JP6123235B2 - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、電気光学装置及び電子機器に関する。

表示機能が付いた電子機器では、透過型電気光学装置や反射型電気光学装置が使用されている。これらの電気光学装置に光が照射され、電気光学装置により変調された透過光や反射光が表示画像となったり、或いはスクリーンに投影されて投射画像となったりしている。この様な電子機器に使用される電気光学装置としては液晶装置が知られており、これは液晶の誘電異方性と液晶層における光の旋光性とを利用して画像を形成する物である。反射型の液晶装置では、特許文献１に記載されている様に、光反射性を有する画素電極が形成された半導体基板と、透明電極層（透明多層膜）が形成された透明基板との間に液晶層が挟持されている。液晶層を挟んで画素電極に対向する透明多層膜は、第１の屈折率を有する第１の透明膜（ＩＴＯ膜）と、第１の屈折率よりも小さい第２の屈折率を有する第２の透明膜（ＳｉＯ₂膜）と、第２の屈折率よりも大きい第３の屈折率を有する第３の透明膜（ＩＴＯ膜）とが順に積層されている。これにより、反射型の液晶装置で画像むらが低減されると共に、透明電極層の光透過率を９８％以上にできる、とされている。

特開２００７−１７８７７４号公報

しかしながら、特許文献１に記載されている従来の液晶装置では、明表示時と暗表示時とのコントラスト比が低いという課題があった。反射型の液晶装置で明表示とは、液晶装置への入射光に対する反射率が大きい状態である。又、反射型の液晶装置で暗表示とは、液晶装置への入射光に対する反射率が小さい状態で、所謂、黒表示である。暗表示時の反射率に対する明表示時の反射率がコントラスト比であるが、従来の液晶装置では、明表示時の反射率が低いか、或いは暗表示時の反射率が高いか、或いはこれら両者の結果、コントラスト比が低いという課題があった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決する為になされたものであり、以下の形態又は適用例として実現する事が可能である。

本適用例に係わる電気光学装置は、第一基板と、透光性の第二基板と、第一基板と第二基板とにより挟持された電気光学層と、第二基板と電気光学層との間に配置され、第二基板側から順に形成された第一透光性膜と第二透光性膜と第三透光性膜とを備え、第二透光性膜の屈折率は、第二基板の屈折率よりも大きく、第一透光性膜の屈折率よりも小さく、第三透光性膜の屈折率よりも小さい事を特徴とする。
この構成によれば、第二透光性膜の屈折率が第二基板の屈折率よりも大きいので、電気光学装置への入射光が第一透光性膜と第二透光性膜との界面（一二界面と称する）にて反射する光（第三反射光と称する）を小さくする事ができる。その結果、暗表示時には一二界面からの第三反射光が小さくなるので、暗表示時の反射率を低くする事ができる。更に、明表示時には一二界面での第三反射光が小さくなるので、入射光の一二界面での透過率が向上し、明表示時の反射率を高くする事ができる。即ち、明表示時の反射率を向上させ、同時に暗表示時の反射率を低減させる事ができ、コントラスト比の高い画像を形成する電気光学装置を実現する事ができる。

上記適用例に係わる電気光学装置において、更に、第二基板と第一透光性膜との間に第四透光性膜を備え、第四透光性膜の屈折率は、第二基板の屈折率よりも大きく、第一透光性膜の屈折率よりも小さい事が好ましい。
第一透光性膜の屈折率をｎ₁とし、第一透光性膜の膜厚をｄ₁とし、第二透光性膜の屈折率をｎ₂とし、第二透光性膜の膜厚をｄ₂とし、これらが数式１の関係を満たす様にする。

ここでｍはゼロ以上の整数で（ｍ＝０、１、２、３、・・・）、λは入射光を代表する光の波長である。その上で、この構成によれば、電気光学装置への入射光が第四透光性膜と第一透光性膜との界面（四一界面と称する）にて反射する光（第二反射光と称する）と、入射光が第二透光性膜と第三透光性膜との界面（二三界面と称する）にて反射する光（第四反射光と称する）と、を干渉により小さくする事ができる。即ち、入射光の第一透光性膜と第二透光性膜とでの透過率を高くする事ができる。その結果、暗表示時には四一界面からの第二反射光や二三界面からの第四反射光が小さくなるので、暗表示時の反射率を低くする事ができる。更に、明表示時には第二反射光や第四反射光が小さくなるので、入射光の第一透光性膜と第二透光性膜とでの透過率が向上し、明表示時の反射率を高くする事ができる。即ち、明表示時の反射率を向上させ、同時に暗表示時の反射率を低減させる事ができ、コントラスト比の高い画像を形成する電気光学装置を実現する事ができる。

上記適用例に係わる電気光学装置において、第一透光性膜の屈折率と第三透光性膜の屈折率とがほぼ等しく、第二透光性膜の屈折率と第四透光性膜の屈折率とがほぼ等しい事が好ましい。
第一透光性膜の屈折率と第三透光性膜の屈折率とを等しくするには、第一透光性膜と第三透光性膜とを同じ膜とすれば良い。従って、この構成によれば、第一透光性膜と第三透光性膜とを単一の成膜方法で形成する事ができ、容易に第一透光性膜と第三透光性膜とを製造する事ができる。又、第二透光性膜の屈折率と第四透光性膜の屈折率とを等しくするには、第二透光性膜と第四透光性膜とを同じ膜とすれば良い。従って、この構成によれば、第二透光性膜と第四透光性膜とを単一の成膜方法で形成する事ができ、容易に第二透光性膜と第四透光性膜とを製造する事ができる。更に、第一基板側から第二基板側へと進行する光（便宜上、第一反射光と称する）が二三界面で反射する光（第七反射光と称する）と、四一界面にて反射する光（第九反射光と称する）と、を干渉により小さくする事ができる。即ち、第一反射光の第一透光性膜と第二透光性膜とでの透過率を高くする事ができる。又、第二反射光と第四反射光とを干渉により小さくするには、第二反射光の位相と第四反射光の位相とが１８０°ずれている事が必要で、更に第二反射光の振幅と第四反射光の振幅とが同程度である事が望ましい。同様に、第七反射光と第九反射光とを干渉により小さくするには、第七反射光の位相と第九反射光の位相とが１８０°ずれている事が必要で、更に第七反射光の振幅と第九反射光の振幅とが同程度である事が望ましい。この構成によると、第四反射光の振幅が第二反射光の振幅に近くなると共に、第九反射光の振幅が第七反射光の振幅に近くなるので、第二反射光と第四反射光とが効率的に打ち消し合うと共に、第七反射光と第九反射光とが効率的に打ち消し合う。その結果、暗表示時の反射率を低くし、明表示時の反射率を高くする事ができる。即ち、明表示時の反射率を向上させ、同時に暗表示時の反射率を低減させる事ができ、コントラスト比の高い画像を形成する電気光学装置を実現する事ができる。

上記適用例に係わる電気光学装置において、更に、第三透光性膜上に第五透光性膜を備え、第五透光性膜の屈折率は、第二基板の屈折率よりも大きく、第三透光性膜の屈折率よりも小さい事が好ましい。
第三透光性膜の屈折率をｎ₃とし、第三透光性膜の膜厚をｄ₃とし、第二透光性膜の屈折率をｎ₂とし、第二透光性膜の膜厚をｄ₂とし、これらが数式２の関係を満たす様にする。

ここでｍはゼロ以上の整数で（ｍ＝０、１、２、３、・・・）、λは入射光を代表する光の波長である。その上で、この構成によれば、電気光学装置への入射光が第一透光性膜と第二透光性膜との界面（一二界面と称する）にて反射する光（第三反射光と称する）と、入射光が第三透光性膜と第五透光性膜との界面（三五界面と称する）にて反射する光（第五反射光と称する）と、を干渉により小さくする事ができる。即ち、入射光の第二透光性膜と第三透光性膜とでの透過率を高くする事ができる。その結果、暗表示時には一二界面からの第三反射光や三五界面からの第五反射光が小さくなるので、暗表示時の反射率を低くする事ができる。更に、明表示時には第三反射光や第五反射光が小さくなるので、入射光の第二透光性膜と第三透光性膜とでの透過率が向上し、明表示時の反射率を高くする事ができる。即ち、明表示時の反射率を向上させ、同時に暗表示時の反射率を低減させる事ができ、コントラスト比の高い画像を形成する電気光学装置を実現する事ができる。

上記適用例に係わる電気光学装置において、第一透光性膜の屈折率と第三透光性膜の屈折率とがほぼ等しく、第二透光性膜の屈折率と第五透光性膜の屈折率とがほぼ等しい事が好ましい。
第一透光性膜の屈折率と第三透光性膜の屈折率とを等しくするには、第一透光性膜と第三透光性膜とを同じ膜とすれば良い。従って、この構成によれば、第一透光性膜と第三透光性膜とを単一の成膜方法で形成する事ができ、容易に第一透光性膜と第三透光性膜とを製造する事ができる。又、第二透光性膜の屈折率と第五透光性膜の屈折率とを等しくするには、第二透光性膜と第五透光性膜とを同じ膜とすれば良い。従って、この構成によれば、第二透光性膜と第五透光性膜とを単一の成膜方法で形成する事ができ、容易に第二透光性膜と第五透光性膜とを製造する事ができる。更に、第一反射光が三五界面で反射する光（第六反射光と称する）と、一二界面にて反射する光（第八反射光と称する）と、を干渉により小さくする事ができる。即ち、第一反射光の第一透光性膜と第二透光性膜とでの透過率を高くする事ができる。又、第三反射光と第五反射光とを干渉により小さくするには、第三反射光の位相と第五反射光の位相とが１８０°ずれている事が必要で、更に第三反射光の振幅と第五反射光の振幅とが同程度である事が望ましい。同様に、第六反射光と第八反射光とを干渉により小さくするには、第六反射光の位相と第八反射光の位相とが１８０°ずれている事が必要で、更に第六反射光の振幅と第八反射光の振幅とが同程度である事が望ましい。この構成によると、第五反射光の振幅が第三反射光の振幅に近くなると共に、第八反射光の振幅が第六反射光の振幅に近くなるので、第三反射光と第五反射光とが効率的に打ち消し合うと共に、第六反射光と第八反射光とが効率的に打ち消し合う。その結果、暗表示時の反射率を低くし、明表示時の反射率を高くする事ができる。即ち、明表示時の反射率を向上させ、同時に暗表示時の反射率を低減させる事ができ、コントラスト比の高い画像を形成する電気光学装置を実現する事ができる。

