JP6106990B2 - リソグラフィ用リンス剤、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
リソグラフィ用リンス剤、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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Description
そこで、プロセスでの対応策が種々検討されている。
しかし、この提案の技術では、リンス処理によってレジストパターンの表面を除去することでLWRの改善を実現しているため、所望のレジストパターンサイズの制御が難しく、十分な方法とは言えない。
しかし、炭素数2〜10の炭化水素基を有する多価アルコールについては、数種類の化合物が例示されているものの、リンス剤として具体的に効果が確認されているのは、グリセリンのみであり、他の炭素数2〜10の炭化水素基を有する多価アルコールについては、リンス剤としての効果は一切確認されていない。また、LWRの改善についても開示されていない。
開示のリソグラフィ用リンス剤は、炭素数6〜8の直鎖アルカンジオールと、水とを少なくとも含有することを特徴とする。
開示のレジストパターンの形成方法は、被加工面上に形成され露光処理が行われたレジスト膜に対して、現像液による現像を行う工程と、前記現像を行う工程に続いて、開示のリソグラフィ用リンス剤を用いてリンスを行う工程とを含むことを特徴とする。
開示の半導体装置の製造方法は、被加工面上に形成され露光処理が行われたレジスト膜に対して、現像液による現像を行う工程と、前記現像を行う工程に続いて、開示のリソグラフィ用リンス剤を用いてリンスを行う工程と、前記リンスを行う工程の後に、形成されたレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことにより前記被加工面をパターニングする工程とを含むことを特徴とする。
開示のレジストパターンの形成方法によれば、従来における前記諸問題を解決し、前記目的を達成することができ、レジストパターン形成の現像後のリンスにおいて、レジストパターン倒れを抑制し、更にレジストパターンサイズを必要以上に変動させることなく、LWRを改善できるレジストパターンの形成方法を提供できる。
開示の半導体装置の製造方法によれば、従来における前記諸問題を解決し、前記目的を達成することができ、レジストパターン形成の現像後のリンスにおいて、レジストパターン倒れを抑制し、更にレジストパターンサイズを必要以上に変動させることなく、LWRを改善できる半導体装置の製造方法を提供できる。
開示のリソグラフィ用リンス剤(以下、「リンス剤」と称することがある。)は、炭素数6〜8の直鎖アルカンジオールと、水とを少なくとも含有し、更に必要に応じて、その他の成分を含有する。
前記直鎖アルカンジオールとしては、炭素数6〜8であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、1,2−ヘキサンジオール、1,2−ヘプタンジオール、1,2−オクタンジオール、及び1,8−オクタンジオールの少なくともいずれかであることが、レジストパターン倒れの抑制効果が高い点、及びレジストパターン幅の不均一さ(LWR:Line width roughness)がより改善(低減)される点で好ましい。
前記直鎖アルカンジオールは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
前記水としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、純水(脱イオン水)が好ましい。
前記その他の成分としては、開示の効果を害しない限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、水溶性ポリマー、界面活性剤、有機溶剤、公知の各種添加剤などが挙げられる。
これらは、前記リンス剤を用いたリンス処理時のレジストパターンに対する表面張力の調整と親和性向上に有効である。
前記水溶性ポリマーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリビニルアセテート、ポリアクリル酸、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンイミン、ポリエチレンオキシド、スチレン−マレイン酸共重合体、ポリビニルアミン、ポリアリルアミン、オキサゾリン基含有水溶性樹脂、水溶性メラミン樹脂、水溶性尿素樹脂、アルキッド樹脂、スルホンアミド樹脂、セルロース、タンニン、これらを一部に含む樹脂などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
