JP6329614B2 - 誘導結合プラズマ(icp)リアクタ用動的イオンラジカルシーブ及びイオンラジカルアパーチャ - Google Patents
誘導結合プラズマ(icp)リアクタ用動的イオンラジカルシーブ及びイオンラジカルアパーチャ Download PDFInfo
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Description
は、基板のエッチング方法及び装置が開示されている。
パターンをエッチングする反応性イオン及び中性粒子のプラズマに曝露される。このよう
なプロセスは、典型的には、その後半導体基板のフォトリソグラフィパターニングで使用
される基板内にパターンをエッチングするために使用される。基板は通常、片側にクロム
及び/又はモリブデンをドープした窒化ケイ素の層を備えたガラス又は石英である。層は
、反射防止コーティング及び感光性レジストで覆われ、パターニングされたUV光への露
光によってパターニングされる。レジストの露光部分を溶解して、下地のクロム層がプラ
ズマエッチングによりパターニングされる。
からの反応性イオン及びラジカルは、基板表面と反応して、表面から材料を除去する。基
板表面上のある位置における材料除去又はエッチングの速度は、その場所に隣接する反応
種の濃度に比例する。マイクロローディング、アスペクト比の変化、プラズマ効果、及び
チャンバ効果のために、基板の表面全域に亘る反応種の濃度の均一性は、しばしばばらつ
き、基板全域に亘るエッチングレートのばらつきをもたらす。多くの場合、エッチング速
度は、基板の中心付近でより高く、周辺部付近でより低く観察される。
前駆体の温度及びプラズマの熱プロファイルを制御する熱的方法、及びチャンバ内の異な
る位置に配置された電極を備えた電磁的方法を含む。しかしながら、動的に調節可能な方
法で、プラズマの密度分布に影響を与える方法及び装置の必要性が、依然として存在する
。
を用いて基板をエッチングする装置及び方法を提供する。イオンエッチングチャンバは、
処理領域を囲むチャンバ本体と、処理領域内に配置され、基板受け面を有する基板支持体
と、基板受け面に対向するチャンバ本体の壁に配置されたプラズマ源と、プラズマ源と基
板受け面との間に配置されたイオンラジカルシールドと、イオンラジカルシールドと基板
受け面との間の可動アパーチャ部材を含む。可動アパーチャ部材は、リフトリングとリフ
ト支持体を含むリフトアセンブリによって、リフトリングからアパーチャ部材まで駆動さ
れる。イオンラジカルシールドは、アパーチャ部材を貫通して配置されたシールド支持体
によって支持される。アパーチャの大きさ、形状、及び/又は中心軸の位置は、インサー
トを使用して変更することができる。
を基板支持体上に配置された基板のより近くに、又は基板からより遠くに移動することが
できる。本明細書内に記載される基板処理方法は、イオンエッチングチャンバのイオンラ
ジカルシールドと基板受け面の間にアパーチャ部材を配置する工程と、基板受け面のより
近くに、又は基板受け面からより遠くにアパーチャ部材を移動することによって、基板受
け面近くの反応種の密度プロファイルを制御する工程を含む。
部材からより遠くにイオンラジカルシールドを移動するためにイオンラジカルシールドに
結合することができ、一方、アパーチャ部材は固定部材から支持される。
発明のより具体的な説明を、実施形態を参照して行う。実施形態のいくつかは添付図面に
示されている。しかしながら、添付図面は本発明の典型的な実施形態を示しているに過ぎ
ず、したがってこの範囲を制限していると解釈されるべきではなく、本発明は他の等しく
有効な実施形態を含み得ることに留意すべきである。
番号を使用している。一実施形態で開示された要素を、特に説明することなく、他の実施
形態で有益に利用してもよいと理解される。
るための方法及び装置を提供する。図1は、一実施形態に係る処理チャンバ100の概略
側断面図である。本明細書に開示された教示における使用に適合可能な適切な処理チャン
バは、例えば、Decoupled Plasma Source(DPS(商標名))
IIリアクタ、又は基板エッチングシステムのTetra(商標名)ファミリーを含み、
これらすべてがカリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアル社(Applie
d Materials, Inc.)から入手可能である。本明細書内で図示される処
理チャンバ100の特定の実施形態は、例示の目的のために提供され、本発明の範囲を制
限するために使用されるべきではない。なお、本発明は、他の製造業者によるものを含め
た他のプラズマ処理チャンバで使用可能であることが理解される。
