ処理部400は、コンピュータを含み、プログラムによってコンピュータが各部として動作するように構成されている。
データ処理部400の制御部401は、液晶パネル200とバックライト300との動作を制御するように構成されている。制御部401は、液晶パネル200に制御信号を供給することによって、液晶パネル200に複数設けられた画素スイッチング素子(図示無し)の動作を制御する。たとえば、線順次駆動を実行させる。また、制御部401は、外部から供給される駆動信号に基づいて、バックライト300に制御信号を供給することによって、バックライト300の動作を制御し、バックライト300から照明光Rを照射する。このように、制御部401は、液晶パネル200とバックライト300との動作を制御することによって、液晶パネル200の画素領域PAに画像を表示する。
このほかに、制御部401は、液晶パネル200に制御信号を供給することによって、液晶パネル200に位置センサ素子として複数設けられたフォトセンサ素子(図示無し)の動作を制御し、そのフォトセンサ素子から受光データを収集する。たとえば、線順次駆動を実行させて、複数のフォトセンサ素子から受光データを順次収集する。
データ処理部400の位置検出部402は、液晶パネル200に複数設けられたフォトセンサ素子(図示無し)から収集した受光データに基づいて、液晶パネル200の正面側において、画素領域PAにユーザーの指やタッチペンなどの被検知体が接触または近接した位置を検出する。たとえば、受光データの信号強度が基準値よりも大きい座標位置を、被検知体Fが画素領域PAにおいて接触した座標位置として検出する。
(液晶パネルの画素領域)
図3は、本発明の実施形態1において、液晶パネル200の画素領域PAの要部を模式的に示す断面図である。
図3は、本発明の実施形態1において、液晶パネル200の画素領域PAの要部を模式的に示す断面図である。
図3に示すように、液晶パネル200は、TFTアレイ基板201と、対向基板202と、液晶層203とを有する。この液晶パネル200においては、図3に示すように、TFTアレイ基板201と対向基板202とが間隔を隔てられて貼り合わされており、そのTFTアレイ基板201と対向基板202との間の間隔に、液晶層203が設けられている。液晶パネル200の各部について順次説明する。
TFTアレイ基板201について説明する。
TFTアレイ基板201は、図3に示すように、ガラス基板201gを含む。ガラス基板201gは、光を透過する絶縁体の基板であり、ガラスにより形成されている。そして、このガラス基板201gにて対向基板202に対面する側の面には、図3に示すように、画素スイッチング素子31と、フォトセンサ素子32と、画素電極62とが形成されている。TFTアレイ基板201に設けられた各部について順次説明する。
TFTアレイ基板201において画素スイッチング素子31は、図3に示すように、画素領域PAの表示領域TAに形成されている。
画素スイッチング素子31は、図3に示すように、ゲート電極45と、ゲート絶縁膜46gと、半導体層48とを含み、LDD(Lightly Doped Drain)構造のボトムゲート型TFTとして形成されている。たとえば、Nチャネル型のTFTとして形成されている。
具体的には、画素スイッチング素子31において、ゲート電極45は、モリブデン(Mo)などの金属材料を用いて形成されている。ここでは、図3に示すように、ゲート電極45は、ガラス基板201gの面において、ゲート絶縁膜46gを介して、半導体層48のチャネル領域48Cに対面するように設けられている。
また、画素スイッチング素子31において、ゲート絶縁膜46gは、図3に示すように、たとえば、ゲート電極45を被覆するように形成されている。ここでは、ゲート絶縁膜46gは、たとえば、シリコン窒化膜46nとシリコン酸化膜46oxとが、順次、ガラス基板201gの側から積層されることによって形成される。
また、画素スイッチング素子31において、半導体層48は、たとえば、ポリシリコンで形成されている。この半導体層48においては、図3に示すように、ゲート電極45に対応するようにチャネル領域48Cが形成されると共に、そのチャネル領域48Cを挟むように一対のソース・ドレイン領域48A,48Bが形成されている。この一対のソース・ドレイン領域48A,48Bは、チャネル領域48Cを挟むように一対の低濃度不純物領域48AL,48BLが形成され、さらに、その低濃度不純物領域48AL,48BLよりも不純物の濃度が高い一対の高濃度不純物領域48AH,48BHが、その一対の低濃度不純物領域48AL,48BLを挟むように形成されている。
そして、画素スイッチング素子31において、ソース電極53とドレイン電極54とのそれぞれは、アルミニウムなどの導電材料を用いて形成されている。ここでは、図3に示すように、シリコン酸化膜49oxとシリコン窒化膜49nとの積層体からなる層間絶縁膜49が半導体層48を被覆するように設けられており、ソース電極53は、その層間絶縁膜49を貫通するコンタクトホールに導電材料が埋め込まれ、パターン加工されることで、一方のソース・ドレイン領域48Aに電気的に接続するように設けられている。そして、同様に、ドレイン電極54は、層間絶縁膜49を貫通するコンタクトホールに導電材料が埋め込まれ、パターン加工されることで、他方のソース・ドレイン領域48Bに電気的に接続するように設けられている。
TFTアレイ基板201においてフォトセンサ素子32は、図3に示すように、画素領域PAのセンサ領域SAに形成されている。
フォトセンサ素子32は、たとえば、フォトダイオードであって、図3に示すように、金属反射層43と、半導体層47とを含む。そして、フォトセンサ素子32は、入射する光を受光し、光電変換することによって、受光データを生成し、読み出される。たとえば、逆方向バイアスが印加されることによって、光電流が受光データとして読み出されるように構成されている。
具体的には、フォトセンサ素子32において、金属反射層43は、たとえば、モリブデン(Mo、融点2623℃)などの金属材料を用いて形成されている。この金属反射層43は、図3に示すように、ガラス基板201gの面において、絶縁膜46sを介して、半導体層47のi層47iに対面するように設けられており、ガラス基板201gにおいて金属反射層43が設けられた面の反対側の面の側から半導体層47に入射する照明光を反射することによって遮光する。なお、金属反射層43は、モリブデンの他、チタン(Ti、融点1666℃)、バナジウム(V、融点1917℃)、クロム(Cr、融点1857℃)、ジルコニウム(Zr、融点1852℃)、ニオブ(Nb、融点2470℃)、ハフニウム(Hf、融点2230℃)、タンタル(Ta、融点2985℃)、タングステン(W、融点3407℃)等の高融点金属、あるいは、これらの合金、あるいは、これらのシリサイドを用いることができる。または、上記金属膜の積層膜、上記金属化合物膜の積層膜、上記金属膜と上記金属化合物膜との積層膜を用いることができる。また、必要に応じて、アルミニウム、銅など比抵抗が低い材料の表側に高融点金属を重ねた配線、いわゆるクラッド構造の配線としても良い。
また、フォトセンサ素子32において、半導体層47は、図3に示すように、ガラス基板201gの面に形成されている。この半導体層47は、たとえば、多結晶シリコンで形成されており、画素スイッチング素子31の半導体層48と同じ半導体薄膜がパターン加工されることで形成される。
この半導体層47は、p層47pとn層47nとi層47iとを含み、PIN構造になるように構成されており、入射する光Hを受光して光電変換することによって電荷を生成する。つまり、半導体層47は、光電変換層として形成されている。ここでは、p層47pは、p型不純物が高濃度にドープされることによって形成され、n層47nは、n型不純物が高濃度にドープされることによって形成され、i層47iは、高抵抗であって、p層47pとn層47nとの間に介在している。
この半導体層47は、n層47nとi層47iとp層47pとのそれぞれが、順次、ガラス基板201gにおいて、その面方向xyに沿って並ぶように設けられている。
具体的には、半導体層47において、i層47iは、絶縁膜46sを介して金属反射層43に対面するように設けられている。
そして、n層47nとp層47pとのそれぞれは、ガラス基板201gの面方向xyにおいて、i層47iを挟むように設けられている。
つまり、光電変換が行われる半導体層47が、液晶パネル200の面方向xyにおいて電流が流れるラテラル型構造になるように、このフォトセンサ素子32が構成されている。
そして、本実施形態にて、半導体層47のi層47iは、このi層47iにて光Hが入射される入射界面S1aと、このi層47iにて上記の入射界面S1aから入射された光Hが透過して出射される出射界面S1bとの間の光学的距離D1が、以下の数式(1)を満たすように形成されている。
