JP6086862B2 - 酸化シリコンから構成された領域を選択的に除去する方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
<工程ST2>
・マイクロ波パワー:2000W
・処理ガス
H2ガス:185sccm
N2ガス:500sccm
SF6ガス:45sccm
・ウエハ温度:30℃
・無バイアス
・処理時間:30秒
<工程ST4>
・処理容器12内圧力:10mTorr(1.333Pa)
・マイクロ波パワー:0W
・Arガス:500sccm
・ウエハ温度:120℃
・無バイアス
・処理時間:60秒
<工程ST2>
・処理容器12内圧力:500mTorr(66.66Pa)
・処理ガス
H2ガス:240sccm
N2ガス:500sccm
SF6ガス:45sccm
・ウエハ温度:50℃
・無バイアス
・処理時間:90秒
<工程ST4>
・処理容器12内圧力:10mTorr(1.333Pa)
・マイクロ波パワー:0W
・Arガス:500sccm
・ウエハ温度:80℃
・無バイアス
・処理時間:600秒
<実験例3−1の工程ST2>
・処理容器12内圧力:500mTorr(66.66Pa)
・マイクロ波パワー:2000W
・処理ガス
H2ガス:240sccm
N2ガス:300sccm
SF6ガス:45sccm
・ウエハ温度:15℃
・無バイアス
・処理時間:30秒
<実験例3−1の工程ST4>
・処理容器12内圧力:20mTorr(2.666Pa)
・マイクロ波パワー:2000W
・Arガス:500sccm
・ウエハ温度:50℃
・無バイアス
・処理時間:30秒
<実験例3−2の工程ST2>
・処理容器12内圧力:500mTorr(66.66Pa)
・マイクロ波パワー:2000W
・処理ガス
H2ガス:240sccm
N2ガス:500sccm
SF6ガス:45sccm
・ウエハ温度:30℃
・無バイアス
・処理時間:30秒
<実験例3−2の工程ST4>
・処理容器12内圧力:100mTorr(13.33Pa)
・マイクロ波パワー:2000W
・Heガス:500sccm
・ウエハ温度:30℃
・無バイアス
・処理時間:90秒
<実験例3−3のシーケンスの工程ST2>
・処理容器12内圧力:500mTorr(66.66Pa)
・マイクロ波パワー:2000W
・処理ガス
H2ガス:240sccm
N2ガス:1000sccm
SF6ガス:60sccm
・ウエハ温度:30℃
・無バイアス
・処理時間:30秒
<実験例3−3の工程ST4>
・処理容器12内圧力:100mTorr(13.33Pa)
・マイクロ波パワー:2000W
・Heガス:500sccm
・ウエハ温度:30℃
・無バイアス
・処理時間:90秒
<工程ST2>
・処理容器12内圧力:500mTorr(66.66Pa)
・マイクロ波パワー:2000W
・処理ガス
H2ガス:185sccm
N2ガス:500sccm
・ウエハ温度:30℃
・無バイアス
・処理時間:30秒
<工程ST4>
・処理容器12内圧力:10mTorr(1.333Pa)
・マイクロ波パワー:0W
・Arガス:500sccm
・ウエハ温度:120℃
・無バイアス
・処理時間:60秒
<工程ST2>
・処理容器12内圧力:500mTorr(66.66Pa)
・マイクロ波パワー:2000W
・処理ガス
H2ガス:240sccm
N2ガス:500sccm
SF6ガス:45sccm
・無バイアス
・処理時間:30秒
<工程ST4>
・処理容器12内圧力:20mTorr(2.666Pa)
・マイクロ波パワー:2000W
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・ウエハ温度:30℃
・無バイアス
・処理時間:90秒
<工程ST1>
・処理容器12内圧力:500mTorr(66.66Pa)
・マイクロ波パワー:2000W
・H2ガス流量:240sccm
・N2ガス流量:500sccm
・ウエハ温度:50℃
・無バイアス
・処理時間:30秒
<工程ST2>
・処理容器12内圧力:500mTorr(66.66Pa)
・マイクロ波パワー:2000W
・処理ガス
H2ガス:240sccm
N2ガス:500sccm
SF6ガス:45sccm
・無バイアス
・ウエハ温度:50℃
・処理時間:90秒
<工程ST4>
・処理容器12内圧力:10mTorr(1.333Pa)
・Arガス:500sccm
・ウエハ温度:80℃
・処理時間:10分
