CN107871757B - 有机发光二极管阵列基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种有机发光二极管（OLED）阵列基板及其制备方法、显示装置，该OLED阵列基板包括：衬底基板；设置在衬底基板上的电源走线、栅线和数据线；设置在栅线和数据线交叉限定的区域内的像素结构，该像素结构包括开关晶体管、驱动晶体管和OLED器件；其中，开关晶体管连接到栅线和数据线，驱动晶体管连接到开关晶体管、电源走线和OLED器件；电源走线设置在像素结构的下方且与像素结构至少部分重叠；在电源走线与像素结构之间设置有绝缘层，绝缘层中设置有第一过孔结构；电源走线通过第一过孔结构与驱动晶体管连接。该OLED阵列基板增大了开口率，并降低了显示区域像素到OVDD走线的阻抗。

Description

有机发光二极管阵列基板及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明的实施例涉及一种有机发光二极管(OLED)阵列基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)是一种采用电激发荧光体或磷光体有机化合物实现发光的器件。有机发光二极管(OLED) 因其具有自发光、全固态、宽视角、响应快等诸多优点而被认为在显示领域中有着巨大的应用前景。例如，其已被广泛地应用于手机、数码摄像机、个人数字助理(PDA)、笔记本电脑中。
目前，OLED的一种主流显示方式为氧化物薄膜晶体管(Oxide Thin Film Transistor)、白光OLED显示(WOLED)和彩色滤色膜制作在阵列基板上 (color filter on array，COA)的结构。为了解决氧化物薄膜晶体管的阈值电压 (Vth)偏移及发光亮度不均一的问题，上述显示方式的驱动像素采用了3T1C 的外部补偿技术，其中“3T1C”是指一个像素电路中包括三个薄膜晶体管(T) 以及一个存储电容(C)。但是，该有机电致发光器件的像素开口区域较小，且像素开口率减小，因此OLED的发光强度必须增大才能弥补像素开口率减小对OLED带来的不利影响，从而影响OLED器件的使用寿命。
发明内容
本发明的实施例提供一种有机发光二极管(OLED)阵列基板及其制备方法、显示装置，通过减少OLED阵列基板中电源走线占据的有效显示区域和电容区域的面积，来提高包含该OLED阵列基板的显示装置的开口率，进而延长该显示装置的使用寿命。
本发明至少一实施例提供一种有机发光二极管(OLED)阵列基板，包括：衬底基板；设置在所述衬底基板上的电源走线、栅线和数据线；设置在所述栅线和所述数据线交叉限定的区域内的像素结构，所述像素结构包括开关晶体管、驱动晶体管和OLED器件；其中，所述开关晶体管连接到所述栅线和所述数据线，所述驱动晶体管连接到所述开关晶体管、所述电源走线和所述OLED器件；所述电源走线设置在所述像素结构的下方且与所述像素结构至少部分重叠；在所述电源走线与所述像素结构之间设置有绝缘层，所述绝缘层中设置有第一过孔结构；所述电源走线通过所述第一过孔结构与所述驱动晶体管连接。
例如，在本发明实施例提供的OLED阵列基板中，所述电源走线为由金属网格形成的面状结构。
例如，在本发明实施例提供的OLED阵列基板中，每一列所述像素结构对应设置一条面状的所述电源走线。
例如，在本发明实施例提供的OLED阵列基板中，所述电源走线的与所述像素结构、所述栅线和所述数据线对应的区域设置有镂空结构。
例如，在本发明实施例提供的OLED阵列基板中，所述镂空结构包括多个非连续的子镂空结构。
例如，在本发明实施例提供的OLED阵列基板中，所述驱动晶体管为顶栅型薄膜晶体管，所述电源走线与所述顶栅型薄膜晶体管的有源层重叠以对所述有源层进行遮光。