上記適用例に係わる電気光学装置において、第二透光性膜が硼素と燐とを含む酸化珪素膜である事が好ましい。
この構成によれば、二三界面を平坦にする事ができるので、二三界面での光散乱が低減され、その結果、第二反射光と第四反射光とが効率的に打ち消し合うと共に、第七反射光と第九反射光とが効率的に打ち消し合う。又、二三界面での散乱光が減るので、入射光の二三界面での透過率が高まると共に、第一反射光の二三界面での透過率が高まる。その結果、暗表示時の反射率を低くし、明表示時の反射率を高くする事ができる。即ち、明表示時の反射率を向上させ、同時に暗表示時の反射率を低減させる事ができ、コントラスト比の高い画像を形成する電気光学装置を実現する事ができる。

上記適用例に係わる電気光学装置において、第三透光性膜が導電性である事が好ましい。
この構成によれば、第三透光性膜を共通電極とする事ができる。

本適用例に係わる電子機器は、上記適用例のいずれか一項に記載の液晶装置を備えた事を特徴とする。
この構成によれば、明表示時の反射率を向上させ、同時に暗表示時の反射率を低減させる事ができ、コントラスト比の高い画像を表示する電子機器を実現する事ができる。

液晶装置の構成を説明する図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＨ−Ｈ’線で切った断面図。 液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。 液晶装置の画素部に於ける構造を示す断面図。 第一透光性膜から第五透光性膜に対する好適例を説明する図。 第一透光性膜の厚みと第二透光性膜の厚みとの関係を説明する図。 第一透光性膜の厚みと第二透光性膜の厚みとの関係を説明する図。 電子機器としての投射型表示装置の構成を示す模式図。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。尚、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにする為、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。

（実施形態１）
「電気光学装置の概要」
図１は液晶装置の構成を説明する図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は図１（ａ）のＨ−Ｈ’線で切った断面図である。まず、電気光学装置の概要を、図１を参照して、説明する。本実施形態では、電気光学装置は反射型の液晶装置１００であり、液晶装置１００は、薄膜トランジスター（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）３０を画素のスイッチング素子として備えている。尚、以下の説明で参照する図においては、素子基板に形成される層を説明する際、上層側或いは表面側とは素子基板の基板本体が位置する側とは反対側（対向基板が位置する側）を意味し、下層側とは素子基板の基板本体が位置する側を意味する。又、対向基板に形成される層を説明する際、上層側或いは表面側とは対向基板の基板本体が位置する側とは反対側（素子基板が位置する側）を意味し、下層側とは対向基板の基板本体が位置する側を意味する。

図１（ａ）及び（ｂ）に示す様に、電気光学装置（液晶装置１００）は、第一基板（素子基板１０）と、透光性の第二基板（対向基板２０）と、第一基板と第二基板とにより挟持された電気光学層（液晶層５０）と、を有する。

素子基板１０は、例えば透明な石英ガラスや無アルカリガラス或いは不透明なシリコン基板などを用いる事ができ、対向基板２０よりも一回り大きい。又、素子基板１０は、対向基板２０の外周に沿って切れ目なく配置されたシール材４０を介して対向基板２０と接合されている。シール材４０によって囲まれた領域に負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層５０を構成している。素子基板１０と対向基板２０との間への液晶の封入（充填）は、滴下方式（Ｏｎｅ Ｄｒｏｐ Ｆｉｌｌ方式、ＯＤＦ方式）が用いられる。滴下方式とは、一方の基板（本実施形態では素子基板１０）の外周に沿ってシール材４０を配置し、配置されたシール材４０を土手として、その内側に所定量の液晶を滴下し、次いで、減圧下で一方の基板と他方の基板とを貼り合わせる方式である。シール材４０としては、例えば、熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用される。シール材４０には、素子基板１０と対向基板２０との間隔を一定に保持する為のスペーサー（図示省略）が混入されている。

シール材４０の内側には、画素領域Ｅを取り囲む様に配置された見切り部２１が設けられている。画素領域Ｅには、マトリックス状に画素Ｐが複数配置されている。画素領域Ｅは、表示に寄与する有効な複数の画素Ｐを囲む様に配置された複数のダミー画素を含んでいるとしても良い。尚、図１では図示省略したが、画素領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光部（ブラックマトリックス、ＢＭ）が設けられている。

素子基板１０の一辺部に沿ったシール材４０とこの一辺部との間に信号線駆動回路１０１が設けられている。又、この一辺部に対向する他の一辺部に沿ったシール材４０の内側に検査回路１０３が設けられている。更に、この一辺部と直交し互いに対向する他の二辺部に沿ったシール材４０の内側に走査線駆動回路１０２が設けられている。この一辺部と対向する他の一辺部に沿ったシール材４０の内側には、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。これら信号線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線１０５は、この一辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子１０４に接続されている。以降、この一辺部に沿った方向をＸ方向とし、この一辺部と直交し互いに対向する他の二辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。

図１（ｂ）に示す様に、素子基板１０の液晶層５０側の表面には、画素Ｐ毎に設けられた光反射性を有する画素電極１５と、スイッチング素子としてのＴＦＴ３０と、各種の配線１０５と、複数の画素電極１５を覆う絶縁膜（図示省略）と、配向膜１８とが形成されている。画素電極１５は、光反射性の例えばアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）、或いはこれらの金属の合金や酸化物などの化合物を用いて形成される。又、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射して光リーク電流が流れ、不適切なスイッチング動作となる事を防ぐ遮光構造が採用されている。

対向基板２０は、例えば、透明な石英ガラスや無アルカリガラスなどが用いられ、本実施形態では石英ガラスが用いられている。対向基板２０の液晶層５０側の表面には、見切り部２１と、見切り部２１を覆う第四透光性膜２２と、少なくとも画素領域Ｅに渡って第四透光性膜２２を覆う様に設けられた透光性多層膜２３と、透光性多層膜２３を覆う第五透光性膜２４（図３参照）と、配向膜２５とが形成されている。透光性多層膜２３は、第二基板（対向基板２０）側から順に形成された第一透光性膜２３ａ（図３参照）と第二透光性膜２３ｂ（図３参照）と第三透光性膜２３ｃ（図３参照）とを備えている。

見切り部２１は、例えば遮光性の金属或いは金属酸化物などからなり、図１（ａ）に示す様に、平面的に走査線駆動回路１０２や検査回路１０３と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側から入射する光を遮蔽して、これらの駆動回路を含む周辺回路の光による誤動作を防止している。又、不必要な迷光が画素領域Ｅに入射しない様に遮蔽して、画素領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。

透光性多層膜２３及び第四透光性膜２２と第五透光性膜２４とは、可視光波長にて高い光透過率を有する様に構成されている。透光性多層膜２３を構成する第三透光性膜２３ｃは導電性であり、第三透光性膜２３ｃが共通電極として機能している。第三透光性膜２３ｃは、対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６により、素子基板１０の配線に電気的に接続している。

素子基板１０の配向膜１８及び対向基板２０の配向膜２５は、液晶装置１００の光学設計に基づいて設定されている。本実施形態では、酸化珪素（ＳｉＯｘ）などの無機材料が、物理気相堆積法（斜め蒸着法や斜めスパッター法）にて成膜され、配向膜１８や配向膜２５となっている。配向膜１８や配向膜２５により、液晶分子は、配向膜面に対して所定の方向にプレチルト角をなして配向する。

対向基板２０は、シール材４０と平面的に重なる部分が一定の深さで形成された凹部２０ａを有している。凹部２０ａは対向基板２０の見切り部２１の外側から基板外周に至って形成されている。第四透光性膜２２や透光性多層膜２３、第五透光性膜２４、配向膜２５は、それぞれ凹部２０ａにも形成されている。素子基板１０と対向基板２０とを液晶層５０を挟んで対向配置した際の液晶層５０の厚みをｄとすると、シール材４０には、凹部２０ａの深さを考慮して、液晶層５０の厚みｄよりも大きな径を有するスペーサー（図示省略）が含まれている。この様な対向基板２０の断面構造によれば、液晶層５０の厚みｄよりも大きな径を有するスペーサーが含まれたシール材４０を用いて素子基板１０と対向基板２０とを対向配置して接着する事ができるので、液晶層５０の厚みばらつきを抑える事ができる。

「回路構成」
図２は液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。次に、図２を参照して、回路構成を説明する。

図２に示す様に、液晶装置１００は、少なくとも画素領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａと複数の信号線６ａと、走査線３ａに対して平行する容量線３ｂとを有する。尚、容量線３ｂの配置はこれに限定されず、信号線６ａに対して平行する様に配置しても良い。