された処理容積106を含む。処理チャンバ100は、処理容積106内にプラズマを供
給する又はプラズマを発生させるためのプラズマ源122を含む。プラズマ源122は、
処理容積106内に誘導結合プラズマを発生させるためのチャンバ蓋104の上方に配置
されたアンテナ110を含むことができる。アンテナ110は、1以上の同軸コイル部1
10a、110bを含むことができる。アンテナ110は、整合回路網114を介してプ
ラズマ電源112に結合することができる。
積106内に配置される。凸部130は、処理容積106内の所望の位置に基板1を位置
決めするためのステージとして機能することができる。凸部130の上面182は基板受
け面として機能する。支持アセンブリ108は、電気接続部128によってチャック電源
126に接続される少なくとも1つのクランプ電極118を有する静電チャック116を
含むことができる。支持アセンブリ108は、他の基板保持機構(例えば、サセプタクラ
ンプリング、メカニカルチャック、真空チャックなど)を含むことができる。支持アセン
ブリ108は、温度制御用のヒータ電源120及びヒートシンク129に結合された抵抗
ヒータ124を含むことができる。
、インピーダンス整合回路127がチャック電源126とクランプ電極118の間に介在
してもよい。チャック電源126からのバイアス電力又はプラズマ電源112からのソー
ス電力又はその両方は、パルス状又は連続とすることができる。チャック電源126及び
/又はプラズマ電源112は、周波数が約1kHz〜約10kHzで、デューティサイク
ルが約10%〜約90%、最小パルス持続時間が約10μsecのパルス状のRF電力を
供給するように動作可能である。整合回路114及び/又は整合回路127は、約50Ω
の負荷で安定したプラズマを供給するように動作可能であってもよい。
1を搬送するためのアダプタ134も含む。アダプタ134は、静電チャック116の上
に配置され、凸部130が貫通することができる穴136を有することができる。アダプ
タ134は、リフト機構138に結合された複数のリフトピン140によって静電チャッ
ク116から持ち上げることができる。典型的なアダプタは、「Mask Etch P
rocessing Apparatus(マスクエッチング処理装置)」と題される米
国特許第7,128,806号に記載されている。
ルド142を含むこともできる。イオンラジカルシールド142は、チャンバ壁102及
び支持アセンブリ108から電気的に分離することができる。イオンラジカルシールド1
42は、複数の貫通孔148と、平板146を支持し、平板146を支持アセンブリ10
8の上方に一定距離で位置決めする複数のシールド支持体150を有する実質的な平板1
46を含む。複数のシールド支持体150は、静電チャック116、アダプタ134又は
バッフル156の上に配置することができる。複数の貫通孔148は、平板146の開放
領域152に閉じ込めることができる。開放領域152は、処理容積106の上部容積1
54内に形成されたプラズマからイオンラジカルシールド142と支持アセンブリ108
の間に位置する下部容積144へと通過するイオンの量を制御する。貫通孔148によっ
て覆われる面積範囲は、上面182の面積範囲より大きくてもよい。例示的なイオンラジ
カルシールドは、「Method and Apparatus for Substr
ate Plasma Etching(基板のプラズマエッチングのための方法及び装
置)」と題される米国特許第7,909,961号に見出すことができる。
口160に接続される。真空ポンプ164は、スロットルバルブ162を介して処理容積
106に結合される。バッフル156は、スロットルバルブ162の上流の支持アセンブ
リ108の周りに配置することができ、これによって処理容積162内での均一な流量分
布を可能にし、コンダクタンスの非対称性を補償する。
170(支持ピンであってもよい)の上に、イオンラジカルシールド142と支持アセン
ブリ108の間で支持されるアパーチャ部材168を含む。アパーチャ部材168は、ア
パーチャ部材と、凸部130の上面182との間の処理ゾーン145から下部容積144
を分離する。シャフト174を介してリフトリング172に結合されたリニアアクチュエ
ータなどのアクチュエータ176(例えば、油圧シリンダ、空気圧シリンダ又は電動スク
リューアクチュエータ)は、アパーチャ部材168を支持アセンブリ108のより近くに
、又は支持アセンブリ108からより遠くに動かす。アパーチャ部材168の移動は、支
持アセンブリ108上の基板近くの反応種の分布を調整する。
188は、概して、アパーチャ部材168を越えて支持アセンブリ108に向かって延長
