JP7096071B2 - 荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents
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Description
描画材料上の位置に応じて後方散乱係数を変えて、近接効果補正を行う荷電粒子ビーム描画方法であって、
基準とする後方散乱係数を用いて、近接効果補正による第1照射補正量を算出する工程と、
前記描画材料上の位置に応じた後方散乱係数と前記第1照射補正量に基づいて、前記描画材料上の位置に応じた後方散乱係数の影響による第2照射補正量を算出する工程と、
前記第1照射補正量および前記第2照射補正量に基づいて、荷電粒子ビームの照射量を算出する工程と、
を含む。
描画材料上の位置に応じて後方散乱係数を変えて、近接効果補正を行う荷電粒子ビーム描画装置であって、
荷電粒子ビームを発生させる荷電粒子ビーム源と、
前記荷電粒子ビームのブランキングを行うブランカーと、
前記ブランカーを制御する制御部と、
を含み、
前記制御部は、
基準とする後方散乱係数を用いて、近接効果補正による第1照射補正量を算出する処理と、
前記描画材料上の位置に応じた後方散乱係数と前記第1照射補正量に基づいて、前記描画材料上の位置に応じた後方散乱係数の影響による第2照射補正量を算出する処理と、
前記第1照射補正量および前記第2照射補正量に基づいて、荷電粒子ビームの照射量を算出する処理と、
を行う。
まず、本実施形態の手法について説明する。
説明した式(1)は初回の照射補正量を表している。再計算とは、照射補正量を求める計算を、前回の計算結果を用いて繰り返すことで精度を高める手法である。
2.1. 構成
図2は、第1実施形態に係る可変面積型電子ビーム描画装置(荷電粒子ビーム描画装置の一例)100の構成を示す図である。
置60から供給される描画材料M上の位置に応じた後方散乱係数の補正量に基づいて、第2照射補正量を算出する。第2照射補正量は、式(8)により算出される。ただし、式(8)において、Smodは第1照射補正量であり、ηは第1照射補正量演算部54で用いた基準とする後方散乱係数であり、aは描画材料M上の位置に応じた後方散乱係数の補正量である。なお、上記では、再計算手法を用いない場合について説明したが、再計算手法を用いる場合には、初回の第2照射補正量の演算は、上記の式(8)により行われ、2回目以降の第2照射補正量の演算は、式(11)により行われる。ただし、式(11)において、Smodlは式(9)により算出される。
次に、電子ビーム描画装置100の処理の一例について説明する。図3は、電子ビーム描画装置100の処理の一例を示すフローチャートである。
方散乱係数ηとして、基準とする後方散乱係数η(定数)を用いる。次に、照射補正量付加処理部56が、算出された第1照射補正量Smodm,nを、パターンデータに付加し、パターンデータディスク40に出力する。
第1実施形態に係る描画方法は、描画材料M上の位置に応じて後方散乱係数を変えて、近接効果補正を行う電子ビーム描画方法であって、基準とする後方散乱係数ηを用いて、近接効果補正による第1照射補正量Smodm,nを算出する工程と、描画材料M上の位置に応じた後方散乱係数と第1照射補正量Smodm,nに基づいて、第2照射補正量Emodm,nを算出する工程と、第1照射補正量Smodm,nおよび第2照射補正量Emodm,nに基づいて、電子ビームの照射量を算出する工程と、含む。
次に、第2実施形態に係る電子ビーム描画装置について、図面を参照しながら説明する。図4は、第2実施形態に係る電子ビーム描画装置200の構成を示す図である。以下、第2実施形態に係る電子ビーム描画装置200において、第1実施形態に係る電子ビーム描画装置100の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
電子ビーム描画装置200の構成部材は、図4に示すように、近接効果補正装置50が照射補正量付加処理部56を含まない点を除いて、電子ビーム描画装置100の構成部材と同じであり、その説明を省略する。
図5は、電子ビーム描画装置200の処理の一例を示すフローチャートである。
する後方散乱による蓄積エネルギー比率Ebpm,nを算出する。次に、第1照射補正量演算部54が、算出された各セルに対する後方散乱による蓄積エネルギー比率Ebpm,nに基づいて、式(1)より、第1照射補正量Smodm,nを算出する。このとき、後方散乱係数ηとして、基準とする後方散乱係数η(定数)を用いる。
第2実施形態に係る描画方法によれば、基準とする後方散乱係数を用いて近接効果補正による補正量(第1照射補正量)を算出し、その後、描画材料M上の位置に応じた後方散乱係数の影響による補正量(第2照射補正量)を算出することができる。これにより、上述した第1実施形態と同様に、演算処理を簡素化することができる。したがって、第2実施形態に係る描画方法によれば、容易に、描画材料M上の位置に応じて後方散乱係数を変えて、近接効果補正を行うことができる。
正装置、52…蓄積エネルギー比率演算部、54…第1照射補正量演算部、56…照射補正量付加処理部、60…制御装置、62…記憶装置、70…データ転送回路、72…ビーム図形分割処理部、74…第2照射補正量演算部、76…照射時間演算部、100…電子ビーム描画装置、200…電子ビーム描画装置
Claims (4)
- 描画材料上の位置に応じて後方散乱係数を変えて、近接効果補正を行う荷電粒子ビーム描画方法であって、
基準とする後方散乱係数を用いて、近接効果補正による第1照射補正量を算出する工程と、
前記描画材料上の位置に応じた後方散乱係数と前記第1照射補正量に基づいて、前記描画材料上の位置に応じた後方散乱係数の影響による第2照射補正量を算出する工程と、
前記第1照射補正量および前記第2照射補正量に基づいて、荷電粒子ビームの照射量を算出する工程と、
を含む、荷電粒子ビーム描画方法。 - 描画材料上の位置に応じて後方散乱係数を変えて、近接効果補正を行う荷電粒子ビーム描画装置であって、
荷電粒子ビームを発生させる荷電粒子ビーム源と、
前記荷電粒子ビームのブランキングを行うブランカーと、
前記ブランカーを制御する制御部と、
を含み、
前記制御部は、
基準とする後方散乱係数を用いて、近接効果補正による第1照射補正量を算出する処理と、
前記描画材料上の位置に応じた後方散乱係数と前記第1照射補正量に基づいて、前記描画材料上の位置に応じた後方散乱係数の影響による第2照射補正量を算出する処理と、
前記第1照射補正量および前記第2照射補正量に基づいて、前記荷電粒子ビームの照射量を算出する処理と、
を行う、荷電粒子ビーム描画装置。
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