走査線３ａと信号線６ａとにより区分された領域に、画素電極１５と、ＴＦＴ３０と、保持容量１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。

走査線３ａはＴＦＴ３０のゲート電極３０ｇ（図３参照）に電気的に接続され、信号線６ａはＴＦＴ３０のソース領域に電気的に接続されている。画素電極１５はＴＦＴ３０のドレイン領域に電気的に接続されている。

信号線６ａは信号線駆動回路１０１に接続されており、信号線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｄ１、Ｄ２、…、Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは走査線駆動回路１０２に接続されており、走査線駆動回路１０２から供給される走査信号ＳＣ１、ＳＣ２、…、ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。信号線駆動回路１０１から信号線６ａに供給される画像信号Ｄ１からＤｎは、信号線６ａ毎に順次供給されても良いし、或いは複数の信号線６ａを幾つかのグループに分け、グループ毎に供給されても良い。走査線駆動回路１０２は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１からＳＣｍを供給し、複数の走査線３ａから一本或いは複数本の走査線３ａを順次選択する。

ｉ行ｊ列（ｉは１からｍの整数、ｊは１からｎの整数）に位置する画素Ｐでは、走査信号ＳＣｉが選択信号となっている期間（選択期間）にＴＦＴ３０がオン状態となり、信号線６ａからＴＦＴ３０を介して、画像信号Ｄｊが画素電極１５に供給される。こうして、画素電極１５には選択期間の画像信号Ｄｊに応じた電位が供給され、画素電極１５と共通電極との間の電位差に応じて、液晶層５０の光学状態が定められる。走査信号ＳＣｉが非選択信号となる期間（非選択期間）には、ＴＦＴ３０はオフ状態となり、画素電極１５の電位が保持される。非選択期間中の画素電極１５の電位変動を小さくすべく、保持容量１６が、画素電極１５と共通電極（第三透光性膜２３ｃ）との間に形成される液晶容量と並列して、接続される。保持容量１６は、ＴＦＴ３０のドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている。

図１（ａ）に示した検査回路１０３には、信号線６ａが接続されており、液晶装置１００の製造工程中に、検査信号を検出する事で液晶装置１００の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図２の等価回路では省略している。又、検査回路１０３は、検査信号をサンプリングして信号線６ａに供給するサンプリング回路や、信号線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を検査信号に先行して供給するプリチャージ回路、を含む構成としても良い。

この様な液晶装置１００は反射型であって、画素Ｐが非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードや、非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードの光学設計が採用される。光学設計に応じて、光の入射側（出射側）に偏光素子が配置される。

「断面構造」
図３は液晶装置の画素部に於ける構造を示す断面図である。次に、図３を参照して、液晶装置の画素部に於ける断面構造を詳述する。

図３に示す様に、素子基板１０上には、走査線３ａと、走査線３ａを覆う第一層間絶縁膜１１と、ＴＦＴ３０と、ＴＦＴ３０を覆う第二層間絶縁膜１２と、画素電極１５と、画素電極１５を覆う第三層間絶縁膜１７と、配向膜１８とが順に形成されている。

走査線３ａは、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａを遮光する遮光膜を兼ねており、例えばＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏなどの金属のうちの少なくとも１つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、或いはこれらが積層されたものを用いる事ができる。

ＴＦＴ３０の半導体層３０ａは、チャンネル形成領域とソース領域とドレイン領域とを含んでいる。本実施形態では、半導体層３０ａは多結晶シリコン膜であり、チャンネル形成領域とドレイン領域との間に、燐等のドナー型元素を低濃度で含むライトリードープトドレイン（Ｌｉｇｈｔ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ、ＬＤＤ）構造をなしている。半導体層３０ａは第一層間絶縁膜１１上に形成されている。半導体層３０ａはゲート絶縁膜（図示省略）にて覆われ、ゲート絶縁膜上にゲート電極３０ｇが形成されている。ゲート絶縁膜を介して、ゲート電極３０ｇに対峙する半導体層３０ａがチャンネル形成領域となる。ゲート電極３０ｇと走査線３ａとは第一層間絶縁膜１１を貫通するコンタクトホール（図示省略）を介して電気的に接続されている。

半導体層３０ａのソース領域とドレイン領域との一方が、信号線６ａにコンタクトホールＣＮＴ１を介して電気的に接続され、半導体層３０ａのソース領域とドレイン領域との他方が、画素電極１５にコンタクトホールＣＮＴ２を介して電気的に接続されている。トランジスターのソース領域とドレイン領域とは、電位に応じて入れ替わり得るので、本明細書では、便宜上、信号線６ａに接続する方をソース領域と呼び、画素電極１５に接続する方をドレイン領域と呼んでいる。即ち、信号線６ａがＴＦＴ３０のソース電極３１として機能し、画素電極１５がＴＦＴ３０のドレイン電極３２として機能している事になる。コンタクトホールＣＮＴ１とコンタクトホールＣＮＴ２とは第二層間絶縁膜１２に形成されている。

画素電極１５は、前述した様に、例えばアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）又はこれらの金属の合金や酸化物などの化合物を用いて形成されており、光反射性を有している。画素電極１５の膜厚は５０ｎｍから１００ｎｍの範囲にある。

画素電極１５を覆う第三層間絶縁膜１７は、例えば酸化珪素からなり、スパッター法やプラズマ化学気相堆積法などにより形成する事ができる。第三層間絶縁膜１７の膜厚は凡そ１００ｎｍである。

配向膜１８は、物理気相堆積法（斜め蒸着法や斜めスパッター法）を用いて、酸化珪素（ＳｉＯｘ）などの無機材料を成膜する事により形成される。配向膜１８の膜厚は凡そ７５ｎｍである。

素子基板１０に対向配置された対向基板２０の液晶層５０側には、ブラックマトリックス（ＢＭ）を覆う透光性の第四透光性膜２２と、第四透光性膜２２よりも屈折率が大きい第一透光性膜２３ａと、第一透光性膜２３ａよりも屈折率が小さい第二透光性膜２３ｂと、第二透光性膜２３ｂよりも屈折率が大きい導電性の第三透光性膜２３ｃと、第三透光性膜２３ｃよりも屈折率が小さい第五透光性膜２４と、配向膜２５とが順に形成されている。積層形成された第一透光性膜２３ａと第二透光性膜２３ｂと第三透光性膜２３ｃとによって、透光性多層膜２３が構成されている。要するに、第四透光性膜２２は、第二基板（対向基板２０）と第一透光性膜２３ａとの間に形成され、第五透光性膜２４が第三透光性膜２３ｃの上に形成されている。各透光性膜の屈折率と厚みとの関係は後述する。

ブラックマトリックス（ＢＭ）は、画素Ｐを区画する様に対向基板２０において平面視でＸ方向とＹ方向とに延在する格子状に形成されており、見切り部２１と同時に形成される。ブラックマトリックスは、遮光性の例えばニッケル（Ｎｉ）やクロム（Ｃｒ）などの金属やその化合物を用いて形成される。本実施形態ではＣｒをスパッター法により成膜して格子状にパターニングされている。その膜厚は凡そ７５ｎｍである。この他にも素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる際に用いる合わせマークが成膜されたＣｒをパターニングして対向基板２０に形成されている。

対向基板２０の表面には、ブラックマトリックスや上述の合わせマークに起因する凹凸が生ずる。透光性多層膜２３を形成するにあたり、この凹凸に依って透光性多層膜２３の一部が損なわれたり、或いは変形されたりしない様に、更には、透光性多層膜２３の平滑性が得られる様に、対向基板２０の表面を覆う第四透光性膜２２が形成される。

この様な反射型の液晶装置１００の明表示時には、対向基板２０側から入射した光（入射光ＩＬ）は、液晶層５０を透過し、画素電極１５によって反射されて第一反射光Ｒ１となる。第一反射光Ｒ１は、入射経路を遡り、再び液晶層５０を透過して対向基板２０側から出射されて出射光ＯＬとなる。光は屈折率が異なる膜の界面にてその一部が反射する。電気光学装置への対向基板２０側からの入射光ＩＬは、まず、第四透光性膜２２と第一透光性膜２３ａとの界面（四一界面と称する）にて一部が反射し得る（この反射光を第二反射光Ｒ２と称する）。次に、入射光ＩＬは、第一透光性膜２３ａと第二透光性膜２３ｂとの界面（一二界面と称する）にて一部が反射し得る（この反射光を第三反射光Ｒ３と称する）。次に、入射光ＩＬは、第二透光性膜２３ｂと第三透光性膜２３ｃとの界面（二三界面と称する）にて一部が反射し得る（この反射光を第四反射光Ｒ４と称する）。次に、入射光ＩＬは、第三透光性膜２３ｃと第五透光性膜２４との界面（三五界面と称する）にて一部が反射し得る（この反射光を第五反射光Ｒ５と称する）。尚、本実施形態では、対向基板２０の基材に石英ガラスを用い、第四透光性膜２２には後述する様に石英ガラスに屈折率が近い酸化珪素膜を用いるので、対向基板２０と第四透光性膜２２との界面での光の反射は殆ど発生しない。同様に、第五透光性膜２４も後述する様に酸化珪素膜を用いて形成されるので、第五透光性膜２４と配向膜２５との界面でも光の反射は殆ど発生しない。