例如，在本发明实施例提供的OLED阵列基板中，所述驱动晶体管为底栅型薄膜晶体管，所述电源走线设置在所述底栅型薄膜晶体管的栅极金属层和所述衬底基板之间。
本发明至少一实施例还提供一种显示装置，包括上述OLED阵列基板。
本发明至少一实施例还提供一种OLED阵列基板的制备方法，包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成电源走线、栅线和数据线；在所述栅线和所述数据线交叉限定的区域内形成像素结构，所述像素结构包括开关晶体管、驱动晶体管和OLED器件；在所述电源走线与所述像素结构之间形成绝缘层，在所述绝缘层中形成第一过孔结构；其中，所述开关晶体管连接到所述栅线和所述数据线，所述驱动晶体管连接到所述开关晶体管、所述电源走线和所述OLED器件；所述电源走线设置在所述像素结构的下方且与所述像素结构至少部分重叠；所述电源走线通过所述第一过孔结构与所述驱动晶体管连接。
例如，在本发明实施例提供的制备方法中，所述电源走线为由金属网格形成的面状结构。
例如，在本发明实施例提供的制备方法中，所述电源走线的与所述像素结构、所述栅线和所述数据线对应的区域设置有镂空结构。
例如，在本发明实施例提供的制备方法中，所述镂空结构包括多个非连续的子镂空结构。
本发明实施例提供的有机发光二极管(OLED)阵列基板通过将开关晶体管连接到栅线和数据线，驱动晶体管连接到开关晶体管、电源走线和OLED 器件，电源走线设置在像素结构的下方且与像素结构至少部分重叠，电源走线通过设置在绝缘层中的第一过孔结构与驱动晶体管连接，从而避免了 OVDD走线占用像素的开口区域和电容区域，增大了开口率，并降低了显示区域像素到OVDD的阻抗。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。
图1为本发明一实施例提供的一种有机发光二极管(OLED)阵列基板的平面结构示意图；
图2为本发明一实施例提供的一种电源走线设置成镂空结构的平面结构示意图；
图3为本发明一实施例提供的一种有机发光二极管(OLED)阵列基板的部分截面结构示意图；
图4为本发明一实施例提供的再一种有机发光二极管(OLED)阵列基板的部分截面结构示意图；
图5为本发明实施例提供的一种2T1C像素电路的示意图；
图6为本发明一实施例提供的一种有机发光二极管(OLED)阵列基板的制备方法的流程图；
图7为本发明一实施例提供的另一种有机发光二极管(OLED)阵列基板的制备方法的流程图。
附图标记：
101-衬底基板；102-电源走线；103-栅线；104-数据线；105-像素结构； 106-开关晶体管；107-驱动晶体管；1071-源极；1072-漏极；108-OLED器件； 1081-阳极；1082-像素界定层；1083-发光层；1084-阴极；109-第一绝缘层； 110-第一过孔结构；111-栅绝缘层；112-第二绝缘层；113-第一电极；123- 第二电极；115-栅极金属层；116-有源层；117-钝化层；118-第二过孔结构； 20-镂空结构；201-子镂空结构。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
本发明实施例所涉及的OLED阵列基板中各图案的尺寸在实际产品中通常为微米或更小量级，为了清楚起见，本发明实施例的附图中各结构的尺寸均被放大，除非另有没明确说明，不代表实际尺寸与比例。
研究发现，在目前的OLED阵列基板的结构中，电源走线(OVDD)会占用一部分像素的开口区域和电容区域。除此之外，OVDD走线自身具有电阻，当有电流通过OVDD走线时，OVDD走线上的电压降会对发光电流产生影响，这样会导致OVDD信号的幅值有一定的差异。考虑到薄膜晶体管 (TFT)的特性并非理想(饱和区电流不仅和Vgs有关，还和Vds有关)，OVDD 走线上的电压降会影响Vds，因此不同位置的OLED子像素输出的电流会因为OVDD电压的变化而变化。所以要尽量地减小OVDD走线的电阻，进而减小OVDD走线上的电压降。