(2×D1)/λ=(1/2π)Φ1+N(Nは、0以上の整数) ・・・(1)
ここでは、Φ1は、半導体層47のi層47iと絶縁膜46sとの界面に入射し反射した光Hの位相シフト量(ラジアン)である。つまり、Φ1は、入射界面S1aから出射界面S1bへ入射された光Hの位相と、その出射界面S1bにおいて反射された光Hの位相との間における位相シフト量(ラジアン)である。また、λは、入射界面S1aに入射された光Hの中心波長(nm)である。
そして、本実施形態にて、i層47iと金属反射層43との間においてi層47iの出射界面S1bに対応するように設けられた絶縁膜46sは、この絶縁膜46sにてi層47iを介して光Hが入射される入射界面S2aと、この絶縁膜46sにて入射界面S2aから入射された光Hが透過し出射される出射界面S2bとの間の光学的距離D2が、以下の数式(2)を満たすように形成されている。
(2×D2)/λ=(1/2π)Φ2+M(Mは、0以上の整数) ・・・(2)
ここでは、Φ2は、絶縁膜46sと金属反射層43との界面に入射し反射された光Hの位相シフト量(ラジアン)である。つまり、Φ2は、入射界面S2aから出射界面S2bへ入射された光Hの位相と、その出射界面S2bにおいて反射された光Hの位相との間における位相シフト量(ラジアン)である。また、λは、上記と同様に、入射界面S2aに入射された光Hの中心波長(nm)である。
そして、フォトセンサ素子32において、第1電極51は、n層47nに接続するように設けられている。ここでは、第1電極51は、図3に示すように、n層47nがi層47iに対応する部分からガラス基板201gの面方向xyに延在しており、その延在した部分の表面に形成されている。たとえば、この第1電極51は、アルミニウムなどの金属材料を用いて形成されている。
そして、フォトセンサ素子32において、第2電極52は、p層47pに電気的に接続するように設けられている。ここでは、第2電極52は、図3に示すように、p層47pがi層47iに対応する部分からガラス基板201gの面方向xyに延在しており、その延在した部分の表面に形成されている。たとえば、この第2電極52は、アルミニウムなどの金属材料を用いて形成されている。
この第1電極51と第2電極52とのそれぞれは、半導体層47を被覆する層間絶縁膜49において、n層47nとp層47pとのそれぞれの表面が露出するようにコンタクトホールを設けられた後に、たとえば、金属材料などの導電材料を、そのコンタクトホールに埋め込み、パターン加工することで形成される。なお、層間絶縁膜49は、図3に示すように、シリコン酸化膜49oxと、シリコン窒化膜49nとを含み、ガラス基板201gの側から、順次、設けられている。詳細については後述するが、図3に示すように、i層47iの上部にストッパ層STbがシリコン酸化膜で形成されており、このストッパ層STbは、フォトセンサ素子32の製造において用いられた後には、層間絶縁膜49として機能する。
また、TFTアレイ基板201において画素電極62は、図3に示すように、平坦化膜60上において、表示領域TAに対応するように形成されており、画素スイッチング素子31のドレイン電極54に接続されている。画素電極62は、いわゆる透明電極であって、たとえば、ITOを用いて形成されている。そして、画素電極62は、バックライト300によって照明された光を変調するように、図3に示した対向基板202に設けた対向電極23との間において、液晶層203に電圧を印加する。
対向基板202について説明する。
対向基板202は、TFTアレイ基板201の場合と同様に、光を透過する絶縁体のガラス基板202gを有しており、図3に示すように、TFTアレイ基板201に対して間隔を隔てるよう対面している。そして、対向基板202においては、図3に示すように、カラーフィルタ層21と、対向電極23とが形成されている。
この対向基板202においてカラーフィルタ層21は、図3に示すように、対向基板202にてTFTアレイ基板201に対面する側の面に形成されている。カラーフィルタ層21は、バックライト300から出射された照明光が着色されて、TFTアレイ基板201の側から対向基板202の側へ透過するように構成されている。なお、図3においては、図示を省略しているが、カラーフィルタ層21は、たとえば、赤フィルタ層と緑フィルタ層と青フィルタ層とを1組として画素Pごとに設けられており、この赤フィルタ層と緑フィルタ層と青フィルタ層とのそれぞれに対応するように、上述した画素スイッチング素子31が設けられている。
そして、対向基板202において対向電極23は、図3に示すように、対向基板202にてTFTアレイ基板201に対面する側の面に形成されている。対向電極23は、いわゆる透明電極であって、たとえば、ITOを用いて形成されている。ここでは、図3に示すように、カラーフィルタ層21を被覆するように、平坦化膜22が設けられており、その平坦化膜22の上に、対向電極23が共通電極として機能するようにベタ状に全面に設けられている。
液晶層203について示す。
液晶層203は、図3に示すように、TFTアレイ基板201と対向基板202との間にて挟持され、配向処理される。たとえば、液晶層203は、TFTアレイ基板201と対向基板202との間において、スペーサ(図示なし)により所定の距離が保持された間隔に、封入されている。そして、液晶層203は、TFTアレイ基板201および対向基板202に形成された液晶配向膜(図示なし)によって配向されている。たとえば、液晶層203は、液晶分子が垂直配向するように形成される。
(バックライトの構成)
図4は、本発明の実施形態1において、バックライト300を模式的に示す断面図である。図5は、本発明の実施形態1において、バックライト300の要部を模式的に示す斜視図である。
図4は、本発明の実施形態1において、バックライト300を模式的に示す断面図である。図5は、本発明の実施形態1において、バックライト300の要部を模式的に示す斜視図である。
図4に示すように、バックライト300は、光源301と、導光板302とを有しており、液晶パネル200の画素領域PAの全面を照明するように、照明光Rを出射する。
光源301は、図4に示すように、光を照射する照射面ESを含み、この照射面ESが、導光板302において光が入射される入射面ISに対面するように配置されている。ここでは、導光板302の側面に設けられている入射面ISに、光源301の照射面ESが対面している。そして、光源301は、制御信号が制御部401から供給され、その制御信号に基づいて、発光動作を実施するように構成されている。
本実施形態においては、光源301は、図5に示すように、可視光源301aと、赤外光源301bとを有する。
可視光源301aは、たとえば、白色LEDであり、白色の可視光線を照射するように構成されている。この可視光源301aは、図5に示すように、導光板302の入射面ISに照射面ESが対面するように配置されており、その導光板302の入射面ISに照射面ESから可視光線を照射する。ここでは、可視光源301aは、複数であり、その複数が、導光板302の入射面ISに沿うように並べられて配置されている。
赤外光源301bは、たとえば、赤外線LEDであり、赤外光線を照射するように構成されている。この赤外光源301bは、図5に示すように、導光板302の入射面ISに照射面ESが対面するように配置されており、その導光板302の入射面ISに照射面ESから、中心波長が750〜1100nmの範囲にあり、半値幅が100nm以下の範囲の波長分散である赤外光線を、照射する。たとえば、中心波長が850nmである赤外光線を照射する。ここでは、赤外光源301bは、たとえば、単数であり、可視光源301aが設けられた導光板302の入射面ISにおいて、その可視光源301aと並ぶように配置されている。本実施形態においては、図5に示すように、赤外光源301bは、可視光源301aが設けられた導光板302の入射面ISにおいて、略中央部分になるように配置されている。
導光板302は、図4に示すように、入射面ISに光源301の照射面ESが対面するように設けられており、その照射面ESから照射された光が入射される。そして、導光板302は、その入射面ISに入射された光を導光する。そして、その導光した光を、入射面ISに対して直交するように設けられた出射面PS1から照明光Rとして出射する。導光板302は、液晶パネル200の背面に対面するように配置され、その液晶パネル200の背面に向かって、出射面PS1から照明光Rを出射する。この導光板302は、たとえば、アクリル樹脂など、光透過性が高い透明な材料を用いて、射出成型により形成される。