画素電極１５によって反射された第一反射光Ｒ１は、まず、三五界面にて一部が反射し得る（この反射光を第六反射光Ｒ６と称する）。次に、第一反射光Ｒ１は、二三界面にて一部が反射し得る（この反射光を第七反射光Ｒ７と称する）。次に、第一反射光Ｒ１は、一二界面にて一部が反射し得る（この反射光を第八反射光Ｒ８と称する）。次に、第一反射光Ｒ１は、四一界面にて一部が反射し得る（この反射光を第九反射光Ｒ９と称する）。先と同様に、第五透光性膜２４と配向膜２５との界面や対向基板２０と第四透光性膜２２との界面では、反射は殆ど生じない。こうして第一反射光Ｒ１は出射光ＯＬとなって、電気光学装置から出射される。

液晶装置１００の暗表示時には、入射光ＩＬが液晶層５０で総て吸収されるのが理想的である。

対向基板２０から出射される出射光ＯＬは変調されて表示光となる事から、表示される画像品位を高くするには、ノイズとなる不要な反射光（第二反射光Ｒ２から第五反射光Ｒ５）によってシグナルノイズ比（Ｓｉｇｎａｌｅ−ｔｏ−Ｎｏｉｓｅ、Ｓ／Ｎ比）の低下を招かない様にする必要がある。例えば、中間階調を表示する際には、第二反射光Ｒ２から第五反射光Ｒ５は白色ノイズとなる。更に、不要な反射光（第二反射光Ｒ２から第五反射光Ｒ５）が大きいと、入射光ＩＬのうち画素電極１５に到達する光が小さくなるため、第一反射光Ｒ１が小さくなり、変調された出射光ＯＬも小さくなるので、Ｓ／Ｎ比が一層低下して仕舞う。更に、暗表示時には不要な反射光（第二反射光Ｒ２から第五反射光Ｒ５）は反射率を高めて仕舞う。又、明表示時に於いても、不要な反射光（第六反射光Ｒ６から第九反射光Ｒ９）は第一反射光Ｒ１を小さくする様に作用するので、出射光ＯＬを小さくし、明表示時の反射率を下げて仕舞う。こうした弊害を避け、表示される画像品位を高くすべく、本実施形態では、不要な反射光（第二反射光Ｒ２から第五反射光Ｒ５及び第六反射光Ｒ６から第九反射光Ｒ９）を、（１）屈折率整合、（２）干渉減光、（３）散乱防止、の三手法を適応して、できる限り小さくする。以下にこれら三手法を説明する。

まず、屈折率整合に付いて説明する。第一透光性膜２３ａの屈折率をｎ₁とし、第一透光性膜２３ａの膜厚をｄ₁とし、第二透光性膜２３ｂの屈折率をｎ₂とし、第二透光性膜２３ｂの膜厚をｄ₂とし、第三透光性膜２３ｃの屈折率をｎ₃とし、第三透光性膜２３ｃの膜厚をｄ₃とし、第四透光性膜２２の屈折率をｎ₄とし、第五透光性膜２４の屈折率をｎ₅とし、第二基板（対向基板２０）の屈折率をｎ_Sとする。そして、第二透光性膜２３ｂの屈折率ｎ₂を、第二基板の屈折率ｎ_Sよりも大きくし、且つ、第一透光性膜２３ａの屈折率ｎ₁よりも小さく、第三透光性膜２３ｃの屈折率ｎ₃よりも小さくする。即ち、ｎ_S＜ｎ₂＜ｎ₁、ｎ_S＜ｎ₂＜ｎ₃とする。この様な屈折率整合の技術を用いると、第二透光性膜２３ｂの屈折率ｎ₂が第二基板の屈折率ｎ_Sよりも大きくて、第二透光性膜２３ｂを第二基板と同一の屈折率の材料で形成した場合と比較して第一透光性膜２３ａの屈折率ｎ₁や第三透光性膜２３ｃの屈折率ｎ₃に近い値となるので、入射光ＩＬが一二界面で反射する第三反射光Ｒ３や、二三界面で反射する第四反射光Ｒ４を小さくする事ができる。同様に、第一反射光Ｒ１が一二界面で反射する第八反射光Ｒ８や、二三界面で反射する第七反射光Ｒ７を小さくする事ができる。これは、一般に、複素屈折率ｎ_a＋ｉｋ_aを有する媒質ａから複素屈折率ｎ_b＋ｉｋ_bを有する媒質ｂに光が垂直入射した時の反射率Ｒと入射率Ｔとは数式３と数式４とで表される為である。

第二透光性膜２３ｂの屈折率ｎ₂が第二基板の屈折率ｎ_Sよりも大きくて、第一透光性膜２３ａの屈折率ｎ₁や第三透光性膜２３ｃの屈折率ｎ₃と第二透光性膜２３ｂの屈折率ｎ₂との差は、第二基板の屈折率ｎ_Sと第一透光性膜２３ａの屈折率ｎ₁や第三透光性膜２３ｃの屈折率ｎ₃との差より小さい値となると、数式３と数式４とから、第三反射光Ｒ３と第四反射光Ｒ４と第七反射光Ｒ７と第八反射光Ｒ８とが小さくなり、入射光ＩＬや第一反射光Ｒ１の透光性多層膜２３での透過率が向上する事が判る。

更に、屈折率整合に関して、第四透光性膜２２の屈折率ｎ₄は、第二基板の屈折率ｎ_Sよりも大きく、第一透光性膜２３ａの屈折率ｎ₁よりも小さくする。即ち、ｎ_S＜ｎ₄＜ｎ₁とする。こうすると、第四透光性膜２２の屈折率ｎ₄が第二基板の屈折率ｎ_Sよりも大きくて、第一透光性膜２３ａの屈折率ｎ₁に近い値になるので、数式３と数式４とから、第二反射光Ｒ２や第九反射光Ｒ９が小さくなり、入射光ＩＬや第一反射光Ｒ１の透過率はより向上する。

又、屈折率整合に関して、第五透光性膜２４の屈折率ｎ₅は、第二基板の屈折率ｎ_Sよりも大きく、第三透光性膜２３ｃの屈折率ｎ₃よりも小さくする。即ち、ｎ_S＜ｎ₅＜ｎ₃とする。こうすると、第五透光性膜２４の屈折率ｎ₅が第二基板の屈折率ｎ_Sよりも大きくて、第三透光性膜２３ｃの屈折率ｎ₃に近い値になるので、数式３と数式４とから、第五反射光Ｒ５や第六反射光Ｒ６が小さくなり、入射光ＩＬや第一反射光Ｒ１の透過率はより向上する。

次に干渉減光に関して説明する。まず、第一透光性膜２３ａの屈折率ｎ₁と第一透光性膜２３ａの膜厚ｄ₁と第二透光性膜２３ｂの屈折率ｎ₂と第二透光性膜２３ｂの膜厚ｄ₂とが数式５の関係を満たす様にする。

ここでｍはゼロ以上の整数で（ｍ＝０、１、２、３、・・・）、λは入射光ＩＬを代表する光の波長である。入射光ＩＬを代表する光とは、赤色専用の電気光学装置ならば、赤色となり、例えばλ＝６３０ｎｍである。又、入射光ＩＬを代表する光は、緑色専用の電気光学装置ならば、緑色となり、例えばλ＝５５０ｎｍである。又、入射光ＩＬを代表する光は、青色専用の電気光学装置ならば、青色となり、例えばλ＝４６０ｎｍである。更に、赤色専用の電気光学装置と緑色専用の電気光学装置とで、入射光ＩＬを代表する光を兼用させて緑色とし、例えばλ＝５５０ｎｍとしても良い。更に、白黒の電気光学装置や赤色と緑色と青色とが備わったカラー電気光学装置では、入射光ＩＬを代表する光として、人間の視感度が一番高い緑色とし、例えばλ＝５５０ｎｍとしても良い。

数式５の関係を満たすと、入射光ＩＬで四一界面にて反射する第二反射光Ｒ２と二三界面にて反射する第四反射光Ｒ４とが干渉により小さくなる。四一界面も二三界面も入射光ＩＬに取っては、屈折率が小さい媒質から屈折率の大きい媒質への界面となるので、両界面にて反射は固定端反射となり、第二反射光Ｒ２でも第四反射光Ｒ４でも位相はπ（１８０°）ずれる。要するに、第二反射光Ｒ２と第四反射光Ｒ４とで、反射による位相差は生じない。一方、第一透光性膜２３ａの光学的膜厚（実際の物理的膜厚に屈折率を掛けた物）と第二透光性膜２３ｂの光学的膜厚との和が、四分の一波長（λ／４）と二分の一波長の整数倍（ｍλ／２）との和だけであるので、第二反射光Ｒ２と第四反射光Ｒ４との光路差（光学的膜厚の差）は、二分の一波長（λ／２）と一波長の整数倍（ｍλ）との和となる。即ち、数式５の関係を満たすと、第二反射光Ｒ２と第四反射光Ｒ４との位相差はπ（１８０°）となり、互いに干渉して打ち消し合う事になる。こうして実質的に入射光ＩＬが四一界面や二三界面で反射する事が、物理的境界条件から禁じられ、入射光ＩＬの第一透光性膜２３ａと第二透光性膜２３ｂとでの透過率が高くなる。同様にして、第一反射光Ｒ１で四一界面にて反射する第九反射光Ｒ９と二三界面にて反射する第七反射光Ｒ７とが干渉により小さくなる。四一界面も二三界面も第一反射光Ｒ１に取っては、屈折率が大きい媒質から屈折率の小さい媒質への界面となるので、両界面にて反射は自由端反射となり、第九反射光Ｒ９でも第七反射光Ｒ７でも位相は変わらない。要するに、第九反射光Ｒ９と第七反射光Ｒ７とで、反射による位相差は生じない。一方、先と同様に、数式５の関係を満たすと、第九反射光Ｒ９と第七反射光Ｒ７との位相差はπ（１８０°）となり、互いに干渉して打ち消し合う事になる。こうして実質的に第一反射光Ｒ１が四一界面や二三界面で反射する事が、物理的境界条件から禁じられ、第一反射光Ｒ１の第一透光性膜２３ａと第二透光性膜２３ｂとでの透過率が高くなる。