针对上述问题，本发明的实施例提供了一种有机发光二极管(OLED) 阵列基板，该有机发光二极管(OLED)阵列基板包括衬底基板，设置在衬底基板上的电源走线、栅线和数据线，设置在栅线和数据线交叉限定的区域内的像素结构，该像素结构包括开关晶体管、驱动晶体管和OLED器件，开关晶体管连接到栅线和数据线，驱动晶体管连接到开关晶体管、电源走线和 OLED器件，电源走线设置在像素结构的下方且与像素结构至少部分重叠，电源走线与像素结构之间设置有绝缘层，绝缘层中设置有第一过孔结构，电源走线通过第一过孔结构与驱动晶体管连接。
在该有机发光二极管(OLED)阵列基板中，通过将电源走线设置在像素结构的下方且与像素结构至少部分重叠，电源走线通过设置在电源走线与像素结构之间的绝缘层中的第一过孔结构与驱动晶体管连接，从而避免了 OVDD走线占用像素的开口区域和电容区域，因此增大了像素区域的开口率，并降低了显示区域像素到OVDD的阻抗。
下面通过几个实施例进行说明。
实施例一
本实施例提供一种有机发光二极管(OLED)阵列基板，图1为本实施例提供的一种有机发光二极管(OLED)阵列基板的平面结构示意图，如图 1所示，该有机发光二极管(OLED)阵列基板包括衬底基板101、设置在衬底基板101上的电源走线102、栅线103和数据线104，设置在栅线103和数据线104交叉限定的区域内的像素结构105，该像素结构105包括开关晶体管106、驱动晶体管107和OLED器件108，且开关晶体管106连接到栅线103和数据线104，驱动晶体管107连接到开关晶体管106、电源走线102 和OLED器件108；电源走线102设置在像素结构105的下方且与像素结构 105至少部分重叠；在电源走线102与像素结构105之间设置有绝缘层(图 1中未示出)，该绝缘层中设置有第一过孔结构110，电源走线102通过第一过孔结构110与驱动晶体管107连接。开关晶体管106和驱动晶体管107的位置请参见相应的虚线框。
图1中虽然仅示出了四个彼此并列的像素结构，且分别用于发出白光 (W)、红光(R)、绿光(G)和蓝光(B)，但是本领的普通技术人员应该理解，本公开实施例的阵列基板所包括的像素结构不限于所示出的四个，而是可以包括更多。
每个像素结构中还包括存储电容，该存储电容包括彼此相对设置的第一电极113和第二电极123，如图所示，二者均呈块状且二者之间设置有由绝缘材料形成的介电层。例如，第一电极113与驱动晶体管107的漏极连接，而第二电极123与开关晶体管106的漏极连接。
例如，该OLED阵列基板包括显示区域和显示区域之外的***区域，其中显示区域又称为AA(Active Area)区，一般用于实现显示，***区域可用于设置驱动电路进行显示面板的封装等。上述像素结构、栅线和数据线均位于显示区域。例如，在该OLED阵列基板中除了栅线、数据线等导线外，还可以包括连接像素单元与检测集成电路的检测补偿线，该检测补偿线也可以位于显示区域。
例如，考虑到栅线所在区域和驱动晶体管、存储电容的区域相距很近，将电源走线设置成更宽的区域与驱动晶体管所在区域、存储电容所在区域在垂直于OLED阵列基板的方向上交叠，可以在包括栅线、驱动晶体管以及存储电容的区域形成横向大面积的电源走线区域，例如，该电源走线为由金属网格形成的面状电极结构(而非单个条状或线状)，该金属网格形成的面状电极结构包括多个网孔。该面状的电源走线可以降低电源走线的电压降(IR drop)，从而可以降低OLED阵列基板的能耗。需要说明的是，面状结构的电源走线是指电源走线在像素结构的宽度和长度方向上均有一定的尺寸和延伸范围。