本実施形態においては、導光板302は、可視光源301aから出射された可視光線と、赤外光源301bから出射された赤外光線との両者が、入射面ISに入射され、その入射面ISから入射された可視光線と赤外光線とを導光する。そして、その導光した可視光線と赤外光線とが、出射面PS1から照明光Rとして出射される。そして、上記のように、透過型の液晶パネル200の画素領域PAにおいて画像が表示される。
導光板302は、図4に示すように、光学フィルム303と反射フィルム304とが設けられている。
光学フィルム303は、図4に示すように、導光板302において出射面PS1に対面するように設けられている。光学フィルム303は、導光板302の出射面PS1から出射される照明光Rを受け、その光学特性を変調するように構成されている。
本実施形態においては、光学フィルム303は、拡散シート303aとプリズムシート303bとを有しており、拡散シート303aとプリズムシート303bとが導光板302の側から順次配置されている。そして、拡散シート303aは、導光板302の出射面PSから出射される光を拡散し、プリズムシート303bは、その拡散された光を導光板302の出射面PSの法線方向zに沿うように集光する。このようにすることで、光学フィルム303は、導光板302から出射された光を、平面光の照明光Rとして液晶パネル200の裏面へ出射する。
反射フィルム304は、図4に示すように、導光板302において出射面PSに対して反対側に位置する面に対面するように設けられている。反射フィルム304は、導光板302において出射面PS1に対して反対側に位置する面PS2から出射される光を受けて、導光板302の出射面PS1の側へ、その光を反射する。
(動作)
以下より、上記の液晶表示装置100において、ユーザーの指などの被検知体が液晶パネル200の画素領域PAに接触もしくは移動された位置を検出する際の動作について説明する。
以下より、上記の液晶表示装置100において、ユーザーの指などの被検知体が液晶パネル200の画素領域PAに接触もしくは移動された位置を検出する際の動作について説明する。
図6は、本発明の実施形態1において、被検知体が液晶パネル200の画素領域PAに接触もしくは移動された位置を検出する際の様子を模式的に示す断面図である。図6においては、要部を記載し、その他の部分については、記載を省略している。
液晶表示装置100が白表示をしている際において、ユーザーの指などの被検知体Fが画素領域PAに接触もしくは移動されたときには、図6に示すように、バックライト300から照明された照明光Rが、液晶パネル200を介して第2の偏光板207を透過し、その被検知体Fによって、反射される。そして、その反射された光Hが、液晶パネル200に形成されたフォトセンサ素子32によって受光される。
ここでは、上述したように、バックライト300が可視光線VRと赤外光線IRとを含む照明光Rを、平面光として、液晶パネル200の背面に照射する。そして、その照明光Rは、液晶パネル200を介して、被検知体Fに照射され、被検知体Fによって反射される。そして、その被検知体Fによって反射された光Hを、フォトセンサ素子32が受光する。
このとき、照明光Rにおいて可視光線VRは、液晶パネル200などの各部において吸収され、その強度が低下した状態で、フォトセンサ素子32によって受光される。これに対して、照明光Rにおいて赤外光線IRは、液晶パネル200の各部において吸収される割合が可視光線VRよりも小さいため、可視光線VRよりも大きな強度で、フォトセンサ素子32によって受光される。
そして、その受光した光の強度に応じた信号強度の受光データをフォトセンサ素子32が生成する。その後、周辺回路によって受光データが読み出され、その受光データが読み出されたフォトセンサ素子32の位置と、そのフォトセンサ素子32から読み出された受光データの信号強度とのそれぞれに基づいて、被検知体Fが画素領域PAにおいて接触した位置が、位置検出部402によって検出される。
一方で、液晶表示装置100が黒表示をしている際には、バックライト300から照明された照明光Rに含まれる可視光線VRは、液晶パネル200を介して第2の偏光板207を透過しないが、その照明光Rに含まれる赤外光線IRは、第2の偏光板207を透過する。このため、白表示の場合と同様に、赤外光線IRをフォトセンサ素子32が受光可能であるので、被検知体Fが画素領域PAにおいて接触した位置が、位置検出部402によって検出される。
(製造方法)
上記の液晶パネル200を製造する製造方法について、以下より、説明する。
上記の液晶パネル200を製造する製造方法について、以下より、説明する。
図7と図8と図9とのそれぞれは、本発明にかかる実施形態1において、液晶パネル200について製造する際の製造工程の要部を示す断面図である。図7と図8と図9とにおいては、本実施形態の液晶パネル200を製造する際において、TFTアレイ基板201を製造する製造工程について、(a),(b),(c),(d),(e),(f),(g),(h)の順で示している。
まず、図7(a)に示すように、画素スイッチング素子31のゲート電極45と、フォトセンサ素子32の金属反射層43とを形成する。
ここでは、ガラス基板201g上に、たとえば、厚さが50〜100nmのモリブデン膜(図示なし)を、マグネトロン・スパッタ法で成膜した後に、フォトリソグラフィーおよび反応性イオンエッチングで、そのモリブデン膜をパターン加工することによって、図7(a)に示すように、画素スイッチング素子31のゲート電極45と、フォトセンサ素子32の金属反射層43とを形成する。
なお、必要に応じて、ガラス基板201gの表面に、予めSiNxやSiO2などの絶縁膜を、熱緩衝層として形成し、その上に、上記のように、ゲート電極45と金属反射層43とを形成してもよい。
つぎに、図7(b)に示すように、画素スイッチング素子31のゲート絶縁膜46gと、フォトセンサ素子32の絶縁膜46sとを形成後、その画素スイッチング素子31のゲート絶縁膜46gと、フォトセンサ素子32の絶縁膜46sとを被覆するように、ポリシリコン膜48pを形成する。
ここでは、たとえば、シリコン窒化膜46nと、シリコン酸化膜46oxとを、画素スイッチング素子31のゲート電極45およびフォトセンサ素子32の金属反射層43を被覆するように、順次、ガラス基板201gの表面に設けて、画素スイッチング素子31のゲート絶縁膜46gと、フォトセンサ素子32の絶縁膜46sとを形成する。たとえば、プラズマCVD法によって、シリコン窒化膜46nとシリコン酸化膜46oxとを、順次、ガラス基板201gの表面に堆積させる。
本実施形態においては、この画素スイッチング素子31のゲート絶縁膜46gと、フォトセンサ素子32の絶縁膜46sとについて、半導体層47にてi層47iが設けられる部分に対応する部分の光学的距離(光学的厚さ)D2が、上記の数式(2)を満たすように形成する。
そして、これに続いて、原料ガスの切り替えを行い、上記の画素スイッチング素子31のゲート絶縁膜46gと、フォトセンサ素子32の絶縁膜46sとを被覆するように、アモルファスシリコン膜(図示なし)を成膜する。たとえば、プラズマCVD法によって、このアモルファスシリコン膜を成膜する。
この後、アモルファスシリコン膜について、脱水素アニール処理を行う。具体的には、窒素雰囲気の下、温度が400℃の炉において、1〜3時間程度、熱処理を実施することによって、上記のアモルファスシリコン膜の膜中の水素量を、0.1〜2原子数%程度まで低減させる。
そして、つぎに、エキシマ・レーザ・アニール(ELA)を行い、そのアモルファスシリコン膜をポリシリコン膜48pに転換する。具体的には、波長が308nmであるエキシマレーザを、アモルファスシリコン膜に照射することによって、そのアモルファスシリコン膜をポリシリコン膜48pに転換する。
本実施形態においては、半導体層47においてi層47iが設けられる部分の光学的距離D1(光学的厚さ)が、上記した数式(1)を満たすように形成する。
そして、さらに、TFTである画素スイッチング素子31の閾電圧Vthを制御するために、上記のポリシリコン膜48pに対して、イオンインプランテーションを必要に応じて行う。たとえば、B+イオンをドーパントとし、10keVの加速エネルギーでドーズ量5×1011〜4×1012/cm2程度になるように、ポリシリコン膜48pにイオン注入する。
つぎに、図7(c)に示すように、ストッパ層STa,STbを形成する。
ここでは、ポリシリコン膜48pを被覆するように、シリコン酸化膜(図示なし)を成膜した後、そのシリコン酸化膜についてパターン加工することで、ストッパ層STa,STbを形成する。