同じ様に、第三透光性膜２３ｃの屈折率ｎ₃と第三透光性膜２３ｃの膜厚ｄ₃と第二透光性膜２３ｂの屈折率ｎ₂と第二透光性膜２３ｂの膜厚ｄ₂とが数式６の関係を満たす様にする。

ここでｍはゼロ以上の整数であり（ｍ＝０、１、２、３、・・・）、λは入射光ＩＬを代表する光の波長である。

数式６の関係を満たすと、入射光ＩＬで一二界面にて反射する第三反射光Ｒ３と三五界面にて反射する第五反射光Ｒ５とが干渉により小さくなる。一二界面も三五界面も入射光ＩＬに取っては、屈折率が大きい媒質から屈折率の小さい媒質への界面となるので、両界面にて反射は自由端反射となり、第三反射光Ｒ３でも第五反射光Ｒ５でも位相は変わらない。要するに、第三反射光Ｒ３と第五反射光Ｒ５とで、反射による位相差は生じない。一方、第三透光性膜２３ｃの光学的膜厚（実際の物理的膜厚に屈折率を掛けた物）と第二透光性膜２３ｂの光学的膜厚との和が、四分の一波長（λ／４）と二分の一波長の整数倍（ｍλ／２）との和だけであるので、第三反射光Ｒ３と第五反射光Ｒ５との光路差（光学的膜厚の差）は、二分の一波長（λ／２）と一波長の整数倍（ｍλ）との和となる。即ち、数式６の関係を満たすと、第三反射光Ｒ３と第五反射光Ｒ５との位相差はπ（１８０°）となり、互いに干渉して打ち消し合う事になる。こうして実質的に入射光ＩＬが一二界面や三五界面で反射する事が、物理的境界条件から禁じられ、入射光ＩＬの第二透光性膜２３ｂと第三透光性膜２３ｃとでの透過率が高くなる。同様にして、第一反射光Ｒ１で一二界面にて反射する第八反射光Ｒ８と三五界面にて反射する第六反射光Ｒ６とが干渉により小さくなる。一二界面も三五界面も第一反射光Ｒ１に取っては、屈折率が小さい媒質から屈折率の大きい媒質への界面となるので、両界面にて反射は固定端反射となり、第八反射光Ｒ８でも第六反射光Ｒ６でも位相はπ（１８０°）ずれる。要するに、第八反射光Ｒ８と第六反射光Ｒ６とで、反射による位相差は生じない。一方、先と同様に、数式６の関係を満たすと、第八反射光Ｒ８と第六反射光Ｒ６との位相差はπ（１８０°）となり、互いに干渉して打ち消し合う事になる。こうして実質的に第一反射光Ｒ１が一二界面や三五界面で反射する事が、物理的境界条件から禁じられ、第一反射光Ｒ１の第三透光性膜２３ｃと第二透光性膜２３ｂとでの透過率が高くなる。

不要な反射光（第二反射光Ｒ２、第四反射光Ｒ４、第七反射光Ｒ７、第九反射光Ｒ９）を更に小さくする為には、第一透光性膜２３ａの屈折率ｎ₁と第三透光性膜２３ｃの屈折率ｎ₃とを等しくし、加えて、第二透光性膜２３ｂの屈折率ｎ₂と第四透光性膜２２の屈折率ｎ₄とを等しくする事が好ましい。即ち、ｎ₁＝ｎ₃、且つｎ₂＝ｎ₄との関係にするのが好ましい。上述の如く、第二反射光Ｒ２と第四反射光Ｒ４とを干渉により小さくするには、第二反射光Ｒ２の位相と第四反射光Ｒ４の位相とがπ（１８０°）ずれている事が必要だが、更に第二反射光Ｒ２の振幅と第四反射光Ｒ４の振幅とが同程度である事が望ましい。同様に、第七反射光Ｒ７と第九反射光Ｒ９とを干渉により小さくするには、第七反射光Ｒ７の位相と第九反射光Ｒ９の位相とがπ（１８０°）ずれている事が必要で、更に第七反射光Ｒ７の振幅と第九反射光Ｒ９の振幅とが同程度である事が望ましい。次にこの事を説明する。

位相がπずれていて振幅が等しい二つの波は、互いに完全に打ち消し合う。その一方、位相がπずれていて振幅が異なる二つの波では完全に打ち消し合わず、小さな振幅の波が残る。例えば、第二反射光Ｒ２と第四反射光Ｒ４との場合、第二反射光Ｒ２の方が第四反射光Ｒ４よりも強いので、第四反射光Ｒ４は、第四一界面より先では（第四一界面よりも対向基板２０側では）第二反射光Ｒ２との干渉により事実上消滅しており、第二反射光Ｒ２から第四反射光Ｒ４の絶対値を引いた成分の光波が残っている。この残った光波が四一界面と二三界面からの実際の反射光（第二四反射光と称す）で、第二反射光Ｒ２と第四反射光Ｒ４とは第二四反射光を説明する為の概念である。同様に、第三反射光Ｒ３と第五反射光Ｒ５との場合、第一二界面より先では（第一二界面よりも対向基板２０側では）、第三反射光Ｒ３から第五反射光Ｒ５の絶対値を引いた成分の光波が一二界面と三五界面からの実際の反射光（第三五反射光と称す）である。又、第六反射光Ｒ６と第八反射光Ｒ８との場合、第三五界面より先では（第三五界面よりも素子基板１０側では）、第六反射光Ｒ６から第八反射光Ｒ８の絶対値を引いた成分の光波が一二界面と三五界面からの実際の反射光（第六八反射光と称す）である。又、第七反射光Ｒ７と第九反射光Ｒ９との場合、第二三界面より先では（第二三界面よりも素子基板１０側では）、第七反射光Ｒ７から第九反射光Ｒ９の絶対値を引いた成分の光波が四一界面と二三界面からの実際の反射光（第七九反射光と称す）である。

第二四反射光の強度は、第四反射光Ｒ４の強度を第二反射光Ｒ２の強度に近づける程、小さくなる。尚、光の強度は振幅の二乗である。第一透光性膜２３ａの複素屈折率の虚数成分ｋ₁とし、第二透光性膜２３ｂの複素屈折率の虚数成分ｋ₂とし、第三透光性膜２３ｃの複素屈折率の虚数成分ｋ₃とし、第四透光性膜２２の複素屈折率の虚数成分ｋ₄とし、第五透光性膜２４の複素屈折率の虚数成分ｋ₅とする。第一透光性膜２３ａから第四透光性膜２２の屈折率を、ｎ₁＝ｎ₃、且つｎ₂＝ｎ₄との関係にし、更に第一透光性膜２３ａから第四透光性膜２２の複素屈折率の虚数成分を、ｋ₁＝ｋ₃、且つｋ₂＝ｋ₄との関係にする。要するに第一透光性膜２３ａの複素屈折率と第三透光性膜２３ｃの複素屈折率とを等しくし、第二透光性膜２３ｂの複素屈折率と第四透光性膜２２の複素屈折率とを等しくする。こうすると、数式３と数式４とにより、四一界面と二三界面とでの反射率は等しくなる。加えて、第二反射光Ｒ２が小さくされ、従って入射光ＩＬの四一界面での透過率は１００％に近くなる。更に、後述する様に、第一透光性膜２３ａでの光の吸収率は２％程度以下と小さくされ、第二透光性膜２３ｂでの光の吸収率はほぼ０％とされるので、第四反射光Ｒ４の強度は第二反射光Ｒ２の強度の９８％程度となる。こうして第四反射光Ｒ４の振幅が第二反射光Ｒ２の振幅に近くなるので、第二反射光Ｒ２と第四反射光Ｒ４とは極めて効率的に打ち消し合い、第二四反射光は実質的に非常に小さくなる。同じ原理で、第九反射光Ｒ９の振幅が第七反射光Ｒ７の振幅に近くなるので、第七反射光Ｒ７と第九反射光Ｒ９とは極めて効率的に打ち消し合い、第七九反射光は実質的に非常に小さくなる。

第一透光性膜２３ａの複素屈折率と第三透光性膜２３ｃの複素屈折率とを等しくするには、第一透光性膜２３ａと第三透光性膜２３ｃとを同じ材料を用いて同じ製造方法で形成した膜とすれば良い。こうすると、第一透光性膜２３ａと第三透光性膜２３ｃとを単一の成膜方法で形成する事ができ、容易に第一透光性膜２３ａと第三透光性膜２３ｃとを製造する事ができる。又、第二透光性膜２３ｂの複素屈折率と第四透光性膜２２の複素屈折率とを等しくするには、第二透光性膜２３ｂと第四透光性膜２２とを同じ材料を用いて同じ製造方法で形成した膜とすれば良い。この場合も、第二透光性膜２３ｂと第四透光性膜２２とを単一の成膜方法で形成する事ができ、容易に第二透光性膜２３ｂと第四透光性膜２２とを製造する事ができる。