例如，在一个示例中，可以为每一列像素结构对应设置一条面状的电源走线，这样可以继续将多条面状的电源走线相连，形成一体的结构，可以使得电源走线的面积更大，进而使得电源走线的电压降(IR drop)进一步降低，从而可以进一步减少OLED阵列基板的能耗。
例如，在一个示例中，面状的电源走线的与像素结构、栅线和数据线对应的区域可以设置有镂空结构。需要说明的是，该镂空结构的尺寸与像素结构、栅线和数据线的尺寸相对应，该镂空结构的尺寸大于上述金属网格中网孔的尺寸。例如，图2为本发明一实施例提供的一种电源走线设置成镂空结构的平面结构示意图，如图2所示，电源走线102与像素结构对应的区域设置成镂空结构20主要是为了防止金属走线遮光，影响光线的透过率，即在像素结构对应的区域设置镂空结构可以增大光线的透过率，对入射光线进行充分的利用；电源走线102与栅线、数据线对应的区域设置成镂空结构，主要是为了防止电源走线与栅线、数据线之间形成电容。例如，如图2所示，该镂空结构20可以包括多个非连续的子镂空结构201(即多个子镂空结构彼此间间隔开)，这样相当于把面状结构的电源走线分割成多个并联的区域，这样可以减小面状电源走线的电阻，从而可以大幅度的减小电源走线的电压降。
例如，驱动晶体管可以为底栅型薄膜晶体管或者顶栅型薄膜晶体管。当驱动晶体管为顶栅型薄膜晶体管时，例如电源走线与顶栅型薄膜晶体管的有源层重叠以对有源层进行遮光；当驱动晶体管为底栅型薄膜晶体管时，例如电源走线设置在底栅型薄膜晶体管的栅极金属层和衬底基板之间，且与有源层重叠。
下面分别以驱动晶体管为顶栅型薄膜晶体管和底栅型薄膜晶体管为例加以说明。
示例一，驱动晶体管为顶栅型薄膜晶体管，电源走线与顶栅型薄膜晶体管的有源层重叠以对有源层进行遮光。
例如，图3为本实施例提供的一种有机发光二极管(OLED)阵列基板的部分截面结构示意图。如图3所示，驱动晶体管为顶栅型薄膜晶体管。例如，如图3所示，该驱动晶体管为顶栅型薄膜晶体管，结合图1和图3可以看出，在衬底基板101上设置有电源走线102、开关晶体管(图3中未示出)、驱动晶体管和OLED器件。该电源走线102与栅线103、数据线104之间的距离较远，能够减小栅线103与电源走线102、数据线104与电源走线102 之间相互干扰、发生静电放电(electro-static discharge,简称ESD)等风险。
例如，如图3所示，在衬底基板101上还设置有第一绝缘层109，在第一绝缘层109上设置有驱动晶体管的有源层116，在有源层116上依次形成有栅绝缘层111、栅极金属层115和第二绝缘层112，在第二绝缘层112上形成源极1071和漏极1072。在第一绝缘层109和第二绝缘层112中形成第一过孔结构110，电源走线102通过该第一过孔结构110与驱动晶体管的源极1071电连接。在源极1071和漏极1072上形成钝化层117，在钝化层117 上形成第二过孔结构118。在该示例中，图1中所示的存储电容中第一电极 113和第二电极123之间的介电层可以为第二绝缘层112。
如图3所示，该驱动晶体管107上设置有OLED器件108，OLED器件的阳极1081通过该第二过孔结构118与漏极1072电连接，以实现电源走线 102为驱动晶体管107提供电流，进而为OLED器件提供发光电流。在OLED 器件的阳极1081上形成像素界定层1082，在像素界定层1082上形成发光层 1083，在发光层1083上形成阴极1084，OLED器件的阴极1084接地。
例如，在通过构图工艺形成源极和漏极的过程中，根据有源层材料的不同，如果有源层容易受到影响，则还可以在有源层上形成刻蚀阻挡层，本实施例对此不作限制。
例如，电源走线102与有源层116重叠，这样该电源走线102可以同时被用作遮光层，从而可以节省一次构图工艺，节省生产成本。
