JP6112108B2 - 照明装置および表示装置 - Google Patents

Description

本技術は、光に対して散乱性または透明性を示す光変調素子を備えた照明装置および表示装置に関する。

近年、液晶ディスプレイの高画質化や省エネ化が急進展し、部分的にバックライトの光強度を変調することによって暗所コントラストの向上を実現する方式が提案されている。この手法は主に、バックライトの光源として用いられる発光ダイオード（ＬＥＤ；Light Emitting Diode）を部分的に駆動して、表示画像に合わせてバックライト光を変調するものである。また、大型の液晶ディスプレイにおいて、小型の液晶ディスプレイと同様、薄型化の要求が強まってきており、冷陰極管（ＣＣＦＬ；Cold Cathode Fluorescent Lamp）やＬＥＤを液晶パネルの直下に配置する方式ではなく、導光板の端部に光源を配置するエッジライト方式が注目されている。しかし、エッジライト方式では、光源の光強度を部分的に変調する部分駆動を行うことは難しい。

特開平６−３４７７９０号公報

ところで、導光板内を伝播している光の取り出し技術としては、例えば、特許文献１において、透明と散乱を切り換える高分子分散液晶（ＰＤＬＣ；Polymer Dispersed Liquid Crystal）を用いた表示装置が提案されている。これは、写り込み防止などを目的としたものであり、ＰＤＬＣに対して部分的に電圧を印加して、透明と散乱を切り換える技術である。しかし、この方式において、部分的に導光光を取り出すことで、部分的に照明光を変調した場合に、ＰＤＬＣを駆動する電極パターンに由来する境界部分において輝度の差が大きいときには、表示画像にその境界部分が見えてしまうという点で改善の余地があった。

したがって、照明光における明暗の境界部分をぼかすことの可能な照明装置および表示装置を提供することが望ましい。

本技術の実施の形態の照明装置は、離間して互いに対向配置された一対の基板と、一対の基板の少なくとも一方の側面に配置された光源と、一対の基板のそれぞれの表面に設けられ、かつ基板の表面と直交する方向に電場を発生させる電極とを備えている。この照明装置は、さらに、一対の基板の間隙に設けられ、かつ電極によって生じる電場の大きさに応じて、光源からの光に対して散乱性もしくは透明性を示す光変調層を備えている。電極は、一対の基板のうち一方の基板の表面に、複数の第１電極ブロックを有している。各第１電極ブロックは、第１の方向に延在すると共に第１の方向と交差する方向に配列された複数の部分電極を有している。

本技術の実施の形態の表示装置は、映像を表示する表示パネルと、表示パネルを照明する照明装置とを備えている。この表示装置に搭載された照明装置は、上記の実施の形態の照明装置と同様の構成要素を有している。

本技術の実施の形態の照明装置および表示装置では、各第１電極ブロックは、第１の方向に延在すると共に第１の方向と交差する方向に配列された複数の部分電極を有している。これにより、光変調層の散乱特性を、各第１電極ブロックと対向する領域内において部分的に調整することができる。

本技術の実施の形態の照明装置および表示装置によれば、光変調層の散乱特性を、各第１電極ブロックと対向する領域内において部分的に調整することができるようにしたので、光変調層から取り出された光の輝度分布の面内の変化を緩やかにすることができる。その結果、照明光における明暗の境界部分をぼかすことができる。

本技術の第１の実施の形態に係る照明装置の構成の一例を表す断面図である。 図１の光変調素子の構成の一例を表す断面図である。 図２の下側電極の構成の一例を表す平面図である。 図２の下側電極の構成の他の例を表す平面図である。 図２の下側電極の構成の他の例を表す平面図である。 図２の下側電極の幅の一例を表す平面図である。 図２の上側電極の構成の一例を表す平面図である。 図２の上側電極の構成の他の例を表す平面図である。 図２の上側電極の構成の他の例を表す平面図である。 図２の上側電極の構成の他の例を表す平面図である。 図１の光変調素子の電圧無印加時の配向の一例を表す模式図である。 図１の光変調素子の電圧印加時の配向の一例を表す模式図である。 図１の照明装置の作用について説明するための模式図である。 図１の照明装置における部分点灯の一例を表す模式図である。 図１の照明装置における部分点灯の他の例を表す模式図である。 図１の照明装置におけるスキャン駆動の一例を表す模式図である。 図１２Ａに続くスキャン駆動の一例を表す模式図である。 図１の照明装置におけるスキャン駆動の他の例を表す模式図である。 図１３Ａに続くスキャン駆動の他の例を表す模式図である。 図１の照明装置における部分点灯の方式の一例を表す図である。 図１の照明装置における全点灯の一例を表す模式図である。 図１の照明装置における全点灯の他の例を表す模式図である。 図１の照明装置における全点灯の方式の一例を表す図である。 比較例に係る照明装置における全点灯の方式の一例を表す図である。 比較例に係る照明装置における全点灯の方式の他の例を表す図である。 比較例に係る照明装置における部分点灯の方式の他の例を表す図である。 図１の照明装置の製造工程について説明するための断面図である。 図２０に続く製造工程について説明するための断面図である。 図２１に続く製造工程について説明するための断面図である。 変形例に係る光変調素子の電圧無印加時の配向の一例を表す模式図である。 変形例に係る光変調素子の電圧印加時の配向の一例を表す模式図である。 本技術の第２の実施の形態に係る照明装置の構成の一例を表す断面図である。 図２５の光変調素子の構成の一例を表す断面図である。 図２５の光変調素子の電圧無印加時の配向の一例を表す模式図である。 図２５の光変調素子の電圧印加時の配向の一例を表す模式図である。 上側電極の構成の第１変形例を表す平面図である。 上側電極の構成の第２変形例を表す平面図である。 上側電極の構成の第２変形例を表す平面図である。 図２９、図３０の上側電極の幅の一例を表す平面図である。 下側電極の構成の第１変形例を表す平面図である。 上側電極の構成の第３変形例を表す平面図である。 下側電極の構成の第２変形例を表す平面図である。 上側電極の構成の第４変形例を表す平面図である。 下側電極の構成の第３変形例を表す平面図である。 上側電極の構成の第５変形例を表す平面図である。 上側電極の構成の第６変形例を表す平面図である。 上側電極の構成の第７変形例を表す平面図である。 上側電極の構成の第８変形例を表す平面図である。 上側電極の構成の第９変形例を表す平面図である。 図３８、図３９の上側電極におけるパターン密度の一例を表す図である。 図３８、図３９の上側電極を用いたときの輝度分布の一例を表す図である。 光源の構成の一変形例を表す斜視図である。 光源の構成の他の変形例を表す斜視図である。 光源の構成の他の変形例を表す斜視図である。 導光板の構成の一変形例を表す斜視図である。 導光板の構成の他の変形例を表す斜視図である。 導光板の構成の他の変形例を表す斜視図である。 図４３Ａの導光板の凸部の高さの一例を表す図である。 導光板に凸部が無いときの光導波について説明するための模式図である。 導光板に凸部があるときの光導波について説明するための模式図である。 図４１Ｂ，図４１Ｃの光源を用いたときの部分点灯の一例を表す模式図である。 照明装置の第１変形例を表す断面図である。 照明装置の第２変形例を表す断面図である。 照明装置の第３変形例を表す断面図である。 照明装置の第４変形例を表す断面図である。 照明装置の第５変形例を表す断面図である。 照明装置の第６変形例を表す断面図である。 照明装置の第７変形例を表す断面図である。 照明装置の第８変形例を表す断面図である。 一適用例にかかる表示装置の一例を表す断面図である。

以下、発明を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。

１．第１の実施の形態
照明装置内に、水平配向膜を含む光変調素子が設けられている例
２．第１の実施の形態の変形例
３．第２の実施の形態
照明装置内に、垂直配向膜を含む光変調素子が設けられている例
４．各実施の形態に共通する変形例
５．適用例
上記実施の形態等の照明装置が表示装置のバックライトに適用されている例

＜１．第１の実施の形態＞
図１は、本技術の第１の実施の形態に係る照明装置１の概略構成の一例を表す断面図である。照明装置１は、液晶表示パネルを背後から照明するバックライトに好適に適用可能なものである。照明装置１は、例えば、導光板１０と、導光板１０の側面に配置した光源２０と、導光板１０の背後に配置した光変調素子３０および反射板４０と、光変調素子３０を駆動する駆動回路５０とを備えている。

光源２０は、例えば、複数の点状光源を一列に配置して構成されたものである。各点状光源は、導光板１０の側面に向かって光を射出するようになっており、例えば、導光板１０の側面との対向面に発光スポットを有する発光素子からなる。そのような発光素子としては、例えば、ＬＥＤ、または、レーザダイオード（ＬＤ；Laser Diode）などが挙げられる。効率、薄型化、均一性の観点からは、各点状光源がホワイトＬＥＤであることが好ましい。なお、光源２０に含まれる複数の点状光源が、例えば、赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤおよび青色ＬＥＤを含んで構成されていてもよい。

光源２０は、図１に示したように、導光板１０の１つの側面にだけ設けられていてもよいし、図示しないが、導光板１０の２つの側面、３つの側面または全ての側面に設けられていてもよい。また、光源２０が３つの側面または全ての側面に設けられている場合には、部分点灯を行うときにだけ、互いに対向する２つの側面に設けられた光源２０だけを点灯させ、全面点灯を行うときに全ての光源２０を点灯させるようにしてもよい。

導光板１０は、導光板１０の１または複数の側面に配置した光源２０からの光を導光板１０の上面に導くものである。この導光板１０は、導光板１０の上面に配置される表示パネル（図示せず）に対応した形状、例えば、上面、下面および側面で囲まれた直方体状となっている。なお、以下では、導光板１０の側面のうち光源２０からの光が入射する側面を光入射面１０Ａと称するものとする。導光板１０は、例えば、ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）やアクリル樹脂（ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などの透明熱可塑性樹脂を主に含んで構成されている。

反射板４０は、導光板１０の背後から光変調素子３０を介して漏れ出てきた光を導光板１０側に戻すものであり、例えば、反射、拡散、散乱などの機能を有している。これにより、光源２０からの射出光を効率的に利用することができ、また、正面輝度の向上にも役立っている。この反射板４０は、例えば、発泡ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）や銀蒸着フィルム、多層膜反射フィルム、白色ＰＥＴなどからなる。

光変調素子３０は、本実施の形態において、導光板１０の背後（下面）に空気層を介さずに密着しており、例えば接着剤（図示せず）を介して導光板１０の背後に接着されている。この光変調素子３０は、例えば、図２に示したように、透明基板３１、下側電極３２、配向膜３３、光変調層３４、配向膜３５、上側電極３６および透明基板３７を反射板４０側から順に配置したものである。

透明基板３１，３７は、離間して互いに対向配置された一対の基板である。透明基板３１，３７は、光変調層３４を支持するものであり、一般に、可視光に対して透明な基板、例えば、ガラス板や、プラスチックフィルムによって構成されている。下側電極３２および上側電極３６は、透明基板３１，３７のそれぞれの表面に設けられたものであり、透明基板３１の表面と直交する方向に電場を発生させるものである。下側電極３２は、透明基板３１の表面（具体的には、透明基板３１のうち透明基板３７との対向面）に設けられたものであり、複数の部分電極３２Ａを含んで構成されている。複数の部分電極３２Ａは、面内の一の方向（第１の方向）に延在すると共に第１の方向と交差する方向に配列されている。第１の方向は、例えば、光入射面１０Ａと平行または略平行な方向である。なお、第１の方向は、光入射面１０Ａと斜めに交差する方向であってもよい。

図３は、下側電極３２の平面構成の一例を表したものである。図４Ａ，図４Ｂは、下側電極３２の平面構成の他の例を表したものである。下側電極３２は、複数の電極ブロック３２Ｃ（第１電極ブロック）を有している。複数の電極ブロック３２Ｃは、面内の所定の方向（第２の方向）および第２の方向と交差する方向（第３の方向）のうち少なくとも第２の方向に並んで配置されている。ここで、第１の方向が、光入射面１０Ａと平行または略平行な方向である場合には、第２の方向は、第１の方向と直交または略直交する方向である。第１の方向が、光入射面１０Ａと斜めに交差する方向である場合には、第２の方向は、光入射面１０Ａと直交または略直交する方向である。つまり、第２の方向は、第１の方向に拘わらず、光入射面１０Ａと直交または略直交する方向である。

各電極ブロック３２Ｃは、第２の方向に隣接する他の電極ブロック３２Ｃによって光変調層３４内に形成される電場を遮らない態様で、第２の方向に隣接する他の電極ブロック３２Ｃの形成領域の一部を含む領域に形成されている。具体的には、オーバーラップ領域３２−１において、２以上の部分電極３２Ａは、第２の方向に隣接する他の電極ブロック３２Ｃの形成領域内に形成されると共に、第２の方向に隣接する他の電極ブロック３２Ｃに含まれる２以上の部分電極と混在して配置されている。例えば、各電極ブロック３２Ｃにおいて、２以上の部分電極３２Ａは、第２の方向に隣接する他の電極ブロック３２Ｃの形成領域内に形成されると共に、第２の方向に隣接する他の電極ブロック３２Ｃに含まれる２以上の部分電極と交互に配置されている。さらに、各電極ブロック３２Ｃにおいて、２以上の部分電極３２Ａは、第２の方向に隣接する他の電極ブロック３２Ｃの形成領域外に形成されている。つまり、図３，図４Ａ，図４Ｂに示したように、各電極ブロック３２Ｃの形成領域は、第２の方向に隣接する他の電極ブロック３２Ｃの形成領域の一部と重なり合っている。図３，図４Ａ，図４Ｂでは、電極ブロック３２Ｃの形成領域同士が重なり合っている領域がオーバーラップ領域３２−１として示されており、電極ブロック３２Ｃの形成領域同士が重なり合っていない領域が非オーバーラップ領域３２−２として示されている。なお、オーバーラップ領域３２−１において、一方の電極ブロック３２Ｃに含まれる２以上の部分電極３２Ａが、第２の方向に隣接する他の電極ブロック３２Ｃに含まれる２以上の部分電極を、複数個ずつ（例えば２つずつ）飛ばして配置されていてもよい。また、オーバーラップ領域３２−１において、一方の電極ブロック３２Ｃに含まれる２以上の部分電極３２Ａが、第２の方向に隣接する他の電極ブロック３２Ｃに含まれる２以上の部分電極と交互に配置されるとともに、一部で歯抜け状態で配置されていてもよい。

各電極ブロック３２Ｃにおいて、各部分電極３２Ａは互いに電気的に接続されている。具体的には、図３に示したように、各電極ブロック３２Ｃは、各部分電極３２Ａの端部に連結された連結部３２Ｂ(第１連結部)を有しており、各部分電極３２Ａは連結部３２Ｂによって互いに電気的に接続されている。そのため、各電極ブロック３２Ｃは、複数の部分電極３２Ａおよび連結部３２Ｂによって櫛歯の形状となっており、複数の電極ブロック３２Ｃは、各電極ブロック３２Ｃの櫛歯の向きが交互に反転する（入れ替わる）ように第２の方向に並んで配置されている。

次に、各部分電極３２Ａの、配列方向の幅について説明する。図５は、各部分電極３２Ａの、配列方向の幅の一例を表したものである。各部分電極３２Ａの幅は、各電極ブロック３２Ｃにおける、光源２０からの距離に応じた大きさとなっている。具体的には、各電極ブロック３２Ｃにおいて、第２の方向に隣接する他の電極ブロック３２Ｃの形成領域外（非オーバーラップ領域３２−２）に形成された２以上の部分電極３２Ａの幅は、光源２０から遠ざかるにつれて太くなっている。また、各電極ブロック３２Ｃにおいて、第２の方向に隣接する他の電極ブロック３２Ｃであって、かつ光源２０から相対的に遠い方の電極ブロック３２Ｃの形成領域（光源２０から離れた方のオーバーラップ領域３２−１）内に形成された２以上の部分電極３２Ａの幅は、光源２０から遠ざかるにつれて細くなっている。さらに、各電極ブロック３２Ｃにおいて、第２の方向に隣接する他の電極ブロック３２Ｃであって、かつ光源２０から相対的に近い方の電極ブロック３２Ｃの形成領域（光源２０により近い方のオーバーラップ領域３２−１）内に形成された２以上の部分電極３２Ａの幅は、光源２０から遠ざかるにつれて太くなっている。つまり、各電極ブロック３２Ｃにおいて、複数の部分電極３２Ａのうち光源２０側（光源２０寄り）の複数の部分電極３２Ａの幅は、光源２０から遠ざかるにつれて太くなっており、複数の部分電極３２Ａのうち光源２０とは反対側（光源２０から離れている側）の複数の部分電極３２Ａの幅は、光源２０から遠ざかるにつれて細くなっている。このような複数の部分電極３２Ａの幅の分布を、以後「山なりの分布」と記載する。なお、図５には「山なりの分布」が折れ線で構成されている場合が例示されているが、「山なりの分布」は滑らかな曲線で構成されていてもよい。なお、オーバーラップ領域３２−１が存在していなくてもよい。この場合、各電極ブロック３２Ｃにおいて、複数の部分電極３２Ａの、配列方向の幅は、光源２０側で細く、光源２０から遠ざかるにつれて太くなっている。