不要な反射光（第三反射光Ｒ３、第五反射光Ｒ５、第六反射光Ｒ６、第八反射光Ｒ８）を更に小さくする為には、第一透光性膜２３ａの屈折率ｎ₁と第三透光性膜２３ｃの屈折率ｎ₃とを等しくし、加えて、第二透光性膜２３ｂの屈折率ｎ₂と第五透光性膜２４の屈折率ｎ₅とを等しくする事が好ましい。即ち、ｎ₁＝ｎ₃、且つｎ₂＝ｎ₅との関係にするのが好ましい。更に第一透光性膜２３ａと第二透光性膜２３ｂと第三透光性膜２３ｃと第五透光性膜２４の複素屈折率の虚数成分を、ｋ₁＝ｋ₃、且つｋ₂＝ｋ₅との関係にする。要するに第一透光性膜２３ａの複素屈折率と第三透光性膜２３ｃの複素屈折率とを等しくし、第二透光性膜２３ｂの複素屈折率と第五透光性膜２４の複素屈折率とを等しくする。こうすると、数式３と数式４とにより、一二界面と三五界面とでの反射率は等しくなる。加えて、第三反射光Ｒ３が小さくされ、従って入射光ＩＬの一二界面での透過率は１００％に近くなる。更に、後述する様に、第三透光性膜２３ｃでの光の吸収率は２％程度以下と小さくされ、第二透光性膜２３ｂでの光の吸収率はほぼ０％とされるので、第五反射光Ｒ５の強度は第三反射光Ｒ３の強度の９８％程度となる。こうして第五反射光Ｒ５の振幅が第三反射光Ｒ３の振幅に近くなるので、第三反射光Ｒ３と第五反射光Ｒ５とは極めて効率的に打ち消し合い、第三五反射光は実質的に非常に小さくなる。同じ原理で、第八反射光Ｒ８の振幅が第六反射光Ｒ６の振幅に近くなるので、第六反射光Ｒ６と第八反射光Ｒ８とは極めて効率的に打ち消し合い、第六八反射光は実質的に非常に小さくなる。

第二透光性膜２３ｂの複素屈折率と第五透光性膜２４の複素屈折率とを等しくするには、第二透光性膜２３ｂと第五透光性膜２４とを同じ材料を用いて同じ製造方法で形成した膜とすれば良い。こうすると、第二透光性膜２３ｂと第五透光性膜２４とを単一の成膜方法で形成する事ができ、容易に第二透光性膜２３ｂと第五透光性膜２４とを製造する事ができる。尚、数式５に現れるｍと数式６に現れるｍとは必ずしも同一で有る必要はないが、後述する様にｍ＝０が最適である。この様に数式５に現れるｍと数式６に現れるｍとが同一で有る場合、数式５と数式６とにより、ｎ₁ｄ₁＝ｎ₃ｄ₃となる。先に述べた様に、ｎ₁＝ｎ₃が好ましいので、ｄ₁＝ｄ₃となる。即ち、本実施形態では、第一透光性膜２３ａの複素屈折率と第三透光性膜２３ｃの複素屈折率とが等しく、第一透光性膜２３ａの膜厚ｄ₁と第三透光性膜２３ｃの膜厚ｄ₃とが等しい事が好ましい。

次に、散乱防止に付いて説明する。入射光ＩＬや第一反射光Ｒ１が透光性多層膜２３にて高い透過率を有するには、各界面での散乱をできる限り小さくする必要がある。界面での散乱が大きいと、入射光ＩＬや第一反射光Ｒ１の界面での透過率が低下してしまう。更に、界面での散乱が大きいと、上述の干渉減光の効果も低減されてしまう為である。一方、第三透光性膜２３ｃは共通電極として機能しており、導電性の多結晶膜である。本実施形態では、第三透光性膜２３ｃとして多結晶性のインジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）が利用されている。又、上述の如く、第一透光性膜２３ａは第三透光性膜２３ｃと同じ材質で同じ膜厚とするのが好ましいので、本実施形態では、第一透光性膜２３ａも多結晶性のインジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）となる。こうした多結晶膜では結晶粒界等の存在の為に界面（一二界面と三五界面と）に微小な凹凸が発生する。これらの微小凹凸は不可避であるが、二三界面が一二界面の影響を受けて面荒れする事や、二三界面が一二界面の影響を受けて面荒れし三五界面の面荒れを更に大きくする事は回避できる。その為に、第二透光性膜２３ｂを、燐を含む酸化珪素膜（Ｐｈｏｓｐｈｏ ｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ、ＰＳＧと称する）、或いは硼素を含む酸化珪素膜（Ｂｏｒｏ ｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ、ＢＳＧと称する）、或いは硼素と燐とを含む酸化珪素膜（Ｂｏｒｏ−ｐｈｏｓｐｈｏ ｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ、ＢＰＳＧと称する）等の酸化珪素膜とする。これらの添加物を含んだ酸化珪素膜は、シランガス（ＳｉＨ₄）、２塩化シラン（ＳｉＣｌ₂Ｈ₂）、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン／テトラ・エチル・オルソ・シリケート／Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₄）、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）等を用いた常圧ＣＶＤ法や減圧ＣＶＤ法、或いはプラズマＣＶＤ法等により形成される。本実施形態では、第二透光性膜２３ｂとしてＢＰＳＧ膜を使用している。これらの添加物を含んだ酸化珪素膜は平坦性に優れている為に、一二界面に微小な凹凸が発生していても、これを二三界面に伝える事はなく、二三界面を平坦にする事ができる。こうして、二三界面での光散乱が低減され、その結果、第二反射光Ｒ２と第四反射光Ｒ４とが効率的に打ち消し合うと共に、第七反射光Ｒ７と第九反射光Ｒ９とが効率的に打ち消し合う。又、二三界面での散乱光が減るので、入射光ＩＬの二三界面での透過率が高まると共に、第一反射光Ｒ１の二三界面での透過率が高まる。尚、上述の如く、第二透光性膜２３ｂと第四透光性膜２２と第五透光性膜２４とを同じ膜とするのが好ましいので、本実施形態では、第四透光性膜２２も第五透光性膜２４もＢＰＳＧ膜となる。

「好適例」
図４は第一透光性膜２３ａから第五透光性膜２４に対する好適例を説明する図である。次に、図４を参照して、第一透光性膜２３ａから第五透光性膜２４の好適例を説明する。

図４には各透光性膜と第二基板との物理量が、入射光ＩＬを代表する三種類の光（青、緑、赤）毎に記載されている。第二基板は石英ガラスで、その屈折率は第二透光性膜２３ｂ（ＢＰＳＧ）や第四透光性膜２２（ＢＰＳＧ）、第五透光性膜２４（ＢＰＳＧ）よりも小さい。第二透光性膜２３ｂや第四透光性膜２２、第五透光性膜２４の複素屈折率の虚数成分はほぼゼロで透明である。第一透光性膜２３ａ（ＩＴＯ）と第三透光性膜２３ｃ（ＩＴＯ）との屈折率は、第二透光性膜２３ｂや第四透光性膜２２、第五透光性膜２４の屈折率よりも大きい。第一透光性膜２３ａと第三透光性膜２３ｃとの複素屈折率の虚数成分はゼロではなく、これらの膜で光は僅かに吸収される。第一透光性膜２３ａと第三透光性膜２３ｃとの吸収係数は、１０^-5（ｎｍ^-1）から１０^-4（ｎｍ^-1）のオーダーであるが、第一透光性膜２３ａや第三透光性膜２３ｃを薄膜とする事で第一透光性膜２３ａや第三透光性膜２３ｃでの透過率は概ね９８％程度以上とされている。第二透光性膜２３ｂの厚みはｍに応じて変えられ、第一透光性膜２３ａや第三透光性膜２３ｃの厚みに応じて、数式５や数式６により、定められる。

「膜厚」
図５は、入射光を代表する光に応じて、第一透光性膜（第三透光性膜）の厚みと第二透光性膜の厚みとの関係を説明する図である。又、図６は、ｍに応じて、第一透光性膜（第三透光性膜）の厚みと第二透光性膜の厚みとの関係を説明する図である。次に、図５と図６とを参照して、第一透光性膜２３ａ（第三透光性膜２３ｃ）と第二透光性膜２３ｂとの好ましい膜厚を説明する。尚、図５と図６とで横軸を第一透光性膜２３ａとしてあるが、第三透光性膜２３ｃとしても同じ図となるので、第一透光性膜２３ａと第三透光性膜２３ｃとを代表して、図５と図６との横軸を第一透光性膜２３ａとしてある。

図５は、ｍ＝０の際に入射光ＩＬを代表する光に応じて、第一透光性膜２３ａ（第三透光性膜２３ｃ）と第二透光性膜２３ｂとの厚みの関係を説明する図である。第一透光性膜２３ａや第三透光性膜２３ｃは、数式５と数式６との関係を満たすので、第一透光性膜２３ａ（第三透光性膜２３ｃ）の厚みと第二透光性膜２３ｂの厚みとは、入射光ＩＬを代表する光の波長に応じた直線関係になる。