需要说明的是，像素界定层的每个像素限定区对应一个像素电极，像素限定结构中每一列亚像素限定区为同种颜色的亚像素限定区，如图1所示，亚像素限定区包括白色亚像素限定区W，红色亚像素限定区R，绿色亚像素限定区G，蓝色亚像素限定区B。一个亚像素限定区101与相邻的同种颜色的亚像素限定区101连接，每个亚像素限定区101至多与相邻的两个同种颜色的亚像素限定区101连接。
驱动晶体管和开关晶体管可以同为顶栅型薄膜晶体管。例如，像素结构中开关晶体管的源极与数据线连接，开关晶体管的漏极与驱动晶体管的栅极电连接，开关晶体管的栅极与栅线电连接。
示例二，驱动晶体管为底栅型薄膜晶体管，该电源走线设置在栅极金属层和衬底基板之间，电源走线与底栅型薄膜晶体管的有源层重叠。
例如，图4为本实施例提供的一种有机发光二极管(OLED)阵列基板的部分截面结构示意图，结合图1和图4可以看出，在衬底基板101上设置有电源走线102、第一绝缘层109、开关晶体管、驱动晶体管和OLED器件。该第一绝缘层109设置在电源走线102与像素结构105之间，电源走线102 与像素结构105至少部分重叠。该电源走线102与栅线103、数据线104之间的距离较远，能够减小栅线103与电源走线102、数据线104与电源走线 102之间相互干扰、发生静电放电(electro-static discharge,简称ESD)等风险。如图4所示，在栅绝缘层111和第一绝缘层109中形成第一过孔结构110，电源走线102通过第一过孔结构110与驱动晶体管107的源极1071连接。在该示例中，存储电容的第一电极113和第二电极123之间的介电层可以为栅绝缘层111。
例如，如图4所示，该驱动晶体管107上设置有OLED器件108，该 OLED器件108包括阳极、发光层和阴极。OLED器件的阳极1081与驱动晶体管107的漏极1072通过第二过孔结构118电连接，该第二过孔结构118 贯穿第二绝缘层112。在OLED器件的阳极1081上形成像素界定层1082，在像素界定层1082的开口部分形成发光层1083，在发光层1083上形成阴极1084，OLED器件的阴极1084接地。
需要说明的是，像素界定层的每个像素限定区对应一个像素电极，像素限定结构中每一列亚像素限定区为同种颜色的亚像素限定区，如图1所示亚像素限定区包括白色亚像素限定区W，红色亚像素限定区R，绿色亚像素限定区G，蓝色亚像素限定区B。一个亚像素限定区101与相邻的同种颜色的亚像素限定区101连接，每个亚像素限定区101至多与相邻的两个同种颜色的亚像素限定区101连接。
驱动晶体管和开关晶体管可以同为底栅型薄膜晶体管。例如，像素结构中开关晶体管的源极与数据线连接，开关晶体管的漏极与驱动晶体管的栅极电连接，开关晶体管的栅极与栅线电连接。
在本实施例的示例一和示例二中，电源走线102为由金属网格形成的面状结构。由相互交叉的金属线(条)形成的面状结构可以进一步减少电阻。
例如，衬底基板101可以为透明的玻璃基板或透明的塑料基板。
例如，电源走线102、栅极金属层115、栅线103、源极1071、漏极1072 以及数据线104的材料可以为铜基金属，例如，铜(Cu)、铜钼合金(Cu/Mo)、铜钛合金(Cu/Ti)、铜钼钛合金(Cu/Mo/Ti)、铜钼钨合金(Cu/Mo/W)、铜钼铌合金(Cu/Mo/Nb)等；也可以为铬基金属，例如，铬钼合金(Cr/Mo)、铬钛合金(Cr/Ti)、铬钼钛合金(Cr/Mo/Ti)等或者其他适合的材料。
例如，有源层采用半导体材料形成，该半导体材料例如为非晶硅、微晶硅、多晶硅、氧化物半导体等，氧化物半导体材料例如可以为IGZO(铟镓锌氧化物)、ZnO(氧化锌)等。
例如，有源层116的与源极1071、漏极1072接触的区域可以通过等离子体处理和高温处理的工序被导体化，从而能够更好地实现电信号的传输。