具体的には、まず、プラズマCVD法によって、約10〜200nmの厚みになるように、シリコン酸化膜を成膜する。たとえば、シランガスSiH4と亜酸化窒素ガスN2Oとをプラズマ分解させることで、このシリコン酸化膜を堆積させる。そして、このシリコン酸化膜を、フォトリソグラフィーおよび反応性イオンエッチングによって、所定の形状にパターニングしストッパ層STa,STbに加工する。たとえば、裏面露光技術によって、ゲート電極45および金属反射層43とのそれぞれに自己整合するように、このストッパ層STa,STbを形成する。
つぎに、図8(d)に示すように、画素スイッチング素子31のソース・ドレイン領域48A,48Bと、フォトセンサ素子32のn層47n,p層47pを形成する。
ここでは、上記のストッパ層STaをマスクとして、ポリシリコン膜48pにおいて、ソース・ドレイン領域48A,48Bを形成する部分、および、フォトセンサ素子32のn層47nを形成する部分に、たとえば、n型の不純物イオンを注入する。また、フォトセンサ素子32のp層47pを形成する部分に、p型の不純物イオンを注入する。画素スイッチング素子31においては、LDD構造になるように、ソース・ドレイン領域48A,48Bに、イオン注入を行う。
そして、たとえば、RTA(急速熱アニール)処理を実施することで、上記にてポリシリコン膜48pに注入された不純物イオンを活性化する。
その後、フォトリソグラフィーと反応性イオンエッチングによって、ポリシリコン膜48pをパターン加工することで、画素スイッチング素子31の半導体層48と、フォトセンサ素子32の半導体層47とを形成する
つぎに、図8(e)に示すように、層間絶縁膜49を形成する。
ここでは、上記にて形成した各層を被覆するように、層間絶縁膜49を形成する。具体的には、プラズマCVD法によって、シリコン酸化膜49oxとシリコン窒化膜49nとを、順次、連続して成膜し、層間絶縁膜49とする。つまり、シリコン酸化膜49oxを成膜後、そのシリコン酸化膜49oxに積層するように、シリコン窒化膜49nを成膜する。
その後、層間絶縁膜49に含まれる水素原子を、上記の半導体膜中に拡散させる水素化アニール処理を実施する。たとえば、窒素ガス、または、フォーミングガス中、または、真空中雰囲気下において、250℃〜400℃程度の温度で、加熱処理を、1〜3時間、実施することで、この水素化アニールを実施する。
つぎに、図8(f)に示すように、コンタクトホールCH11,CH12,CH21,CH22を形成する。
ここでは、フォトリソグラフィーと反応性イオンエッチングにより、層間絶縁膜49にコンタクトホールCH11,CH12,CH21,CH22を形成する。具体的には、高濃度不純物領域48AH,48BHの各表面が露出するように、コンタクトホールCH11,CH12を形成する。また、n層47nおよびp層47pの各表面が露出するように、コンタクトホールCH21,CH22を形成する。
つぎに、図9(g)に示すように、ソース電極53とドレイン電極54と第1電極51と第2電極52とを形成する。
ここでは、コンタクトホールCH11,CH12,CH21,CH22を埋めるように、たとえば、Alなどの導電材料を、スパッタリング法によって、堆積し、導電膜(図示なし)を成膜する。
その後、フォトリソグラフィーと反応性イオンエッチングによって、その導電膜をパターン加工することによって、ソース電極53とドレイン電極54と第1電極51と第2電極52とを形成する。
つぎに、図9(h)に示すように、平坦化膜60を形成後に、その平坦化膜60にコンタクトホールCH31を形成する。
ここでは、上記にて形成した各層を被覆するように、平坦化膜60を形成する。具体的には、感光性のアクリル樹脂などの感光性樹脂を、厚みが1〜3μm程度になるように成膜することで、この平坦化膜60を形成する。
その後、フォトリソグラフィーによって、ドレイン電極54の表面を露出するように、この平坦化膜60にコンタクトホールCH31を形成する。そして、120〜200℃程度の温度で焼成する。
つぎに、図3に示すように、画素電極62を形成する。
ここでは、たとえば、酸化インジュウム錫(In2O3+SnO2、以下、ITO)などからなる透明導電膜(図示なし)を、平坦化膜60上に形成後、その透明導電膜をパターン加工することで、画素電極62を形成する。
そして、上記のように画素電極62などの各部が形成されたTFTアレイ基板201と、対向電極23などの各部が形成された対向基板202とを、画素電極62と対向電極23とが対向するように貼り合わせる。ここでは、貼り合わせるに当たり、TFTアレイ基板201と対向基板202とのそれぞれに、たとえば、ポリイミドで配向膜を形成した後に、その配向膜をラビング処理する。そして、TFTアレイ基板201と対向基板202とを、間隔を隔てて対面するように貼り合わせる。その後、そのTFTアレイ基板201と対向基板202との間の間隔に液晶を注入し、液晶層203を配向させて液晶パネル200を形成する。
その後、偏光板、バックライトなどの周辺機器を実装して液晶表示装置100を完成する。
以上のように、本実施形態においては、半導体層47のi層47iの光学的距離D1が、上記の数式(1)を満たすように形成している。また、さらに、本実施形態においては、i層47iと金属反射層43との間においてi層47iの出射界面S1bに対応するように設けられた絶縁膜46sは、上記の数式(2)を満たすように形成している。この場合には、各層の界面にて反射された光が多重干渉して増幅される。このため、本実施形態は、フォトセンサ素子の感度を向上可能であって、位置検出感度を向上することができる。
図10は、本発明にかかる実施形態1において、i層47iに光Hが入射された際の光強度を算出する様子を説明するモデル図である。
図10に示すモデル図においては、ガラス基板201g上に、金属反射層43,絶縁膜46s,i層47iが、順次、形成されている部分を示している。ここでは、ガラス基板201gは、複素屈折率が、1.5であり、金属反射層43は、モリブデン膜であって、その複素屈折率が、3.34−3.35iであり、絶縁膜46sは、シリコン酸化膜であって、その複素屈折率が、1.5であり、i層47iは、多結晶シリコン膜であって、その複素屈折率が、3.67−0.0056iである。なお、これらの複素屈折率は波長850nmの場合の値である。
また、i層47iに光Hが入射された際の光強度については、ガラス基板201gの面に対して垂直に入射した場合について算出したが、この図10においては、ガラス基板201gの面に対して斜めに光Hが各層に入射し、その各層の界面を反射または透過した後に、i層47iに入射した複数の経路について、示している。さらに、算出の際においては、絶縁膜46sにおける光の吸収が無いと仮定した。
そして、光Hの中心波長λが850nmの条件の下、図10に示した複数の経路における複素振幅を計算後、それらの和の絶対値を2乗した値から、i層47iの表面から深さxにおける光強度を算出した。なお、本算出方法は、小檜山光信著,「光学薄膜の基礎理論」(オプトロニクス社)などにおいて示されている。
図11と図12は、本発明にかかる実施形態1において、i層47iにて光Hが入射された際の光強度を示す図である。図11と図12とにおいて、横軸は、i層47iの表面から深さxであり、縦軸は、光Hの入射光強度に対する光強度の割合rである。
図11は、i層47iの層厚が115.8nmであり、絶縁膜46sの厚さが128nmである場合において、算出された結果を示している。一方、図12は、i層47iの層厚が43nmであり、絶縁膜46sの厚さが187nmである場合において、算出された結果を示している。
図11の場合には、i層47iと、i層47iを挟む他の層との界面において、最大の光強度を示し、i層47iの厚み方向の中心において、最小の光強度を示している。この界面部分においては、光Hの光強度に対して、約5倍の光強度になっており、i層47i全体の平均光強度は、2.6倍であり、増幅されている。
一方で、図12の場合においては、i層47iにて光が入射する入射界面(x=0)の光強度が最小であり、深さ方向xに進むに伴って、上昇している。このため、i層47iにおける平均光強度は、0.40倍であり、減少している。
一般的に、受光感度は、光吸収率に比例し、光吸収率は、i層47iの平均光強度と、光吸収係数と、その膜厚との積によってされる。このため、図11の場合と図12の場合とを比較すると、図11の場合は、図12の場合に対して、膜厚が約2.7倍であるに過ぎないが、受光感度については、約18倍になることが、上記の結果から判る。つまり、上記の結果から、i層47iや、そのi層47iにおいて光が入射あるいは出射する界面に設けられた層の厚みに応じて、i層47iにおいて吸収される平均光強度が異なることが判る。