まず、第一透光性膜２３ａと第三透光性膜２３ｃとで、光の吸収を最小にして、干渉減光の効果を高めるには、吸収係数がゼロでない第一透光性膜２３ａと第三透光性膜２３ｃとをできる限り薄くするのが好ましい。第一透光性膜２３ａと第三透光性膜２３ｃとは、ＩＴＯをスパッター法等の物理気相堆積法で形成するが、安定的に膜として製造するには、厚みが１５ｎｍ以上で有る事が求められる。即ち、第一透光性膜２３ａ（第三透光性膜２３ｃ）の厚みが１５ｎｍ未満は膜品質や厚みを制御し難い領域（第一制御不能領域ＡＮＣ１）となる。言い換えると、第一透光性膜２３ａ（第三透光性膜２３ｃ）の厚みが１５ｎｍ以上であれば、膜品質や厚みを制御する事ができる。同様に、第二透光性膜２３ｂは、ＢＰＳＧを大気圧ＣＶＤ法等の化学気相堆積法で形成するが、安定的に膜として製造するには、厚みが２０ｎｍ以上で有る事が求められる。即ち、第二透光性膜２３ｂの厚みが２０ｎｍ未満は膜品質や厚みを制御し難い領域（第二制御不能領域ＡＮＣ２）となる。言い換えると、第二透光性膜２３ｂの厚みが２０ｎｍ以上であれば、膜品質や厚みを制御する事ができる。第一透光性膜２３ａ（第三透光性膜２３ｃ）と第二透光性膜２３ｂとは、第一制御不能領域ＡＮＣ１でも第二制御不能領域ＡＮＣ２でもない領域で数式５（数式６）の直線関係を満たさねばならない。

図５に示す様に、例えば、入射光ＩＬを代表する光が青Ｂであれば、第一透光性膜２３ａと第三透光性膜２３ｃとの好ましい膜厚範囲は１５ｎｍ以上４４ｎｍ以下となり、好ましい膜厚範囲の中央値は２９ｎｍとなる。その際の第二透光性膜２３ｂの好ましい膜厚範囲は２０ｎｍ以上５７ｎｍ以下となり、好ましい膜厚範囲の中央値は３９ｎｍとなる。同様に、入射光ＩＬを代表する光が緑Ｇであれば、第一透光性膜２３ａと第三透光性膜２３ｃとの好ましい膜厚範囲は１５ｎｍ以上５８ｎｍ以下となり、好ましい膜厚範囲の中央値は３７ｎｍとなる。その際の第二透光性膜２３ｂの好ましい膜厚範囲は２０ｎｍ以上７３ｎｍ以下となり、好ましい膜厚範囲の中央値は４７ｎｍとなる。更に、入射光ＩＬを代表する光が赤Ｒであれば、第一透光性膜２３ａと第三透光性膜２３ｃとの好ましい膜厚範囲は１５ｎｍ以上７１ｎｍ以下となり、好ましい膜厚範囲の中央値は４３ｎｍとなる。その際の第二透光性膜２３ｂの好ましい膜厚範囲は２０ｎｍ以上８８ｎｍ以下となり、好ましい膜厚範囲の中央値は５４ｎｍとなる。

上述の様に、入射光ＩＬを代表する光に応じて電気光学装置毎に各透光性膜の厚みを最適に設定しても良いが、一部の透光性膜の厚みを各種の電気光学装置で共通に設定しても良い。例えば、第一透光性膜２３ａ及び第三透光性膜２３ｃの物理的膜厚を、入射光ＩＬを代表する光の波長に依らず各種の電気光学装置で同一とし、第二透光性膜２３ｂの厚みを電気光学装置間で変えても良い。その場合も数式５又は数式６を満たす様にする。後述する投射型表示装置１０００（図７参照）の様に、電子機器が複数種類の電気光学装置を用いる場合、短波長域の光を変調する短波長域用の電気光学装置（例えば青色光Ｂ用の液晶ライトバルブ１２７０、図７参照）では、他の種類の電気光学装置（例えば赤色光Ｒ用の液晶ライトバルブ１２５０や緑色光Ｇ用の液晶ライトバルブ１２６０、図７参照）に対して第二透光性膜２３ｂの物理的膜厚で調整してもよい。この場合、青色光Ｂ用の液晶ライトバルブ１２７０と赤色光Ｒ用の液晶ライトバルブ１２５０と緑色光Ｇ用の液晶ライトバルブ１２６０とで、第一透光性膜２３ａ及び第三透光性膜２３ｃの物理的膜厚は同一となり、第二透光性膜２３ｂの物理的膜厚が青色光Ｂ用の液晶ライトバルブ１２７０で異なる事になる。この様に、電子機器が複数種類の電気光学装置を用いる際には（電子機器が第一電気光学装置と第二電気光学装置とを少なくとも含む際には）、複数種類の電気光学装置で（第一電気光学装置と第二電気光学装置とで）、第一透光性膜２３ａ及び第三透光性膜２３ｃの物理的膜厚を同一とし、一種類の電気光学装置（第一電気光学装置）の第二透光性膜２３ｂの物理的膜厚が他の種類の電気光学装置（第二電気光学装置）の第二透光性膜２３ｂの物理的膜厚と異なる様にしても良い。こうすると、複数種類の電気光学装置を効率的に製造する事ができ、同時に不要な反射光（第二反射光Ｒ２から第五反射光Ｒ５及び第六反射光Ｒ６から第九反射光Ｒ９）を、できる限り小さくする事ができる。

数式５や数式６に現れるｍは０以上の整数で有れば、幾つでも良いが、ゼロが最適である。次にこの事を説明する。図６では、入射光ＩＬを代表する光を青Ｂとしているが、図６に示す様に、一般に、ｍが０から１、２と大きくなるに従い、第一透光性膜２３ａや第三透光性膜２３ｃの厚みと第二透光性膜２３ｂの厚みとが取り得る値の範囲が大きくなる。その一方、上述の如く、第一透光性膜２３ａと第三透光性膜２３ｃとは、光吸収を最小とする視点からできる限り薄い方が好ましい。図４に示す様に、例えば入射光ＩＬを代表する光を青Ｂとし、第一透光性膜２３ａと第三透光性膜２３ｃとの厚みを２９ｎｍとすると、第二透光性膜２３ｂの厚みはｍ＝０で３９ｎｍ、ｍ＝１で１９２ｎｍ、ｍ＝２で３４６ｎｍ、となる。この様に、ｍの値が大きくなる程、第二透光性膜２３ｂは厚くなる。第二透光性膜２３ｂは気相堆積法で形成されるが、この堆積時の膜厚変動は第二基板の面内で通常、数％程度（具体的には２％程度から５％程度）認められる。ｍ＝０の場合、第二透光性膜２３ｂの厚みは３９ｎｍなので、第二基板の面内での第二透光性膜２３ｂの膜厚変動は０．８ｎｍ程度から最大でも２．０ｎｍ程度である。この程度の膜厚変動ならば、干渉減光の効果に膜厚変動が悪影響を及ぼす事は殆どない。これに対して、ｍ＝２の場合には、第二透光性膜２３ｂの厚みは３４６ｎｍとなるので、第二基板の面内での第二透光性膜２３ｂの膜厚変動は７ｎｍ程度から１７ｎｍ程度となる。入射光ＩＬを代表する光が青Ｂであると、図４に示す様に、第二透光性膜２３ｂの屈折率は１．４９８で有るので、第二透光性膜２３ｂの光学的膜厚の変動は１１ｎｍ程度から２６ｎｍ程度となる。光学的膜厚２６ｎｍの変動は、６％程度の位相差変動をもたらし、干渉減光の効果が一部損なわれ兼ねない。こうした理由から第二透光性膜２３ｂも薄い方が好ましく、ｍ＝０が最適となる。

「製造方法」
図３を参照して、第一透光性膜２３ａから第五透光性膜２４の製造方法を説明する。

対向基板２０である石英ガラス上に、オゾンとＴＥＯＳとを反応させる大気圧ＣＶＤ装置を用いて、基板温度４００℃程度で、ＢＰＳＧ膜を形成する。このＢＰＳＧ膜が第四透光性膜２２である。第四透光性膜２２をなすＢＰＳＧ膜内に含まれる硼素と燐との含有量は各々１重量％から５重量％の範囲になる様に成膜する。硼素含有量と燐含有量とをこの範囲とする事で、成膜時にＢＰＳＧ膜が流動性を持ち、アズデポ状態（成膜直後の状態）でも平坦性に優れた膜を形成する事ができる。第四透光性膜２２は、対向基板２０上に見切り部２１が形成される事で生ずる表面の凹凸を緩和可能な程度の膜厚を有している。具体的に、その膜厚は凡そ３００ｎｍである。尚、５００ｎｍから１０００ｎｍで成膜してから膜厚が３００ｎｍ程度になるまで化学機械研磨法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）などの平坦化処理を施しても良い。これによれば、より平坦な形成面が得られる。又、ＢＰＳＧ膜は吸湿性に優れており、不要な水分やそのガスが液晶層５０中に拡散する事を防ぎ、液晶装置１００の耐湿性を向上させる事ができる。

次に第一透光性膜２３ａとなるＩＴＯをスパッター法で形成する。

次に、第一透光性膜２３ａとなるＩＴＯ上に、第二のＢＰＳＧ膜を成膜する。この第二のＢＰＳＧ膜が第二透光性膜２３ｂである。製造条件は堆積時間を除いて、第四透光性膜２２をなすＢＰＳＧと同じにする。

次に第三透光性膜２３ｃとなるＩＴＯをスパッター法で形成する。堆積時間を含めて、製造条件は、第一透光性膜２３ａとなるＩＴＯと全く同じにする。数式５と数式６との関係を満たせば、第一透光性膜２３ａと第三透光性膜２３ｃとを同じにする必要はない。但し、第一透光性膜２３ａと第三透光性膜２３ｃとを同じにすると製造工程が著しく容易となり、厚みや屈折率の管理も容易となる。第一透光性膜２３ａと第三透光性膜２３ｃとを互いに変えると、これらの管理は困難となる。例えば、第一透光性膜２３ａの屈折率を１．９とし、第三透光性膜２３ｃの屈折率を２．１とした場合を考える。この場合、第二透光性膜２３ｂの厚みを２９ｎｍとし、入射光ＩＬを代表する光を青Ｂとすると、第一透光性膜２３ａの厚みは３０ｎｍとなり、第三透光性膜２３ｃの厚みは２８ｎｍとなる。この様に、第一透光性膜２３ａと第三透光性膜２３ｃとを異なる膜とすると、２ｎｍ程度の僅かな膜厚の差で第一透光性膜２３ａと第三透光性膜２３ｃとを作り分けねばならず、安定した製造が困難となる。これに対して、第一透光性膜２３ａと第三透光性膜２３ｃとを同じ膜で同じ厚みにすると、単純に同じ製造工程を取れば良いので、製造工程が著しく容易となる。