次に、上側電極３６について説明する。図６Ａ，図６Ｂ，図７Ａ，図７Ｂは、上側電極３６の平面構成の一例を表したものである。上側電極３６は、透明基板３７の表面（具体的には、透明基板３７のうち透明基板３１との対向面）に設けられたものである。上側電極３６は、例えば、図６Ａ，図６Ｂに示したように、面内全体に渡って形成された１枚（単一）のシート状電極である。このシート状電極は、全ての電極ブロック３２Ｃと対向するように形成されている。上側電極３６は、例えば、図７Ａ，図７Ｂに示したように、第２の方向に延在すると共に第３の方向に並んで配置された複数の帯状の部分電極３６Ａによって構成されていてもよい。このとき、複数の電極ブロック３２Ｃが第２の方向および第３の方向に並んで配置されている場合には、各部分電極３６Ａは、第２の方向に並んで配置された複数の電極ブロック３２Ｃと対向するように配置されている。

次に、下側電極３２および上側電極３６の材料について説明する。下側電極３２および上側電極３６は、例えば、透明な導電性材料、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ；Indium Tin Oxide）からなる。透明な導電性材料は、可能な限り可視光の吸収が小さい材料であることが好ましい。光が導光板１０内を導光する際に何度も下側電極３２および上側電極３６を通過するので、大型のバックライトでは、光が面に垂直に入射した場合の可視光の吸収が数％であったとしても、画面中央部分での輝度が光入射面近傍での輝度と比べて数十％程度も減少してしまう場合がある。また、透明な導電性材料の吸収の波長依存性は小さい方が好ましい。特定の波長の吸収が大きい場合、光が導光板１０内を導光するにつれて色度が変化してしまい、画面中央部と端部で色味が異なってしまう場合がある。

上側電極３６が面内全体に渡って形成された単一のシート状電極となっている場合に、光変調素子３０を光変調素子３０の法線方向から見たときに、光変調素子３０のうち部分電極３２Ａと対向する箇所が光変調セル３０ａを構成している。例えば、図２に破線で例示したような箇所が光変調セル３０ａとなっている。各光変調セル３０ａは、下側電極３２および上側電極３６に所定の電圧を印加することにより別個独立に駆動することの可能なものであり、下側電極３２および上側電極３６に印加される電圧値の大きさに応じて、光源２０からの光に対して透明性を示したり、散乱性を示したりする。なお、透明性、散乱性については、光変調層３４を説明する際に詳細に説明する。

配向膜３３，３５は、例えば、光変調層３４に用いられる液晶やモノマーを配向させるものである。配向膜の種類としては、例えば、垂直用配向膜および水平用配向膜があるが、本実施の形態では、配向膜３３，３５には水平用配向膜が用いられる。配向膜３３，３５は、入射面１０Ａと平行（または略平行）な方向に配向方向を有している。水平用配向膜としては、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリビニルアルコールなどをラビング処理することにより形成された配向膜、転写やエッチングなどにより溝形状が付与された配向膜が挙げられる。また、水平用配向膜としては、例えば、酸化ケイ素などの無機材料を斜方蒸着することにより形成された配向膜、イオンビーム照射により形成されたダイヤモンドライクカーボン配向膜、電極パターンスリットの形成された配向膜が挙げられる。透明基板３１，３７としてプラスチックフィルムを用いる場合には、製造工程において、透明基板３１，３７の表面に配向膜３３，３５を塗布した後の焼成温度ができるだけ低いことが好ましいことから、配向膜３３，３５として、１００℃以下の温度で形成可能なポリアミドイミドを用いることが好ましい。

なお、水平用配向膜として、当該水平用配向膜に接する液晶分子にプレチルトを付与する機能を有するものが用いられてもよい。水平用配向膜にプレチルト機能を発現させる方法としては、例えば、ラビングなどが挙げられる。プレチルトとは、例えば、配向膜に近接する液晶分子の長軸が「配向膜の面内の特定の方向」または「配向膜の法線」と僅かな角度で交差することを意味している。上記の水平用配向膜は、例えば、当該水平用配向膜に近接する液晶分子の長軸を当該水平用配向膜の表面と平行な方向であって、かつ光入射面１０Ａの表面と僅かな角度で交差させる機能を有していてもよい。

また、垂直、水平いずれの配向膜においても、液晶とモノマーを配向させる機能があれば十分であり、通常の液晶ディスプレイに要求される電圧の繰り返し印加による信頼性などは必要ない。デバイス作成後の電圧印加による信頼性は、モノマーを重合したものと液晶との界面で決まるためである。また、配向膜３３，３５を用いなくても、例えば、下側電極３２と上側電極３６との間に電場や磁場を印加することによっても、光変調層３４に用いられる液晶やモノマーを配向させることが可能である。つまり、下側電極３２と上側電極３６との間に電場や磁場を印加しながら、紫外線を照射して電圧印加状態での液晶やモノマーの配向状態を固定させることができる。配向膜３３，３５の形成に電圧を用いる場合には、配向用と駆動用とで別々の電極を形成するか、液晶材料に周波数によって誘電率異方性の符号が反転する二周波液晶などを用いることができる。また、配向膜３３，３５の形成に磁場を用いる場合、配向膜３３，３５として磁化率異方性の大きい材料を用いることが好ましく、例えば、ベンゼン環の多い材料を用いることが好ましい。

光変調層３４は、下側電極３２および上側電極３６によって生じる電場の大きさに応じて、光源２０からの光に対して散乱性もしくは透明性を示すものである。具体的には、光変調層３４は、下側電極３２および上側電極３６に電圧が印加されていない時に光源２０からの光に対して透明性を示し、下側電極３２および上側電極３６に電圧が印加されている時に光源２０からの光に対して散乱性を示すものである。光変調層３４は、例えば、図２に示したように、バルク３４Ａと、バルク３４Ａ内に分散された微粒子状の複数の微粒子３４Ｂとを含んだ複合層となっている。バルク３４Ａおよび微粒子３４Ｂは光学異方性を有している。

図８は、下側電極３２および上側電極３６に電圧が印加されていない時（以下、単に「電圧無印加時」と称する。）の、バルク３４Ａおよび微粒子３４Ｂ内の配向状態の一例を模式的に表したものである。図８中の楕円体１３４Ａは、電圧無印加時の、バルク３４Ａの屈折率異方性を示す屈折率楕円体の一例を表したものである。図８中の楕円体１３４Ｂは、電圧無印加時の、微粒子３４Ｂの屈折率異方性を示す屈折率楕円体の一例を表したものである。この屈折率楕円体は、様々な方向から入射した直線偏光の屈折率をテンソル楕円体で表したものであり、光が入射する方向からの楕円体の断面を見ることによって、幾何的に屈折率を知ることができるものである。

図９は、下側電極３２および上側電極３６に電圧が印加されている時（以下、単に「電圧印加時」と称する。）の、バルク３４Ａおよび微粒子３４Ｂ内の配向状態の一例を模式的に表したものである。図９中の楕円体１３４Ａは、電圧印加時の、バルク３４Ａの屈折率異方性を示す屈折率楕円体の一例を表したものである。図９中の楕円体１３４Ｂは、電圧印加時の、微粒子３４Ｂの屈折率異方性を示す屈折率楕円体の一例を表したものである。

バルク３４Ａおよび微粒子３４Ｂは、例えば、図８に示したように、電圧無印加時に、バルク３４Ａの光軸ＡＸ１（楕円体１３４Ａの長軸）および微粒子３４Ｂの光軸ＡＸ２（楕円体１３４Ｂの長軸）の向きが互いに一致する（平行となる）構成となっている。光軸ＡＸ１，ＡＸ２とは、偏光方向によらず屈折率が一つの値になるような光線の進行方向と平行な線を指している。電圧無印加時に、光軸ＡＸ１および光軸ＡＸ２の向きは常に互いに一致している必要はなく、光軸ＡＸ１の向きと光軸ＡＸ２の向きとが、例えば製造誤差などによって多少ずれていてもよい。

また、微粒子３４Ｂは、例えば、電圧無印加時に、光軸ＡＸ２が光入射面１０Ａと平行（または略平行）となると共に、透明基板３１の表面と平行（または略平行）となる構成となっている。微粒子３４Ｂは、さらに、例えば、電圧無印加時に、光軸ＡＸ２が透明基板３１の表面と僅かな角度θ１（図示せず）で交差する構成となっている。なお、角度θ１については、微粒子３４Ｂを構成する材料を説明する際に詳述する。

一方、バルク３４Ａは、下側電極３２および上側電極３６への電圧印加の有無に拘らず、光軸ＡＸ１が一定となる構成となっている。具体的には、バルク３４Ａは、光軸ＡＸ１が光入射面１０Ａと平行（または略平行）となると共に透明基板３１の表面と所定の角度θ１で交差する構成となっている。つまり、電圧無印加時に、光軸ＡＸ１は、光軸ＡＸ２と平行（または略平行）となっている。

なお、光軸ＡＸ２が常に、光入射面１０Ａと平行となると共に透明基板３１の表面と角度θ１で交差している必要はなく、例えば製造誤差などによって透明基板３１の表面と、角度θ１とは若干異なる角度で交差していてもよい。また、光軸ＡＸ１，ＡＸ２が常に光入射面１０Ａと平行となっている必要はなく、例えば製造誤差などによって光入射面１０Ａと、小さな角度で交差していてもよい。

ここで、バルク３４Ａおよび微粒子３４Ｂの常光屈折率が互いに等しく、かつバルク３４Ａおよび微粒子３４Ｂの異常光屈折率が互いに等しいことが好ましい。この場合に、例えば、電圧無印加時には、あらゆる方向において屈折率差がほとんどなく、高い透明性（光透過性）が得られる。これにより、光源２０からの光は、光変調層３４内で散乱されることなく、光変調層３４を透過する。その結果、例えば、図１０（Ａ），図１０（Ｂ）に示したように、光源２０からの光Ｌ（斜め方向からの光）は、光変調素子３０内で透明となった領域（透過領域３０Ａ）を伝播し、光変調素子３０と空気との界面において全反射され、透過領域３０Ａの輝度（黒表示の輝度）が、輝度を均一にした場合（図１０（Ｂ）中の一点鎖線）と比べて下がる。なお、図１０（Ｂ）のグラフは、導光板１０の上に拡散シート（図示せず）を配置した状態で、正面輝度を計測したときのものである。

また、バルク３４Ａおよび微粒子３４Ｂは、例えば、電圧印加時には、図９に示したように、光軸ＡＸ１および光軸ＡＸ２の向きが互いに異なる（交差もしくは直交する）構成となっている。また、微粒子３４Ｂは、例えば、電圧印加時に、光軸ＡＸ２が光入射面１０Ａと平行（もしくは略平行）となると共に透明基板３１の表面と角度θ１よりも大きな角度θ２（例えば９０°）（図示せず）で交差する構成となっている。なお、角度θ２については、微粒子３４Ｂを構成する材料を説明する際に詳述する。

したがって、光変調層３４では、電圧印加時には、あらゆる方向において屈折率差が大きくなり、高い散乱性が得られる。これにより、光源２０からの光は、光変調層３４内で散乱される。その結果、例えば、図１０（Ａ），図１０（Ｂ）に示したように、光源２０からの光Ｌ（斜め方向からの光）は、光変調素子３０内で散乱状態となった領域（散乱領域３０Ｂ）で散乱され、その散乱光が直接、導光板１０に入射するか、または反射板４０で反射された後に導光板１０に入射し、導光板１０の上面（光出射面１Ａ）から出射される。従って、散乱領域３０Ｂの輝度は、輝度を均一にした場合（図１０（Ｂ）中の一点鎖線）と比べて極めて高くなり、しかも、透過領域３０Ａの輝度が低下した分だけ、部分的な白表示の輝度（輝度突き上げ）が大きくなる。

なお、バルク３４Ａおよび微粒子３４Ｂの常光屈折率は、例えば製造誤差などによって多少ずれていてもよく、例えば、０．１以下であることが好ましく、０．０５以下であることがより好ましい。また、バルク３４Ａおよび微粒子３４Ｂの異常光屈折率についても、例えば製造誤差などによって多少ずれていてもよく、例えば、０．１以下であることが好ましく、０．０５以下であることがより好ましい。

また、バルク３４Ａの屈折率差（Δｎ_Ｐ＝異常光屈折率ｎｅ_Ｐ−常光屈折率ｎｏ_Ｐ）や、微粒子３４Ｂの屈折率差（Δｎ_Ｌ＝異常光屈折率ｎｅ_Ｌ−常光屈折率ｎｏ_Ｌ）は、できるだけ大きいことが好ましく、０．０５以上であることが好ましく、０．１以上であることがより好ましく、０．１５以上であることがさらに好ましい。バルク３４Ａおよび微粒子３４Ｂの屈折率差が大きい場合には、光変調層３４の散乱能が高くなり、導光条件を容易に破壊することができ、導光板１０からの光を取り出しやすいからである。

また、バルク３４Ａおよび微粒子３４Ｂは、電場に対する応答速度が互いに異なっている。バルク３４Ａは、例えば、微粒子３４Ｂの応答速度よりも遅い応答速度を有する筋状構造、多孔質構造、または棒状構造となっている。バルク３４Ａは、例えば、低分子モノマーを重合化することにより得られた高分子材料によって形成されている。バルク３４Ａは、例えば、微粒子３４Ｂの配向方向または配向膜３３，３５の配向方向に沿って配向した、配向性および重合性を有する材料（例えばモノマー）を熱および光の少なくとも一方によって重合させることにより形成されている。

バルク３４Ａの筋状構造、多孔質構造もしくは棒状構造は、例えば、光入射面１０Ａと平行となると共に透明基板３１の表面と僅かな角度θ１で交差する方向に長軸を有している。バルク３４Ａが筋状構造となっている場合に、短軸方向の平均的な筋状組織サイズは、導光光の散乱性を高くするという観点からは、０．１μｍ以上１０μｍ以下となっていることが好ましく、０．２μｍ以上２．０μｍ以下の範囲であることがより好ましい。短軸方向の平均的な筋状組織サイズが０．１μｍ以上１０μｍ以下となっている場合には、光変調素子３０内での散乱能が、３８０〜７８０ｎｍの可視領域において略等しくなる。そのため、面内で、ある特定の波長成分の光のみが増加したり、減少したりすることがないので、可視領域でのバランスを面内で取ることができる。短軸方向の平均的な筋状組織サイズが０．１μｍ未満である場合や、１０μｍを超える場合には、波長に関係なく、光変調素子３０の散乱能が低く、光変調素子３０が光変調素子として機能しにくい。

また、散乱の波長依存性を少なくするという観点からは、短軸方向の平均的な筋状組織サイズは、０．５μｍ以上５μｍ以下の範囲であることが好ましく、１〜３μｍの範囲であることがより好ましい。このようにした場合には、光源２０から出射された光が導光板１０内を伝播していく過程で光変調素子３０内のバルク３４Ａを繰り返し通過したときに、バルク３４Ａにおける、散乱の波長依存性が抑制される。筋状組織のサイズは、偏光顕微鏡、共焦点顕微鏡、電子顕微鏡などで観察することができる。

一方、微粒子３４Ｂは、例えば、液晶材料を主に含んで構成されており、バルク３４Ａの応答速度よりも十分に早い応答速度を有している。微粒子３４Ｂ内に含まれる液晶材料（液晶分子）は、例えば棒状分子である。微粒子３４Ｂ内に含まれる液晶分子として、正の誘電率異方性を有するもの（いわゆるポジ型液晶）を用いることが好ましい。