これらの中でも、安定性の点で、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリビニルアセテート、ポリビニルピロリドン、及びこれらを一部に含む樹脂の少なくともいずれかであることが好ましい。
前記界面活性剤としては、特に制限はなく目的に応じて適宜選択することができ、例えば、非イオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤、両性界面活性剤などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。これらの中でも、ナトリウム塩、カリウム塩等の金属イオンを含有しない点で、非イオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤が好ましい。
前記カチオン性界面活性剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、塩化セチルメチルアンモニウム、塩化ステアリルメチルアンモニウム、塩化セチルトリメチルアンモニウム、塩化ステアリルトリメチルアンモニウム、塩化ジステアリルジメチルアンモニウム、塩化ステアリルジメチルベンジルアンモニウム、塩化ドデシルメチルアンモニウム、塩化ドデシルトリメチルアンモニウム、塩化ベンジルメチルアンモニウム、塩化ベンジルトリメチルアンモニウム、塩化ベンザルコニウムなどが挙げられる。
前記炭素数6〜8の直鎖アルカンジオールの含有量と前記界面活性剤の含有量との合計が、前記好ましい範囲内である場合、又は前記より好ましい範囲内である場合の前記界面活性剤としては、より効果的にレジストパターン倒れが抑制される点、及びLWRがより改善される点で、前記カチオン性界面活性剤が好ましく、塩化ベンザルコニウムがより好ましい。
前記有機溶剤としては、特に制限はなく目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アルコール系有機溶剤、鎖状エステル系有機溶剤、環状エステル系有機溶剤、ケトン系有機溶剤、鎖状エーテル系有機溶剤、環状エーテル系有機溶剤などが挙げられる。
前記アルコール系有機溶剤としては、例えば、エタノール、イソプロピルアルコールなどが挙げられる。前記鎖状エステル系有機溶剤としては、例えば、酢酸2−ヒドロキシエチルなどが挙げられる。前記環状エステル系有機溶剤としては、例えば、γ-ブチロラクトンなどが挙げられる。前記ケトン系有機溶剤としては、例えば、アセトンなどが挙げられる。前記鎖状エーテル系有機溶剤としては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどが挙げられる。前記環状エーテル系有機溶剤としては、例えば、テトラヒドロフランなどが挙げられる。
これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
前記リソグラフィ用リンス剤は、レジスト材料を被加工面上に塗布して形成したレジスト膜に対して露光処理を行った後、アルカリ現像液などの現像液による現像処理に引き続き用いるリンス剤として使用することができる。
まず、被加工面上にレジスト膜を形成する。次いで、形成したレジスト膜に対し、露光処理を行う。前記露光処理は、レジストの種類によっては加熱を含んでいてもよい。
次に、前記露光処理の後の前記レジスト膜に対し、アルカリ現像液による現像処理を行う。前記アルカリ現像液には、例えば、2.38質量%テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)水溶液を用い、スピン、スキャン又は浸漬法で前記現像処理を行う。
次に、前記レジスト膜に付与された現像液が乾く前、即ち前記現像液が前記レジスト膜上に盛られた状態で、前記リンス剤を用いてリンス処理を行う。前記現像液が乾いていないレジストパターンに対し、前記リンス剤を用いて、例えば、スピン、スキャン又は浸漬法で前記リンス処理を行う。この時、前記リンス剤と前記レジストパターンとの親和性により、前記リンス剤が乾燥する際の表面張力が緩和され、レジストパターン倒れを抑制することが可能となる。また、この親和性によりレジストパターン壁面の凹凸が緩和され、前記LWRが改善されたレジストパターン形成が可能となる。
そして、前記リンス剤により前記レジストパターンの現像プロセスにおいて発生するレジストパターン倒れが抑制された結果、目的の微細パターンの形成が可能となる。
また、前記リンス剤により前記レジストパターン壁面の凹凸が低減され、前記レジストパターンのライン幅の均一性が向上する。
以上の結果、前記リソグラフィ用リンス剤を用いることで、従来以上に高精細、かつより高精度な前記レジストパターンが形成される。