半導体層47のi層47iの光学的距離D1が、上記の数式(1)を満たすようにi層47iを形成することで、上記の図11に示したように、i層47iにて吸収される光の平均光強度を増幅することができる。同様に、i層47iと金属反射層43との間においてi層47iの出射界面S1bに対応するように設けられた絶縁膜46sを、上記の数式(2)を満たすように形成することで、i層47iにて吸収される光の平均光強度を増幅することができる。
この点について、以下に説明する。
図13は、本発明にかかる実施形態1において、光Hの経路を示すモデル図である。
図13に示すモデル図においては、ガラス基板201g上に、金属反射層43,絶縁膜46s,i層47iが、順次、形成されている部分を示している。
そして、ここでは、i層47iについて、複素屈折率が、屈折率n1と、消衰係数k1との関係において、n1−i・k1であり、このi層47iにて光Hが入射される入射界面S1aと、このi層47iにて上記の入射界面S1aから入射された光Hが透過して出射される出射界面S1bとの間の光学的距離D1が、屈折率n1と、物理的な層厚d1との積であることを示している。
また、絶縁膜46sについて、複素屈折率が、屈折率n2と、消衰係数k2との関係において、n2−i・k2であり、この絶縁膜46sにて光Hが入射される入射界面S2aと、この絶縁膜46sにて上記の入射界面S2aから入射された光Hが透過して出射される出射界面S2bとの間の光学的距離D2が、屈折率n2と、物理的な層厚d2との積であることを示している。なお、絶縁膜46sの消衰係数k2は微小であり、k2=0に近似できる。
この図13においては、説明の都合上、ガラス基板201gの面に対して斜めに光Hが各層に入射し、その各層の界面を反射または透過した後に、i層47iに入射した複数の経路について、示しているが、以下においては、垂直に入射した場合について説明している。
半導体層47のi層47iの光学的距離D1が、上記の数式(1)を満たすようにi層47iを形成した場合において、図13に示すように、A点,B点,C点を結ぶように光Hがi層47i内を1往復した際には、その光Hは、位相シフト量が2πの整数倍(N倍)となる。このため、i層47iの内部において光Hが共振し増幅する。よって、上記したように、i層47iにて吸収される光の平均光強度を増幅させることができる。
同様に、絶縁膜46sの光学的距離D2が、上記の数式(2)を満たすように絶縁膜46sを形成した場合において、図13に示すように、B点,D点,E点を結ぶように光Hが絶縁膜46s内を1往復した際には、その光Hは、位相シフト量が2πの整数倍(M倍)となる。このため、i層47iの内部において光Hが共振し増幅する。よって、i層47iにて吸収される光の平均光強度を増幅できる。
具体的には、入射する光Hの波長λが850nmであって、金属反射層43が、3.34−3.35iの複素屈折率であるモリブデン膜であり、絶縁膜46sが、1.5の複素屈折率であるシリコン酸化膜であり、i層47iが、3.67−0.0056iの複素屈折率である多結晶シリコン膜である場合においては、このi層47iと絶縁膜46sとの間の界面、および、絶縁膜46sと金属反射層43との界面における電界振幅に対する複素反射係数ρ12,ρ23のそれぞれが、順次、0.439−6.16×10−4i,−0.598+0.282iとなる。このため、i層47iと絶縁膜46sとの間の界面における位相シフト量Φ1は、1.43×10−3ラジアンであり、絶縁膜46sと金属反射層43との界面における位相シフト量Φ2は、2.702ラジアンであると算出される。
よって、数式(1)に上記の値を代入し、以下の数式(1a)が得られる。ここでは、Φ1が微小であるので、Φ1=0と近似して、数式(1a)を得た。なお、以下において光学的距離D1、D2、D3の単位は、nmである。
D1=425×N(Nは、0以上の整数) ・・・(1a)
また、数式(2)に上記の値を代入し、以下の数式(2a)が得られる。
D2=182.8+425×M(Mは、0以上の整数) ・・・(2a)
このため、上記の場合においては、この数式(1a)および数式(2a)に対応するように、i層47iと絶縁膜46sとの厚みを調整して、i層47iと絶縁膜46sとを形成することで、i層47iにて吸収される光の平均光強度を増幅させることができる。
上記のように、各層の層厚について決定する際には、多層薄膜の光吸収を算出するマトリクス法を用いることができる。
図14は、本発明にかかる実施形態1において、マトリクス法によって、i層47iにて光Hが入射された際の光吸収を算出する様子を説明するモデル図である。
図14に示すモデル図においては、ガラス基板201g上に、金属反射層43,絶縁膜46s,i層47i,層間絶縁膜49,平坦化膜60が、順次、形成されており、その平坦化膜60上に、液晶層203が設けられている部分を示している。
ここでは、ガラス基板201gは、波長850nmにおける(以下、同様)複素屈折率が、1.5であることを示している。また、金属反射層43は、モリブデン膜であって、その複素屈折率が、3.34−3.35iであることを示している。また、絶縁膜46sは、シリコン窒化膜46nとシリコン酸化膜46oxとを含み、そのシリコン窒化膜46nとシリコン酸化膜46oxとがガラス基板201gの側から順次形成されており、シリコン窒化膜46nの複素屈折率が、1.82であり、シリコン酸化膜46oxの複素屈折率が、1.43であることを示している。また、i層47iは、多結晶シリコン膜であって、その複素屈折率が、3.67−0.0056iであることを示している。また、層間絶縁膜49は、シリコン窒化膜49nとシリコン酸化膜49oxとを含み、ガラス基板201gの側から、シリコン酸化膜49oxとシリコン窒化膜49nとが順次形成されており、シリコン窒化膜49nの複素屈折率が、1.82であり、シリコン酸化膜49oxの複素屈折率が、1.43であることを示している。また、平坦化膜60は、アクリル系樹脂であり、その複素屈折率が、1.535であることを示している。また、液晶層203については、その複素屈折率が、1.594であることを示している。なお、上記においては、モリブデンからなる金属反射層43と、多結晶シリコンからなるi層47iとを除き、消衰係数kが微小であるため、単純化のため、k=0として表記している。
i層47iにて光Hが入射された際の光吸収を算出する際には、まず、上記の条件の下において、マトリクス法によって、上記の光学多層薄膜の透過率TMLと反射率RMLとを算出する。具体的には、各層の複素屈折率から求められる各層の特性マトリクス(2×2の行列)の積と、ガラス基板201gと媒質の屈折率から、上記の光学多層薄膜の透過率TMLと反射率RMLとを算出する。その後、下記数式(A)に基づいて、光吸収率Aを算出する。
A=(1−TML−RML) ・・・(A)
つぎに、i層47iの光吸収率ASiを算出する。
ここでは、i層47iを構成する多結晶シリコンの光吸収が微弱であることから、以下の数式(B)に基づいて、光吸収率ASiを算出した。
具体的には、数式(B)に示すように、多結晶シリコンの消衰係数kを0.0056にした場合に算出される光吸収率A1と、多結晶シリコンの消衰係数kを0にした場合に算出される光吸収率A0との差分値を、光吸収率ASiとして近似的に算出した。
ASi=A1−A0 ・・・(B)
図15は、本発明にかかる実施形態1において、i層47iにて光Hが入射された際の光吸収率を示す図である。図15において、横軸は、i層47iの厚さd1(nm)であり、縦軸は、i層47iの光吸収率ASi(%)である。
この図15においては、層間絶縁膜49を構成するシリコン窒化膜49nとシリコン酸化膜49oxとの膜厚を、50〜500nmの範囲において、25nm刻みで変化させた場合において(すなわち、合計で361通りの組合せ)、i層47iの厚みd1が300nm以下の範囲にて算出される光吸収率ASiの結果を示している。ここでは、入射する光Hの波長λが850nmであって、絶縁膜46sを構成するシリコン窒化膜46nとシリコン酸化膜46oxとの膜厚が、それぞれ、50nm,40nmの場合について算出している。また、図15においては、最小2乗法によって原点を通るように求められた回帰式に対応するように、直線L1を示しており、この直線L1は、多重干渉が発生しない場合の光吸収率ASiとi層47iの厚さd1との関係を示している。