ここで、電圧無印加時には、微粒子３４Ｂ内において、液晶分子の長軸方向は、光軸ＡＸ１と平行となっている。このとき、微粒子３４Ｂ内の液晶分子の長軸は、光入射面１０Ａと平行（もしくは略平行）となると共に透明基板３１の表面と僅かな角度θ１で交差している。つまり、微粒子３４Ｂ内の液晶分子は、電圧無印加時には、導光板１０の光入射面１０Ａと平行な面内において角度θ１だけ傾斜した状態で配向している。この角度θ１は、プレチルト角と呼ばれるもので、例えば０．１°以上３０°以下の範囲であることが好ましい。この角度θ１は、０．５°以上１０°以下の範囲であることがより好ましく、０．７°以上２°以下の範囲であることがさらにより好ましい。角度θ１を大きくすると、後述するような理由から散乱の効率が低下する傾向にある。また、角度θ１を小さくし過ぎると、電圧無印加時に液晶の立ち上がる方位角がばらつく。例えば、１８０°反対側の方位（リバースチルト）に液晶が立ち上がることもある。これにより、微粒子３４Ｂとバルク３４Ａとの屈折率差を有効に利用できないので、散乱効率が低くなり、輝度が小さくなる傾向にある。

また、電圧印加時には、微粒子３４Ｂ内において、液晶分子の長軸方向は、光軸ＡＸ１と交差または直交（もしくはほぼ直交）している。このとき、微粒子３４Ｂ内の液晶分子の長軸は、光入射面１０Ａと平行（もしくは略平行）となると共に透明基板３１の表面と角度θ１よりも大きな角度θ２（例えば９０°）で交差している。つまり、微粒子３４Ｂ内の液晶分子は、電圧印加時には、光入射面１０Ａと平行な面内において角度θ２だけ傾斜した状態もしくは角度θ２（＝９０°）で真っ直ぐ立った状態で配向している。

上記した、配向性および重合性を有するモノマーとしては、光学的に異方性を有しており、かつ液晶と複合する材料であればよいが、本実施の形態では紫外線で硬化する低分子モノマーであることが好ましい。電圧無印加の状態で、液晶と、低分子モノマーを重合化することにより形成されたもの（高分子材料）との光学的異方性の方向が一致していることが好ましいので、紫外線硬化前において、液晶と低分子モノマーが同一方向に配向していることが好ましい。微粒子３４Ｂとして液晶が用いられる場合に、その液晶が棒状分子であるときには、使用するモノマー材料の形状も棒状であることが好ましい。以上のことから、モノマー材料としては重合性と液晶性を併せ持つ材料を用いることが好ましく、例えば、重合性官能基として、アクリレート基、メタクリレート基、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、ビニルエーテル基およびエポキシ基からなる群から選ばれた少なくとも１つの官能基を有することが好ましい。これらの官能基は、紫外線、赤外線または電子線を照射したり、加熱したりすることによって重合させることができる。紫外線照射時の配向度低下を抑制するために、多官能基をもつ液晶性材料を添加することもできる。バルク３４Ａを上述した筋状構造とする場合には、バルク３４Ａの原料として、２官能液晶性モノマーを用いることが好ましい。また、バルク３４Ａの原料に対して、液晶性を示す温度の調整を目的に単官能モノマーを添加したり、架橋密度向上を目的に３官能以上のモノマーを添加したりすることもできる。

次に、駆動回路５０について説明する。駆動回路５０は、例えば、ある光変調セル３０ａにおいて微粒子３４Ｂの光軸ＡＸ２がバルク３４Ａの光軸ＡＸ１と平行もしくは略平行となり、他の光変調セル３０ａにおいて微粒子３４Ｂの光軸ＡＸ２がバルク３４Ａの光軸ＡＸ１と交差もしくは直交するように下側電極３２および上側電極３６へ印加する電圧の大きさを制御するようになっている。つまり、駆動回路５０は、電場制御によって、バルク３４Ａおよび微粒子３４Ｂの光軸ＡＸ１，ＡＸ２の向きを互いに一致（もしくは略一致）させたり、互いに異ならせたり（もしくは直交させたり）することができるようになっている。駆動回路５０は、光源２０の光量も調整できるようになっていてもよい。駆動回路５０は、さらに、光源２０からの距離だけでなく、外部から入力される映像信号も考慮して、光源２０の光量や、下側電極３２および上側電極３６へ印加する電圧の大きさを制御するようになっていてもよい。

（部分点灯、部分駆動）
また、駆動回路５０は、複数の電極ブロック３２Ｃのうち一部（１または複数）の電極ブロック３２Ｃだけを駆動することができるようになっている。駆動回路５０は、例えば、図１１Ａに示したように、第２の方向に並んで配置された複数の電極ブロック３２Ｃのうち一部（１または複数）の電極ブロック３２Ｃだけを駆動するようになっている。このとき、駆動回路５０によって駆動された電極ブロック３２Ｃに対応する散乱領域３０Ｂから帯状の光が出力される。また、駆動回路５０は、例えば、図１１Ｂに示したように、第２の方向および第３の方向に並んで配置された複数の電極ブロック３２Ｃのうち一部（１または複数）の電極ブロック３２Ｃだけを駆動するようになっている。このとき、駆動回路５０によって駆動された電極ブロック３２Ｃに対応する散乱領域３０Ｂからブロック状の光が出力される。

このとき、駆動回路５０は、複数の電極ブロック３２Ｃを駆動させる場合には、電極ブロック３２Ｃの光源２０からの距離に応じて変調された電圧を各電極ブロック３２Ｃに印加するようになっている。具体的には、駆動回路５０は、例えば、電極ブロック３２Ｃの光源２０からの距離に応じて、波高値、デューティ比および周波数が変調された電圧を各電極ブロック３２Ｃに印加するようになっている。電圧の変調は、例えば、光源２０からの距離が遠くなるにつれて光変調セル３０ａの散乱性が強まるようになされる。さらに、駆動回路５０は、例えば、部分電極３２Ａの光源２０からの距離だけでなく、外部から入力される映像信号も考慮して、波高値、デューティ比および周波数が変調された電圧を部分電極３２Ａに印加するようになっていてもよい。

散乱領域３０Ｂの輝度は、輝度を均一にした場合（図１０（Ｂ）中の一点鎖線）と比べて極めて高くなり、しかも、透過領域３０Ａの輝度が低下した分だけ、部分的な白表示の輝度（輝度突き上げ）が大きくなる。これにより液晶ディスプレイのコントラストが向上する。また、駆動回路５０は、「輝度突き上げ」を利用して、「輝度突き上げ」で上昇する輝度の分だけ光源２０からの出射光量を小さくして、輝度を均一にした場合（図１０（Ｂ）中の一点鎖線）と比べて同程度とし、光源２０の消費電力を低下させることもできる。

（部分点灯、スキャン駆動）
さらに、駆動回路５０は、複数の電極ブロック３２Ｃを所定の単位ごとに（例えば１つずつ）順次、駆動するようになっていてもよい。駆動回路５０は、例えば、図１２Ａ，図１２Ｂに示したように、第２の方向に並んで配置された複数の電極ブロック３２Ｃを所定の単位ごとに（例えば１つずつ）順次、駆動するようになっていてもよい。このとき、散乱領域３０Ｂが、駆動回路５０による駆動によって第２の方向に走査され、それに伴って、帯状の光が第２の方向に走査される。このとき、１回の走査の期間で照明光を時間平均化した時の輝度が、実際に目に見える明るさとなっている。また、駆動回路５０は、例えば、図１３Ａ，図１３Ｂに示したように、第２の方向および第３の方向に並んで配置された複数の電極ブロック３２Ｃを所定の単位ごとに（例えば１つずつ）順次、駆動するようになっていてもよい。このとき、散乱領域３０Ｂが、駆動回路５０による駆動によって第２の方向に走査され、それに伴って、ブロック状の光が第２の方向に走査される。

ここで、照明装置１を表示パネル（図示せず）のバックライトとして用いた場合、駆動回路５０は、複数の電極ブロック３２Ｃの走査方向を、表示パネルの画素の走査方向と同じ方向とし、複数の電極ブロック３２Ｃの走査を、表示パネルの画素の走査と同期して行うようにすることが好ましい。このようにした場合には、高輝度で、しかも動画応答性（ぼけ）の改善された表示が可能となる。

さらに、駆動回路５０は、複数の電極ブロック３２Ｃを所定の単位ごとに（例えば１つずつ）順次、駆動しつつ、光源２０からの距離や外部から入力される映像信号も考慮して、光源２０の光量を調節するようになっていてもよい。このとき、駆動回路５０は、複数の電極ブロック３２Ｃの走査方向を、表示パネルの画素の走査方向と同じ方向とし、複数の電極ブロック３２Ｃの走査を、表示パネルの画素の走査と同期して行うようにすることが好ましい。このようにした場合には、低消費電力で、しかも動画応答性（ぼけ）の改善された表示が可能となる。

ところで、上述の部分駆動およびスキャン駆動において、駆動回路５０は、例えば、図１４（Ａ），図１４（Ｂ）に示したように、駆動対象の電極ブロック３２Ｃに対してデューティ比１００％の電圧波形を出力し、非駆動対象の電極ブロック３２Ｃに対してデューティ比０％の電圧波形（グラウンド電圧）を出力するようになっている。このとき、電極ブロック３２Ｃに含まれる各部分電極３２Ａの幅は、例えば、図１４（Ｃ）に示したような「山なりの分布」となっているので、駆動対象の電極ブロック３２Ｃに対応する光変調セル３０ａの散乱強度も「山なり」の分布となっている。その結果、駆動対象の電極ブロック３２Ｃに対応する光変調セル３０ａの輝度は、図１４（Ｄ）に示したような「山なりの分布」となる。

各電極ブロック３２Ｃの形成領域は、第２の方向に隣接する他の電極ブロック３２Ｃの形成領域の一部と重なり合っている。そのため、上述の部分駆動およびスキャン駆動において、駆動対象の電極ブロック３２Ｃに対応する光変調セル３０ａの輝度は、図１４（Ｄ）に示したように、境界が滑らかな輝度分布となる。さらに、各部分電極３２Ａの幅は、例えば、図１４（Ｃ）に示したような「山なりの分布」となっているので、駆動対象の電極ブロック３２Ｃに対応する光変調セル３０ａの輝度は、図１４（Ｄ）に示したように、非オーバーラップ領域３２−２では均一で、オーバーラップ領域３２−１では滑らかに減衰する輝度分布となる。

（全点灯）
駆動回路５０は、全ての電極ブロック３２Ｃを一斉に駆動するようになっていてもよい。駆動回路５０は、例えば、図１５Ａに示したように、第２の方向に並んで配置された全ての電極ブロック３２Ｃを駆動するようになっている。このとき、駆動回路５０によって駆動された全ての電極ブロック３２Ｃに対応する散乱領域３０Ｂから面状の光が出力される。また、駆動回路５０は、例えば、図１５Ｂに示したように、第２の方向および第３の方向に並んで配置された全ての電極ブロック３２Ｃを駆動するようになっている。このとき、駆動回路５０によって駆動された全ての電極ブロック３２Ｃに対応する散乱領域３０Ｂから面状の光が出力される。

ところで、上述の全点灯において、駆動回路５０は、電極ブロック３２Ｃの光源２０からの距離に応じて変調された電圧を各電極ブロック３２Ｃに印加するようになっている。具体的には、上述の全点灯において、駆動回路５０は、例えば、電極ブロック３２Ｃの光源２０からの距離に応じて、波高値、デューティ比および周波数が変調された電圧を各電極ブロック３２Ｃに印加するようになっている。電圧の変調は、例えば、光源２０からの距離が遠くなるにつれて光変調セル３０ａの散乱性が強まるようになされる。さらに、駆動回路５０は、例えば、各電極ブロック３２Ｃの光源２０からの距離だけでなく、外部から入力される映像信号も考慮して、波高値、デューティ比および周波数が変調された電圧を各電極ブロック３２Ｃに印加するようになっていてもよい。

図１６（Ａ），図１６（Ｂ）は、各電極ブロック３２Ｃに印加する電圧のデューティ比の一例を表したものである。図１６（Ｃ）は、各部分電極３２Ａの、配列方向の幅の一例を表したものである。図１６（Ｄ）は、各電極ブロック３２Ｃに印加する電圧のデューティ比が図１６（Ａ），図１６（Ｂ）に示したようになっているときの光変調セル３０ａの輝度分布の一例を表したものである。なお、図１６（Ａ）は、第２の方向に並んで配置された複数の電極ブロック３２Ｃだけを抜き出したものである。そのため、図１６（Ａ）は、複数の電極ブロック３２Ｃが第２の方向にだけ並んで配置されている例だけでなく、複数の電極ブロック３２Ｃが第２の方向および第３の方向に並んで配置されている例をも含んでいる。

各電極ブロック３２Ｃに印加する電圧のデューティ比は、図１６（Ａ），図１６（Ｂ）に示したように、光源２０からの距離が遠くなるにつれて大きくなっている。このとき、各電極ブロック３２Ｃの形成領域は、第２の方向に隣接する他の電極ブロック３２Ｃの形成領域の一部と重なり合っており、さらに、電極ブロック３２Ｃに含まれる各部分電極３２Ａの幅が、例えば、図１６（Ｃ）に示したような「山なりの分布」となっている。そのため、各電極ブロック３２Ｃに印加する電圧のデューティ比の値は、形式的には、離散的となっているものの、実質的には、光源２０からの距離が遠くなるにつれて連続して大きくなっているとみなされる。その結果、光変調素子３０の散乱強度が、光源２０からの距離が遠くなるにつれて連続して大きくなり、その結果、照明装置１の輝度が、図１６（Ｄ）に示したように、光源２０からの距離に依らずほぼ均一となる。

図１７（Ａ）は、比較例に係る部分電極１３２Ａの平面構成の一例を表したものである。部分電極１３２Ａは、本実施の形態における電極ブロック３２Ｃに対応するものであり、単一の帯形状となっている。つまり、部分電極１３２Ａには、部分電極３２Ａに見られるような光源２０からの距離に応じた線幅変化が無い。さらに、複数の部分電極１３２Ａには、電極ブロック３２Ｃのようなグルーピングがなされておらず、本実施の形態におけるオーバーラップ領域３２−１のような概念が存在しない。本比較例において、各部分電極１３２Ａには、光源２０から遠ざかるにつれてデューティ比が大きくなるように電圧が印加される。このとき、照明装置１の輝度は、図１７（Ｃ）に示したように、光源２０側で明るい不均一な分布となっており、部分電極１３２Ａと対応する領域の境界で不連続な分布をもっている。そのため、明暗の照明光における明暗の境界部分がはっきりと視認される。

図１８（Ａ）、図１９（Ａ）は、比較例に係る部分電極１３２Ａの平面構成の他の例を表したものである。図１８（Ｂ）、図１９（Ｂ）は、比較例に係る部分電極１３６Ａの平面構成の他の例を表したものである。部分電極１３２Ａは、本実施の形態における電極ブロック３２Ｃに対応するものであり、隣接する他の部分電極１３２Ａに近接する辺部にギザギザの凹凸を有している。一方、部分電極１３６Ａは、本実施の形態における部分電極３６Ａに対応するものであり、光源２０から遠ざかるにつれて径が小さくなる複数の開口を有している。

本比較例において、照明装置の全点灯時では、各部分電極１３２Ａには、図１８（Ｃ）に示したように、光源２０から遠ざかるにつれてデューティ比が大きくなるように電圧が印加される。このとき、照明装置の全点灯時の輝度は、図１８（Ｄ）に示したように、光源２０からの距離に依らずほぼ均一となる。また、本比較例において、照明装置の部分点灯時では、例えば、図１９（Ｃ）に示したように、駆動対象の部分電極１３２Ａには、デューティ比１００％の電圧波形が印加され、非駆動対象の部分電極１３２Ａには、デューティ比０％の電圧波形（グラウンド電圧）が印加される。このとき、照明装置の部分点灯時の輝度分布は、図１９（Ｄ）に示したように、辺部のギザギザの凹凸の効果で、滑らかな境界となっている。これらのことから、本実施の形態における電極ブロック３２Ｃは、上下２つの電極をパターニングして、辺部にギザギザの凹凸を設けたり、多数の開口を設けたりせずに、本比較例に係る２つの部分電極（部分電極１３２Ａ，１３６Ａ）と等価な機能を実現しているといえる。

以下に、本実施の形態の照明装置１の製造方法について、図２０〜図２２を参照しながら説明する。

まず、ガラス基板またはプラスチックフィルム基板からなる透明基板３１上に、ＩＴＯなどの透明導電膜３２Ｆを形成する（図２０（Ａ））。次に、透明導電膜３２Ｆ上に、パターニングされたレジスト層（図示せず）を形成したのち、レジスト層をマスクとして透明導電膜３２Ｆを選択的にエッチングする。その結果、下側電極３２が形成される（図２０（Ｂ））。