前記レジストパターン(前記リソグラフィ用リンス剤によりリンス処理を行うレジストパターン)の材料としては、特に制限はなく、公知のレジスト材料の中から目的に応じて適宜選択することができ、ネガ型、ポジ型のいずれであってもよく、例えば、g線、i線、KrFエキシマレーザ、ArFエキシマレーザ、F2エキシマレーザ、電子線等でパターニング可能なg線レジスト、i線レジスト、KrFレジスト、ArFレジスト、F2レジスト、EUVレジスト、電子線レジストなどが挙げられる。これらは、化学増幅型であってもよいし、非化学増幅型であってもよい。前記レジストパターンの材料の具体例としては、例えば、ノボラック系レジスト、PHS(ポリヒドロキシスチレン)系レジスト、アクリル系レジスト、シクロオレフィン−マレイン酸無水物系(COMA系)レジスト、シクロオレフィン系レジスト、ハイブリッド系(脂環族アクリル系−COMA系共重合体)レジストなどが挙げられる。これらは、フッ素修飾などがされていてもよい。
これらの中でも、より微細なパターニング、スループットの向上等の観点からアクリル系樹脂を含むレジスト、及びヒドロキシスチレン樹脂を含むレジストの少なくともいずれかがより好ましい。
開示のレジストパターンの形成方法は、現像を行う工程(現像工程)と、リンスを行う工程(リンス工程)とを少なくとも含み、好ましくは、加熱を行う工程(加熱工程)、第二のリンスを行う工程(第二のリンス工程)を含み、更に必要に応じて、その他の工程を含む。
前記現像工程としては、被加工面上に形成され露光処理が行われたレジスト膜に対して、現像液による現像を行う工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記リンス工程としては、前記現像工程に続いて、開示の前記リソグラフィ用リンス剤を用いてリンスを行う工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アルカリ現像液による現像後のレジストパターンに対し、前記リソグラフィ用リンス剤をスピン、スキャン、又は浸漬して処理する工程などが挙げられる。具体的には、例えば、アルカリ現像液による現像に用いる装置と同様の装置を用い、アルカリ現像液による現像に引き続いて、レジスト膜に付与されたアルカリ現像液が乾く前、即ちアルカリ現像液がレジスト膜上に盛られた状態で、前記レジスト膜(レジストパターン)上に前記リンス剤を滴下又は浸漬し、前記アルカリ現像液を置換した上で振り切り、乾燥処理を行う。
前記加熱工程としては、前記リンス工程に続いて、加熱を行う工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、オーブン又はホットプレートで前記レジストパターンを加熱する方法などが挙げられる。加熱を行うことにより、前記リソグラフィ用リンス剤と前記レジストパターンとの親和性が向上し、特にLWR改善への効果が高まる。
前記第二のリンス工程としては、前記リンスを行う工程の後に、純水を用いて第二のリンスを行う工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記第二のリンス工程は、前記リンス工程に用いた前記リソグラフィ用リンス剤が乾く前に行うことが好ましい。
前記レジストパターンの形成方法が、前記加熱工程を含む場合、前記第二のリンス工程は、前記加熱工程の前に行ってもよいし、前記加熱工程の後に行ってもよい。
前記レジストパターンの形成方法により形成されたレジストパターンは、例えば、マスクパターン、レチクルパターンなどとして使用することができる。
前記レジストパターンの形成方法は、金属プラグ、各種配線、磁気ヘッド、LCD(液晶ディスプレイ)、PDP(プラズマディスプレイパネル)、SAWフィルタ(弾性表面波フィルタ)等の機能部品、光配線の接続に利用される光部品、マイクロアクチュエータ等の微細部品、半導体装置の製造に好適に使用することができ、さらに、後述する本発明の半導体装置の製造方法に好適に使用することができる。
開示の半導体装置の製造方法は、現像を行う工程(現像工程)と、リンスを行う工程(リンス工程)と、パターニングする工程(パターニング工程)とを少なくとも含み、好ましくは、加熱を行う工程(加熱工程)、第二のリンスを行う工程(第二のリンス工程)を含み、更に必要に応じて、その他の工程を含む。
前記現像工程としては、被加工面上に形成され露光処理が行われたレジスト膜に対して、現像液による現像を行う工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、開示の前記レジストパターンの形成方法において例示した前記現像工程などが挙げられる。