図15に示すように、i層47iの厚さd1が厚くなるに伴って、光吸収率ASi(%)が上昇する傾向にある。そして、ここでは、i層47iの厚さd1が、0〜50nm,100〜150nm,215〜265nmの各範囲において、直線L1の上方になるように、光吸収率ASiが算出されており、これらの範囲において、多重干渉が発生して受光感度が向上することが判る。上記にて受光感度が向上する100〜150nm,215〜265nmの各範囲において、光吸収率ASi(%)が、ほぼ極大になる125nm,240nmの光学的距離(光学的厚さ)は、459nm,881nmであり、上述した数式(1a)によって算出される光学的距離D1(光学的厚さ)は、N=1,2にした場合、それぞれ、425nm,850nmであり、両者は、ほぼ一致している。このため、上述した数式(1)によってi層47iの厚さを最適化可能であることがわかる。
図16は、本発明にかかる実施形態1において、i層47iにて光Hが入射された際の光吸収率を示す図である。図16において、横軸は、絶縁膜46sを構成するシリコン酸化膜46oxの厚さd2(nm)であり、縦軸は、i層47iの光吸収率ASi(%)である。
この図16においては、i層47iの厚みを120nmすると共に、絶縁膜46sを構成するシリコン窒化膜46nの厚みを70nmにした場合に、上記と同様な方法で算出される光吸収率ASiの結果を示している。つまり、光Hの波長λが850nmであって、層間絶縁膜49を構成するシリコン窒化膜49nとシリコン酸化膜49oxとの膜厚を、50〜500nmの範囲において、25nm刻みでそれぞれ独立に変化させた場合に算出される光吸収率ASiの最大値を用いた。
図16に示すように、絶縁膜46sを構成するシリコン酸化膜46oxの厚さd2が、40nmの場合に、i層47iの光吸収率ASiが極大になる。このため、絶縁膜46sの光学的距離(光学的厚さ)は、(1.43×40)+(1.82×70)=185nmであり、これは、式(2a)において、M=0とした場合にD2について算出される値である183nmとほぼ一致する。よって、上述した数式(2)によって絶縁膜46sを構成する各層の厚さを最適化することで、受光感度を向上させることができる。
したがって、本実施形態は、フォトセンサ素子の受光感度を向上可能であって、位置検出感度を向上することができる。
<実施形態2>
以下より、本発明の実施形態2について説明する。
以下より、本発明の実施形態2について説明する。
本実施形態においては、層間絶縁膜49の膜厚が実施形態1と異なる。この点を除き、本実施形態は、実施形態1と同様である。このため、重複する個所については、説明を省略する。
層間絶縁膜49は、前述の図3に示したように、i層47iにおいて光Hが入射される側の入射界面に設けられており、シリコン酸化膜49oxと、シリコン窒化膜49nとを含む。ここでは、層間絶縁膜49は、ガラス基板201gの側から、シリコン酸化膜49oxと、シリコン窒化膜49nとが、順次、設けられている。
本実施形態においては、層間絶縁膜49は、層間絶縁膜49にて光Hが入射される入射界面S3aと、層間絶縁膜49にて、その入射界面S3aから入射された光Hが透過して出射される出射界面S3bとの間の光学的距離D3が、以下の数式(3)を満たすように形成されている。
(2×D3)/λ=(1/2π)Φ3+L(Lは、0以上の整数) ・・・(3)
ここでは、Φ3は、層間絶縁膜49とi層47iとの界面に入射し反射する光Hの位相シフト量(ラジアン)である。つまり、Φ3は、入射界面S3aから出射界面S3bへ入射された光Hの位相と、その出射界面S3bにおいて反射された光Hの位相との間における位相シフト量(ラジアン)である。また、λは、上記と同様に、入射界面S3aに入射された光Hの中心波長(nm)である。
図17は、本発明にかかる実施形態2において、光Hの経路を示すモデル図である。
図17に示すモデル図においては、ガラス基板201g上に、金属反射層43,絶縁膜46s,i層47i,層間絶縁膜49が、順次、形成されている部分を示している。
ここでは、層間絶縁膜49について、複素屈折率が、屈折率n3であり、この層間絶縁膜49にて光Hが入射される入射界面S3aと、この層間絶縁膜49にて上記の入射界面S3aから入射された光Hが透過して出射される出射界面S3bとの間の光学的距離D3が、屈折率n3と、物理的な層厚d3との積である場合について示している。
この図17においては、図13と同様に、図示の都合上、ガラス基板201gの面に対して光Hが斜めに各層に入射する場合について示しているが、以下においては、垂直に入射した場合について説明している。
層間絶縁膜49の光学的距離D3が、上記の数式(3)を満たすように層間絶縁膜49を形成した場合において、図17に示すように、A点,B点,C点を結ぶように光Hが層間絶縁膜49内を1往復した際には、その光Hは、その界面S3aでの反射光と弱め合うように干渉する。すなわち、i層47iへ入射する際には、互いに干渉して光Hの強度が増加した状態となる。これは、層間絶縁膜49を、i層47iの反射防止膜とみなした場合の低反射条件に相当する。よって、i層47iにて吸収される光の平均光強度を増幅させることができる。
具体的には、入射する光Hの波長λが850nmであって、i層47iが、3.67−0.0056iの複素屈折率である多結晶シリコン膜であり、層間絶縁膜49が、1.5の複素屈折率であるシリコン酸化膜である場合においては、このi層47iと層間絶縁膜49との間の界面における電界振幅に対する複素反射係数ρ34が−0.42+6.3×10―4iとなる。このため、i層47iと層間絶縁膜49との間の界面における位相シフト量Φ3は、約−3.14であると算出される。
よって、数式(3)に上記の値を代入し、以下の数式(3a)が得られる。
D3=212.5+425×L(Lは、0以上の整数) ・・・(3a)
このため、上記の場合においては、この数式(3a)に対応するように、層間絶縁膜49の厚みを調整して、層間絶縁膜49を形成することで、i層47iにて吸収される光の平均光強度を増幅させることができる。
この場合においても、実施形態1と同様に、各層の層厚について決定する際には、多層薄膜の光吸収を算出するマトリクス法を用いることができる。
このため、実施形態1において図14に示したモデル図に適用した場合について説明する。
図18は、本発明にかかる実施形態2において、i層47iにて光Hが入射された際の光吸収率を示す図である。図18において、横軸は、図14に示した層間絶縁膜49を構成するシリコン酸化膜49oxの厚さd3(nm)であり、縦軸は、i層47iの光吸収率ASi(%)である。
この図18においては、層間絶縁膜49を構成するシリコン酸化膜49oxの厚さd3に対するi層47iの光吸収率ASiを、実施形態1に示した方法と同様な方法によって、算出した結果を示している。ここでは、図14において、絶縁膜46sを構成するシリコン窒化膜46nとシリコン酸化膜46oxとの膜厚を、それぞれ、50nm、40nmとすると共に、層間絶縁膜49を構成するシリコン窒化膜49nの厚さを350nmとし、そして、入射する光Hの波長λが850nmである場合について算出している。
図18に示すように、層間絶縁膜49を構成するシリコン酸化膜49oxの厚さd3が、310nmの場合に、i層47iの光吸収率ASiが極大になる。このため、層間絶縁膜49の光学的距離(光学的厚さ)は、(1.43×310)+(1.82×350)=約1080nmであり、これは、式(3a)において、L=2とした場合にD3について算出される値である1063nmとほぼ一致する。よって、上述した数式(3)によって層間絶縁膜49を構成する各層の厚さを最適化することで、受光感度を向上することが可能である。
したがって、本実施形態は、フォトセンサ素子の受光感度を向上可能であって、位置検出感度を向上することができる。
<実施形態3>
以下より、本発明の実施形態3について説明する。
以下より、本発明の実施形態3について説明する。
本実施形態においては、半導体層47のi層47iと絶縁膜46sとのそれぞれの厚さの関係が実施形態1と異なる。この点を除き、本実施形態は、実施形態1と同様である。このため、重複する個所については、説明を省略する。
半導体層47のi層47iと絶縁膜46sとのそれぞれにおいては、i層47iの光学的距離D1と絶縁膜46sの光学的距離D2とのそれぞれが、以下の数式(4)を満たすように形成されている。
2×(D1+D2)/λ=(1/2π)Φ2+K(Kは、0以上の整数) ・・・(4)
ここでは、Φ2は、数式(2)におけるΦ2と同様であって、絶縁膜46sと金属反射層43との界面における位相シフト量(ラジアン)である。また、λは、入射する光Hの中心波長(nm)である。
i層47iの光学的距離D1と絶縁膜46sの光学的距離D2とのそれぞれが、上記の数式(4)を満たす場合においては、i層47iにて吸収される光の平均光強度を増幅させることができる。
