JP6138639B2 - 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器 - Google Patents
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Description
(1)
平面的に配置される複数の画素ごとに、光を電荷に変換する光電変換領域が配置される半導体基板と、
前記半導体基板に対して光が照射される側に絶縁膜を介して積層され、複数の前記画素が形成される領域に形成される有機光電変換膜と、
前記有機光電変換膜に対して前記半導体基板側に、前記有機光電変換膜に接するように前記画素ごとに形成される下部電極と、
前記有機光電変換膜に対して光が照射される側に積層され、平面的に見たときに、前記有機光電変換膜の端部と略一致するように形成される第1の上部電極と、
前記第1の上部電極に発生する膜ストレスが前記有機光電変換膜に与える影響を抑制する膜ストレス調整部と
を備える固体撮像素子。
(2)
前記膜ストレス調整部は、前記第1の上部電極に対して光が照射される側に積層される第2の上部電極であり、前記第2の上部電極は、前記第1の上部電極よりも広い領域に、前記第2の上部電極の周辺部分が前記絶縁膜に接続するように形成される
上記(1)に記載の固体撮像素子。
(3)
前記第1の上部電極および前記第2の上部電極は、同一材料、または略同一の特性を備えた材料により形成される
上記(2)に記載の固体撮像素子。
(4)
前記有機光電変換膜および前記第1の上部電極と端部が略一致するように、前記第1の上部電極に対して積層される第2の絶縁膜
をさらに備える上記(1)から(3)までのいずれかに記載の固体撮像素子。
(5)
前記膜ストレス調整部は、前記第1の上部電極の外周に亘って、前記第1の上部電極の端面と前記絶縁膜とを接続するように形成される
上記(1)から(4)までのいずれかに記載の固体撮像素子。
(6)
前記膜ストレス調整部は、前記第1の上部電極端部に略一致するように、前記第1の上部電極に対して積層される応力調整絶縁膜であり、前記応力調整絶縁膜は、前記第1の上部電極に発生する膜ストレスが略一様になる条件で成膜される
上記(1)から(5)までのいずれかに記載の固体撮像素子。
(7)
平面的に配置される複数の画素ごとに、光を電荷に変換する光電変換領域が配置される半導体基板に対して光が照射される側に絶縁膜を介して積層するように、複数の前記画素が形成される領域に有機光電変換膜を形成し、
前記有機光電変換膜に対して前記半導体基板側に、前記有機光電変換膜に接するように前記画素ごとに下部電極を形成し、
前記有機光電変換膜に対して光が照射される側に積層するように、平面的に見たときに、前記有機光電変換膜の端部と略一致するように第1の上部電極を形成し、
前記第1の上部電極に発生する膜ストレスが前記有機光電変換膜に与える影響を抑制する膜ストレス調整部を形成する
ステップを含む固体撮像素子の製造方法。
(8)
平面的に配置される複数の画素ごとに、光を電荷に変換する光電変換領域が配置される半導体基板と、
前記半導体基板に対して光が照射される側に絶縁膜を介して積層され、複数の前記画素が形成される領域に形成される有機光電変換膜と、
前記有機光電変換膜に対して前記半導体基板側に、前記有機光電変換膜に接するように前記画素ごとに形成される下部電極と、
前記有機光電変換膜に対して光が照射される側に積層され、平面的に見たときに、前記有機光電変換膜の端部と略一致するように形成される第1の上部電極と、
前記第1の上部電極に発生する膜ストレスが前記有機光電変換膜に与える影響を抑制する膜ストレス調整部と
を有する固体撮像素子を備える電子機器。
Claims (7)
- 平面的に配置される複数の画素ごとに、光を電荷に変換する光電変換領域が配置される半導体基板と、
前記半導体基板に対して光が照射される側に絶縁膜を介して積層され、複数の前記画素が形成される領域に形成される有機光電変換膜と、
前記有機光電変換膜に対して前記半導体基板側に、前記有機光電変換膜に接するように前記画素ごとに形成される下部電極と、
前記有機光電変換膜に対して光が照射される側に積層され、平面的に見たときに、前記有機光電変換膜の端部と略一致するように形成される第1の上部電極と、
前記第1の上部電極に発生する膜ストレスが前記有機光電変換膜に与える影響を抑制する膜ストレス調整部と
を備え、
前記膜ストレス調整部は、前記第1の上部電極に対して光が照射される側に積層される第2の上部電極であり、前記第2の上部電極は、前記第1の上部電極よりも広い領域に、前記第2の上部電極の周辺部分が前記絶縁膜に接続するように形成される
固体撮像素子。 - 前記第1の上部電極および前記第2の上部電極は、同一材料、または略同一の特性を備えた材料により形成される
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記有機光電変換膜および前記第1の上部電極と端部が略一致するように、前記第1の上部電極に対して積層される第2の絶縁膜
をさらに備える請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記膜ストレス調整部は、前記第1の上部電極の外周に亘って、前記第1の上部電極の端面と前記絶縁膜とを接続するように形成される
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記膜ストレス調整部は、前記第1の上部電極端部に略一致するように、前記第1の上部電極に対して積層される応力調整絶縁膜であり、前記応力調整絶縁膜は、前記第1の上部電極に発生する膜ストレスが略一様になる条件で成膜される
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 平面的に配置される複数の画素ごとに、光を電荷に変換する光電変換領域が配置される半導体基板に対して光が照射される側に絶縁膜を介して積層するように、複数の前記画素が形成される領域に有機光電変換膜を形成し、
前記有機光電変換膜に対して前記半導体基板側に、前記有機光電変換膜に接するように前記画素ごとに下部電極を形成し、
前記有機光電変換膜に対して光が照射される側に積層するように、平面的に見たときに、前記有機光電変換膜の端部と略一致するように第1の上部電極を形成し、
前記第1の上部電極に発生する膜ストレスが前記有機光電変換膜に与える影響を抑制する膜ストレス調整部を形成する
ステップを含み、
前記膜ストレス調整部は、前記第1の上部電極に対して光が照射される側に積層される第2の上部電極であり、前記第2の上部電極は、前記第1の上部電極よりも広い領域に、前記第2の上部電極の周辺部分が前記絶縁膜に接続するように形成される
固体撮像素子の製造方法。 - 平面的に配置される複数の画素ごとに、光を電荷に変換する光電変換領域が配置される半導体基板と、
前記半導体基板に対して光が照射される側に絶縁膜を介して積層され、複数の前記画素が形成される領域に形成される有機光電変換膜と、
前記有機光電変換膜に対して前記半導体基板側に、前記有機光電変換膜に接するように前記画素ごとに形成される下部電極と、
前記有機光電変換膜に対して光が照射される側に積層され、平面的に見たときに、前記有機光電変換膜の端部と略一致するように形成される第1の上部電極と、
前記第1の上部電極に発生する膜ストレスが前記有機光電変換膜に与える影響を抑制する膜ストレス調整部と
を有し、
前記膜ストレス調整部は、前記第1の上部電極に対して光が照射される側に積層される第2の上部電極であり、前記第2の上部電極は、前記第1の上部電極よりも広い領域に、前記第2の上部電極の周辺部分が前記絶縁膜に接続するように形成される
固体撮像素子を備える電子機器。
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