前記リンス工程としては、前記現像工程に続いて、開示の前記リソグラフィ用リンス剤を用いてリンスを行う工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、開示の前記レジストパターンの形成方法において例示した前記リンス工程などが挙げられる。
前記パターニング工程としては、前記リンスを行う工程の後に、形成されたレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことにより前記被加工面をパターニングする工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記エッチングの方法としては、特に制限はなく、公知の方法の中から目的に応じて適宜選択することができるが、ドライエッチングが好ましい。前記エッチングの条件としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記加熱工程としては、前記リンス工程に続いて、加熱を行う工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、開示の前記レジストパターンの形成方法において例示した前記加熱工程などが挙げられる。
前記加熱工程は、前記リンス工程に続いて、前記パターニン工程の前に行うことが好ましい。
前記第二のリンス工程としては、前記リンスを行う工程の後に、純水を用いて第二のリンスを行う工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、開示の前記レジストパターンの形成方法において例示した前記第二のリンス工程などが挙げられる。
前記第二のリンス工程は、前記リンス工程の後であって、前記パターニング工程の前に行うことが好ましい。
<リソグラフィ用リンス剤の調製>
下記に示す(A)直鎖アルカンジオール、(B)添加剤、(C)水溶性ポリマー、及び(D)溶媒を用意した。
(A)直鎖アルカンジオール
A−1:1,2−ヘプタンジオール(東京化成株式会社製)
A−2:1,2−ヘキサンジオール(東京化成株式会社製)
A−3:1,2−オクタンジオール(東京化成株式会社製)
A−4:1,8−オクタンジオール(東京化成株式会社製)
(B)添加剤
B−1:ジメチロールプロピオン酸ヘキシル系界面活性剤(界面活性剤、日光ケミカル株式会社製)
B−2:ポリオキシエチレンラウリルエーテル系界面活性剤(界面活性剤、花王株式会社製)
B−3:N,N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミン(関東化学株式会社製)
B−4:塩化ベンザルコニウム(界面活性剤、和光純薬工業株式会社製)
(C)水溶性ポリマー
C−1:ポリビニルアルコール(PVA−205C、株式会社クラレ製)
C−2:ポリビニルピロリドン(関東化学株式会社製)
(D)溶媒
D−1:水
D−2:イソプロピルアルコール
表1において、括弧内の数値は質量部を示す。
以下の物質を混合し、評価に用いるレジスト(化学増幅型ポジレジスト)材料を調製した。
〔レジスト材料の配合〕
樹脂:30モル%t−ブトキシカルボニル(t−Boc)化ポリp−ヒドロキシスチレン(丸善石油化学株式会社製) 100質量部
光酸発生剤:トリフェニルスルフォニウムノナフルオロブタンスルホネート(みどり化学株式会社製) 8質量部
添加剤 :ヘキシルアミン(関東化学株式会社製) 0.5質量部
溶剤 :プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(関東化学株式会社製) 700質量部
次に、前記の工程を通して得られたレジストパターンを、走査型電子顕微鏡(SEM)で観察し、レジストパターン(レジストラインパターン)倒れの状況、レジストパターン(レジストラインパターン)幅の変化及び得られたレジストラインパターンのライン幅を計測した。表2に結果を示す。
レジストパターン倒れに対する効果については、100本のレジストラインパターン中で倒れた数を計測し、その本数から以下の基準で表すものとした。
〔基準〕
◎:倒れたレジストパターンの本数が、10本未満
○:倒れたレジストパターンの本数が、10本以上30本未満
△:倒れたレジストパターンの本数が、30本以上50本未満
×:倒れたレジストパターンの本数が、50本以上
LWRについては、測長SEMを用いて観察した、長さ約720nmの領域でのライン幅の25点の平均値を元に、線幅のばらつきの標準偏差(σ)を3倍することで求め、さらに、未処理時(リンス剤No.1を用いた場合)のLWR値に対する処理後のLWR値の改善量の割合を以下の式により求め、それを「LWR改善値(%)」と定義した。
LWR改善値(%)=
〔(未処理時のLWR値−処理後のLWR値)/(未処理時のLWR値)〕×100