次に、第三透光性膜２３ｃとなるＩＴＯ上に、第三のＢＰＳＧ膜を成膜する。この第三のＢＰＳＧ膜が第五透光性膜２４である。製造条件は堆積時間を除いて、第四透光性膜２２をなすＢＰＳＧと同じにする。第五透光性膜２４の膜厚は凡そ１００ｎｍである。尚、第五透光性膜２４は、図１に示す上下導通部１０６を覆わない様にパターニングされている。その後、配向膜２５が、素子基板１０側の配向膜１８と同様に気相堆積法（斜め蒸着法や斜めスパッター法）を用いてＳｉＯｘ（酸化珪素）などの無機材料を成膜する事により形成される。配向膜２５の膜厚は凡そ７５ｎｍである。

「電子機器」
図７は電子機器としての投射型表示装置の構成を示す模式図である。次に、図７を参照して、本実施形態の電子機器を説明する。

図７に示す様に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、３つのダイクロイックミラー１１１１，１１１２，１１１５と、２つの反射ミラー１１１３，１１１４と、３つの光変調素子としての反射型の液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０と、クロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。

偏光照明装置１１００は、ハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。

偏光照明装置１１００から出射された偏光光束は、互いに直交して配置されたダイクロイックミラー１１１１とダイクロイックミラー１１１２とに入射する。光分離素子としてのダイクロイックミラー１１１１は、入射した偏光光束のうち赤色光Ｒを反射する。もう一方の光分離素子としてのダイクロイックミラー１１１２は、入射した偏光光束のうち緑色光Ｇと青色光Ｂとを反射する。

反射した赤色光Ｒは反射ミラー１１１３により再び反射され、液晶ライトバルブ１２５０に入射する。一方、反射した緑色光Ｇと青色光Ｂとは反射ミラー１１１４により再び反射して光分離素子としてのダイクロイックミラー１１１５に入射する。ダイクロイックミラー１１１５は緑色光Ｇを反射し、青色光Ｂを透過する。反射した緑色光Ｇは液晶ライトバルブ１２６０に入射する。透過した青色光Ｂは液晶ライトバルブ１２７０に入射する。

液晶ライトバルブ１２５０は、反射型の液晶パネル１２５１と、反射型偏光素子としてのワイヤーグリッド偏光板１２５３とを備えている。液晶ライトバルブ１２５０は、ワイヤーグリッド偏光板１２５３によって反射した赤色光Ｒがクロスダイクロイックプリズム１２０６の入射面に垂直に入射する様に配置されている。又、ワイヤーグリッド偏光板１２５３の偏光度を補う補助偏光板１２５４が液晶ライトバルブ１２５０における赤色光Ｒの入射側に配置され、もう１つの補助偏光板１２５５が赤色光Ｒの出射側においてクロスダイクロイックプリズム１２０６の入射面に沿って配置されている。尚、反射型偏光素子として偏光ビームスプリッターを用いた場合には、一対の補助偏光板１２５４，１２５５を省略する事も可能である。この様な反射型の液晶ライトバルブ１２５０の構成と各構成の配置は、他の反射型の液晶ライトバルブ１２６０，１２７０においても同じである。

液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０に入射した各色光は、画像情報に基づいて変調され、再びワイヤーグリッド偏光板１２５３，１２６３，１２７３を経由してクロスダイクロイックプリズム１２０６に入射する。クロスダイクロイックプリズム１２０６では、各色光が合成され、合成された光は投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。

本実施形態では、液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０における反射型の液晶パネル１２５１，１２６１，１２７１として上述の反射型の液晶装置１００が適用されている。

この様な投射型表示装置１０００によれば、反射型の液晶装置１００を液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０に用いているので、明るい画像を投射可能であると共に高速駆動が可能な反射型の投射型表示装置１０００を提供できる。

以上述べて来た様に、本実施形態の電気光学装置では、屈折率整合と干渉減光と散乱防止との三手法を適応して、不要な反射光（第二反射光Ｒ２から第五反射光Ｒ５及び第六反射光Ｒ６から第九反射光Ｒ９）を、小さくし、入射光ＩＬや第一反射光Ｒ１の透過率を高くする事ができる。その結果、暗表示時には第二反射光Ｒ２から第五反射光Ｒ５が小さくなるので、暗表示時の反射率を低くする事ができる。更に、明表示時には入射光ＩＬの透過率が向上すると共に、第六反射光Ｒ６から第九反射光Ｒ９が小さくなるので、明表示時の反射率を高くする事ができる。即ち、明表示時の反射率を向上させ、同時に暗表示時の反射率を低減させる事ができ、コントラスト比の高い画像を形成する電気光学装置を実現する事ができる。加えて、第二反射光Ｒ２から第五反射光Ｒ５が小さくなるので、これらの反射光と第一反射光Ｒ１とが干渉する事も削減される。第二反射光Ｒ２から第五反射光Ｒ５と第一反射光Ｒ１との干渉はリップルと呼ばれる表示不良を引き起こすが、本実施形態の電気光学装置では、第二反射光Ｒ２から第五反射光Ｒ５が非常に弱い為にリップルも非常に小さくなる。

本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及びこの電気光学装置を適用する電子機器も又本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。

（変形例１）
本発明が適用される電気光学装置は反射型に限定されず、透過型にも適用可能である。透過型電気光学装置の場合、画素電極１５が透明導電膜となり、バックライトなどの光源が、素子基板１０の裏面又は対向基板２０の裏面に配置される。光源が素子基板１０の裏面に配置された場合には、図３の第一反射光Ｒ１が光源からの入射光に相当し、第六反射光Ｒ６から第九反射光Ｒ９が削減されるので、明表示が明るくなる。又、光源が対向基板２０の裏面に配置された場合には、第二反射光Ｒ２から第五反射光Ｒ５が削減されるので、明表示が明るくなる。

（変形例２）
本発明が適用される電気光学装置の液晶層５０における液晶分子の配向制御は垂直配向（ＶＡ；Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）に限定されない。ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）やＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｅｎｄ）などにも適用可能である。

（変形例３）
本発明が適用される電気光学装置は液晶装置１００に限定されず、対向基板２０に透明導電膜（第三透光性膜２３ｃ）を備える電気光学装置一般に適用可能である。例えば、電気光学層として液晶層５０の代わりに電気泳動材料を備えた電気泳動表示装置などにも適用できる。

（変形例４）
上記実施形態の電気光学装置を適用可能な電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置１０００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、又は電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型或いはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いる事ができる。

ＩＬ…入射光、ＯＬ…出射光、Ｒ１…第一反射光、Ｒ２…第二反射光、Ｒ３…第三反射光、Ｒ４…第四反射光、Ｒ５…第五反射光、Ｒ６…第六反射光、Ｒ７…第七反射光、Ｒ８…第八反射光、Ｒ９…第九反射光、３ａ…走査線、３ｂ…容量線、６ａ…信号線、１０…素子基板、１１…第一層間絶縁膜、１２…第二層間絶縁膜、１５…画素電極、１６…保持容量、１７…第三層間絶縁膜、１８…配向膜、２０…対向基板、２０ａ…凹部、２１…見切り部、２２…第四透光性膜、２３…透光性多層膜、２３ａ…第一透光性膜、２３ｂ…第二透光性膜、２３ｃ…第三透光性膜、２４…第五透光性膜、２５…配向膜、３０…ＴＦＴ、３０ａ…半導体層、３０ｇ…ゲート電極、３１…ソース電極、３２…ドレイン電極、４０…シール材、５０…液晶層、１００…液晶装置。

Claims (6)

1. 第一基板と、
   透光性の第二基板と、
   前記第一基板と前記第二基板とにより挟持された電気光学層と、
   前記第二基板と前記電気光学層との間に配置され、前記第二基板側から順に形成された第四透光性膜と第一透光性膜と第二透光性膜と第三透光性膜とを備え、
   前記第一透光性膜の屈折率と前記第三透光性膜の屈折率とがほぼ等しく、前記第二透光性膜の屈折率と前記第四透光性膜の屈折率とがほぼ等しく、
   前記第二透光性膜及び前記第四透光性膜の屈折率は、前記第二基板の屈折率よりも大きく、前記第一透光性膜及び前記第三透光性膜の屈折率よりも小さい事を特徴とする電気光学装置。
2. 更に、前記第三透光性膜上に第五透光性膜を備え、
   前記第五透光性膜の屈折率は、前記第二基板の屈折率よりも大きく、前記第三透光性膜の屈折率よりも小さい事を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記第一透光性膜の屈折率と前記第三透光性膜の屈折率とがほぼ等しく、前記第二透光性膜の屈折率と前記第五透光性膜の屈折率とがほぼ等しい事を特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
4. 前記第二透光性膜が硼素と燐とを含む酸化珪素膜である事を特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
5. 前記第三透光性膜が導電性である事を特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えた事を特徴とする電子機器。

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