これに関して、前述した図13を用いて説明すると、A点,D点,F点を結ぶように光Hが、i層47iおよび絶縁膜46s内を1往復した際には、その光Hは、位相シフト量Φ2が2πの整数倍(K倍)となる。このため、i層47iおよび絶縁膜46sの内部において光Hが共振し増幅する。よって、上記したように、i層47iにて吸収される光の平均光強度を増幅させることができる。
具体的には、実施形態1において示したように、絶縁膜46sと金属反射層43との界面における位相シフト量が、2.702ラジアンであると算出された際に、数式(4)に、この値を代入すると、以下の数式(4a)が得られる。
D1+D2=182.8+425×K(Kは、0以上の整数) ・・・(4a)
このため、上記の場合においては、この数式(4a)に対応するように、i層47iと絶縁膜46sとの厚みを調整して、i層47iと絶縁膜46sとを形成することで、i層47iにて吸収される光の平均光強度を増幅させることができる。
この場合においても、実施形態1と同様に、各層の層厚について決定する際には、多層薄膜の光吸収を算出するマトリクス法を用いることができる。
このため、実施形態1において図13に示したモデル図に適用した場合について説明する。
図19は、本発明にかかる実施形態3において、i層47iに光Hが入射された際の光吸収率を示す図である。図19において、横軸は、図13に示した絶縁膜46sの光学的距離(光学的厚さ)D2(nm)であり、縦軸は、i層47iの光吸収率ASi(%)である。
この図19においては、絶縁膜46sがシリコン酸化膜であって、その光学的厚さ(光学的距離)D2に対するi層47iの光吸収率ASiを算出した結果を示している。ここでは、金属反射層43をモリブデン膜で形成した場合の結果について示している。
本実施形態においては、図10から図12に示した結果を算出する際に用いた方法によって、i層47i中の光強度分布を求め、その平均値と光吸収係数から、i層47iの光吸収率を求めた。ここでは、i層47iの光吸収係数が、8.2×104(m−1)であるとして、算出を行った。
図19に示すように、絶縁膜46sの光学的厚さD2が、40nmの場合に、i層47iの光吸収率ASiが極大になる。このため、D1とD2との和は、198nmとなり、これは、式(4a)において、K=0とした場合に、D1とD2との和について算出される値である183nmとほぼ一致する。よって、上述した数式(4)によって、半導体層47のi層47iと絶縁膜46sとのそれぞれの厚さを最適化することで、受光感度を向上することが可能である。
したがって、本実施形態は、フォトセンサ素子の受光感度を向上可能であって、位置検出感度を向上することができる。
なお、本発明の実施に際しては、上記した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形形態を採用することができる。
たとえば、上記の実施形態においては、半導体層47のi層47iと絶縁膜46sの厚みを、各数式に対応するように調整して形成する場合について説明したが、これに限定されない。たとえば、半導体層47のi層47iと絶縁膜46sとのいずれか一方のみについて、数式に対応するように調整して形成する場合においても、同様に、好適な効果を奏することができる。
特に、上記した実施形態のように、絶縁膜46sについて、画素スイッチング素子31のゲート絶縁膜46gと同一工程にて形成する場合においては、その画素スイッチング素子31の特性を考慮して、膜厚の調整が困難な場合がある。このため、このような場合においては、絶縁膜46sの厚みをその画素スイッチング素子31の特性に対応するように固定し、半導体層47の厚みについて調整することができる。
また、上記の実施形態においては、絶縁膜46sを1層または2層で構成する場合について示しているが、これに限定されない。3層以上であっても、同様に適用することができる。
また、上記の実施形態においては、層間絶縁膜49を1層または2層で構成する場合について示しているが、これに限定されない。上記と同様に、3層以上であっても、同様に適用することができる。
また、上記の実施形態においては、多結晶シリコンなどの多結晶半導体を用いて、フォトセンサ素子32の半導体層47や画素スイッチング素子31の半導体層48を形成する場合について説明したが、これに限定されない。たとえば、アモルファスシリコンのように非晶質半導体や、結晶粒径が10nm以下のシリコン超微粒子を含む微結晶シリコンのような微結晶半導体によって、各半導体層47,48を形成する場合においても、同様に、好適な結果を得ることができる。
また、上記の実施形態においては、赤外光線を含むように照明光を照射する場合について説明したが、これに限定されない。たとえば、赤外光線を含まずに、可視光線のみを含む照明光を照射する場合においても、適用可能である。
また、上記の実施形態においては、n層47n,i層47i,p層47pが、ガラス基板201gの面に対して、平面的に並ぶラテラル構造で、フォトセンサ素子32を形成する場合について説明したが、これに限定されない。たとえば、半導体層47を構成するn層47nとi層47iとp層47pとが、ガラス基板201gの面に対して、垂直に積み重なる縦型構造になるように、フォトセンサ素子32を形成する場合においても、適用可能である。
また、IPS(In−Plane−Switching)、FFS(Field Fringe Switching)方式など、さまざまな方式の液晶パネルに適用可能である。さらに、有機EL表示素子、電子ペーパーなどの他の表示装置においても、適用可能である。
また、本実施形態においては、フォトセンサ素子32について、PIN型のフォトダイオードを設けた場合について説明したが、これに限定されない。たとえば、i層に不純物がドーピングされた、PN−NまたはPP−N構造のフォトダイオードを、フォトセンサ素子32として形成しても同様な効果を奏することができる。また、半導体層の両面にゲート電極を形成し、両面ゲート構造としても良い。
また、本実施形態においては、金属反射層43を単層で設ける場合について説明したが、これに限定されない。たとえば、複数の層を積層してもよい。この場合においては、たとえば、比抵抗が低いが融点も低いアルミニウム、銅などを成分とする低融点材料からなる低電気抵抗パターンと、高融点金属或いは高融点金属を成分とする合金またはシリサイドからなる反射パターンとを積層し、その低電気抵抗パターンが反射パターンによって部分的に覆われた多層構造になるように、構成しても良い。
また、上記の実施形態においては、複数の画素Pに対応するように複数のフォトセンサ素子32を設ける場合について示したが、これに限定されない。たとえば、複数の画素Pに対して1つのフォトセンサ素子32を設けてもよく、逆に、1つの画素Pに対して複数のフォトセンサ素子32を設けてもよい。
また、本実施形態の液晶表示装置100は、さまざまな電子機器の部品として適用することができる。
図20から図24は、本発明の実施形態において、液晶表示装置100を適用した電子機器を示す図である。
図20に示すように、テレビジョン放送を受信し表示するテレビにおいて、その受信した画像を表示画面に表示すると共に、オペレータの操作指令が入力される表示装置として液晶表示装置100を適用することができる。
また、図21に示すように、デジタルスチルカメラにおいて、その撮像画像などの画像を表示画面に表示すると共に、オペレータの操作指令が入力される表示装置として液晶表示装置100を適用することができる。
また、図22に示すように、ノート型パーソナルコンピュータにおいて、操作画像などを表示画面に表示すると共に、オペレータの操作指令が入力される表示装置として液晶表示装置100を適用することができる。
また、図23に示すように、携帯電話端末において、操作画像などを表示画面に表示すると共に、オペレータの操作指令が入力される表示装置として液晶表示装置100を適用することができる。
また、図24に示すように、ビデオカメラにおいて、操作画像などを表示画面に表示すると共に、オペレータの操作指令が入力される表示装置として液晶表示装置100を適用することができる。
なお、上記の実施形態において、液晶表示装置100は、本発明の表示装置に相当する。また、上記の実施形態において、液晶パネル200は、本発明の表示パネルに相当する。また、上記の実施形態において、バックライト300は、本発明の照明部に相当する。また、上記の実施形態において、画素領域PAは、本発明の画素領域に相当する。また、上記の実施形態において、画素Pは、本発明の画素に相当する。また、上記の実施形態において、画素スイッチング素子31は、本発明の画素スイッチング素子に相当する。また、上記の実施形態において、フォトセンサ素子32は、本発明のフォトセンサ素子に相当する。また、上記の実施形態において、金属反射層43は、本発明の金属反射層に相当する。また、上記の実施形態において、半導体層48は、本発明の半導体層に相当する。また、上記の実施形態において、層間絶縁膜49は、本発明の第2の絶縁層に相当する。また、上記の実施形態において、絶縁膜46sは、本発明の第1の絶縁層に相当する。