現像後のプロセスフローの影響について、以下の3通りの工程を通した場合のレジストパターン倒れ、レジストパターン幅の変化、及びLWR改善に対する効果を評価した。結果を表3−1〜表3−3に示す。
(I)アルカリ現像→リンス処理→スピン乾燥
(II)アルカリ現像→リンス処理→スピン乾燥→ベーク(110℃で60秒間)
(III)アルカリ現像→リンス処理→純水リンス→スピン乾燥
評価したリソグラフィ用リンス剤は、表1のリンス剤No.1、4、及び8の3種とし、レジストパターン倒れに対する効果、レジストパターン幅の変化、及びLWR改善値は、前記と同様に求めた。ただし、処理(II)、及び処理(III)のLWR改善値は、リンス剤No.1の処理(I)のLWR値を未処理時として求めた。
これに対し、リソグラフィ用リンス剤No.1については、ベークの追加及び純水リンスの追加で改善は見られず、リンス剤No.8については、純水リンスを追加した処理(III)でレジストパターンの細りとLWRの悪化が観察された。
なお、処理(II)において、ベーク後に純水リンスを行い、更にスピン乾燥を行うプロセスフローについても評価したが、処理(II)と同等の結果が得られた。
<レジストパターンの形成>
米国公開公報US2011/0159429A1に記載の実施例を参考にして、以下の組成で評価に用いるレジスト(化学増幅型ポジレジスト)材料を調製した。
〔レジスト材料の配合〕
樹脂 :下記構造式の樹脂 40質量部
溶剤 :プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(関東化学株式会社製)
1,100質量部
溶剤 :γ−ブチロラクトン(東京化成工業株式会社製)200質量部
次に、前記の工程を通して得られたレジストパターンを、走査型電子顕微鏡(SEM)で観察し、実施例1と同様にして評価した。表4に結果を示す。
<半導体装置の作製>
図1Aに示すように、シリコン基板11上に層間絶縁膜12を形成し、続いて、図1Bに示すように、層間絶縁膜12上にスパッタリング法によりチタン膜13を形成した。次に、図1Cに示すように、電子線露光によりレジストパターン14を形成し、これをマスクとして用い、反応性イオンエッチングによりチタン膜13をパターニングして開口部15aを形成した。引き続き、反応性イオンエッチングによりレジストパターン14を除去するととともに、図1Dに示すように、チタン膜13をマスクにして層間絶縁膜12に開口部15bを形成した。
次に、チタン膜13をウェット処理により除去し、図1Eに示すように層間絶縁膜12上にTiN膜16をスパッタリング法により形成し、続いて、TiN膜16上にCu膜17を電解めっき法で成膜した。次いで、図1Fに示すように、CMP(Chemical Mechanical Polishing、化学機械研磨)にて開口部15b(図1D)に相当する溝部のみにバリアメタルとCu膜(第一の金属膜)を残して平坦化し、第一層の配線17aを形成した。
次いで、図1Gに示すように、第一層の配線17aの上に層間絶縁膜18を形成した後、図1A〜図1Fと同様にして、図1Hに示すように、第一層の配線17aを、後に形成する上層配線と接続するCuプラグ(第二の金属膜)19及びTiN膜16aを形成した。
上述の各工程を繰り返すことにより、図1Iに示すように、シリコン基板11上に第一層の配線17a、第二層の配線20a、及び第三層の配線21aを含む多層配線構造を備えた半導体装置を製造した。なお、図1Iにおいては、各層の配線の下層に形成したバリアメタル層は、図示を省略した。
この実施例3では、レジストパターン14を形成する際に、実施例1のリソグラフィ用リンス剤No.4を用いた。
また、層間絶縁膜12は、誘電率2.7以下の低誘電率膜であり、例えば、多孔質シリカ膜(「セラメート NCS」;触媒化成工業株式会社製、誘電率2.25)、C4F8とC2H2との混合ガス若しくはC4F8ガスをソースとして用い、これらをRFCVD法(パワー400W)により堆積形成したフルオロカーボン膜(誘電率2.4)などである。
また、開示のリソグラフィ用リンス剤は、各種のパターニング方法、半導体の製造方法などに好適に適用することができ、開示のリソグラフィ用リンス剤は、開示のレジストパターンの形成方法、開示の半導体装置の製造方法に特に好適に用いることができる。
開示の半導体装置の製造方法は、フラッシュメモリ、DRAM、FRAMなどを初めとする各種半導体装置の製造に好適に用いることができる。
(付記1) 炭素数6〜8の直鎖アルカンジオールと、水とを少なくとも含有することを特徴とするリソグラフィ用リンス剤。
(付記2) 前記炭素数6〜8の直鎖アルカンジオールの含有量が、前記水100質量部に対して0.2質量部以上である付記1に記載のリソグラフィ用リンス剤。
