JP6076601B2 - レーザ加工方法、半導体デバイスの製造方法及びレーザ加工装置 - Google Patents
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Claims (11)
- レーザ光を半導体基板に照射して前記半導体基板の内部を改質することにより、不純物を捕獲するためのゲッタリング領域を前記半導体基板の内部に形成するレーザ加工方法であって、
出力値が調整された前記レーザ光を前記半導体基板の所定部分に照射した後に、前記所定部分における前記ゲッタリング領域の形成状態を示す画像情報を取得し、前記画像情報に基づいて、前記ゲッタリング領域の形成量を所定以上とするための前記レーザ光の第1出力値を決定する準備工程と、
準備工程で決定された前記第1出力値に調整された前記レーザ光を前記半導体基板に照射して前記ゲッタリング領域を前記半導体基板の内部に形成する実施工程と、
を備え、
前記ゲッタリング領域の形成量は、前記レーザ光のショット数に対する前記ゲッタリング領域の形成数の割合であることを特徴とするレーザ加工方法。 - 前記準備工程は、
出力値が調整された前記レーザ光を前記所定部分に照射する第1工程と、
前記第1工程の後に、前記所定部分の前記画像情報を取得する第2工程と、
前記第2工程の後に、前記画像情報に基づいて、前記所定部分における前記ゲッタリング領域の形成量が前記所定以上であるか否かを判定する第3工程と、を含み、
前記準備工程においては、
前記レーザ光の出力値を第2出力値から段階的に大きくしながら、前記第3工程において前記ゲッタリング領域の形成量が前記所定以上であると判定されるまで、前記第1工程、前記第2工程、及び前記第3工程を順に繰り返すことにより、前記第1出力値を決定する、ことを特徴とする請求項1に記載のレーザ加工方法。 - 前記第2出力値は、前記レーザ光の照射によって前記ゲッタリング領域が形成されない出力値である、ことを特徴とする請求項2に記載のレーザ加工方法。
- 前記半導体基板は、表面に機能素子が形成される使用部分と、前記機能素子が形成されない不使用部分とを含み、
前記所定部分は前記不使用部分である、ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のレーザ加工方法。 - レーザ加工方法を実施することにより、半導体基板の内部に不純物を捕獲するためのゲッタリング領域を形成する工程と、
前記ゲッタリング領域を形成した後に、前記半導体基板の表面に複数の機能素子を形成する工程と、
前記ゲッタリング領域を形成した後であって前記機能素子を形成した後に、隣り合う前記機能素子の間を通るように設定された切断予定ラインに沿って、前記機能素子ごとに前記半導体基板を切断し、一つの前記機能素子を含む半導体デバイスを複数得る工程と、
を備え、
前記レーザ加工方法は、レーザ光を前記半導体基板に照射して前記半導体基板の内部を改質することにより、前記ゲッタリング領域を前記半導体基板の内部に形成するレーザ加工方法であって、出力値が調整された前記レーザ光を前記半導体基板の所定部分に照射した後に、前記所定部分における前記ゲッタリング領域の形成状態を示す画像情報を取得し、前記画像情報に基づいて、前記ゲッタリング領域の形成量を所定以上とするための前記レーザ光の第1出力値を決定する準備工程と、準備工程で決定された前記第1出力値に調整された前記レーザ光を前記半導体基板に照射して前記ゲッタリング領域を前記半導体基板の内部に形成する実施工程と、含み、
前記ゲッタリング領域の形成量は、前記レーザ光のショット数に対する前記ゲッタリング領域の形成数の割合である、
ことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 - 前記準備工程は、
出力値が調整された前記レーザ光を前記所定部分に照射する第1工程と、
前記第1工程の後に、前記所定部分の前記画像情報を取得する第2工程と、
前記第2工程の後に、前記画像情報に基づいて、前記所定部分における前記ゲッタリング領域の形成量が前記所定以上であるか否かを判定する第3工程と、を含み、
前記準備工程においては、
前記レーザ光の出力値を第2出力値から段階的に大きくしながら、前記第3工程において前記ゲッタリング領域の形成量が前記所定以上であると判定されるまで、前記第1工程、前記第2工程、及び前記第3工程を順に繰り返すことにより、前記第1出力値を決定する、ことを特徴とする請求項5に記載の半導体デバイスの製造方法。 - 前記第2出力値は、前記レーザ光の照射によって前記ゲッタリング領域が形成されない出力値である、ことを特徴とする請求項6に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記半導体基板は、表面に機能素子が形成される使用部分と、前記機能素子が形成されない不使用部分とを含み、
前記所定部分は前記不使用部分である、ことを特徴とする請求項5〜7のいずれか一項に記載の半導体デバイスの製造方法。 - レーザ光を半導体基板に照射して前記半導体基板の内部を改質することにより、不純物を捕獲するためのゲッタリング領域を前記半導体基板の内部に形成するレーザ加工装置であって、
前記レーザ光を出射するレーザ光源と、
前記レーザ光の出力値を調整する調整手段と、
前記半導体基板の前記レーザ光が照射された所定部分を撮像することにより、前記所定部分における前記ゲッタリング領域の形成状態を示す画像情報を取得する取得手段と、
前記画像情報に基づいて、前記ゲッタリング領域の形成量を所定以上とするための前記レーザ光の第1出力値を決定する決定手段と、
を備え、
前記ゲッタリング領域の形成量は、前記レーザ光のショット数に対する前記ゲッタリング領域の形成数の割合である、ことを特徴とするレーザ加工装置。 - 前記画像情報に基づいて、前記所定部分における前記ゲッタリング領域の形成量が前記所定以上であるか否かを判定する判定手段をさらに備え、
前記決定手段は、前記レーザ光の出力値を、予め保持する第2出力値から段階的に大きくしながら、前記判定手段によって前記ゲッタリング領域の形成量が前記所定以上であると判定されるまで、前記調整手段による前記レーザ光の出力値の調整と、前記取得手段による前記画像情報の取得と、前記判定手段による判定とを順に繰り返すことにより、前記第1出力値を決定する、ことを特徴とする請求項9に記載のレーザ加工装置。 - 前記第2出力値は、前記レーザ光の照射によって前記ゲッタリング領域が形成されない出力値である、ことを特徴とする請求項10に記載のレーザ加工装置。
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