実験例12及び13では、酸化シリコン膜を有するウエハに対して、工程ST2及び工程ST4からなる1回のシーケンスを実施した。実験例12では、工程ST4の実施時のウエハの温度を120度に設定し、実験例13では、工程ST4の実施時のウエハ温度を80度に設定した。実験例12及び13のその他の処理条件は以下の通りである。
<工程ST2>
・処理容器12内圧力:500mTorr(66.66Pa)
・マイクロ波パワー:2000W
・処理ガス
H2ガス:185sccm
N2ガス:500sccm
SF6ガス:45sccm
・無バイアス
・処理時間:30秒
<工程ST4>
・処理容器12内圧力:10mTorr(1.333Pa)
・Arガス:500sccm
Claims (23)
- 酸化シリコンから構成された第1領域とシリコンから構成された第2領域を有する被処理体から該第1領域を選択的に除去する方法であって、
前記被処理体を収容した処理容器内において、水素、窒素、及びフッ素を含有する処理ガスのプラズマを生成し、前記第1領域の一部を変質させて、変質領域を形成する工程と、
前記処理容器内において前記変質領域を除去する工程と、
を各々が含む複数回のシーケンスを実施することを含み、
前記被処理体の前記第2領域が前記処理ガスの前記プラズマに晒されて前記第2領域内に酸化領域が形成されるように前記複数回のシーケンスを実施した後に、前記被処理体の前記第2領域の前記酸化領域を還元するために、前記処理容器内において発生させた還元性ガスのプラズマに前記被処理体を晒す、
方法。 - 前記変質領域を除去する前記工程において、前記処理容器内において前記被処理体を加熱する、請求項1に記載の方法。
- 前記変質領域を除去する前記工程において、前記処理容器内において発生させた希ガスのプラズマに前記被処理体を晒す、請求項1に記載の方法。
- 前記変質領域を形成する前記工程と前記変質領域を除去する前記工程との間において、前記被処理体を前記処理容器から取り出して、前記処理容器内をクリーニングする工程を更に含む、請求項3に記載の方法。
- 初期状態の前記被処理体では、前記第2領域は前記第1領域内に埋め込まれており、
前記処理容器内においてフルオロカーボン系ガスのプラズマに前記被処理体を晒す工程を更に含み、
前記複数回のシーケンスは、前記フルオロカーボン系ガスのプラズマに前記被処理体を晒す工程の後に行われる、
請求項1〜4の何れか一項に記載の方法。 - 前記第2領域は、フィン型電界トランジスタにおけるフィン領域を構成する、請求項1〜5の何れか一項に記載の方法。
- 前記処理ガスは、SF6ガスを含む請求項1〜6の何れか一項に記載の方法。
- 前記処理容器を備え、マイクロ波をプラズマ源として用いるプラズマ処理装置において、実施される、請求項1〜6の何れか一項に記載の方法。
- 前記変質領域を形成する前記工程において、前記処理容器内の圧力が、40Pa〜66.66Paの範囲内の圧力に設定される、請求項8に記載の方法。
- 前記変質領域を形成する前記工程において、前記マイクロ波のパワーが800W〜3000Wの範囲内のパワーに設定される、請求項8又は9に記載の方法。
- 前記変質領域を形成する前記工程において、前記処理ガスはN2ガスを含み、該N2ガスの流量が300sccm〜1000sccmの範囲の流量に設定される、請求項8〜10の何れか一項に記載の方法。
- 前記変質領域を形成する前記工程において、前記処理ガスはSF6ガスを含み、前記処理ガスの全流量中に占める該SF6ガスの流量の割合が3%〜8%の範囲内の割合に設定される、請求項8〜11の何れか一項に記載の方法。
- 処理容器と、
温度調整機構を有し、エッチングされる第1領域及び残留する第2領域を含む被処理体を前記処理容器内においてその上に載置するよう構成された載置台と、
前記処理容器内に水素、窒素、及びフッ素を含有する処理ガス、並びに還元性ガスを供給するよう構成されたガス供給部と、
プラズマを生成するよう構成されており、前記処理容器内に供給されるガスを励起させるためのプラズマ生成部と、
前記温度調整機構、前記ガス供給部、及び前記プラズマ生成部を制御するよう構成された制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記被処理体が前記処理ガスのプラズマに晒されて該被処理体の前記第1領域が変質して該第1領域内に変質領域が形成されるよう、前記ガス供給部に前記処理ガスを供給させ、前記プラズマ生成部に該処理ガスのプラズマを発生させる第1制御と、
前記第1領域の前記変質領域が熱分解して除去されるよう、前記温度調整機構に前記被処理体を支持する前記載置台を加熱させる第2制御と、
を順に実行するようプログラムされており、