次に、表面全体に配向膜３３を塗布したのち、乾燥させ、焼成する（図２０（Ｃ））。配向膜３３としてポリイミド系材料を用いる場合には、溶媒にＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）を用いることが多いが、そのときには、大気下では２００℃程度の温度が必要である。なお、この場合に、透明基板３１としてプラスチック基板を用いる場合には、配向膜３３を１００℃で真空乾燥させ、焼成することもできる。その後、配向膜３３に対してラビング処理を行う。これにより、配向膜３３が水平配向用の配向膜として機能することが可能となる。

次に、配向膜３３上に、セルギャップを形成するためのスペーサ３８を乾式または湿式で散布する（図２１（Ａ））。なお、真空貼り合わせ法にて光変調セル３０ａを作成する場合には、滴下する混合物中にスペーサ３８を混合しておいてもよい。また、スペーサ３８の替わりとして、フォトリソ法によって柱スペーサを形成することもできる。柱スペーサは、光変調層３４において、透明と散乱の切り替えに寄与しない領域、つまり、上側電極３６および下側電極３２のうち少なくとも一方が存在しない領域（例えば、図５において電極が存在していない部分）に設置されることが好ましい。また、透明と散乱の切り替えに寄与しない領域全体が柱スペーサで埋められることで、液晶材料の使用量の削減が可能となる。また、透明状態において微小な散乱が存在している場合には、その散乱を抑制することができ、コントラストを向上することができる。

続いて、上記と同様の方法で作製しておいた配向膜３５上に、貼り合わせおよび液晶漏れ防止のためのシール剤パターン３９を、例えば額縁状に塗布する（図２１（Ｂ））。このシール剤パターン３９はディスペンサー法やスクリーン印刷法にて形成することができる。

以下に、真空貼り合わせ法（One Drop Fill法、ＯＤＦ法）について説明するが、真空注入法やロール貼合方式などで光変調セル３０ａを作成することも可能である。

まず、セルギャップ、セル面積などから決まる体積分にあたる液晶とモノマーの混合物４４を面内に均一に滴下する（図２１（Ｃ））。混合物４４の滴下にはリニアガイド方式の精密ディスペンサーを用いることが好ましいが、シール剤パターン３９を土手として利用して、ダイコータなどを用いてもよい。

液晶とモノマーは前述の材料を用いることができるが、液晶とモノマーの重量比は９８：２〜５０：５０、好ましくは９５：５〜７５：２５、より好ましくは９２：８〜８５：１５である。液晶の比率を多くすることで駆動電圧を低くすることができるが、あまり液晶を多くしすぎると電圧印加時の白色度が低下したり、電圧オフ後に応答速度が低下するなど透明時に戻りにくくなったりする傾向がある。

混合物４４には、液晶とモノマーの他には、重合開始剤を添加する。使用する紫外線波長に応じて、添加する重合開始剤のモノマー比を０．１〜１０重量％の範囲内で調整する。混合物４４には、この他に、重合禁止剤や可塑剤、粘度調整剤なども必要に応じて添加可能である。モノマーが室温で固体やゲル状である場合には、口金やシリンジ、基板を加温することが好ましい。

透明基板３１および透明基板３７を真空貼り合わせ機（図示せず）に配置したのち、真空排気し、貼り合わせを行う（図２２（Ａ））。その後、貼り合わせたものを大気に解放し、大気圧での均一加圧によってセルギャップを均一化する。セルギャップは白輝度（白色度）と駆動電圧の関係から適宜選定できるが、２〜４０μｍ、好ましくは３〜１０μｍである。

貼り合わせ後、必要に応じて配向処理を行うことが好ましい（図示せず）。クロスニコル偏光子の間に、貼り合わせたセルを挿入した際に、光り漏れが生じている場合には、セルをある一定時間加熱処理したり、室温で放置したりして配向させる。その後、紫外線Ｌ３を照射してモノマーを重合させてポリマー化する（図２２（Ｂ））。このようにして、光変調素子３０が製造される。

紫外線を照射している時には、セルの温度が変化しないようにすることが好ましい。赤外線カットフィルターを用いたり、光源にＵＶ−ＬＥＤなどを用いたりすることが好ましい。紫外線照度は複合材料の組織構造に影響を与えるので、使用する液晶材料やモノマー材料、これらの組成から適宜調整することが好ましく、０．１〜５００ｍＷ／ｃｍ^２の範囲が好ましく、さらに好ましくは０．５〜３０ｍＷ／ｃｍ^２である。紫外線照度が低いほど駆動電圧が低くなる傾向にあり、生産性と特性の両面から好ましい紫外線照度を選定することができる。

そして、導光板１０に光変調素子３０を貼り合わせる（図２２（Ｃ））。貼り合わせには、粘着、接着のいずれでもよいが、導光板１０の屈折率と光変調素子３０の基板材料の屈折率とにできるだけ近い屈折率の材料で粘着、接着することが好ましい。最後に、下側電極３２および上側電極３６に引き出し線（図示せず）を取り付ける。このようにして、本実施の形態の照明装置１が製造される。

このように、光変調素子３０を作成し、最後に導光板１０に光変調素子３０を貼り合わせるプロセスを説明したが、導光板１０の表面に、配向膜３５を形成した透明基板３７を予め貼り合わせてから、照明装置１を作成することもできる。また、枚葉方式、ロール・ツー・ロール方式のいずれでも照明装置１を作成することができる。

次に、本実施の形態の照明装置１の作用および効果について説明する。

本実施の形態の照明装置１では、例えば、光変調セル３０ａにおいて微粒子３４Ｂの光軸ＡＸ２がバルク３４Ａの光軸ＡＸ１と平行もしくは略平行となり、別の光変調セル３０ａにおいて微粒子３４Ｂの光軸ＡＸ２がバルク３４Ａの光軸ＡＸ１と直交もしくは略直交するように、各光変調セル３０ａの下側電極３２および上側電極３６に電圧が印加される。これにより、光源２０から射出され、導光板１０内に入射した光は、光変調素子３０のうち、光軸ＡＸ１と光軸ＡＸ２とが互いに平行もしくは略平行となっている透過領域３０Ａを透過する。一方、光源２０から射出され、導光板１０内に入射した光は、光変調素子３０のうち、光軸ＡＸ１と光軸ＡＸ２とが互いに直交もしくは略直交している散乱領域３０Ｂにおいて散乱される。この散乱光のうち散乱領域３０Ｂの下面を透過した光は反射板４０で反射され、再度、導光板１０に戻されたのち、バックライト１の上面から射出される。また、散乱光のうち、散乱領域３０Ｂの上面に向かった光は、導光板１０を透過したのち、照明装置１の上面から射出される。このように、本実施の形態では、透過領域３０Ａの上面からは光はほとんど射出されず、散乱領域３０Ｂの上面から光が射出される。このようにして、正面方向の変調比を大きくしている。

一般に、ＰＤＬＣは、液晶材料と等方性の低分子材料とを混合し、紫外線照射や溶媒の乾燥などにより相分離を起こさせることによって形成され、液晶材料の微小粒子が高分子材料中に分散された複合層となっている。この複合層中の液晶材料は、電圧無印加時にはランダムな方向を向いているので散乱性を示すが、電圧印加時には電場方向に配向するので、液晶材料の常光屈折率と高分子材料の屈折率とが互いに等しい場合には、正面方向（ＰＤＬＣの法線方向）において高い透明性を示す。しかし、この液晶材料では、斜め方向においては、液晶材料の異常光屈折率と高分子材料との差が顕著となり、正面方向が透明性であっても斜め方向において散乱性が発現してしまう。

通常、ＰＤＬＣを使った光変調素子は、表面に透明導電膜の形成された２枚のガラス板の間にＰＤＬＣを挟み込んだ構造となっていることが多い。上述したような構造を有する光変調素子に対して空気中から斜めに光が入射した場合には、その斜め方向から入射した光は空気とガラス板の屈折率差によって屈折し、より小さな角度でＰＤＬＣに入射することになる。そのため、このような光変調素子においては、大きな散乱は生じない。例えば、空気中から８０°の角度で光が入射した場合には、その光のＰＤＬＣへの入射角はガラス界面での屈折によって４０°程度にまで小さくなる。

しかし、導光板を用いたエッジライト方式では、導光板越しに光が入射するので、光が８０°程度の大きな角度でＰＤＬＣ中を横切ることになる。そのため、液晶材料の異常光屈折率と高分子材料の屈折率との差が大きく、さらに、より大きな角度で光がＰＤＬＣ中を横切るので、散乱を受ける光路も長くなる。例えば、常光屈折率１．５、異常光屈折率１．６５の液晶材料の微小粒子が屈折率１．５の高分子材料中に分散されている場合には、正面方向（ＰＤＬＣの法線方向）においては屈折率差がないが、斜め方向においては屈折率差が大きくなる。このため、斜め方向の散乱性を小さくすることができないので、視野角特性が悪い。さらに、導光板上に拡散フィルムなどの光学フィルムを設けた場合には、斜め漏れ光が拡散フィルムなどによって正面方向にも拡散されるので、正面方向の光漏れが大きくなり、正面方向の変調比が低くなってしまう。

一方、本実施の形態では、バルク３４Ａおよび微粒子３４Ｂが光学異方性材料を主に含んで形成されているので、斜め方向において、散乱性が小さくなり、透明性を向上させることができる。例えば、バルク３４Ａおよび微粒子３４Ｂが、互いに常光屈折率が等しく、かつ互いに異常光屈折率も等しい光学異方性材料を主に含んで構成され、かつ、下側電極３２および上側電極３６に電圧が印加されていない領域では、これらの光軸の向きが一致もしくは略一致する。これにより、正面方向（光変調素子３０の法線方向）および斜め方向を含むあらゆる方向において屈折率差が少なくなるか、またはなくなり、高い透明性が得られる。その結果、視野角の大きい範囲における光の漏洩を低減またはほとんどなくすることができ、視野角特性を良くすることができる。

例えば、常光屈折率１．５、異常光屈折率１．６５の液晶と、常光屈折率１．５、異常光屈折率１．６５の液晶性モノマーとを混合し、配向膜または電界によって液晶と液晶性モノマーを配向させた状態で液晶性モノマーを重合させると、液晶の光軸と、液晶性モノマーが重合することによって形成されたポリマーの光軸とが互いに一致する。これにより、あらゆる方向で屈折率を一致させることができるので、そのようにした場合には、透明性が高い状態を実現でき、より一層、視野角特性を良くすることができる。

また、本実施の形態では、例えば、図１０（Ａ），図１０（Ｂ）に示したように、透過領域３０Ａの輝度（黒表示の輝度）が、輝度を均一にした場合（図１０（Ｂ）中の一点鎖線）と比べて下がっている。他方、散乱領域３０Ｂの輝度は、輝度を均一にした場合（図１０（Ｂ）中の一点鎖線）と比べて極めて高くなり、しかも、透過領域３０Ａの輝度が低下した分だけ、部分的な白表示の輝度（輝度突き上げ）が大きくなる。

ところで、輝度突き上げとは、全面白表示した場合に比べて、部分的に白表示を行った場合の輝度を高くする技術である。ＣＲＴやＰＤＰなどでは一般によく使われている技術である。しかし、液晶ディスプレイでは、バックライトは画像にかかわらず全体に均一発光しているので、部分的に輝度を高くすることはできない。もっとも、バックライトを、複数のＬＥＤを２次元配置したＬＥＤバックライトとした場合には、ＬＥＤを部分的に消灯することは可能である。しかし、そのようにした場合には、ＬＥＤを消灯した暗領域からの拡散光がなくなるので、全てのＬＥＤを点灯した場合と比べて、輝度が低くなってしまう。また、部分的に点灯しているＬＥＤに対して流す電流を大きくすることにより、輝度を増やすことも可能であるが、そのようにした場合には、非常に短時間に大電流が流れるので、回路の負荷や信頼性の点で問題が残る。

一方、本実施の形態では、バルク３４Ａおよび微粒子３４Ｂが光学異方性材料を主に含んで形成されているので、斜め方向の散乱性が抑制され、暗状態での導光板からの漏れ光が少ない。これにより、部分的な暗状態の部分から部分的な明状態の部分に導光するので、バックライト１への投入電力を増やすことなく、輝度突き上げを実現することができる。

また、本実施の形態では、各電極ブロック３２Ｃは、第１の方向に延在すると共に第１の方向と交差する方向に配列された複数の部分電極３２Ａを有している。これにより、光変調層３４の散乱特性を、各電極ブロック３２Ｃと対向する領域内において部分的に調整することができる。その結果、光変調層３４から取り出された光の輝度分布の面内の変化を緩やかにすることができる。

特に、各電極ブロック３２Ｃの形成領域が、第２の方向に隣接する他の電極ブロック３２Ｃの形成領域の一部と重なり合っている場合には、部分駆動およびスキャン駆動において、駆動対象の電極ブロック３２Ｃに対応する光変調セル３０ａの輝度は、図１４（Ｄ）に示したような滑らかな分布となる。さらに、各部分電極３２Ａの幅が、例えば、図１４（Ｃ）に示したように「山なりの分布」となっている場合には、駆動対象の電極ブロック３２Ｃに対応する光変調セル３０ａの輝度は、図１４（Ｄ）に示したように、非オーバーラップ領域３２−２では均一で、オーバーラップ領域３２−１では滑らかに減衰する分布となる。

なお、図示しないが、各電極ブロック３２Ｃにオーバーラップ領域３２−１が設けられていなくてもよい。このようにした場合には、光変調セル３０ａの散乱強度ないしは光変調セル３０ａの輝度が、上記の場合よりも相対的に急峻な「山なりの分布」となるが、図１７（Ａ）に示したような線幅変化の無い部分電極１３２Ａが設けられている場合よりも、なだらかな「山なりの分布」となる。

また、本実施の形態では、上述したように、各電極ブロック３２Ｃにオーバーラップ領域３２−１が設けられており、さらに、各電極ブロック３２Ｃに印加する電圧のデューティ比が、光源２０からの距離が遠くなるにつれて大きくなっている。そのため、全点灯に際しては、各電極ブロック３２Ｃに印加する電圧のデューティ比の値が、実質的には、光源２０からの距離が遠くなるにつれて連続して大きくなっているとみなされる。これにより、光変調素子３０の散乱強度が、光源２０からの距離が遠くなるにつれて連続して大きくなる。その結果、照明装置１の全点灯時の輝度を、図１６（Ｄ）に示したように、光源２０からの距離に依らずほぼ均一とすることができる。

以上のように、本実施の形態では、部分点灯時に照明光における明暗の境界部分をぼかすことができ、かつ全点灯時に均一な照明光とすることができる。また、スキャン駆動時に走査の各瞬間において照明光における明暗の境界部分をぼかすことができ、かつ表示パネルの１フレーム期間で照明光を平均化した時に均一な照明光とすることができる。

＜２．第１の実施の形態の変形例＞
上記実施の形態において、バルク３４Ａの筋状構造、多孔質構造もしくは棒状構造が、光入射面１０Ａと平行または略平行な方向に長軸を有していたが、例えば、光入射面１０Ａと直交または略直交する方向に長軸を有していてもよい。このとき、配向膜３３，３５は、光入射面１０Ａと直交または略直交する方向に配向方向を有している。

図２３は、電圧無印加時の、バルク３４Ａおよび微粒子３４Ｂ内の配向状態の一例を模式的に表したものである。図２４は、電圧印加時の、バルク３４Ａおよび微粒子３４Ｂ内の配向状態の一例を模式的に表したものである。

バルク３４Ａおよび微粒子３４Ｂは、例えば、図２３に示したように、電圧無印加時に、バルク３４Ａの光軸ＡＸ１（楕円体１３４Ａの長軸）および微粒子３４Ｂの光軸ＡＸ２（楕円体１３４Ｂの長軸）の向きが互いに一致する（平行となる）構成となっている。電圧無印加時に、光軸ＡＸ１および光軸ＡＸ２の向きは常に互いに一致している必要はなく、光軸ＡＸ１の向きと光軸ＡＸ２の向きとが、例えば製造誤差などによって多少ずれていてもよい。