(付記3) 前記炭素数6〜8の直鎖アルカンジオールが、1,2−ヘキサンジオール、1,2−ヘプタンジオール、1,2−オクタンジオール、及び1,8−オクタンジオールの少なくなくともいずれかである付記1から2のいずれかに記載のリソグラフィ用リンス剤。
(付記4) 更に、界面活性剤を含有する付記1から3のいずれかに記載のリソグラフィ用リンス剤。
(付記5) 前記界面活性剤が、塩化ベンザルコニウムである付記4に記載のリソグラフィ用リンス剤。
(付記6) 更に、水溶性ポリマーを含有する付記1から5のいずれかに記載のリソグラフィ用リンス剤。
(付記7) 前記水溶性ポリマーが、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリビニルアセテート、ポリビニルピロリドン、及びこれらを一部に含む樹脂の少なくともいずれかである付記6に記載のリソグラフィ用リンス剤。
(付記8) 被加工面上に形成され露光処理が行われたレジスト膜に対して、現像液による現像を行う工程と、
前記現像を行う工程に続いて、付記1から7のいずれかに記載のリソグラフィ用リンス剤を用いてリンスを行う工程とを含むことを特徴とするレジストパターンの形成方法。
(付記9) 前記リンスを行う工程に続いて、加熱を行う工程を含む付記8に記載のレジストパターンの形成方法。
(付記10) 前記リンスを行う工程の後に、純水を用いて第二のリンスを行う工程を含む付記8から9のいずれかに記載のレジストパターンの形成方法。
(付記11) 被加工面上に形成され露光処理が行われたレジスト膜に対して、現像液による現像を行う工程と、
前記現像を行う工程に続いて、付記1から7のいずれかに記載のリソグラフィ用リンス剤を用いてリンスを行う工程と、
前記リンスを行う工程の後に、形成されたレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことにより前記被加工面をパターニングする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記12) 前記リンスを行う工程に続いて、前記パターニングする工程の前に、加熱を行う工程を含む付記11に記載の半導体装置の製造方法。
(付記13) 前記リンスを行う工程の後であって、前記パターニングする工程の前に、純水を用いて第二のリンスを行う工程を含む付記11から12のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
12 層間絶縁膜
13 チタン膜
14 レジストパターン
15a 開口部
15b 開口部
16 TiN膜
16a TiN膜
17 Cu膜
17a 配線
18 層間絶縁膜
19 Cuプラグ
20 配線
21 配線
Claims (7)
- 炭素数6〜8の直鎖アルカンジオールと、水と、界面活性剤とを少なくとも含有し、前記界面活性剤が塩化ベンザルコニウムであることを特徴とするリソグラフィ用リンス剤。
- 前記炭素数6〜8の直鎖アルカンジオールの含有量が、前記水100質量部に対して0.2質量部以上である請求項1に記載のリソグラフィ用リンス剤。
- 前記炭素数6〜8の直鎖アルカンジオールが、1,2−ヘキサンジオール、1,2−ヘプタンジオール、1,2−オクタンジオール、及び1,8−オクタンジオールの少なくなくともいずれかである請求項1から2のいずれかに記載のリソグラフィ用リンス剤。
- 被加工面上に形成され露光処理が行われたレジスト膜に対して、現像液による現像を行う工程と、
前記現像を行う工程に続いて、前記レジスト膜に付与された前記現像液が乾燥する前に、請求項1から3のいずれかに記載のリソグラフィ用リンス剤を用いてリンスを行う工程とを含むことを特徴とするレジストパターンの形成方法。 - 前記リンスを行う工程に続いて、加熱を行う工程を含む請求項4に記載のレジストパターンの形成方法。
- 前記リンスを行う工程の後に、純水を用いて第二のリンスを行う工程を含む請求項4から5のいずれかに記載のレジストパターンの形成方法。
- 被加工面上に形成され露光処理が行われたレジスト膜に対して、現像液による現像を行う工程と、
前記現像を行う工程に続いて、前記レジスト膜に付与された前記現像液が乾燥する前に、請求項1から3のいずれかに記載のリソグラフィ用リンス剤を用いてリンスを行う工程と、
前記リンスを行う工程の後に、形成されたレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことにより前記被加工面をパターニングする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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