部を有する環状部材である。縁部シールド188の延長部は、アパーチャ部材168の周
りを支持アセンブリ108及び載置された任意の基板へと流れる処理ガスを防ぐことがで
きる。
されており、これを通して処理ガスが基板1に接触するように流れる。アパーチャは、基
板1の対応する寸法よりも大きい寸法を有するように図1に示されているが、いくつかの
実施形態では、アパーチャの寸法は、基板1の対応する寸法よりも小さいか、又は基板1
の対応する寸法と同じ大きさであることが可能である。アパーチャの寸法及びその基板ま
での近さは、基板表面全域に亘る反応種の分布に影響を及ぼす。いくつかの実施形態では
、アパーチャ部材168は、凸部130の上面182に所望の分布に反応種を集めるフォ
ーカス板であってもよい。
置される。リフトリング172は、シャフト174の上に実質的に水平姿勢に取り付けら
れる。シャフト174は、アクチュエータ176によって駆動され、処理容積106内で
リフトリング172を上下に移動させる。3以上のリフト支持体170は、リフトリング
172から上方に延び、アパーチャ部材168を支持アセンブリ108の上方に位置決め
する。3以上のリフト支持体170は、アパーチャ部材168をリフトリング172に固
定して取り付ける。アパーチャ部材168は、処理容積106内でリフトリング172と
共に上下に移動し、これによってアパーチャ部材168は、基板1の上方に所望の距離で
位置決めすることができ、及び/又は基板1を搬送するためにアパーチャ部材168と支
持アセンブリ108の間の処理容積106に外部基板ハンドリング装置が入ることができ
る。
うに配置することができる。一実施形態では、3以上のリフト支持体170の各々は、イ
オンラジカルシールドを支持する複数のシールド支持体150の1つの近くに配置して、
これによって基板1へのアクセスを最大化することができる。
板であり、これによってアパーチャ部材168は処理容積106内で処理ガス又はプラズ
マの下向きの流れを遮断することができる。一実施形態では、チャンバ壁102は円筒形
であり、アパーチャ部材168はチャンバ壁102の内径よりもわずかに小さい外径を有
する円盤であることができる。アパーチャ178は、静電チャック116の凸部130と
位置合わせされ、基板1と実質的に平行に位置決めすることができる。アパーチャ178
は、処理ガス又は活性種に対して制限された経路を提供し、基板1が配置される凸部13
0に向かって下方へと流し、こうして基板1のプラズマへの曝露を制御する。
ように、第2部材(インサートなど)を支持するために輪郭形成可能な縁部179を有す
る。輪郭の断面形状は、面取り、曲面、又は階段状のいずれであってもよい。縁部179
の輪郭は、イオンラジカルシールド142に対向しており、これによってアパーチャ部材
168と実質的に平行な関係でアパーチャ178内に第2部材を支持することができる。
縁部179が面取りを有する一実施形態では、面取りは、アパーチャ部材168の面を基
準にして、約75°までの任意の角度で機械加工された直線斜面であることができる。他
の実施形態では、面取りは、必要に応じて、曲面又はファセットとすることができる。い
くつかの実施形態では、縁部179は、面取り部分及び直線部分によって、部分的に面取
りされてもよい。例えば、イオンラジカルシールド142に対向するアパーチャ部材16
8の表面に近接した縁部179の第1部分は面取りされ、一方、凸部130の上面182
に対向するアパーチャ部材168の表面に近接した縁部179の第2部分は直線(すなわ
ち、上面182に対して実質的に直角)であることができる。このような部分的に面取り
された縁部は、アパーチャ部材168によって入れ子にされた一定寸法のインサートの安
定性を向上させることができる。
る。アパーチャ178は、基板1の上面112よりもわずかに大きくして、基板1の表面
全域に亘る反応種の分布に影響を及ぼすのに適したプロセスウィンドウを提供することが
できる。例えば、アパーチャ178は、約6×6インチよりも大きくてもよい。アパーチ
ャ部材168と凸部130の上面182との間の距離180は、基板1が所望のプラズマ
曝露を達成するように調整することができる。
ルシールド142の下方かつ支持アセンブリ108の上方に移動可能に配置することがで
きる。アパーチャ部材168は複数の穴184を有することができ、これによってイオン
ラジカルシールド142の平板146を支持する複数のシールド支持体150を収容する
ことができる。穴184は、貫通孔、切欠き、ノッチ、又はアパーチャ部材168がシー
ルド支持体150に影響を与えることなく自由に移動可能なように形成された他の種類の
穴であってもよい。