また、微粒子３４Ｂは、例えば、電圧無印加時に、光軸ＡＸ２が光入射面１０Ａと直交（または略直交）すると共に、透明基板３１の表面と平行（または略平行）となる構成となっている。微粒子３４Ｂは、さらに、例えば、電圧無印加時に、光軸ＡＸ２が透明基板３１の表面と僅かな角度θ１（図示せず）で交差する構成となっている。

一方、バルク３４Ａは、下側電極３２および上側電極３６への電圧印加の有無に拘らず、光軸ＡＸ１が一定となる構成となっている。具体的には、バルク３４Ａは、光軸ＡＸ１が光入射面１０Ａと直交（または略直交）すると共に透明基板３１の表面と所定の角度θ１で交差する構成となっている。つまり、電圧無印加時に、光軸ＡＸ１は、光軸ＡＸ２と平行（または略平行）となっている。

なお、光軸ＡＸ２が常に、光入射面１０Ａと平行となると共に透明基板３１の表面と角度θ１で交差している必要はなく、例えば製造誤差などによって透明基板３１の表面と、角度θ１とは若干異なる角度で交差していてもよい。また、光軸ＡＸ１，ＡＸ２が常に光入射面１０Ａと平行となっている必要はなく、例えば製造誤差などによって光入射面１０Ａと、小さな角度で交差していてもよい。

ここで、バルク３４Ａおよび微粒子３４Ｂの常光屈折率が互いに等しく、かつバルク３４Ａおよび微粒子３４Ｂの異常光屈折率が互いに等しいことが好ましい。この場合に、例えば、電圧無印加時には、あらゆる方向において屈折率差がほとんどなく、高い透明性（光透過性）が得られる。これにより、光源２０からの光は、光変調層３４内で散乱されることなく、光変調層３４を透過する。その結果、例えば、図１０（Ａ），図１０（Ｂ）に示したように、光源２０からの光Ｌ（斜め方向からの光）は、光変調素子３０内で透明となった領域（透過領域３０Ａ）を伝播し、光変調素子３０と空気との界面において全反射され、透過領域３０Ａの輝度（黒表示の輝度）が、輝度を均一にした場合（図１０（Ｂ）中の一点鎖線）と比べて下がる。

また、バルク３４Ａおよび微粒子３４Ｂは、例えば、電圧印加時には、図２４に示したように、光軸ＡＸ１および光軸ＡＸ２の向きが互いに異なる（交差もしくは直交する）構成となっている。また、微粒子３４Ｂは、例えば、電圧印加時に、光軸ＡＸ２が光入射面１０Ａと平行（もしくは略平行）となると共に透明基板３１の表面と角度θ１よりも大きな角度θ２（例えば９０°）（図示せず）で交差する構成となっている。

したがって、光変調層３４では、電圧印加時には、あらゆる方向において屈折率差が大きくなり、高い散乱性が得られる。これにより、光源２０からの光は、光変調層３４内で散乱される。その結果、例えば、図１０（Ａ），図１０（Ｂ）に示したように、光源２０からの光Ｌ（斜め方向からの光）は、光変調素子３０内で散乱状態となった領域（散乱領域３０Ｂ）で散乱され、その散乱光が直接、導光板１０に入射するか、または反射板４０で反射された後に導光板１０に入射し、導光板１０の上面（光出射面１Ａ）から出射される。従って、散乱領域３０Ｂの輝度は、輝度を均一にした場合（図１０（Ｂ）中の一点鎖線）と比べて極めて高くなり、しかも、透過領域３０Ａの輝度が低下した分だけ、部分的な白表示の輝度（輝度突き上げ）が大きくなる。

＜３．第２の実施の形態＞
図２５は、本技術の第２の実施の形態に係る照明装置２の概略構成の一例を表す断面図である。本実施の形態の照明装置２は、光変調素子３０の代わりに光変調素子６０を備えている点で、上記第１の実施の形態に係る照明装置１の構成と相違する。そこで、以下では、上記実施の形態との相違点について主に説明し、上記実施の形態との共通点についての説明を適宜省略するものとする。

光変調素子６０は、例えば、導光板１０の背後（下面）に空気層を介さずに密着しており、例えば接着剤（図示せず）を介して導光板１０の背後に接着されている。この光変調素子６０は、例えば、図２６に示したように、透明基板３１、下側電極３２、配向膜６３、光変調層６４、配向膜６５、上側電極３６および透明基板３７を反射板４０側から順に配置したものである。

配向膜６３，６５は、例えば、光変調層６４に用いられる液晶やモノマーを配向させるものである。配向膜の種類としては、例えば、垂直用配向膜および水平用配向膜があるが、本実施の形態では、配向膜６３，６５には垂直用配向膜が用いられる。垂直用配向膜としては、シランカップリング材料や、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリイミド系材料、界面活性剤などを用いることが可能である。また、透明基板３１，３７としてプラスチックフィルムを用いる場合には、製造工程において、透明基板３１，３７の表面に配向膜６３，６５を塗布した後の焼成温度ができるだけ低いことが好ましいことから、配向膜６３，６５としてアルコール系溶媒を使用することの可能なシランカップリング材料を用いることが好ましい。

なお、垂直用配向膜として、当該垂直用配向膜に接する液晶分子にプレチルトを付与する機能を有するものが用いられてもよい。垂直用配向膜にプレチルト機能を発現させる方法としては、例えば、ラビングなどが挙げられる。上記の垂直用配向膜は、例えば、当該垂直用配向膜に近接する液晶分子の長軸を当該垂直用配向膜の法線と僅かな角度で交差させる機能を有していてもよい。

ただし、配向膜６３，６５として垂直用配向膜を用いるに際しては、後述の微粒子６４Ｂ内に含まれる液晶分子として、負の誘電率異方性を有するもの（いわゆるネガ型液晶）を用いることが好ましい。

次に、本実施の形態の光変調層６４について説明する。光変調層６４は、例えば、図２６に示したように、バルク６４Ａと、バルク６４Ａ内に分散された微粒子状の複数の微粒子６４Ｂとを含んだ複合層となっている。バルク６４Ａおよび微粒子６４Ｂは光学異方性を有している。

図２７は、電圧無印加時の、バルク６４Ａおよび微粒子６４Ｂ内の配向状態の一例を模式的に表したものである。図２７中の楕円体１３４Ｃは、電圧無印加時の、バルク６４Ａの屈折率異方性を示す屈折率楕円体の一例を表したものである。図２７中の楕円体１３４Ｄは、電圧無印加時の、微粒子６４Ｂの屈折率異方性を示す屈折率楕円体の一例を表したものである。

図２８は、電圧印加時の、バルク６４Ａおよび微粒子６４Ｂ内の配向状態の一例を模式的に表したものである。図２８中の楕円体１３４Ｃは、電圧印加時の、バルク６４Ａの屈折率異方性を示す屈折率楕円体の一例を表したものである。図２８中の楕円体１３４Ｄは、電圧印加時の、微粒子６４Ｂの屈折率異方性を示す屈折率楕円体の一例を表したものである。

バルク６４Ａおよび微粒子６４Ｂは、例えば、図２７に示したように、電圧無印加時に、バルク６４Ａの光軸ＡＸ３（楕円体１３４Ｃの長軸）および微粒子６４Ｂの光軸ＡＸ４（楕円体１３４Ｄの長軸）の向きが互いに一致する（平行となる）構成となっている。なお、光軸ＡＸ３，ＡＸ４とは、偏光方向によらず屈折率が一つの値になるような光線の進行方向と平行な線を指している。また、電圧無印加時に、光軸ＡＸ３および光軸ＡＸ４の向きは常に互いに一致している必要はなく、光軸ＡＸ３の向きと光軸ＡＸ４の向きとが、例えば製造誤差などによって多少ずれていてもよい。

また、微粒子６４Ｂは、例えば、電圧無印加時に、光軸ＡＸ４が光入射面１０Ａと平行（または略平行）となる構成となっている。微粒子６４Ｂは、さらに、例えば、電圧無印加時に、光軸ＡＸ４が透明基板３１の法線と僅かな角度θ３（図示せず）で交差する構成となっている。なお、角度θ３については、微粒子６４Ｂを構成する材料を説明する際に詳述する。

一方、バルク６４Ａは、例えば、下側電極３２および上側電極３６への電圧印加の有無に拘らず、光軸ＡＸ３が一定となる構成となっている。具体的には、バルク６４Ａは、例えば、光軸ＡＸ３が光入射面１０Ａと平行（または略平行）となると共に透明基板３１の法線と僅かな角度θ３で交差する構成となっている。つまり、光軸ＡＸ３は、電圧無印加時に、光軸ＡＸ４と平行（または略平行）となっている。

なお、光軸ＡＸ４が常に、光入射面１０Ａと平行（または略平行）となると共に透明基板３１の法線と角度θ３で交差している必要はなく、例えば製造誤差などによって透明基板３１の法線と、角度θ３とは若干異なる角度で交差していてもよい。また、光軸ＡＸ３，ＡＸ４が常に光入射面１０Ａと平行（または略平行）となっている必要はなく、例えば製造誤差などによって光入射面１０Ａと、小さな角度で交差していてもよい。

ここで、バルク６４Ａおよび微粒子６４Ｂの常光屈折率が互いに等しく、かつバルク６４Ａおよび微粒子６４Ｂの異常光屈折率が互いに等しいことが好ましい。この場合に、例えば、電圧無印加時には、あらゆる方向において屈折率差がほとんどなく、高い透明性（光透過性）が得られる。これにより、光源２０からの光は、光変調層６４内で散乱されることなく、光変調層６４を透過する。その結果、例えば、光源２０からの光Ｌ（斜め方向からの光）は、光変調素子６０内で透明となった領域（透過領域３０Ａ）を伝播し、光変調素子６０と空気との界面において全反射され、透過領域３０Ａの輝度（黒表示の輝度）が、輝度を均一にした場合と比べて下がる。

また、バルク６４Ａおよび微粒子６４Ｂは、例えば、電圧印加時には、図２８に示したように、光軸ＡＸ３および光軸ＡＸ４の向きが互いに異なる（交差もしくは直交する）構成となっている。また、微粒子６４Ｂは、例えば、電圧印加時に、光軸ＡＸ４が光入射面１０Ａと平行（もしくは略平行）となると共に透明基板３１の法線と角度θ３よりも大きな角度θ４（例えば９０°）（図示せず）で交差する構成となっている。なお、角度θ４については、微粒子３４Ｂを構成する材料を説明する際に詳述する。

また、微粒子６４Ｂは、例えば、電圧印加時に、光軸ＡＸ４が光入射面１０Ａと交差すると共に透明基板３１の法線と角度θ３よりも大きな角度θ４（例えば９０°）（図示せず）で交差する構成となっていてもよい。また、微粒子６４Ｂは、例えば、電圧印加時に、透明基板３１の法線と角度θ３よりも大きな角度θ４（例えば９０°）（図示せず）で交差し、Ｘ，Ｙの方向はランダムとなる構成となっていてもよい。

したがって、光変調層６４では、電圧印加時には、あらゆる方向において屈折率差が大きくなり、高い散乱性が得られる。これにより、光源２０からの光は、光変調層６４内で散乱される。その結果、光源２０からの光（斜め方向からの光）は、光変調素子６０内で散乱状態となった領域（散乱領域３０Ｂ）で散乱され、その散乱光が直接、導光板１０に入射するか、または反射板４０で反射された後に導光板１０に入射し、導光板１０の上面（光出射面）から出射される。従って、散乱領域３０Ｂの輝度は、輝度を均一にした場合と比べて極めて高くなり、しかも、透過領域３０Ａの輝度が低下した分だけ、部分的な白表示の輝度（輝度突き上げ）が大きくなる。

なお、バルク６４Ａおよび微粒子６４Ｂの常光屈折率は、例えば製造誤差などによって多少ずれていてもよく、例えば、０．１以下であることが好ましく、０．０５以下であることがより好ましい。また、バルク６４Ａおよび微粒子６４Ｂの異常光屈折率についても、例えば製造誤差などによって多少ずれていてもよく、例えば、０．１以下であることが好ましく、０．０５以下であることがより好ましい。

また、バルク６４Ａの屈折率差（Δｎ_Ｐ＝異常光屈折率ｎｅ_Ｐ−常光屈折率ｎｏ_Ｐ）や、微粒子６４Ｂの屈折率差（Δｎ_Ｌ＝異常光屈折率ｎｅ_Ｌ−常光屈折率ｎｏ_Ｌ）は、できるだけ大きいことが好ましく、０．０５以上であることが好ましく、０．１以上であることがより好ましく、０．１５以上であることがさらに好ましい。バルク６４Ａおよび微粒子６４Ｂの屈折率差が大きい場合には、光変調層６４の散乱能が高くなり、導光条件を容易に破壊することができ、導光板１０からの光を取り出しやすいからである。

また、バルク６４Ａおよび微粒子６４Ｂは、電場に対する応答速度が互いに異なっている。バルク６４Ａは、例えば、微粒子６４Ｂの応答速度よりも遅い応答速度を有する筋状構造、多孔質構造、または棒状構造となっている。バルク６４Ａは、例えば、低分子モノマーを重合化することにより得られた高分子材料によって形成されている。バルク６４Ａは、例えば、微粒子６４Ｂの配向方向または配向膜６３，６５の配向方向に沿って配向した、配向性および重合性を有する材料（例えばモノマー）を熱および光の少なくとも一方によって重合させることにより形成されている。

バルク６４Ａの筋状構造、多孔質構造もしくは棒状構造は、例えば、光入射面１０Ａと平行となると共に透明基板３１の法線と僅かな角度θ３で交差する方向に長軸を有している。バルク６４Ａが筋状構造となっている場合に、短軸方向の平均的な筋状組織サイズは、導光光の散乱性を高くするという観点からは、０．１μｍ以上１０μｍ以下となっていることが好ましく、０．２μｍ以上２．０μｍ以下の範囲であることがより好ましい。短軸方向の平均的な筋状組織サイズが０．１μｍ以上１０μｍ以下となっている場合には、光変調素子６０内での散乱能が、３８０〜７８０ｎｍの可視領域において略等しくなる。そのため、面内で、ある特定の波長成分の光のみが増加したり、減少したりすることがないので、可視領域でのバランスを面内で取ることができる。短軸方向の平均的な筋状組織サイズが０．１μｍ未満である場合や、１０μｍを超える場合には、波長に関係なく、光変調素子３０の散乱能が低く、光変調素子３０が光変調素子として機能しにくい。

また、散乱の波長依存性を少なくするという観点からは、短軸方向の平均的な筋状組織サイズは、０．５μｍ以上５μｍ以下の範囲であることが好ましく、１〜３μｍの範囲であることがより好ましい。このようにした場合には、光源２０から出射された光が導光板１０内を伝播していく過程で光変調素子６０内のバルク６４Ａを繰り返し通過したときに、バルク６４Ａにおける、散乱の波長依存性が抑制される。筋状組織のサイズは、偏光顕微鏡、共焦点顕微鏡、電子顕微鏡などで観察することができる。

上記した、配向性および重合性を有するモノマーとしては、光学的に異方性を有しており、かつ液晶と複合する材料であればよいが、本実施の形態では紫外線で硬化する低分子モノマーであることが好ましい。電圧無印加の状態で、液晶と、低分子モノマーを重合化することにより形成されたもの（高分子材料）との光学的異方性の方向が一致していることが好ましいので、紫外線硬化前において、液晶と低分子モノマーが同一方向に配向していることが好ましい。微粒子６４Ｂとして液晶が用いられる場合に、その液晶が棒状分子であるときには、使用するモノマー材料の形状も棒状であることが好ましい。以上のことから、モノマー材料としては重合性と液晶性を併せ持つ材料を用いることが好ましく、例えば、重合性官能基として、アクリレート基、メタクリレート基、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、ビニルエーテル基およびエポキシ基からなる群から選ばれた少なくとも１つの官能基を有することが好ましい。これらの官能基は、紫外線、赤外線または電子線を照射したり、加熱したりすることによって重合させることができる。紫外線照射時の配向度低下を抑制するために、多官能基をもつ液晶性材料を添加することもできる。バルク６４Ａを上述した筋状構造とする場合には、バルク６４Ａの原料として、２官能液晶性モノマーを用いることが好ましい。また、バルク６４Ａの原料に対して、液晶性を示す温度の調整を目的に単官能モノマーを添加したり、架橋密度向上を目的に３官能以上のモノマーを添加したりすることもできる。