例如，第一绝缘层109、第二绝缘层112、像素界定层1082通常采用有机绝缘材料(例如，丙烯酸类树脂)或者无机绝缘材料(例如，氮化硅SiNx 或者氧化硅SiOx)形成。例如，该第一绝缘层109和第二绝缘层112可以为由氮化硅或者氧化硅构成的单层结构，或者由氮化硅和氧化硅构成的双层结构。例如，第一绝缘层109一般有两层以上，可以减少电源走线102和其它层金属走线之间的寄生电容。
例如，被用作栅绝缘层111的材料包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)或其他适合的材料。
例如，被用作钝化层117的材料包括氮化硅SiNx、氧化硅SiOx、氧氮化硅SiNxOy或者丙烯酸类树脂。
例如，在OLED器件中，为了将电子或空穴有效地注入发光层，需要降低注入的能垒，大部分用于OLED的有机材料的LUMO能级在2.5Ev～3.5Ev, HOMO能级在5Ev～6Ev,因此，阴极可以低功函的金属，阳极为高功函的透明材料。
例如，形成OLED器件的阳极1081的材料包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化镓锌(GZO)氧化锌(ZnO)、氧化铟 (In2O3)、氧化铝锌(AZO)和碳纳米管等。
例如，形成OLED器件的阴极1084的材料包括镁铝合金(MgAl)、锂铝合金(LiAl)或者镁、铝、锂单金属。为了得到顶发射或底发射模式，还可以在OLED器件中单独形成反射层。
例如，形成OLED器件的发光层1083的材料可以根据其发射光颜色的不同进行选择。发光层1083的材料包括荧光发光材料或磷光发光材料。目前，通常采用掺杂体系，即在主体发光材料中混入掺杂材料来得到可用的发光材料。例如，主体发光材料可以采用金属化合物材料、蒽的衍生物、芳香族二胺类化合物、三苯胺化合物、芳香族三胺类化合物、联苯二胺衍生物、或三芳胺聚合物等。
例如，每一列像素结构105对应设置一条面状的电源走线。这样，每一列像素结构中设置的电源走线之间相互间隔开，可以进一步地减少显示区域像素到电源走线的阻抗。
例如，在OLED阵列基板，对于亚像素限定区还可以设置彩膜层，例如，对于红色亚像素、蓝色亚像素以及绿色亚像素，可以通过组合白光OLED器件以及相应的红色彩膜层、蓝色彩膜层以及绿色彩膜层得到。该彩膜层可以为滤光片或者光转换层(例如荧光层)。又例如，在彩膜层上还可以设置平坦层。
例如，图5为本实施例提供的一种2T1C像素电路的示意图；结合图1 和图5可以看出，除了开关晶体管T1和驱动晶体管T2之外，该像素结构 105还包括存储电容，该存储电容的一端与开关晶体管106的漏极电连接，另一端与驱动晶体管107的漏极电连接。例如，在本公开的实施例中，像素电路还可以为3T1C、4T2C等，除上述开关晶体管和驱动晶体管之外，还可以包括补偿晶体管、复位晶体管等，在此不做限制。
实施例二
本实施例提供一种显示装置，包括实施例一中的任一有机发光二极管 (OLED)阵列基板，并且还可以包括栅极驱动电路、数据驱动电路以及电源等，栅线与栅极驱动电路连接，数据线与数据驱动电路连接，电源布线与电源连接。该显示装置可以为：液晶面板、电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本实施例的显示装置所包括的有机发光二极管(OLED)阵列基板与上述图3或图4所示的有机发光二极管(OLED)阵列基板的结构相同，其技术效果与实现原理相同，在此不再赘述。
另外，该显示装置可以采用底发射或者顶发射模式，还可以采用两面发射模式。例如，显示装置包括图3或图4所示的OLED阵列基板时，可以采用底发射模式。
实施例三
本实施例提供一种OLED阵列基板的制备方法，图6为本实施例提供的 OLED阵列基板的制备方法的流程图，如图6所示，该制备方法包括如下步骤：