ラジカルやイオン)は、平板146及びアパーチャ部材168のアパーチャ178を通っ
て基板1へと通過する。アパーチャ部材168は、下部容積144から処理領域145ま
でのラジカル及びイオンのための流れ経路を作ることによって、基板1の上面近傍のラジ
カル及びイオンの分布を制御する。アパーチャ178を通過した種が、基板1の縁部及び
/又は側部に到達しないように、アパーチャ178を形作る及び/又は配置することがで
きる。アパーチャ178はまた、基板1の全面に亘って活性種の密度を制御するように形
作り、大きさに作り、及び/又は配置することもできる。一実施形態では、アパーチャ部
材168を基板1よりもイオンラジカルシールド142により近く配置することによって
、基板1の中央領域近傍の活性種密度を低減し、基板の周辺領域近傍の密度を増加させる
ことができる。
一実施形態では、アパーチャ部材168は、石英やセラミックス(とりわけ、アルミナ、
イットリア(酸化イットリウム)、K140(京セラから入手可能な独自材料)など、こ
れらの組み合わせ及び合金を含む)から形成することができる。アパーチャ部材168は
、いくつかの実施形態では、コーティングされてもよい。セラミックスコーティングされ
た金属材料(例えば、蒸着又は溶射されたセラミックスコーティング(例えば、アルミナ
(Al2O3)又はイットリア(Y2O3))でコーティングされた陽極酸化アルミニウ
ム又はアルミニウム)が、有用であるかもしれない。
てバイアス電圧を供給するために、又はプラズマ処理への曝露からの電圧の蓄積を除去す
るために通電することができる。電気的接続181は、電圧蓄積を除去するために、チャ
ンバ壁102などの接地経路を設けることができる。スイッチなどの制御素子(図示せず
)が設けられてもよい。電気的接続181に電源を結合することによって、バイアス電圧
をアパーチャ部材168に印加することができる。RF源177は、インピーダンス整合
回路でもある又はインピーダンス整合回路を含むこともできるフィルタ回路183と共に
、図1に示される。アパーチャ部材168にバイアスを掛けるために、電気的接続181
は、一般に、アパーチャ部材168の導電部(例えば、アパーチャ部材168がセラミッ
クスコーティングされた金属部材である場合は、金属部分)に結合される。
、一実施形態に係るアパーチャアセンブリ266の部分斜視図である。
68をバッフル156と平板146の間に位置決めしている。複数の貫通孔184は、バ
ッフル156の上に平板146を支持するシールド支持体150を収容する。シールド支
持体150及びリフト支持体170を千鳥配置にすることによって、アパーチャ部材16
8は、バッフル156及び平板146から独立して移動することができる。
リング172は、側部延長部202を有するリング状本体204を含むことができる。リ
ング状本体204は、支持アセンブリ108(図1)を囲むのに十分な大きさの内側穴2
06を有する。側部延長部202は、リング状本体204から半径方向外側に配置される
。側部延長部202によって、リフトループ172は、側部からアクチュエータに接続す
ることができる。側部駆動配置によって、リフトリング172及びアパーチャ部材168
は、バッフル156及びイオンラジカルシールド142の平板146とは別の駆動機構を
有することができ、これによって処理チャンバ100のプロセスの柔軟性を向上させるこ
とができる。
ることができ、これによって基板1の表面全域に亘って活性種の分布を制御し、及び/又
は、基板1及び他のチャンバ部品の移動を可能にする。
06は、支持アセンブリ108の凸部130の上方のある距離302に配置される。下方
処理位置において、処理される基板1の近くにアパーチャ部材168を配置することによ
って、距離302は約1.0インチ未満(例えば、約0.4インチ〜約0.6インチ(例
えば、約0.42インチ))になる。下方処理位置では、アパーチャ部材168は、アパ
ーチャ178を通って流れるラジカル及びイオンが横方向に広がることを抑制し、基板1
全域に亘る活性種の相対的に均一な密度をもたらす。
06は、支持アセンブリ108の凸部130の上方のある距離304に配置される。上方
処理位置では、アパーチャ部材168は、アパーチャ178を通って流れるラジカル及び
イオンが、基板1に接触する前に横方向に広がることを可能にする。ラジカル及びイオン
が横方向に広がるので、基板1の周辺部近傍の活性種の密度は、基板1の中心部付近の活
性種の密度よりも低くなる。こうして、アパーチャ部材168と基板1との間の距離を調
整することによって、基板1近傍の活性種の密度分布を制御することができる。上方処理
位置では、距離302は、少なくとも約1.5インチ(例えば、約1.6インチ〜約2.