本実施の形態において、駆動回路５０は、上記実施の形態と同一の駆動を行うようになっている。

次に、本実施の形態の照明装置２の作用および効果について説明する。

本実施の形態では、上記実施の形態と同様、各電極ブロック３２Ｃは、第１の方向に延在すると共に第１の方向と交差する方向に配列された複数の部分電極３２Ａを有している。これにより、光変調層６４の散乱特性を、各電極ブロック３２Ｃと対向する領域内において部分的に調整することができる。その結果、光変調層６４から取り出された光の輝度分布の面内の変化を緩やかにすることができるので、部分点灯および全点灯に依らず、照明光における明暗の境界部分をぼかすことができる。

＜４．各実施の形態に共通する変形例＞

（変形例１）
上記各実施の形態において、下側電極３２ではなく、上側電極３６が、複数の電極ブロック３２Ｃと同様の構成を含んで構成されていてもよい。

図２９は、上側電極３６の平面構成の一例を表したものである。図３０（Ａ），図３０（Ｂ）は、上側電極３６の平面構成の他の例を表したものである。上側電極３６は、透明基板３７の表面（具体的には、透明基板３７のうち透明基板３１との対向面）に設けられたものであり、複数の部分電極３６Ａを含んで構成されている。複数の部分電極３６Ａは、面内の一の方向（第１の方向）に延在すると共に第１の方向と交差する方向に配列されている。第１の方向は、例えば、光入射面１０Ａと平行または略平行な方向である。なお、第１の方向は、光入射面１０Ａと斜めに交差する方向であってもよい。

上側電極３６は、複数の電極ブロック３６Ｃ（第２電極ブロック）を有している。複数の電極ブロック３６Ｃは、面内の所定の方向（第２の方向）および第２の方向と交差する方向（第３の方向）のうち少なくとも第２の方向に並んで配置されている。ここで、第１の方向が、光入射面１０Ａと平行または略平行な方向である場合には、第２の方向は、第１の方向と直交または略直交する方向である。第１の方向が、光入射面１０Ａと斜めに交差する方向である場合には、第２の方向は、光入射面１０Ａと直交または略直交する方向である。つまり、第２の方向は、第１の方向に拘わらず、光入射面１０Ａと直交または略直交する方向である。

各電極ブロック３６Ｃは、第２の方向に隣接する他の電極ブロック３６Ｃによって光変調層３４（または光変調層６４）内に形成される電場を遮らない態様で、第２の方向に隣接する他の電極ブロック３６Ｃの形成領域の一部を含む領域に形成されている。具体的には、オーバーラップ領域３６−１において、２以上の部分電極３６Ａは、第２の方向に隣接する他の電極ブロック３６Ｃの形成領域内に形成されると共に、第２の方向に隣接する他の電極ブロック３６Ｃに含まれる２以上の部分電極と混在して配置されている。例えば、各電極ブロック３６Ｃにおいて、２以上の部分電極３６Ａは、第２の方向に隣接する他の電極ブロック３６Ｃの形成領域内に形成されると共に、第２の方向に隣接する他の電極ブロック３６Ｃに含まれる２以上の部分電極と交互に配置されている。さらに、各電極ブロック３６Ｃにおいて、２以上の部分電極３６Ａは、第２の方向に隣接する他の電極ブロック３６Ｃの形成領域外に形成されている。つまり、図２９，図３０（Ａ），図３０（Ｂ）に示したように、各電極ブロック３６Ｃの形成領域は、第２の方向に隣接する他の電極ブロック３６Ｃの形成領域の一部と重なり合っている。図２９，図３０（Ａ），図３０（Ｂ）では、電極ブロック３６Ｃの形成領域同士が重なり合っている領域がオーバーラップ領域３６−１として示されており、電極ブロック３６Ｃの形成領域同士が重なり合っていない領域が非オーバーラップ領域３６−２として示されている。なお、オーバーラップ領域３６−１において、一方の電極ブロック３６Ｃに含まれる２以上の部分電極３６Ａが、第２の方向に隣接する他の電極ブロック３６Ｃに含まれる２以上の部分電極を、複数個ずつ（例えば２つずつ）飛ばして配置されていてもよい。また、オーバーラップ領域３６−１において、一方の電極ブロック３６Ｃに含まれる２以上の部分電極３６Ａが、第２の方向に隣接する他の電極ブロック３６Ｃに含まれる２以上の部分電極と交互に配置されるとともに、一部で歯抜け状態で配置されていてもよい。

各電極ブロック３６Ｃにおいて、各部分電極３６Ａは互いに電気的に接続されている。具体的には、図２９に示したように、各電極ブロック３６Ｃは、各部分電極３６Ａの端部に連結された連結部３６Ｂを有しており、各部分電極３６Ａは連結部３６Ｂによって互いに電気的に接続されている。そのため、各電極ブロック３６Ｃは、複数の部分電極３６Ａおよび連結部３６Ｂによって櫛歯の形状となっており、複数の電極ブロック３６Ｃは、各電極ブロック３６Ｃの櫛歯の向きが交互に反転する（入れ替わる）ように第２の方向に並んで配置されている。

次に、各部分電極３６Ａの、配列方向の幅について説明する。図３１は、各部分電極３６Ａの、配列方向の幅の一例を表したものである。各部分電極３６Ａの幅は、各電極ブロック３６Ｃにおける、光源２０からの距離に応じた大きさとなっている。具体的には、各電極ブロック３６Ｃにおいて、第２の方向に隣接する他の電極ブロック３６Ｃの形成領域外（非オーバーラップ領域３６−２）に形成された２以上の部分電極３６Ａの幅は、光源２０から遠ざかるにつれて太くなっている。また、各電極ブロック３６Ｃにおいて、第２の方向に隣接する他の電極ブロック３６Ｃであって、かつ光源２０から相対的に遠い方の電極ブロック３６Ｃの形成領域（光源２０から離れた方のオーバーラップ領域３６−１）内に形成された２以上の部分電極３６Ａの幅は、光源２０から遠ざかるにつれて細くなっている。さらに、各電極ブロック３６Ｃにおいて、第２の方向に隣接する他の電極ブロック３６Ｃであって、かつ光源２０から相対的に近い方の電極ブロック３６Ｃの形成領域（光源２０により近い方のオーバーラップ領域３６−１）内に形成された２以上の部分電極３６Ａの幅は、光源２０から遠ざかるにつれて太くなっている。つまり、各電極ブロック３６Ｃにおいて、複数の部分電極３６Ａのうち光源２０側（光源２０寄り）の複数の部分電極３６Ａの幅は、光源２０から遠ざかるにつれて太くなっており、複数の部分電極３６Ａのうち光源２０とは反対側（光源２０から離れている側）の複数の部分電極３６Ａの幅は、光源２０から遠ざかるにつれて細くなっている。このような複数の部分電極３６Ａの幅の分布を、以後「山なりの分布」と記載する。なお、図３１には「山なりの分布」が折れ線で構成されている場合が例示されているが、「山なりの分布」は滑らかな曲線で構成されていてもよい。なお、オーバーラップ領域３６−１が存在していなくてもよい。この場合、各電極ブロック３６Ｃにおいて、複数の部分電極３６Ａの、配列方向の幅は、光源２０側で細く、光源２０から遠ざかるにつれて太くなっている。

本変形例において、駆動回路５０は、上記実施の形態と同一の駆動を行うようになっている。

本変形例では、上記実施の形態と同様、各電極ブロック３２Ｃは、第１の方向に延在すると共に第１の方向と交差する方向に配列された複数の部分電極３２Ａを有している。これにより、光変調層３４、６４の散乱特性を、各電極ブロック３２Ｃと対向する領域内において部分的に調整することができる。その結果、光変調層３４、６４から取り出された光の輝度分布の面内の変化を緩やかにすることができるので、部分点灯および全点灯に依らず、照明光における明暗の境界部分をぼかすことができる。

（変形例２）
上記各実施の形態において、下側電極３２が複数の電極ブロック３２Ｃを含んで構成され、さらに、上側電極３６が複数の電極ブロック３６Ｃを含んで構成されていてもよい。この場合に、電極ブロック３２Ｃと電極ブロック３６Ｃとが、互いに正対する位置に配置されていることが好ましい。このようにすることで、電極の面積を削減することができ、上側電極３６がＩＴＯなどからなる場合に、上側電極３６による可視光の吸収を低減することが可能となる。このとき、各部分電極３６Ａの幅が、部分電極３２Ａの幅より５μｍ程度広くなっているか、または、各部分電極３２Ａの幅が、部分電極３６Ａの幅より５μｍ程度広くなってことが好ましい。このようにすることで、基板のアライメント位置ズレにより散乱領域３０Ｂの幅が狭くなることを防ぐことができる。また、各電極ブロック３６Ｃが、互いに電気的に接続されていてもよい。上側電極３６は、１つの電極ブロック３６Ｃだけを有していてもよい。

（変形例３）
上記各実施の形態およびそれらの変形例において、各電極ブロック３２Ｃは、例えば、図３２に示したように、非オーバーラップ領域３２−２内のある各部分電極３２Ａの端部に連結された連結部３２Ｂをさらに有していてもよい。このようにした場合には、非オーバーラップ領域３２−２内のある部分電極３２Ａが断線した場合に、その部分電極３２Ａに対して、連結部３２Ｂを介して電圧を印加することが可能となる。

さらに、本変形例において、上側電極３６が、複数の電極ブロック３６Ｃを有している場合に、各電極ブロック３６Ｃは、例えば、図３３に示したように、非オーバーラップ領域３６−２内のある各部分電極３６Ａの端部に連結された連結部３６Ｂをさらに有していてもよい。このようにした場合には、非オーバーラップ領域３６−２内のある部分電極３６Ａが断線した場合に、その部分電極３６Ａに対して、連結部３６Ｂを介して電圧を印加することが可能となる。

（変形例４）
上記各実施の形態およびそれらの変形例において、各電極ブロック３２Ｃは、例えば、図３４に示したように、第２の方向に隣接する他の電極ブロック３２Ｃの形成領域外（非オーバーラップ領域３２−２）に形成された複数の部分電極３２Ａのうち互いに隣接する２つの部分電極３２Ａに連結された連結部３２Ｄ（第２連結部）をさらに有していてもよい。このようにした場合には、非オーバーラップ領域３２−２内のある部分電極３２Ａが断線した場合に、その部分電極３２Ａに対して、連結部３２Ｄを介して電圧を印加することが可能となる。

さらに、本変形例において、上側電極３６が、複数の電極ブロック３６Ｃを有している場合に、各電極ブロック３６Ｃは、例えば、図３５に示したように、第２の方向に隣接する他の電極ブロック３６Ｃの形成領域外（非オーバーラップ領域３６−２）に形成された複数の部分電極３６Ａのうち互いに隣接する２つの部分電極３６Ａに連結された連結部３６Ｄをさらに有していてもよい。このようにした場合には、非オーバーラップ領域３６−２内のある部分電極３６Ａが断線した場合に、その部分電極３６Ａに対して、連結部３６Ｄを介して電圧を印加することが可能となる。

（変形例５）
上記各実施の形態およびそれらの変形例において、各電極ブロック３２Ｃは、例えば、図３６に示したように、連結部３２Ｂと、各部分電極３２Ａとを、ビア３２Ｅを介して電気的に接続するようにしてもよい。ここで、ビア３２Ｅは、層間絶縁膜を貫通する導電性部材であり、層間絶縁膜の下層にある導電体（例えば部分電極３２Ａ）と、層間絶縁膜の上層にある導電体（例えば連結部３２Ｂ）とを互いに電気的に接続するものである。このようにした場合には、下側電極３２の配線レイアウトの自由度を確保しつつ、部分電極３２Ａの断線対策を施すことができる。なお、ビア３２Ｅの代わりに、単に、層間絶縁膜を貫通する開口が設けられていてもよい。ただし、この場合には、連結部３２Ｂまたは部分電極３２Ａが、上記開口内にまで形成され、連結部３２Ｂと部分電極３２Ａとが上記開口内において互いに接触していてもよい。

さらに、本変形例において、上側電極３６が、複数の電極ブロック３６Ｃを有している場合に、各電極ブロック３６Ｃは、例えば、図３７に示したように、連結部３６Ｂと、各部分電極３６Ａとを、ビア３６Ｅを介して電気的に接続するようにしてもよい。ここで、ビア３６Ｅは、層間絶縁膜を貫通する導電性部材であり、層間絶縁膜の下層にある導電体（例えば部分電極３６Ａ）と、層間絶縁膜の上層にある導電体（例えば連結部３６Ｂ）とを互いに電気的に接続するものである。このようにした場合には、下側電極３６の配線レイアウトの自由度を確保しつつ、部分電極３６Ａの断線対策を施すことができる。なお、ビア３６Ｅの代わりに、単に、層間絶縁膜を貫通する開口が設けられていてもよい。ただし、この場合には、連結部３６Ｂまたは部分電極３６Ａが、上記開口内にまで形成され、連結部３６Ｂと部分電極３６Ａとが上記開口内において互いに接触していてもよい。

（変形例６）
上記各実施の形態およびそれらの変形例において、上側電極３６が単一のシート状電極となっている場合に、そのシート状電極が、パターニングされたものであってもよい。また、上記各実施の形態およびそれらの変形例において、上側電極３６が複数の部分電極３６Ａを有している場合に、各部分電極３６Ａが、パターニングされたものであってもよい。これにより、照明光の面内輝度の均一化をさらに容易に行うことが出来る。さらに、電極の面積が減ることにより、上側電極３６または部分電極３６ＡがＩＴＯなどからなる場合に、電極による可視光の吸収を低減することが可能となる。

上側電極３６または部分電極３６Ａに形成されたパターニングが複数の開口３６Ｆで構成されていてもよい。このとき、上側電極３６または部分電極３６Ａのパターン密度（上側電極３６または部分電極３６Ａのうち開口３６Ｆ以外の部分の単位面積当たりの占有率）が上側電極３６全体に関して光源２０からの距離に応じて異なっていることが好ましい。例えば、開口３６Ｆの密度（単位面積当たりの開口３６Ｆの占有率）が、図３８Ａ，図３８Ｂ，図３９Ａ，図３９Ｂに示したように、上側電極３６全体に関して光源２０からの距離に応じて異なっていてもよい。図３８Ａ，図３９Ａに示した例では、単位面積当たりの開口３６Ｆの数は、光源２０からの距離に拘わらず一定となっており、開口３６Ｆの半径ｒが、光源２０からの距離が遠くなるにつれて小さくなっている。また、図３８Ｂ，図３９Ｂに示した例では、開口３６Ｆの半径ｒは、光源２０からの距離に拘わらず一定（ｒ＝ａ_１）となっており、単位面積当たりの開口３６Ｆの数が、光源２０からの距離が遠くなるにつれて少なくなっている。従って、図３８Ａ，図３８Ｂ，図３９Ａ，図３９Ｂのいずれの例においても、開口３６Ｆの密度が、光源２０からの距離が遠くなるにつれて疎になっている（小さくなっている）。言い換えると、上側電極３６または部分電極３６Ａのパターン密度が、光源２０からの距離が遠くなるにつれて密になっている（大きくなっている）。

上側電極３６または部分電極３６Ａのパターン密度（上側電極３６または部分電極３６Ａのうち開口３６Ｆ以外の部分の単位面積当たりの占有率）が、光入射面１０Ａと平行な方向において、後述の光源ブロック２５（図４１Ｂ，図４１Ｃ参照）寄りの箇所で相対的に大きく、光源ブロック２５から離れた箇所で相対的に小さくなっていてもよい。例えば、図３８Ａ，図３９Ａに示したように、開口３６Ｆの半径が、光入射面１０Ａと平行な方向において、光源ブロック２５寄りの箇所で相対的に大きく、光源ブロック２５から離れた箇所で相対的に小さくなっていてもよい。また、例えば、図３８Ｂ，図３９Ｂに示したように、開口３６Ｆ（半径一定）の、単位面積あたりの数が、光入射面１０Ａと平行な方向において、光源ブロック２５寄りの箇所で相対的に多く、光源ブロック２５から離れた箇所で相対的に少なくなっていてもよい。このようにした場合には、光入射面１０Ａと平行な方向において、光源ブロック２５寄りの輝度を、開口３６Ｆを設けていない場合よりも低く抑え、かつ光源ブロック２１から離れた箇所の輝度を、開口３６Ｆを設けていない場合よりも高くすることができる。その結果、例えば、照明装置１，２の光射出領域全体を明状態とした場合に、面内輝度を均一化することができる。