前記被処理体の前記第2領域が前記処理ガスのプラズマに晒されて前記第2領域内に酸化領域が形成されるように前記第1制御及び前記第2制御を順に複数回実行した後に、前記制御部は、前記被処理体の前記第2領域の前記酸化領域を還元するために前記被処理体が前記還元性ガスのプラズマに晒されるよう、前記ガス供給部に前記還元性ガスを供給させ、前記プラズマ生成部に該還元性ガスのプラズマを生成させる第3制御を実行するよう更にプログラムされている、
プラズマ処理装置。 - 処理容器と、
温度調整機構を有し、エッチングされる第1領域及び残留する第2領域を含む被処理体を前記処理容器内においてその上に載置するよう構成された載置台と、
前記処理容器内に水素、窒素、及びフッ素を含有する処理ガス、希ガス、並びに還元性ガスを供給するよう構成されたガス供給部と、
プラズマを生成するよう構成されており、前記処理容器内に供給されるガスを励起させるためのプラズマ生成部と、
前記ガス供給部及び前記プラズマ生成部を制御するよう構成された制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記被処理体が前記処理ガスのプラズマに晒されて該被処理体の前記第1領域が変質して該第1領域内に変質領域が形成されるよう、前記ガス供給部に前記処理ガスを供給させ、前記プラズマ生成部に該処理ガスのプラズマを発生させる第1制御と、
前記変質領域を除去するために前記被処理体が前記希ガスのプラズマに晒されるよう、前記ガス供給部に前記希ガスを供給させ、前記プラズマ生成部に該希ガスのプラズマを発生させる第2制御と、
を順に実行するようプログラムされており、
前記被処理体の前記第2領域が前記処理ガスのプラズマに晒されて前記第2領域内に酸化領域が形成されるように前記第1制御及び前記第2制御を順に複数回実行した後に、前記制御部は、前記被処理体の前記第2領域の前記酸化領域を還元するために前記被処理体が前記還元性ガスのプラズマに晒されるよう、前記ガス供給部に前記還元性ガスを供給させ、前記プラズマ生成部に該還元性ガスのプラズマを生成させる第3制御を実行するよう更にプログラムされている、
プラズマ処理装置。 - 前記制御部は、前記第1制御と前記第2制御との間において、前記処理容器内をクリーニングするための制御を実行する、請求項14に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1制御において、前記載置台に対してバイアス電力が供給されない、請求項13〜15の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記ガス供給部は、前記処理容器内にフルオロカーボン系ガスを更に供給し、
前記制御部は、前記第1制御及び前記第2制御を順に複数回実行する前に、前記ガス供給部に前記フルオロカーボン系ガスを供給させ、前記プラズマ生成部に該フルオロカーボン系ガスのプラズマを生成させる第4制御を更に実行する、請求項13〜16の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記処理ガスは、SF6ガスを含む請求項13〜17の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記プラズマ生成部は、エネルギーとしてマイクロ波を前記処理容器内に導入する、請求項13〜17の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1制御において、前記制御部は、前記処理容器内の圧力を、40Pa〜66.66Paの範囲内の圧力に設定する、請求項19に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1制御において、前記制御部は、前記マイクロ波のパワーを800W〜3000Wの範囲内のパワーに設定する、請求項19又は20に記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理ガスはN2ガスを含み、
前記第1制御において、前記制御部は、前記N2ガスの流量を300sccm〜1000sccmの範囲の流量に設定する、請求項19〜21の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記処理ガスはSF6ガスを含み、
前記第1制御において、前記制御部は、前記処理ガスの全流量中に占める該SF6ガスの流量の割合を3%〜8%の範囲内の割合に設定する、請求項19〜22の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
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