2インチ(例えば、約2.1インチ))とすることができる。
ことができるような搬送位置におけるアパーチャ部材168を示す側断面図である。リフ
トリング172及びアパーチャ部材168は上昇され、これによってアパーチャ部材16
8と凸部130の間に基板搬送用の空間を作る。
理の間に動的に調整し、これによって各基板に対して最適な反応種の均一性を達成するこ
とができる。アパーチャ部材168と凸部130の間の距離が最大化される場合、中心部
のエッチング速度と周辺部のエッチング速度の差が最大化され、距離が最小化される場合
、エッチング速度の差が最小化される。この機能は、エッチング速度の均一性におけるパ
ターン効果を補償するために使用することができる。
側断面図である。アパーチャ部材168は、平面円盤状本体402を有する。平面円盤状
本体402は、円筒状の側壁を有する処理チャンバで使用するために円形であることがで
きる。アパーチャ178は、平面円盤状本体402の中央領域を貫通して形成される。ア
パーチャ178は、正方形の基板1を処理するために正方形であることができる。アパー
チャは、概して、プラズマチャンバ内で処理される基板の形状に沿うように形成される。
アパーチャ178は、本明細書内に記載される実施形態では面取りされている内壁404
によって画定されるが、他の実施形態では、実質的に垂直であってもよい。一実施形態で
は、アパーチャ178の大きさは、基板1の大きさよりもやや大きくてもよく、これによ
って基板1は図4Aのアパーチャ178を通して見ることができる。例えば、アパーチャ
178のサイズは、6×6インチよりもわずかに大きくてもよい。処理中に、アパーチャ
178は、基板1と同軸に位置合わせされるように構成され、これによって基板1の均一
な処理を提供する。なお、必要に応じて、アパーチャ178は、基板1の中心軸からずれ
ていてもよく、これによって基板1の中心に対して対称ではない濃度プロファイルを達成
することができることに留意すべきである。
れる。貫通孔184は、イオンラジカルシールド142用のシールド支持体150を収容
するように構成される。支持機能(例えば、リフト支持体170)は、場所406におい
て平面円盤状本体402に取り付けることができる。あるいはまた、場所406は支持部
材(例えば、リフト支持体170)を受けるように用いられる凹部であってもよい。場所
406は、貫通孔184に隣接して配置することができ、これによって隣のリフト支持体
170との間の空間を通して基板1を搬送することができる。
に応じてそれぞれ異なる形状を有してもよいことに留意すべきである。
共に使用される場合がある。インサート408は、アパーチャ178の寸法、及びアパー
チャ178の輪郭壁179に嵌合する輪郭の外縁よりもわずかに大きい外側寸法を有し、
これによってインサート408及びアパーチャ部材168が平行な嵌合方向にあるときに
、インサート408はアパーチャ178を通過できない。インサート408は、アパーチ
ャ178の輪郭縁部179上に載置され、これによってアパーチャ178のサイズを小さ
くし、アパーチャ178の形状及び/又は中心軸の位置を潜在的に変化させる。
インサート408が使用されてもよく、これによってアパーチャの大きさ、形状、及び/
又は中心軸の位置を変化させることができる。例えば、第1インサートは、アパーチャ部
材168のアパーチャ178の寸法よりも小さい約1/8インチ〜約1/4インチの第1
アパーチャを有することができる。第2インサートは、第1アパーチャよりも小さい約1
/8インチ〜約1/4インチの第2アパーチャを有することができ、第1アパーチャ内に
入れ子にできる。必要に応じて、最大約5つのインサートをアパーチャ部材178のアパ
ーチャ168内に入れ子にでき、これによってアパーチャの大きさを約3インチまで削減
できる。1以上のインサートを用いてアパーチャの面積を変化させることは、主要なチャ
ンバ部品を変更するためにチャンバの運転を休止する必要なく、異なる基板及びチャンバ
用にアパーチャ部材168の性能を調整するために使用することができる制御法を追加す
る。
形態は、図1の実施形態とほぼ同様であるが、図5のアパーチャ部材568は、基板1よ
りも小さいアパーチャ578を有しており、図1のリフト支持体170及びシールド支持
体184は、図5ではリフト支持体570及びシールド支持体584に交換されている。
リフト支持体570はイオンラジカルシールド146をリフトリング172に結合し、一
方、アパーチャ支持体584はアパーチャ部材568をアダプタ134から支持する。図
5の実施形態では、イオンラジカルシールド146は、基板1のより近くに、又は基板1
からより遠くに移動することができ、一方、アパーチャ部材568は基板1に対して静止
したままである。
ている。イオンラジカルシールド142がアパーチャ部材568に対して移動されるので
、アパーチャ578を通過する反応種の密度プロファイルが変化し、基板1に変化した密
度プロファイルをもたらす。なお、アパーチャ部材568とイオンラジカルシールド14
6の両方が駆動される実施形態が考慮されていることに留意すべきである。
明の基本的範囲を逸脱することなく創作することができる。
Claims (15)
- プラズマエッチングチャンバ内で基板の上方の異なる距離に配置することができ、これによって基板の表面全域に亘って活性種の分布を制御することができるアパーチャ部材であって、
円盤であって、アパーチャが円盤の中央部を貫通して形成され、アパーチャは6×6インチよりも大きい矩形形状及び内壁を有し、内壁は面取り、曲面、又は階段状であり、これによってアパーチャ部材と実質的に平行関係にある第2部材をアパーチャ内に入れ子にして支持する円盤を含み、円盤は、石英又はセラミックス(これらの組み合わせ及び合金を含む)を含むアパーチャ部材。 - 円盤は、円盤の周辺部に複数の凹部を有する、請求項1記載のアパーチャ部材。
- 内壁は、アパーチャ部材の面を基準にして75度までの角度で面取りされている、請求項1記載のアパーチャ部材。
- アパーチャの内壁に嵌合する輪郭の外縁を有する第2部材を含み、第2部材は、第2部材の中央部を貫通した第2アパーチャを有する、請求項1記載のアパーチャ部材。
- 内壁は面取りされており、面取りは曲面又はファセットである、請求項1記載のアパーチャ部材。
- アルミナ又はイットリアを含むコーティングを含む、請求項1記載のアパーチャ部材。
- プラズマエッチングチャンバ内で基板の上方の異なる距離に配置することができ、これによって基板の表面全域に亘って活性種の分布を制御することができるアパーチャ部材であって、
矩形状アパーチャが円盤の中央部を貫通して形成された平面板を含み、矩形状アパーチャは、アパーチャ部材の面を基準にして75度までの角度で面取りされた面取り部を有する内壁を有し、アパーチャ部材は、石英又はセラミックス(これらの組み合わせ及び合金を含む)を含むアパーチャ部材。 - 平面板は円盤である、請求項7記載のアパーチャ部材。
- 内壁は、面取りではない直線部分も有する、請求項8記載のアパーチャ部材。
- アパーチャ部材は、アパーチャ部材の周辺部に複数の凹部を有する、請求項7記載のアパーチャ部材。