例えば、光入射面１０Ａから２ｍｍ離れた箇所でのパターニング密度が図４０Ａに示したような分布となっている場合には、図４０ＢのＡに示したように、光入射面１０Ａと平行な方向において、面内輝度を均一化することができる。一方、例えば、光入射面１０Ａから２ｍｍ離れた箇所でのパターニング密度が図４０ＡのＢに示したような平坦な分布となっている場合には、図４０ＢのＢに示したように、光入射面１０Ａと平行な方向において、面内輝度が大きく変化してしまう。なお、本変形例において、光源ブロック２５の代わりに、点状光源２３が用いられている場合には、開口３６Ｆの、単位面積あたりの密度が、光入射面１０Ａと平行な方向において、点状光源２３寄りの箇所で相対的に大きく、点状光源２３から離れた箇所で相対的に小さくなっていてもよい。このようにした場合にも、光入射面１０Ａと平行な方向において、面内輝度を均一化することができる。

なお、上側電極３６または部分電極３６Ａのパターン密度は、必ずしも、上側電極３６全体に関して光源２０からの距離に応じて異なっている必要はない。例えば、上側電極３６または部分電極３６Ａのパターン密度が、部分電極３２Ａとの対向部分ごとに、光源２０からの距離に応じて異なっていてもよい。

（変形例７）
上記各実施の形態およびそれらの変形例において、光源２０が、図４１Ａに示したように、１本の線状光源２１と、線状光源２１の背後に配置された反射ミラー２２とで構成されていてもよい。また、上記各実施の形態およびそれらの変形例において、光源２０が、図４１Ｂ，図４１Ｃに示したように、一列に配置された複数の点状光源２３を有していてもよい。このとき、複数の点状光源２３は、例えば、図４１Ｂ，図４１Ｃに示したように、１個または２個以上の点状光源２３ごとに、共通の基板２４上に設けられていてもよい。この場合、１つの基板２４と、その基板２４上に設けられた複数の点状光源２３とにより、光源ブロック２５が構成されている。基板２４は、例えば、点状光源２３と駆動回路５０とを電気的に接続する配線が形成された回路基板であり、各点状光源２３は、この回路基板上に実装されている。共通の基板２４上に設けられた各点状光源２３（光源ブロック２５内の各点状光源２３）は、駆動回路５０によって一括で（非独立に）駆動されるようになっており、例えば、図示しないが、互いに並列に、または互いに直列に、接続されている。また、互いに異なる基板２４上に設けられた点状光源２３（各光源ブロック２５内の点状光源２３）は、駆動回路５０によって互いに独立に駆動されるようになっており、例えば、図４１Ｃに示したように、互いに異なる電流経路に接続されている。

本変形例において、導光板１０は、例えば、図４２Ａに示したように、帯状の複数の凸部１１を上面に有している。なお、導光板１０は、例えば、図４２Ｂに示したように、帯状の複数の凸部１１を下面に有していてもよい。また、各凸部１１は、例えば、図示しないが、導光板１０の内部に設けられていてもよい。また、導光板１０の内部が空洞状になっていてもよいし、密に充填されていてもよい。このようにすることで、その光源ブロック２５から出力された光Ｌは、横方向（幅方向）にあまり広がらずに導光板１０内を伝播するようになる。

各凸部１１は、光入射面１０Ａの法線と平行な方向に延在しており、例えば、図４２Ａ，図４２Ｂに示したように、導光板１０の一の側面から、その側面と対向する他の側面まで連続して形成されている。各凸部１１の配列方向の断面は、例えば、矩形状、台形状、または三角形状となっている。各凸部１１の配列方向の断面が矩形状となっている場合には、光の直進性が非常に高く、大型のバックライトに適している。各凸部１１の配列方向の断面が台形状となっている場合には、射出成型、溶融押し出し成型、熱プレス成型などで各凸部１１を形成する際に使用する金型の加工が容易であり、かつ成型時の離型性もよく、欠陥の減少による歩留まりや成型速度を向上させることができる。

互いに隣り合う凸部１１同士の間には、平坦面が設けられていてもよいし、平坦面がなくてもよい。各凸部１１の高さは、面内で均一になっていてもよいし、面内で不均一になっていてもよい。例えば、図４３Ａ，図４３Ｂに示したように、導光板１０の１つの側面が光入射面１０Ａとなっているときに、各凸部１１の高さが、光入射面１０Ａ側で相対的に低く、光入射面１０Ａと対向する側面側で相対的に高くなっていてもよい。また、例えば、導光板１０の側面のうち互いに対向する一対の側面が光入射面１０Ａとなっているときに、各凸部１１の高さが、双方の光入射面１０Ａおよびその近傍で相対的に低く、それ以外の部分で相対的に高くなっていてもよい。各凸部１１のうち、光入射面１０Ａおよびその近傍の高さは、ゼロまたは実質的にゼロとなっていてもよい。例えば、図４３Ａ，図４３Ｂに示したように、各凸部１１の高さが、光入射面１０Ａ側から、光入射面１０Ａと対向する側面側に向かうにつれて高くなっていてもよい。このとき、各凸部１１の高さが、光入射面１０Ａ側から、光入射面１０Ａと対向する側面側に向かう中途で、一定になるようになっていてもよい。なお、図４３Ａ，図４３Ｂに示したような高さの不均一な複数の凸部１１が導光板１０の上面以外の箇所に設けられていてもよく、例えば、導光板１０の下面または内部に設けられていてもよい。

上述のように、凸部１１の高さ（言い換えると、凸部１１同士の間に形成される溝の深さ）を変えることにより、光の直進性を変化させることができる。例えば、図４２Ａ，図４２Ｂに示したように、各凸部１１を光入射面１０Ａおよびその近傍にも設けた場合には、例えば、図４４Ａに例示したように、１つの光源ブロック２５を点灯させると、その光源ブロック２５から出力された光Ｌは、横方向（幅方向）にあまり広がらずに導光板１０内を伝播するようになる。この場合、光入射面１０Ａの近傍において、点状光源２３同士の間に暗い部分が発生する場合があり、その場合には、画質が低下する虞がある。そのこで、そのような場合には、例えば、図４３Ａ，図４３Ｂに示したように、各凸部１１の高さを光入射面１０Ａおよびその近傍で相対的に低くしたり、またはゼロにしたりすることが好ましい。このようにすることにより、光源ブロック２５から出力された光Ｌを、例えば、図４４Ｂに示したように、光入射面１０Ａおよびその近傍において、点状光源２３の発散角で横方向（幅方向）に広げ、光入射面１０Ａから離れた領域においては、ほぼ一定の幅で伝播させることができる。

本変形例において、駆動回路５０は、例えば、図４５に示したように、一部（１または複数）の光源ブロック２５を点灯させるとともに、第２の方向に並んで配置された複数の電極ブロック３２Ｃのうち一部（１または複数）の電極ブロック３２Ｃを駆動するようにしてもよい。このとき、駆動回路５０によって駆動された電極ブロック３２Ｃと、光源ブロック２５から出力された光の光路との交差部分に対応する散乱領域３０Ｂから、Ｘ方向Ｙ方向共に境界の滑らかなブロック状の光が出力される。

（変形例８）
上記各実施の形態およびそれらの変形例では、光変調素子３０，６０は、導光板１０の背後（下面）に空気層を介さずに密着して接合されていたが、例えば、図４６に示したように、導光板１０の上面に空気層を介さずに密着して接合されていてもよい。また、光変調素子３０，６０は、例えば、図４７に示したように、導光板１０の内部に設けられていてもよい。ただし、この場合でも、光変調素子３０，６０は、導光板１０と空気層を介さずに密着して接合されていることが必要である。

（変形例９）
上記各実施の形態およびそれらの変形例では、導光板１０が設けられていたが、例えば、図４８に示したように、省略されてもよい。ただし、この場合には、透明基板３１または透明基板３７が導光板１０の役目を果たす。従って、光源２０は、透明基板３１または透明基板３７の側面に配置されることとなる。なお、光源２０は、透明基板３１および透明基板３７のいずれか一方の側面に配置されていてもよいし、透明基板３１および透明基板３７の双方の側面に配置されていてもよい。

（変形例１０）
上記各実施の形態およびそれらの変形例では、反射板４０が設けられていたが、例えば、図４９に示したように、省略されてもよい。このとき、下側電極３２は、透明な材料でなくてもよく、例えば、金属によって構成されていてもよい。なお、下側電極３２が金属によって構成されている場合には、下側電極３２は、反射板４０と同様、入射光を反射する機能も兼ね備えていることになる。さらに、本変形例において、導光板１０は、例えば、図５０に示したように、省略されてもよい。

（変形例１１）
上記各実施の形態およびそれらの変形例では、導光板１０の上に特に何も設けられていなかった。しかし、例えば、図５１，図５２，図５３に示したように、照明装置１，２は、光出射側に、光学シート９０（例えば、拡散板、拡散シート、レンズフィルム、偏光分離シートなど）を備えていてもよい。このようにした場合には、導光板１０から斜め方向に出射した光の一部が正面方向に立ち上がるので、正面輝度を効果的に向上させることができる。

＜５．適用例＞
次に、上記各実施の形態およびそれらの変形例に係る照明装置１，２の適用例について説明する。

図５４は、本適用例にかかる表示装置１００の概略構成の一例を表したものである。この表示装置１００は、液晶表示パネル１１０と、液晶表示パネル１１０の背後に配置されたバックライト１２０とを備えている。ここで、バックライト１２０が、上記各実施の形態およびそれらの変形例に係る照明装置１，２に相当するものである。

液晶表示パネル１１０は、映像を表示するためのものである。液晶表示パネル１１０は、マトリクス状に配置された複数の画素を有すると共に、複数の画素が映像信号に基づいて駆動されることにより、映像を表示することが可能となっている。液晶表示パネル１１０は、例えば、透過型の液晶表示パネルであり、液晶層を一対の透明基板で挟み込んだ構造となっている。液晶表示パネル１１０は、例えば、図示しないが、バックライト１２０側から順に、偏光子、透明基板、画素電極、配向膜、液晶層、配向膜、共通電極、カラーフィルタ、透明基板および偏光子を有している。

透明基板は、可視光に対して透明な基板、例えば板ガラスからなる。なお、バックライト１２０側の透明基板には、図示しないが、画素電極に電気的に接続されたＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）および配線などを含むアクティブ型の駆動回路が形成されている。画素電極および共通電極は、例えばＩＴＯからなる。画素電極は、透明基板上に格子配列またはデルタ配列されたものであり、画素ごとの電極として機能する。他方、共通電極は、カラーフィルタ上に一面に形成されたものであり、各画素電極に対して対向する共通電極として機能する。配向膜は、例えばポリイミドなどの高分子材料からなり、液晶に対して配向処理を行う。液晶層は、例えば、ＶＡ（Vertical Alignment）モード、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、またはＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モードなどの液晶からなり、駆動回路（図示せず）からの印加電圧により、バックライト１２０からの出射光の偏光軸の向きを画素ごとに変える機能を有する。なお、液晶の配列を多段階で変えることにより画素ごとの透過軸の向きが多段階で調整される。カラーフィルタは、液晶層を透過してきた光を、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）の三原色にそれぞれ色分離したり、または、Ｒ、Ｇ、Ｂおよび白（Ｗ）などの四色にそれぞれ色分離したりするカラーフィルタを、画素電極の配列と対応させて配列したものである。フィルタ配列（画素配列）としては、一般的に、ストライプ配列や、ダイアゴナル配列、デルタ配列、レクタングル配列のようなものがある。

偏光子は、光学シャッタの一種であり、ある一定の振動方向の光（偏光）のみを通過させる。なお、偏光子は、透過軸以外の振動方向の光（偏光）を吸収する吸収型の偏光素子であってもよいが、バックライト１２０側に反射する反射型の偏光素子であることが輝度向上の観点から好ましい。偏光子はそれぞれ、偏光軸が互いに９０度異なるように配置されており、これによりバックライト１２０からの射出光が液晶層を介して透過し、あるいは遮断されるようになっている。

駆動回路５０は、例えば、複数の光変調セル３０ａのうち黒表示の画素位置に対応するセルにおいて微粒子３４Ｂ，６４Ｂの光軸ＡＸ２，ＡＸ４がバルク３４Ａ，６４Ａの光軸ＡＸ１，ＡＸ３と平行となるように各光変調セル３０ａへ印加する電圧の大きさを制御するようになっている。さらに、駆動回路５０は、例えば、複数の光変調セル３０ａのうち白表示の画素位置に対応するセルにおいて微粒子３４Ｂ，６４Ｂの光軸ＡＸ２，ＡＸ４がバルク３４Ａ，６４Ａの光軸ＡＸ１，ＡＸ３と交差するように各光変調セル３０ａへ印加する電圧の大きさを制御するようになっている。

駆動回路５０は、複数の電極ブロック３２Ｃのうち一部（１または複数）の電極ブロック３２Ｃだけを駆動することができるようになっている。駆動回路５０は、例えば、図１１Ａに示したように、第２の方向に並んで配置された複数の電極ブロック３２Ｃのうち一部（１または複数）の電極ブロック３２Ｃだけを駆動するようになっている。このとき、駆動回路５０によって駆動された電極ブロック３２Ｃに対応する散乱領域３０Ｂから帯状の光が出力される。また、駆動回路５０は、例えば、図１１Ｂに示したように、第２の方向および第３の方向に並んで配置された複数の電極ブロック３２Ｃのうち一部（１または複数）の電極ブロック３２Ｃだけを駆動するようになっている。このとき、駆動回路５０によって駆動された電極ブロック３２Ｃに対応する散乱領域３０Ｂからブロック状の光が出力される。

このとき、駆動回路５０は、複数の電極ブロック３２Ｃを駆動させる場合には、電極ブロック３２Ｃの光源２０からの距離に応じて変調された電圧を各電極ブロック３２Ｃに印加するようになっている。具体的には、駆動回路５０は、例えば、電極ブロック３２Ｃの光源２０からの距離に応じて、波高値、デューティ比および周波数が変調された電圧を各電極ブロック３２Ｃに印加するようになっている。電圧の変調は、例えば、光源２０からの距離が遠くなるにつれて光変調セル３０ａの散乱性が強まるようになされる。さらに、駆動回路５０は、例えば、部分電極３２Ａの光源２０からの距離だけでなく、外部から入力される映像信号も考慮して、波高値、デューティ比および周波数が変調された電圧を部分電極３２Ａに印加するようになっていてもよい。

散乱領域３０Ｂの輝度は、輝度を均一にした場合（図１０（Ｂ）中の一点鎖線）と比べて極めて高くなり、しかも、透過領域３０Ａの輝度が低下した分だけ、部分的な白表示の輝度（輝度突き上げ）が大きくなる。これにより液晶ディスプレイのコントラストが向上する。また、駆動回路５０は、「輝度突き上げ」を利用して、「輝度突き上げ」で上昇する輝度の分だけ光源２０からの出射光量を小さくして、輝度を均一にした場合（図１０（Ｂ）中の一点鎖線）と比べて同程度とし、光源２０の消費電力を低下させることもできる。

駆動回路５０は、複数の電極ブロック３２Ｃを所定の単位ごとに（例えば１つずつ）順次、駆動するようになっている。駆動回路５０は、例えば、図１２Ａ，図１２Ｂに示したように、第２の方向に並んで配置された複数の電極ブロック３２Ｃを所定の単位ごとに（例えば１つずつ）順次、駆動するようになっている。このとき、散乱領域３０Ｂが、駆動回路５０による駆動によって第２の方向に走査され、それに伴って、帯状の光が第２の方向に走査される。このとき、１回の走査の期間で照明光を時間平均化した時の輝度が、実際に目に見える明るさとなっている。また、駆動回路５０は、例えば、図１３Ａ，図１３Ｂに示したように、第２の方向および第３の方向に並んで配置された複数の電極ブロック３２Ｃを所定の単位ごとに（例えば１つずつ）順次、駆動するようになっている。このとき、散乱領域３０Ｂが、駆動回路５０による駆動によって第２の方向に走査され、それに伴って、ブロック状の光が第２の方向に走査される。

ここで、駆動回路５０は、複数の電極ブロック３２Ｃの走査方向を、表示パネルの画素の走査方向と同じ方向とし、複数の電極ブロック３２Ｃの走査を、表示パネルの画素の走査と同期して行うようにすることが好ましい。このようにした場合には、高輝度で、しかも動画応答性（ぼけ）の改善された表示が可能となる。

