JP6140891B2 - 周波数走査干渉計を用いた形状測定装置 - Google Patents
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Description
Claims (13)
- 光を発生させ、前記光の波長を変化させる光源部と、
前記光源部から発生された光を少なくとも基準光及び測定光に分離する光分離部と、
前記基準光を反射させる基準ミラーと、
前記基準ミラーによって基準光経路を形成するように反射される前記基準光及び光透過性物質である測定対象物によって測定光経路を形成するように反射される前記測定光を受信する光受信部と、
前記光受信部によって受信される前記基準光と前記測定光との間の前記光の波長の変化に応じた干渉の変化に基づいて前記測定対象物の形状を算出する処理部と、
を含み、
前記処理部は、前記測定対象物の第1領域の絶対高さ及び前記測定対象物の前記第1領域に対する第2領域の相対高さを算出し、前記第1領域の絶対高さ及び前記第2領域の相対高さをマッチング(matching)して前記測定対象物の形状を算出する、
ことを特徴とする形状測定装置。 - 前記測定対象物は基板、金属、プラスチック、皮膚のうちいずれか一つの表面上に形成されることを特徴とする請求項1に記載の形状測定装置。
- 前記測定対象物は、平面的に観測する時にドット(dot)形状を有することを特徴とする請求項1に記載の形状測定装置。
- 前記測定対象物は基板上に形成されるフラックス(flux)を含むことを特徴とする請求項1に記載の形状測定装置。
- 前記基板はベース基板、前記ベース基板上に形成されて少なくとも1つのホール(hole)が形成された絶縁層及び前記ホールに対応して前記絶縁層より薄い厚さで形成された導電層を含み、
前記フラックスは、少なくとも前記導電層上に形成されたことを特徴とする請求項4に記載の形状測定装置。 - 前記導電層上に形成されたフラックスは、前記ホールの少なくとも一部を埋めるように形成され、前記ホールに隣接した前記絶縁層の一部をカバーするように形成されたことを特徴とする請求項5に記載の形状測定装置。
- 前記第1領域は、前記測定対象物のピーク点を含み、
前記第2領域は、前記ピーク点の周囲に位置した傾斜面上の複数の傾斜点を含むことを特徴とする請求項1に記載の形状測定装置。 - 前記処理部は、前記測定光のうち前記測定対象物の第1領域で反射される光と前記測定光のうち前記測定対象物の周辺に位置した基準領域で反射する光との間の第1光経路差、及び前記測定光のうち前記測定対象物の第1領域を透過した後に導電層で反射される光と前記測定光のうち前記基準領域で反射される光との間の第2光経路差を用いて前記第1領域の絶対高さを算出することを特徴とする請求項1に記載の形状測定装置。
- 前記処理部は、前記測定光のうち前記測定対象物の第2領域を透過した後に前記導電層で反射される光と前記測定光のうち前記基準領域で反射される光との間の第3光経路差を用いて前記第2領域の相対高さを算出することを特徴とする請求項8に記載の形状測定装置。
- 前記処理部は、前記測定対象物の屈折率に基づいて前記測定対象物の絶対高さを算出して前記測定対象物の形状を算出することを特徴とする請求項1に記載の形状測定装置。
- 前記処理部は、前記光分離部と前記基準ミラーまでの距離より前記基準ミラーと前記測定対象物までの距離が近い場合に算出された前記測定対象物の形状は既に設定された基準線に基づいて上下反転を行うことを特徴とする請求項8に記載の形状測定装置。
- 光を発生させ、前記光の波長を変化させる光源部と、
前記光源部から発生された光の少なくとも一部である第1光が第1光経路を有するようにする第1光経路変更部と、
前記光源部から発生された光の少なくとも一部であり前記第1光と異なる第2光が基板上に形成された光透過性物質である測定対象物によって反射されて第2光経路を有するようにする第2光経路変更部と、
前記第1光経路を経た第1光及び前記第2光経路を経た第2光を受信する光受信部と、
前記光受信部によって受信される前記第1光と前記第2光との間の前記光の波長の変化に応じた干渉の変化に基づいて前記測定対象物の形状を算出する処理部と、
を含み、
前記処理部は、前記測定対象物の第1領域の絶対高さ及び前記測定対象物の前記第1領域に対する第2領域の相対高さを算出し、前記第1領域の絶対高さ及び前記第2領域の相対高さをマッチング(matching)して前記測定対象物の形状を算出する、
ことを特徴とする形状測定装置。 - 前記第1光経路変更部は基準ミラーを含み、
前記第2光経路変更部はビームスプリッタを含むことを特徴とする請求項12に記載の形状測定装置。
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