100:液晶表示装置(表示装置)、200:液晶パネル(表示パネル)、201:TFTアレイ基板、201g:ガラス基板、202:対向基板、203:液晶層、206:第1の偏光板、207:第2の偏光板、300:バックライト(照明部)、301:光源、301a:可視光源、301b:赤外光源、302:導光板、303:光学フィルム、304:反射フィルム、400:データ処理部、401:制御部、402:位置検出部、PA:画素領域(画素領域)、CA:周辺領域、P:画素(画素)、31:画素スイッチング素子(画素スイッチング素子)、32:フォトセンサ素子(フォトセンサ素子)、45:ゲート電極、46g:ゲート絶縁膜、48:半導体層(半導体層)、49:層間絶縁膜(第2の絶縁層)、43:金属反射層(金属反射層)、47:半導体層、46s:絶縁膜(第1の絶縁層)、62:画素電極
Claims (11)
- 画素領域に画素が配置された表示パネルを含み、当該表示パネルにおいて一方の面の側から入射する入射光を受光するフォトセンサ素子が当該表示パネルに設けられている表示装置であって、
前記フォトセンサ素子は、
前記入射光を受光し光電変換することによって電荷を生成する半導体層
を有し、
前記半導体層は、
当該半導体層にて前記入射光が入射される入射界面と当該半導体層にて当該入射界面から入射された前記入射光が透過して出射される出射界面との間の光学的距離D1が、
当該入射界面から当該出射界面に入射された前記入射光の位相と当該出射界面において前記入射光が反射された反射光の位相との間における位相シフト量Φ1、および、当該入射界面において入射された前記入射光の中心波長λとの関係において、以下の数式(1)を満たすように形成されていることを特徴とする
表示装置。
(2×D1)/λ=(1/2π)Φ1+N(Nは、0以上の整数) ・・・(1) - 前記フォトセンサ素子は、
前記半導体層の出射界面に設けられている第1の絶縁層
を有し、
前記第1の絶縁層は、
当該第1の絶縁層にて前記半導体層を介して前記入射光が入射される入射界面と当該第1の絶縁層にて当該入射界面から入射された前記入射光が透過し出射される出射界面との間の光学的距離D2が、
当該入射界面から当該出射界面に入射された前記入射光の位相と当該出射界面において前記入射光が反射された反射光の位相との間における位相シフト量Φ2、および、当該入射界面において入射された前記入射光の中心波長λとの関係において、以下の数式(2)を満たすように形成されている、
請求項1に記載の表示装置。
(2×D2)/λ=(1/2π)Φ2+M(Mは、0以上の整数) ・・・(2) - 前記第1の絶縁層を介して前記半導体層の出射界面に対面するように金属材料で形成された金属反射層
を有する、
請求項2に記載の表示装置。 - 前記フォトセンサ素子は、
前記半導体層の入射界面に設けられている第2の絶縁層
を有し、
前記第2の絶縁層は、
当該第2の絶縁層にて前記入射光が入射される入射界面と当該第2の絶縁層にて当該入射界面から入射された入射光が透過して出射される出射界面との間の光学的距離D3が、
当該入射界面から当該出射界面に入射される前記入射光の位相と当該出射界面において前記入射光が反射された反射光の位相との間における位相シフト量Φ3、および、当該入射界面において入射された前記入射光の中心波長λとの関係において、以下の数式(3)を満たすように形成されている、
請求項3に記載の表示装置。
(2×D3)/λ=(1/2π)Φ3+L(Lは、0以上の整数) ・・・(3) - 前記表示パネルは、
前記画素領域において前記画素をスイッチングする画素スイッチング素子
を有し、
前記画素スイッチング素子は、
チャネル領域が形成された半導体層
を有する薄膜トランジスタであり、
前記フォトセンサ素子の半導体層は、前記画素スイッチング素子の半導体層と同じ半導体層がパターン加工されることで形成されている、
請求項4に記載の表示装置。 - 前記表示パネルの一方の面に対して反対側の他方の面に照明光を出射する照明部
を含み、
前記照明部は、可視光線と不可視光線とを前記照明光として出射するように構成されており、
前記フォトセンサ素子は、前記表示パネルの一方の面の側において前記画素領域に移動した被検知体によって、前記照明光が反射された反射光を受光するように構成されている、
請求項5に記載の表示装置。 - 前記照明部は、中心波長が750〜1100nmの範囲にあり、半値幅が100nm以下の範囲の波長分散である赤外光線を、前記不可視光線として出射するように構成されている、
請求項6に記載の表示装置。 - 画素領域に画素が配置された表示パネルを含み、当該表示パネルにおいて一方の面の側から入射する入射光を受光するフォトセンサ素子が当該表示パネルに設けられており、前記一方の面の側において画像を表示する表示装置であって、
前記フォトセンサ素子は、
前記入射光を受光し光電変換することで電荷を生成する半導体層と、
前記半導体層の出射界面に設けられている第1の絶縁層と
を有し、
前記第1の絶縁層は、
当該第1の絶縁層にて前記半導体層を介して前記入射光が入射される入射界面と当該第1の絶縁層にて当該入射界面から入射された入射光が透過し出射される出射界面との間の光学的距離D2が、
当該入射界面に入射された前記入射光の位相と当該出射界面において前記入射光が反射された反射光の位相との間における位相シフト量Φ2、および、当該入射界面において入射された前記入射光の中心波長λとの関係において、以下の数式(4)を満たすように形成されていることを特徴とする
表示装置。
(2×D2)/λ=(1/2π)Φ2+M(Mは、0以上の整数) ・・・(4) - 前記フォトセンサ素子は、
前記半導体層の入射界面に設けられている第2の絶縁層
を有し、
前記第2の絶縁層は、
当該第2の絶縁層にて前記入射光が入射される入射界面と当該第2の絶縁層にて当該入射界面から入射された入射光が透過して出射される出射界面との間の光学的距離D3が、
当該入射界面から当該出射界面に入射される前記入射光の位相と当該出射界面において前記入射光が反射された反射光の位相との間における位相シフト量Φ3、および、当該入射界面において入射された前記入射光の中心波長λとの関係において、以下の数式(5)を満たすように形成されている、
請求項8に記載の表示装置。
(2×D3)/λ=(1/2π)Φ3+L(Lは、0以上の整数) ・・・(5) - 画素領域に画素が配置された表示パネルを含み、当該表示パネルにおいて一方の面の側から入射する入射光を受光するフォトセンサ素子が当該表示パネルに設けられている表示装置であって、
前記フォトセンサ素子は、
前記入射光を受光し光電変換することによって電荷を生成する半導体層と、
前記半導体層の出射界面に設けられている第1の絶縁層と
を有し、
前記半導体層と前記第1の絶縁層とのそれぞれは、
当該半導体層にて前記入射光が入射される入射界面と当該半導体層にて当該入射界面から入射された入射光が透過して出射される出射界面との間の光学的距離D1、および、当該第1の絶縁層にて前記半導体層を介して前記入射光が入射される入射界面と当該第1の絶縁層にて当該入射界面から入射された入射光が透過し出射される出射界面との間の光学的距離D2が、
当該第1の絶縁層の入射界面から出射界面に入射された前記入射光の位相と当該第1の絶縁層の出射界面において前記入射光が反射された反射光の位相との間における位相シフト量Φ2、および、当該入射界面において入射された前記入射光の中心波長λとの関係において、以下の数式(6)を満たすように形成されていることを特徴とする
表示装置。
2×(D1+D2)/λ=(1/2π)Φ2+K(Kは、0以上の整数) ・・・(6) - 前記フォトセンサ素子は、
前記半導体層の入射界面に設けられている第2の絶縁層
を有し、
前記第2の絶縁層は、
当該第2の絶縁層にて前記入射光が入射される入射界面と当該第2の絶縁層にて当該入射界面から入射された入射光が透過して出射される出射界面との間の光学的距離D3が、
当該入射界面から当該出射界面に入射される前記入射光の位相と当該出射界面において前記入射光が反射された反射光の位相との間における位相シフト量Φ3、および、当該入射界面において入射された前記入射光の中心波長λとの関係において、以下の数式(7)を満たすように形成されている、
請求項10に記載の表示装置。
(2×D3)/λ=(1/2π)Φ3+L(Lは、0以上の整数) ・・・(7)
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