さらに、駆動回路５０は、複数の電極ブロック３２Ｃを所定の単位ごとに（例えば１つずつ）順次、駆動しつつ、光源２０からの距離や外部から入力される映像信号も考慮して、光源２０の光量を調節するようになっている。このとき、駆動回路５０は、複数の電極ブロック３２Ｃの走査方向を、表示パネルの画素の走査方向と同じ方向とし、複数の電極ブロック３２Ｃの走査を、表示パネルの画素の走査と同期して行うようにすることが好ましい。このようにした場合には、低消費電力で、しかも動画応答性（ぼけ）の改善された表示が可能となる。

本適用例では、液晶表示パネル１１０を照明する光源（バックライト１２０）として上記各実施の形態およびそれらの変形例に係る照明装置１，２が用いられている。これにより、視野角の大きい範囲における光の漏洩を低減またはほとんどなくしつつ、表示輝度を向上させることができる。その結果、正面方向の変調比を高くすることができる。また、バックライト１２０への投入電力を増やすことなく、輝度突き上げを実現することができる。

また、本適用例では、バックライト１２０として上記各実施の形態およびそれらの変形例に係る照明装置１，２が用いられているので、部分点灯時に照明光における明暗の境界部分をぼかすことができ、かつ全点灯時に均一な照明光とすることができる。また、スキャン駆動時に走査の各瞬間において照明光における明暗の境界部分をぼかすことができ、かつ表示パネルの１フレーム期間で照明光を平均化した時に均一な照明光とすることができる。

また、例えば、本技術は以下のような構成を取ることができる。
（１）
離間して互いに対向配置された一対の基板と、
前記一対の基板の少なくとも一方の側面に配置された光源と、
前記一対の基板のそれぞれの表面に設けられ、かつ前記基板の表面と直交する方向に電場を発生させる電極と、
前記一対の基板の間隙に設けられ、かつ前記電極によって生じる電場の大きさに応じて、前記光源からの光に対して散乱性もしくは透明性を示す光変調層と
を備え、
前記電極は、前記一対の基板のうち一方の基板の表面に配置された複数の第１電極ブロックを有し、
各第１電極ブロックは、第１の方向に延在すると共に前記第１の方向と交差する方向に配列された複数の部分電極を有する
照明装置。
（２）
前記複数の第１電極ブロックは、第２の方向および前記第２の方向と交差する第３の方向のうち少なくとも前記第２の方向に並んで配置され、
各第１電極ブロックは、各第１電極ブロックの複数の部分電極が前記第２の方向に隣接する他の第１電極ブロックの複数の部分電極と絶縁された態様で、前記第２の方向に隣接する他の第１電極ブロックの形成領域の一部を含む領域に形成されており、
各第１電極ブロックにおいて、２以上の部分電極は、前記第２の方向に隣接する他の第１電極ブロックの形成領域内に形成されると共に、前記第２の方向に隣接する他の第１電極ブロックに含まれる２以上の部分電極と混在して配置されている
（１）に記載の照明装置。
（３）
各第１電極ブロックにおいて、２以上の部分電極は、前記第２の方向に隣接する他の第１電極ブロックの形成領域外に形成されている
（２）に記載の照明装置。
（４）
前記第１の方向は、前記側面と平行または略平行な方向である
（２）または（３）に記載の照明装置。
（５）
前記第２の方向は、前記側面と垂直または略垂直な方向である
（２）ないし（４）のいずれか１つに記載の照明装置。
（６）
各第１電極ブロックは、各部分電極の端部に連結された第１連結部を有する
（２）ないし（５）のいずれか１つに記載の照明装置。
（７）
前記複数の第１電極ブロックは、前記複数の部分電極および前記第１連結部によって形成される櫛歯の向きが交互に反転するように配置されている
（６）に記載の照明装置。
（８）
各第１電極ブロックは、前記第２の方向に隣接する他の第１電極ブロックの形成領域外に形成された複数の部分電極のうち互いに隣接する２つの部分電極に連結された第２連結部を有する
（６）または（７）に記載の照明装置。
（９）
各第１電極ブロックにおいて、前記第２の方向に隣接する他の第１電極ブロックであって、かつ前記光源から相対的に遠い方の第１電極ブロックの形成領域内に形成された２以上の部分電極の幅は、前記光源から遠ざかるにつれて細くなっており、
各第１電極ブロックにおいて、前記第２の方向に隣接する他の第１電極ブロックであって、かつ前記光源から相対的に近い方の第１電極ブロックの形成領域内に形成された２以上の部分電極の幅は、前記光源から遠ざかるにつれて太くなっている
（２）ないし（８）のいずれか１つに記載の照明装置。
（１０）
各第１電極ブロックにおいて、前記第２の方向に隣接する他の第１電極ブロックの形成領域外に形成された２以上の部分電極の幅は、前記光源から遠ざかるにつれて太くなっている。
（３）に記載の照明装置。
（１１）
各第１電極ブロックにおいて、前記第２の方向に隣接する他の第１電極ブロックの形成領域外に形成された２以上の部分電極の幅は、前記光源から遠ざかるにつれて太くなっており、
各第１電極ブロックにおいて、前記第２の方向に隣接する他の第１電極ブロックであって、かつ前記光源から相対的に遠い方の第１電極ブロックの形成領域内に形成された２以上の部分電極の幅は、前記光源から遠ざかるにつれて細くなっており、
各第１電極ブロックにおいて、前記第２の方向に隣接する他の第１電極ブロックであって、かつ前記光源から相対的に近い方の第１電極ブロックの形成領域内に形成された２以上の部分電極の幅は、前記光源から遠ざかるにつれて太くなっている
（３）に記載の照明装置。
（１２）
前記電極は、前記一対の基板のうち他方の基板の表面に、１つの第２電極ブロック、または、前記第２の方向および前記第３の方向のうち少なくとも前記第２の方向に並んで配置された複数の第２電極ブロックを有し、
前記１または複数の第２電極ブロックは、第１の方向に延在すると共に前記第１の方向と交差する方向に配列された複数の部分電極を有し、
前記第２電極ブロックは、前記第１電極ブロックと正対する位置に配置されている
（２）ないし（１１）のいずれか１つに記載の照明装置。
（１３）
前記第１電極ブロックの前記光源からの距離に応じて変調された電圧を各第１電極ブロックに印加する駆動回路を備えた
（１）ないし（１２）のいずれか１つに記載の照明装置。
（１４）
前記複数の第１電極ブロックを所定の単位ごとに順次、駆動する駆動回路を備えた
（１）ないし（１３）のいずれか１つに記載の照明装置。
（１５）
前記一対の基板の少なくとも一方が、前記側面の法線と平行な方向に延在する複数の凸部を有し、
前記光源は、互いに独立駆動可能な複数の光源ブロックからなる
（１）ないし（１４）のいずれか１つに記載の照明装置。
（１６）
各凸部の高さは、前記光源に近い箇所で低く、前記光源から遠く離れた箇所で高くなっている
（１６）に記載の照明装置。
（１７）
各第１電極ブロックにおいて、前記複数の部分電極の幅は、前記光源側で細く、前記光源から遠ざかるにつれて太くなっている
（１）に記載の照明装置。
（１８）
映像を表示する表示パネルと、
前記表示パネルを照明する照明装置と
を備え、
前記照明装置は、
離間して互いに対向配置された一対の基板と、
前記一対の基板の少なくとも一方の側面に配置された光源と、
前記一対の基板のそれぞれの表面に設けられ、かつ前記基板の表面と直交する方向に電場を発生させる電極と、
前記一対の基板の間隙に設けられ、かつ前記電極によって生じる電場の大きさに応じて、前記光源からの光に対して散乱性もしくは透明性を示す光変調層と
を有し、
前記電極は、前記一対の基板のうち一方の基板の表面に配置された複数の第１電極ブロックを有し、
各第１電極ブロックは、第１の方向に延在すると共に前記第１の方向と交差する方向に配列された複数の部分電極を有する
表示装置。
（１９）
前記複数の第１電極ブロックを所定の単位ごとに順次駆動し、さらに、前記複数の第１電極ブロックの走査方向を、前記表示パネルの画素の走査方向と同じ方向とし、前記複数の第１電極ブロックの走査を、前記表示パネルの画素の走査と同期して行う駆動回路を備えた
（１８）に記載の表示装置。
（２０）
前記駆動回路は、前記複数の第１電極ブロックを所定の単位ごとに順次、駆動しつつ、前記光源からの距離や外部から入力される映像信号も考慮して、前記光源の光量を調節するようになっている
（１９）に記載の表示装置。

本出願は、日本国特許庁において２０１２年５月９日に出願された日本特許出願番号２０１２−１０７７７２号を基礎として優先権を主張するものであり、この出願のすべての内容を参照によって本出願に援用する。

当業者であれば、設計上の要件や他の要因に応じて、種々の修正、コンビネーション、サブコンビネーション、および変更を想到し得るが、それらは添付の請求の範囲やその均等物の範囲に含まれるものであることが理解される。

Claims (19)

1. 離間して互いに対向配置された一対の基板と、
   前記一対の基板の少なくとも一方の側面に配置された光源と、
   前記一対の基板のそれぞれの表面に設けられ、かつ前記基板の表面と直交する方向に電場を発生させる電極と、
   前記一対の基板の間隙に設けられ、かつ前記電極によって生じる電場の大きさに応じて、前記光源からの光に対して散乱性もしくは透明性を示す光変調層と
   を備え、
   前記電極は、前記一対の基板のうち一方の前記基板の表面に配置された複数の第１電極ブロックを有し、
   各前記第１電極ブロックは、第１の方向に延在すると共に前記第１の方向と交差する方向に配列された複数の部分電極を有し、
   前記複数の第１電極ブロックは、第２の方向および前記第２の方向と交差する第３の方向のうち少なくとも前記第２の方向に並んで配置され、
   各前記第１電極ブロックは、各前記第１電極ブロックの複数の前記部分電極が前記第２の方向に隣接する他の前記第１電極ブロックの複数の前記部分電極と絶縁された態様で、前記第２の方向に隣接する他の前記第１電極ブロックの形成領域の一部を含む領域に形成されており、
   各前記第１電極ブロックにおいて、２以上の前記部分電極は、前記第２の方向に隣接する他の前記第１電極ブロックの形成領域内に形成されると共に、前記第２の方向に隣接する他の前記第１電極ブロックに含まれる２以上の前記部分電極と混在して配置されている
   照明装置。
2. 各前記第１電極ブロックにおいて、２以上の前記部分電極は、前記第２の方向に隣接する他の前記第１電極ブロックの形成領域外に形成されている
   請求項１に記載の照明装置。
3. 前記第１の方向は、前記側面と平行または略平行な方向である
   請求項２に記載の照明装置。
4. 前記第２の方向は、前記側面と垂直または略垂直な方向である
   請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の照明装置。
5. 各前記第１電極ブロックは、各前記部分電極の端部に連結された第１連結部を有する
   請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の照明装置。
6. 前記複数の第１電極ブロックは、前記複数の部分電極および前記第１連結部によって形成される櫛歯の向きが交互に反転するように配置されている
   請求項５に記載の照明装置。
7. 各前記第１電極ブロックは、前記第２の方向に隣接する他の前記第１電極ブロックの形成領域外に形成された複数の前記部分電極のうち互いに隣接する２つの前記部分電極に連結された第２連結部を有する
   請求項５または請求項６に記載の照明装置。
8. 各前記第１電極ブロックにおいて、前記第２の方向に隣接する他の前記第１電極ブロックであって、かつ前記光源から相対的に遠い方の前記第１電極ブロックの形成領域内に形成された２以上の前記部分電極の幅は、前記光源から遠ざかるにつれて細くなっており、
   各前記第１電極ブロックにおいて、前記第２の方向に隣接する他の前記第１電極ブロックであって、かつ前記光源から相対的に近い方の前記第１電極ブロックの形成領域内に形成された２以上の前記部分電極の幅は、前記光源から遠ざかるにつれて太くなっている
   請求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載の照明装置。
9. 各前記第１電極ブロックにおいて、前記第２の方向に隣接する他の前記第１電極ブロックの形成領域外に形成された２以上の前記部分電極の幅は、前記光源から遠ざかるにつれて太くなっている。
   請求項２に記載の照明装置。
10. 各前記第１電極ブロックにおいて、前記第２の方向に隣接する他の前記第１電極ブロックの形成領域外に形成された２以上の前記部分電極の幅は、前記光源から遠ざかるにつれて太くなっており、
    各前記第１電極ブロックにおいて、前記第２の方向に隣接する他の前記第１電極ブロックであって、かつ前記光源から相対的に遠い方の前記第１電極ブロックの形成領域内に形成された２以上の前記部分電極の幅は、前記光源から遠ざかるにつれて細くなっており、
    各前記第１電極ブロックにおいて、前記第２の方向に隣接する他の前記第１電極ブロックであって、かつ前記光源から相対的に近い方の前記第１電極ブロックの形成領域内に形成された２以上の前記部分電極の幅は、前記光源から遠ざかるにつれて太くなっている
    請求項２に記載の照明装置。
11. 前記電極は、前記一対の基板のうち他方の前記基板の表面に、１つの第２電極ブロック、または、前記第２の方向および前記第３の方向のうち少なくとも前記第２の方向に並んで配置された複数の第２電極ブロックを有し、
    前記１または複数の第２電極ブロックは、第１の方向に延在すると共に前記第１の方向と交差する方向に配列された複数の部分電極を有し、
    前記第２電極ブロックは、前記第１電極ブロックと正対する位置に配置されている
    請求項１ないし請求項１０のいずれか一項に記載の照明装置。
12. 前記第１電極ブロックの前記光源からの距離に応じて変調された電圧を各前記第１電極ブロックに印加する駆動回路を備えた
    請求項１ないし請求項１１のいずれか一項に記載の照明装置。
13. 前記複数の第１電極ブロックを所定の単位ごとに順次、駆動する駆動回路を備えた
    請求項１ないし請求項１２のいずれか一項に記載の照明装置。
14. 前記一対の基板の少なくとも一方が、前記側面の法線と平行な方向に延在する複数の凸部を有し、
    前記光源は、互いに独立駆動可能な複数の光源ブロックからなる
    請求項１ないし請求項１３のいずれか一項に記載の照明装置。
15. 各前記凸部の高さは、前記光源に近い箇所で低く、前記光源から遠く離れた箇所で高くなっている
    請求項１４に記載の照明装置。
16. 各前記第１電極ブロックにおいて、前記複数の部分電極の幅は、前記光源側で細く、前記光源から遠ざかるにつれて太くなっている
    請求項１に記載の照明装置。
17. 映像を表示する表示パネルと、
    前記表示パネルを照明する照明装置と
    を備え、
    前記照明装置は、
    離間して互いに対向配置された一対の基板と、
    前記一対の基板の少なくとも一方の側面に配置された光源と、
    前記一対の基板のそれぞれの表面に設けられ、かつ前記基板の表面と直交する方向に電場を発生させる電極と、
    前記一対の基板の間隙に設けられ、かつ前記電極によって生じる電場の大きさに応じて、前記光源からの光に対して散乱性もしくは透明性を示す光変調層と
    を有し、
    前記電極は、前記一対の基板のうち一方の基板の表面に配置された複数の第１電極ブロックを有し、
    各第１電極ブロックは、第１の方向に延在すると共に前記第１の方向と交差する方向に配列された複数の部分電極を有し、
    前記複数の第１電極ブロックは、第２の方向および前記第２の方向と交差する第３の方向のうち少なくとも前記第２の方向に並んで配置され、
    各前記第１電極ブロックは、各前記第１電極ブロックの複数の前記部分電極が前記第２の方向に隣接する他の前記第１電極ブロックの複数の前記部分電極と絶縁された態様で、前記第２の方向に隣接する他の前記第１電極ブロックの形成領域の一部を含む領域に形成されており、
    各前記第１電極ブロックにおいて、２以上の前記部分電極は、前記第２の方向に隣接する他の前記第１電極ブロックの形成領域内に形成されると共に、前記第２の方向に隣接する他の前記第１電極ブロックに含まれる２以上の前記部分電極と混在して配置されている
    表示装置。
18. 前記複数の第１電極ブロックを所定の単位ごとに順次駆動し、さらに、前記複数の第１電極ブロックの走査方向を、前記表示パネルの画素の走査方向と同じ方向とし、前記複数の第１電極ブロックの走査を、前記表示パネルの画素の走査と同期して行う駆動回路を備えた
    請求項１７に記載の表示装置。
19. 前記駆動回路は、前記複数の第１電極ブロックを所定の単位ごとに順次、駆動しつつ、前記光源からの距離や外部から入力される映像信号も考慮して、前記光源の光量を調節するようになっている
    請求項１８に記載の表示装置。
    

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