步骤101、提供衬底基板。
步骤102、在衬底基板上形成电源走线、栅线和数据线。
步骤103、在栅线和数据线交叉限定的区域内形成像素结构，该像素结构包括开关晶体管、驱动晶体管和OLED器件。
步骤104、在电源走线与像素结构之间形成绝缘层，在绝缘层中形成第一过孔结构。
例如，如图3所示，当驱动晶体管为顶栅型薄膜晶体管时，该绝缘层包括第一绝缘层109和第二绝缘层112；如图4所示，当驱动晶体管为底栅型薄膜晶体管时，该绝缘层包括栅绝缘层111和第一绝缘层109。
例如，开关晶体管连接到栅线和数据线，驱动晶体管连接到开关晶体管、电源走线和OLED器件；电源走线设置在像素结构的下方且与像素结构至少部分重叠；电源走线通过第一过孔结构与驱动晶体管连接。
在本实施例提供的OLED阵列基板的制备方法中，电源走线设置在像素结构的下方且与像素结构至少部分重叠；电源走线通过第一过孔结构与驱动晶体管连接，从而避免了电源走线占用像素的开口区域和电容区域，增大了开口率，并降低了显示区域像素到OVDD的阻抗。
本实施例提供的OLED阵列基板的制备方法，以驱动晶体管为顶栅型薄膜晶体管为例加以说明，例如，图7为形成图3所示OLED阵列基板的制备方法的流程图，该方法包括以下步骤：
步骤201、提供衬底基板，例如，该衬底基板可以为玻璃基板、石英基板等。
步骤202、在衬底基板上形成电源走线、栅线和数据线。
步骤203、在栅线和数据线交叉限定的区域内形成像素结构，在像素结构内形成开关晶体管、驱动晶体管和OLED器件。
步骤204、在电源走线与像素结构之间形成绝缘层，在绝缘层中形成第一过孔结构。
例如，开关晶体管连接到栅线和数据线，驱动晶体管连接到开关晶体管、电源走线和OLED器件。电源走线设置在像素结构的下方且与像素结构至少部分重叠。
例如，如图3所示，该绝缘层包括第一绝缘层109和第二绝缘层112。
例如，驱动晶体管包括依次设置在第一绝缘层上的有源层、栅绝缘层、栅极金属层、第二绝缘层和源漏电极层(包括源极和漏极)，在第一绝缘层和第二绝缘层中形成第一过孔结构，电源走线通过第一过孔结构与驱动晶体管连接。
步骤205、在驱动晶体管上形成钝化层，在钝化层上第二过孔结构， OLED器件的阳极通过该第二过孔结构与漏极电连接，以实现电源走线为驱动晶体管提供电流，进而为OLED器件提供发光电流。
步骤206、在OLED器件的阳极上形成像素界定层。
步骤207、在像素界定层上形成发光层。
步骤208、在发光层上形成阴极，该阴极接地。
例如，电源走线为由金属网格形成的面状结构。这样可以降低电源走线的电压降(IR drop)，从而可以降低OLED阵列基板的能耗。
例如，每一列像素结构对应设置一条面状的电源走线，这样将多条面状的电源走线相连，形成一体的结构，可以使得电源走线的面积更大，进而使得电源走线的电压降(IRdrop)进一步降低，从而可以进一步减少OLED阵列基板的能耗。
例如，电源走线的与像素结构、栅线和数据线对应的区域设置有镂空结构。电源走线与像素结构对应的区域设置成镂空结构主要是为了防止金属走线遮光，影响光线的透过率，电源走线与栅线、数据线对应的区域设置成镂空结构，主要是为了防止电源走线与栅线、数据线之间形成电容。例如，该镂空结构包括多个非连续的子镂空结构，这样相当于把面状结构的电源走线分割成多个并联的区域，这样可以减小面状电源走线的电阻，从而可以大幅度的减小电源走线的电压降。
其他结构的有机发光二极管(OLED)阵列基板的制备方法类似，在此不再赘述。
本发明的实施例提供一种有机发光二极管(OLED)阵列基板及其制备方法、显示装置，具有以下至少一项有益效果：
