JP6124617B2 - 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents
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パターンデータに基づいて、影響領域の狭い第1の効果を補正するための第1補正量を演算してパターンデータに付加するとともに、前記第1の効果による蓄積エネルギー比率が0となる場合の補正量を演算する第1補正量演算工程と、
前記パターンデータに付加された前記第1補正量と、前記第1の効果による蓄積エネルギー比率が0となる場合の補正量と、パターン配置データとに基づいて、影響領域の広い第2の効果を補正するための第2補正量を演算する第2補正量演算工程と、
前記第1補正量と、前記第2補正量とに基づいて、荷電粒子ビームの照射量を演算する照射量演算工程とを含む。
パターンデータに基づいて、影響領域の狭い第1の効果を補正するための第1補正量を演算してパターンデータに付加するとともに、前記第1の効果による蓄積エネルギー比率が0となる場合の補正量を演算する第1補正量演算部と、
前記パターンデータに付加された前記第1補正量と、前記第1の効果による蓄積エネルギー比率が0となる場合の補正量と、パターン配置データとに基づいて、影響領域の広い
第2の効果を補正するための第2補正量を演算する第2補正量演算部と、
前記第1補正量と、前記第2補正量とに基づいて、荷電粒子ビームの照射量を演算する照射量演算部とを含む。
前記第1の効果による蓄積エネルギー比率が0となる場合の補正量は、後方散乱による蓄積エネルギー比率が0となる場合の近接効果補正量であり、
前記第2補正量は、かぶり効果を補正するためのかぶり効果補正量であってもよい。
前記第1補正量は、影響領域の狭い後方散乱の影響を補正するための補正量であり、
前記第2補正量は、影響領域の広い後方散乱の影響を補正するための補正量であってもよい。
前記第2補正量演算工程では(前記第2補正量演算部は)、
前記近接効果補正量を含めたかぶり効果による蓄積エネルギー比率をEbpfsとし、前記後方散乱による蓄積エネルギー比率が0となる場合の補正量をSmodpec0とすると、次式に基づいて、かぶり効果補正量Smodfecを演算してもよい。
まず、本実施形態の手法について図面を用いて説明する。
り効果による蓄積エネルギー105とを示している。
図3は、本実施形態に係る可変面積型電子ビーム描画装置(荷電粒子ビーム描画装置の一例)の構成を示す図である。なお本実施形態の電子ビーム描画装置は図3の構成要素(各部)の一部を省略した構成としてもよい。
次に、本実施形態の電子ビーム描画装置の処理の一例について図4のフローチャートを用いて説明する。
正量を、データ転送回路40に出力する。
なお、本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
ブランカー制御回路、34 成形偏向器駆動回路、36 位置決め偏向器駆動回路、38 ステージ駆動回路、40 データ転送回路、42 照射量演算部、44 ビーム図形分割処理部、46 制御装置、48 パターン配置情報、50 かぶり効果補正量演算部、52 パターンデータディスク、54 近接効果補正量演算装置、B 電子ビーム、M
描画材料
Claims (3)
- 荷電粒子ビームを照射して試料上にパターンを描画する際に、影響領域の狭い近接効果と影響領域の広いかぶり効果の異なる2つの現象を考慮して荷電粒子ビームの照射量を補正する荷電粒子ビーム描画方法であって、
パターンデータに基づいて、前記近接効果を補正するための近接効果補正量を演算してパターンデータに付加するとともに、後方散乱による蓄積エネルギー比率が0となる場合の補正量を演算する第1補正量演算工程と、
前記近接効果補正量が付加された前記パターンデータと、前記後方散乱による蓄積エネルギー比率が0となる場合の補正量と、パターン配置データとに基づいて、前記かぶり効果を補正するためのかぶり効果補正量を演算する第2補正量演算工程と、
前記近接効果補正量と、前記かぶり効果補正量とに基づいて、荷電粒子ビームの照射量を演算する照射量演算工程とを含む、荷電粒子ビーム描画方法。 - 請求項1において、
前記第2補正量演算工程では、
前記近接効果補正量を含めたかぶり効果による蓄積エネルギー比率をEbpfsとし、前記後方散乱による蓄積エネルギー比率が0となる場合の補正量をSmodpec0とすると、次式に基づいて、かぶり効果補正量Smodfecを演算する、荷電粒子ビーム描画方法。
- 荷電粒子ビームを照射して試料上にパターンを描画する際に、影響領域の狭い近接効果
と影響領域の広いかぶり効果の異なる2つの現象を考慮して荷電粒子ビームの照射量を補正する荷電粒子ビーム描画装置であって、
パターンデータに基づいて、前記近接効果を補正するための近接効果補正量を演算してパターンデータに付加するとともに、後方散乱による蓄積エネルギー比率が0となる場合の補正量を演算する第1補正量演算部と、
前記近接効果補正量が付加された前記パターンデータと、前記後方散乱による蓄積エネルギー比率が0となる場合の補正量と、パターン配置データとに基づいて、前記かぶり効果を補正するためのかぶり効果補正量を演算する第2補正量演算部と、
前記近接効果補正量と、前記かぶり効果補正量とに基づいて、荷電粒子ビームの照射量を演算する照射量演算部とを含む、荷電粒子ビーム描画装置。
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