JP6089818B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 60
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 31
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 15
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MXSJNBRAMXILSE-UHFFFAOYSA-N [Si].[P].[B] Chemical compound [Si].[P].[B] MXSJNBRAMXILSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体装置を示す断面図である。この半導体装置はnチャネルIGBTである。半導体基板1は上面に凸部2と凹部3を有し、ここではn−型の単結晶シリコンからなる。p型ベース層4がn−型の半導体基板1の上面側に設けられている。n+型エミッタ領域5が凸部2においてp型ベース層4上に設けられている。p+型コンタクト領域6が凹部3においてp型ベース層4上に設けられている。
図9は、本発明の実施の形態2に係る半導体装置を示す断面図である。コレクタ電流が定格電流を超えて飽和電流付近の高電流が流れる時はMOS部の電子電流が支配的になるため、n+型エミッタ領域5にコレクタ電流の大部分が流れる。そこで、本実施の形態では、p+型コンタクト領域6とエミッタ電極14との接合部をn+型エミッタ領域5とエミッタ電極14との接合部から分離する層間絶縁膜17を設けている。これにより、p+型コンタクト領域6の電位が上昇するため、ラッチアップを防止できる。この結果、素子のラッチアップ耐量を大きくしてRBSOAを広くすることができる。
Claims (7)
- 上面に凸部と凹部を有する半導体基板と、
前記半導体基板の上面側に設けられたp型ベース層と、
前記凸部において前記p型ベース層上に設けられたn+型エミッタ領域と、
前記凹部の底面において前記p型ベース層上に設けられたp+型コンタクト領域と、
前記n+型エミッタ領域及び前記p型ベース層を貫通するゲートトレンチと、
前記p+型コンタクト領域及び前記p型ベース層を貫通するダミートレンチと、
前記ゲートトレンチ内に絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、
前記ダミートレンチ内に絶縁膜を介して設けられたダミーゲート電極と、
前記n+型エミッタ領域及び前記p+型コンタクト領域に接続されたエミッタ電極と、
前記半導体基板の下面側に設けられたp型コレクタ層と、
前記p型コレクタ層に接続されたコレクタ電極とを備え、
前記ゲートトレンチと前記ダミートレンチの深さ方向の長さは同じであり、前記ダミートレンチの下端部が前記ゲートトレンチの下端部より下にあることを特徴とする半導体装置。 - 前記p+型コンタクト領域と前記p型ベース層の接合部が、前記n+型エミッタ領域と前記p型ベース層の接合部より深いことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記p+型コンタクト領域の不純物濃度は前記n+型エミッタ領域より高いことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 複数並んで配置された前記ダミートレンチ間において前記半導体基板と前記エミッタ電極を絶縁させる第1の層間絶縁膜を更に備えることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の半導体装置。
- 前記ダミーゲート電極は前記エミッタ電極に接続されていることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の半導体装置。
- 前記p+型コンタクト領域と前記エミッタ電極との接合部を前記n+型エミッタ領域と前記エミッタ電極との接合部から分離する第2の層間絶縁膜を更に備えることを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載の半導体装置。
- 半導体基板の上面側にp型ベース層を形成する工程と、
前記p型ベース層上にn+型エミッタ領域を形成する工程と、
前記n+型エミッタ領域以外の領域において前記半導体基板の上面をエッチングして凹部を形成する工程と、
前記凹部の底面において前記p型ベース層上にp+型コンタクト領域を形成する工程と、
前記n+型エミッタ領域及び前記p型ベース層を貫通するゲートトレンチと、前記p+型コンタクト領域及び前記p型ベース層を貫通するダミートレンチとを同時に形成する工程と、
前記ゲートトレンチ内に絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、
前記ダミートレンチ内に絶縁膜を介してダミーゲート電極を形成する工程と、
前記n+型エミッタ領域及び前記p+型コンタクト領域に接続されたエミッタ電極を形成する工程と、
前記半導体基板の下面側にp型コレクタ層を形成する工程と、
前記p型コレクタ層に接続されたコレクタ電極を形成する工程とを備え、
前記ゲートトレンチと前記ダミートレンチの深さ方向の長さは同じであり、前記ダミートレンチの下端部が前記ゲートトレンチの下端部より下にあることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013050662A JP6089818B2 (ja) | 2013-03-13 | 2013-03-13 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013050662A JP6089818B2 (ja) | 2013-03-13 | 2013-03-13 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014179373A JP2014179373A (ja) | 2014-09-25 |
JP6089818B2 true JP6089818B2 (ja) | 2017-03-08 |
Family
ID=51699067
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013050662A Active JP6089818B2 (ja) | 2013-03-13 | 2013-03-13 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6089818B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6479533B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2019-03-06 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
DE102016111998B4 (de) * | 2016-06-30 | 2024-01-18 | Infineon Technologies Ag | Ausbilden von Elektrodengräben unter Verwendung eines gerichteten Ionenstrahls und Halbleitervorrichtung mit Graben-Elektrodenstrukturen |
CN108780809B (zh) * | 2016-09-14 | 2021-08-31 | 富士电机株式会社 | Rc-igbt及其制造方法 |
JP2018207057A (ja) | 2017-06-09 | 2018-12-27 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
CN110416079A (zh) * | 2018-04-28 | 2019-11-05 | 株洲中车时代电气股份有限公司 | 沟槽栅igbt芯片的制作方法 |
JP7125339B2 (ja) * | 2018-12-26 | 2022-08-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
CN115132835B (zh) * | 2022-08-31 | 2022-12-16 | 南京晟芯半导体有限公司 | 一种抑制振荡的igbt器件 |
CN117747672A (zh) * | 2024-02-20 | 2024-03-22 | 深圳市威兆半导体股份有限公司 | Sgt器件及其制备方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001168333A (ja) * | 1999-09-30 | 2001-06-22 | Toshiba Corp | トレンチゲート付き半導体装置 |
JP2002016252A (ja) * | 2000-06-27 | 2002-01-18 | Toshiba Corp | 絶縁ゲート型半導体素子 |
JP2008021918A (ja) * | 2006-07-14 | 2008-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP5647420B2 (ja) * | 2010-02-10 | 2014-12-24 | 株式会社豊田中央研究所 | 半導体装置 |
-
2013
- 2013-03-13 JP JP2013050662A patent/JP6089818B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014179373A (ja) | 2014-09-25 |
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