- アパーチャ部材は、アパーチャ部材を貫通した複数の穴を有する、請求項7記載のアパーチャ部材。
- アパーチャ部材に取り付けられた複数の支持体を含む、請求項7記載のアパーチャ部材。
- プラズマエッチングチャンバ内で基板の上方の異なる距離に配置することができ、これによって基板の表面全域に亘って活性種の分布を制御することができるアパーチャ部材であって、
石英、セラミックス、又は金属を含む円盤であって、アパーチャが中央部を貫通して形成された円盤を含み、アパーチャは、面取り、曲面、又は階段状である内壁を有し、複数の凹部及び穴が円盤の周辺部にあるアパーチャ部材。 - 内壁は面取りされており、面取りは曲面又はファセットである、請求項13記載のアパーチャ部材。
- 凹部で円盤に取り付けられた複数の支持体を含む、請求項13記載のアパーチャ部材。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9105705B2 (en) * | 2011-03-14 | 2015-08-11 | Plasma-Therm Llc | Method and apparatus for plasma dicing a semi-conductor wafer |
US8691702B2 (en) * | 2011-03-14 | 2014-04-08 | Plasma-Therm Llc | Method and apparatus for plasma dicing a semi-conductor wafer |
US8802545B2 (en) * | 2011-03-14 | 2014-08-12 | Plasma-Therm Llc | Method and apparatus for plasma dicing a semi-conductor wafer |
CN103650118B (zh) * | 2011-05-31 | 2016-08-24 | 应用材料公司 | 电感耦合等离子体(icp)反应器的动态离子自由基筛与离子自由基孔 |
CN103796413B (zh) * | 2012-11-01 | 2017-05-03 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子反应器及制作半导体基片的方法 |
US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
US9048190B2 (en) * | 2012-10-09 | 2015-06-02 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for processing substrates using an ion shield |
US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
US20150020974A1 (en) * | 2013-07-19 | 2015-01-22 | Psk Inc. | Baffle and apparatus for treating surface of baffle, and substrate treating apparatus |
US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
US10658222B2 (en) | 2015-01-16 | 2020-05-19 | Lam Research Corporation | Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing |
US11605546B2 (en) * | 2015-01-16 | 2023-03-14 | Lam Research Corporation | Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing |
US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
US10957561B2 (en) | 2015-07-30 | 2021-03-23 | Lam Research Corporation | Gas delivery system |
US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
US20170194174A1 (en) * | 2015-12-30 | 2017-07-06 | Applied Materials, Inc. | Quad chamber and platform having multiple quad chambers |
US10825659B2 (en) | 2016-01-07 | 2020-11-03 | Lam Research Corporation | Substrate processing chamber including multiple gas injection points and dual injector |
KR20180099776A (ko) | 2016-01-26 | 2018-09-05 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 웨이퍼 에지 링 리프팅 솔루션 |
US10699878B2 (en) | 2016-02-12 | 2020-06-30 | Lam Research Corporation | Chamber member of a plasma source and pedestal with radially outward positioned lift pins for translation of a substrate c-ring |
US10651015B2 (en) | 2016-02-12 | 2020-05-12 | Lam Research Corporation | Variable depth edge ring for etch uniformity control |
US10438833B2 (en) | 2016-02-16 | 2019-10-08 | Lam Research Corporation | Wafer lift ring system for wafer transfer |
US10312121B2 (en) | 2016-03-29 | 2019-06-04 | Lam Research Corporation | Systems and methods for aligning measurement device in substrate processing systems |
US11011353B2 (en) | 2016-03-29 | 2021-05-18 | Lam Research Corporation | Systems and methods for performing edge ring characterization |