(1)该有机发光二极管(OLED)阵列基板通过将开关晶体管连接到栅线和数据线，驱动晶体管连接到开关晶体管、电源走线和OLED器件，电源走线设置在像素结构的下方且与像素结构至少部分重叠，电源走线通过设置在绝缘层中的第一过孔结构与驱动晶体管连接，从而避免了OVDD走线占用像素的开口区域和电容区域，增大了开口率，并降低了显示区域像素到 OVDD的阻抗；
(2)当驱动晶体管为顶栅型薄膜晶体管时，该OVDD走线可以使用遮光层，不必占用额外的空间，同样增大开口率，且不用增加额外的工序；
(3)本公开的实施例中，第一绝缘层一般有两层以上，可以减少电源走线和其它层金属走线之间的寄生电容。
有以下几点需要说明：
(1)本发明实施例附图只涉及到与本发明实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(2)为了清晰起见，在用于描述本发明的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
(3)在不冲突的情况下，本发明的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (8)

1.一种有机发光二极管(OLED)阵列基板，包括：
衬底基板；
设置在所述衬底基板上的电源走线、栅线和数据线；
设置在所述栅线和所述数据线交叉限定的区域内的像素结构，所述像素结构包括开关晶体管、驱动晶体管和OLED器件；
其中，所述开关晶体管连接到所述栅线和所述数据线，所述驱动晶体管连接到所述开关晶体管、所述电源走线和所述OLED器件；所述电源走线设置在所述像素结构的下方且与所述像素结构至少部分重叠；所述电源走线与所述像素结构之间设置有绝缘层，所述绝缘层中设置有第一过孔结构；所述电源走线通过所述第一过孔结构与所述驱动晶体管连接；
所述电源走线为由金属网格形成的面状结构，所述面状结构包括多个网孔，
所述电源走线与所述像素结构、所述栅线和所述数据线对应的区域设置有镂空结构，所述镂空结构的尺寸大于所述金属网格中所述网孔的尺寸。
2.根据权利要求1所述的OLED阵列基板，其中，每一列所述像素结构对应设置一条面状的所述电源走线。
3.根据权利要求2所述的OLED阵列基板，其中，所述镂空结构包括多个非连续的子镂空结构。
4.根据权利要求2或3所述的OLED阵列基板，其中，所述驱动晶体管为顶栅型薄膜晶体管，所述电源走线与所述顶栅型薄膜晶体管的有源层重叠以对所述有源层进行遮光。
5.根据权利要求2或3所述的OLED阵列基板，其中，所述驱动晶体管为底栅型薄膜晶体管，所述电源走线设置在所述底栅型薄膜晶体管的栅极金属层和所述衬底基板之间。
6.一种显示装置，包括权利要求1-5中任一项所述的OLED阵列基板。
7.一种OLED阵列基板的制备方法，包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板上形成电源走线、栅线和数据线；
在所述电源走线上形成绝缘层，在所述绝缘层中形成第一过孔结构；
在所述绝缘层上形成像素结构，所述像素结构位于所述栅线和所述数据线交叉限定的区域内，所述像素结构包括开关晶体管、驱动晶体管和OLED器件；
其中，所述开关晶体管连接到所述栅线和所述数据线，所述驱动晶体管连接到所述开关晶体管、所述电源走线和所述OLED器件；所述电源走线设置在所述像素结构的下方且与所述像素结构至少部分重叠；所述电源走线通过所述第一过孔结构与所述驱动晶体管连接；
所述电源走线为由金属网格形成的面状结构，所述面状结构包括多个网孔，
所述电源走线与所述像素结构、所述栅线和所述数据线对应的区域设置有镂空结构，所述镂空结构的尺寸大于所述金属网格中所述网孔的尺寸。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其中，所述镂空结构包括多个非连续的子镂空结构。
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