US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US10410832B2 (en) | 2016-08-19 | 2019-09-10 | Lam Research Corporation | Control of on-wafer CD uniformity with movable edge ring and gas injection adjustment |
US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
US9947517B1 (en) | 2016-12-16 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | Adjustable extended electrode for edge uniformity control |
US10553404B2 (en) | 2017-02-01 | 2020-02-04 | Applied Materials, Inc. | Adjustable extended electrode for edge uniformity control |
US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
CN107633991B (zh) * | 2017-09-20 | 2019-10-11 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种干法刻蚀设备 |
US11075105B2 (en) | 2017-09-21 | 2021-07-27 | Applied Materials, Inc. | In-situ apparatus for semiconductor process module |
US10784091B2 (en) | 2017-09-29 | 2020-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Process and related device for removing by-product on semiconductor processing chamber sidewalls |
US20190119815A1 (en) * | 2017-10-24 | 2019-04-25 | Applied Materials, Inc. | Systems and processes for plasma filtering |
US11043400B2 (en) | 2017-12-21 | 2021-06-22 | Applied Materials, Inc. | Movable and removable process kit |
US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
KR102516885B1 (ko) * | 2018-05-10 | 2023-03-30 | 삼성전자주식회사 | 증착 장비 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법 |
US10600623B2 (en) | 2018-05-28 | 2020-03-24 | Applied Materials, Inc. | Process kit with adjustable tuning ring for edge uniformity control |
US11935773B2 (en) | 2018-06-14 | 2024-03-19 | Applied Materials, Inc. | Calibration jig and calibration method |
US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
US11289310B2 (en) | 2018-11-21 | 2022-03-29 | Applied Materials, Inc. | Circuits for edge ring control in shaped DC pulsed plasma process device |
US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
JP7215305B2 (ja) * | 2019-04-04 | 2023-01-31 | 日本電産株式会社 | プラズマ処理装置用の治具、および、プラズマ処理システム |
US11101115B2 (en) | 2019-04-19 | 2021-08-24 | Applied Materials, Inc. | Ring removal from processing chamber |
US12009236B2 (en) | 2019-04-22 | 2024-06-11 | Applied Materials, Inc. | Sensors and system for in-situ edge ring erosion monitor |
CN112713075B (zh) * | 2019-10-25 | 2024-03-12 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体隔离环、等离子体处理装置与基片处理方法 |
WO2022245761A1 (en) * | 2021-05-20 | 2022-11-24 | Lam Research Corporation | Movable disk with aperture for etch control |
Family Cites Families (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4392938A (en) * | 1981-11-12 | 1983-07-12 | Varian Associates, Inc. | Radio frequency etch table with biased extension member |
JP2697432B2 (ja) * | 1991-11-15 | 1998-01-14 | 日新電機株式会社 | エッチング装置 |
KR100264445B1 (ko) * | 1993-10-04 | 2000-11-01 | 히가시 데쓰로 | 플라즈마처리장치 |
JP2601179Y2 (ja) * | 1993-11-29 | 1999-11-08 | 日新電機株式会社 | 基板保持装置 |
JP3118497B2 (ja) * | 1993-12-24 | 2000-12-18 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
TW357404B (en) * | 1993-12-24 | 1999-05-01 | Tokyo Electron Ltd | Apparatus and method for processing of plasma |
TW298704B (ja) * | 1993-12-29 | 1997-02-21 | Tokyo Electron Co Ltd | |
US5800688A (en) * | 1997-04-21 | 1998-09-01 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for ionized sputtering |
DE19734278C1 (de) * | 1997-08-07 | 1999-02-25 | Bosch Gmbh Robert | Vorrichtung zum anisotropen Ätzen von Substraten |
JP3480271B2 (ja) * | 1997-10-07 | 2003-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置のシャワーヘッド構造 |
JPH11149999A (ja) * | 1997-11-18 | 1999-06-02 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
KR20000030996A (ko) | 1998-11-02 | 2000-06-05 | 윤종용 | 반도체 건식 식각설비 |
JP3138693B2 (ja) | 1999-01-05 | 2001-02-26 | 茨城日本電気株式会社 | データ圧縮回路 |
US6257168B1 (en) * | 1999-06-30 | 2001-07-10 | Lam Research Corporation | Elevated stationary uniformity ring design |
JP2001104774A (ja) * | 1999-10-05 | 2001-04-17 | Sony Corp | プラズマ処理装置 |
KR20020014163A (ko) * | 2000-08-16 | 2002-02-25 | 윤종용 | 플라즈마 식각 설비의 웨이퍼 클램핑 장치 |
US6547979B1 (en) * | 2000-08-31 | 2003-04-15 | Micron Technology, Inc. | Methods of enhancing selectivity of etching silicon dioxide relative to one or more organic substances; and plasma reaction chambers |
JP2004165645A (ja) * | 2002-10-17 | 2004-06-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
US20040139917A1 (en) * | 2002-10-17 | 2004-07-22 | Naoshi Yamaguchi | Plasma processing apparatus |
KR100532354B1 (ko) * | 2004-05-31 | 2005-11-30 | 삼성전자주식회사 | 식각 영역 조절 장치 및 웨이퍼 에지 식각 장치 그리고웨이퍼 에지 식각 방법 |
US20060000802A1 (en) | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Ajay Kumar | Method and apparatus for photomask plasma etching |
US8349128B2 (en) | 2004-06-30 | 2013-01-08 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for stable plasma processing |
JP4633425B2 (ja) * | 2004-09-17 | 2011-02-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2006310736A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-11-09 | Tokyo Electron Ltd | ゲート絶縁膜の製造方法および半導体装置の製造方法 |
KR101119780B1 (ko) | 2005-06-30 | 2012-03-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플라즈마 화학증착장치 |
US20070181529A1 (en) * | 2006-02-07 | 2007-08-09 | Subramanian Krupakar M | Corona discharge plasma source devices, and various systems and methods of using same |
JP2007300011A (ja) * | 2006-05-02 | 2007-11-15 | Epson Toyocom Corp | イオンエッチング装置、エッチング方法 |
US7943005B2 (en) | 2006-10-30 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for photomask plasma etching |
US7909961B2 (en) * | 2006-10-30 | 2011-03-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for photomask plasma etching |
JP2008147384A (ja) | 2006-12-08 | 2008-06-26 | Sharp Corp | ドライエッチング装置 |
CN201182036Y (zh) * | 2007-02-01 | 2009-01-14 | 应用材料股份有限公司 | 气体注入喷嘴 |
KR100963297B1 (ko) * | 2007-09-04 | 2010-06-11 | 주식회사 유진테크 | 샤워헤드 및 이를 포함하는 기판처리장치, 샤워헤드를이용하여 플라스마를 공급하는 방법 |
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JP5204673B2 (ja) * | 2009-01-14 | 2013-06-05 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ分布の制御方法 |
JP5650935B2 (ja) * | 2009-08-07 | 2015-01-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び位置決め方法並びにフォーカスリング配置方法 |
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