JP2008108792A - ウエーハの加工方法 - Google Patents

ウエーハの加工方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2008108792A
JP2008108792A JP2006287897A JP2006287897A JP2008108792A JP 2008108792 A JP2008108792 A JP 2008108792A JP 2006287897 A JP2006287897 A JP 2006287897A JP 2006287897 A JP2006287897 A JP 2006287897A JP 2008108792 A JP2008108792 A JP 2008108792A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
substrate
processing
sink effect
gettering sink
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006287897A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiyuki Sakai
敏行 酒井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2006287897A priority Critical patent/JP2008108792A/ja
Priority to US11/907,939 priority patent/US7611970B2/en
Publication of JP2008108792A publication Critical patent/JP2008108792A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/322—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections
    • H01L21/3221—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections of silicon bodies, e.g. for gettering
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/57—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece the laser beam entering a face of the workpiece from which it is transmitted through the workpiece material to work on a different workpiece face, e.g. for effecting removal, fusion splicing, modifying or reforming
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

【課題】基板の表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハに、ゲッタリングシンク効果を付与するウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】基板の表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハに、ゲッタリングシンク効果を付与するウエーハの加工方法であって、基板の裏面が研削され所定の厚さに形成されたウエーハにおける基板の裏面に生成された加工歪を除去する加工核歪除去工程と、ウエーハの基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線を、その集光点を基板の内部に位置付けて照射し、基板の内部に変質層を形成することによりゲッタリングシンク効果層を生成するゲッタリングシンク効果層生成工程と、ウエーハをストリートに沿って個々のチップに分割する分割工程とを含む。
【選択図】図６

Description

本発明は、表面に複数のデバイスが形成された半導体ウエーハ等のウエーハにゲッタリングシンク効果を付与するウエーハの加工方法に関する。
半導体デバイスの製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる切断予定ラインによって多数の矩形領域を区画し、該矩形領域の各々にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。このように多数のデバイスが形成された半導体ウエーハをストリートに沿って切断することにより、個々の半導体チップを形成する。半導体チップの小型化および軽量化を図るために、通常、半導体ウエーハをストリートに沿って切断して個々の矩形領域を切断するのに先立って、半導体ウエーハの裏面を研削して所定の厚さに形成している。
半導体ウエーハの裏面の研削は、通常、ダイヤモンド砥粒をレジンボンドの如き適宜のボンドで固着して形成した研削砥石を、高速回転せしめながら半導体ウエーハの裏面に押圧せしめることによって遂行されている。このような研削方式によって半導体ウエーハの裏面を研削すると、半導体ウエーハの裏面に１μm程度のマイクロクラックからなる加工歪層が生成される。この加工歪層は、半導体デバイスの製造工程において半導体ウエーハの内部に含有した銅（Cu）等の金属原子がデバイスの近傍に遊動してメモリー機能に及ぼす悪影響を抑制するゲッタリングシンク(gettering sink)効果をもたらす機能を有することが知られている。（例えば、特許文献１参照）。
特開２００６−４１２５８ A 公報
一方、上記半導体ウエーハの裏面を研削することによって生成される加工歪層は、特に半導体ウエーハの厚さを１００μm以下に研削した場合に、個々に分割された半導体チップの抗折強度が相当低減される。この研削された半導体ウエーハの裏面に生成される加工歪層を除去する対策として、研削された半導体ウエーハの裏面にポリッシングなどの研磨或いはウエットエッチング、ドライエッチングを施している。（例えば、特許文献２、特許文献３参照）。
特開２００２−２８３２１１号公報 特開２００１−８５３８５号公報
而して、ウエーハの裏面を研削した後に研磨或いはエッチング等によって研削によって生成された加工歪層を除去すると、チップの抗折強度は安定するが、加工歪層によるゲッタリングシンク(gettering sink)効果が消失されデバイスの機能が低下するという問題がある。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、ゲッタリングシンク効果を維持し、抗折強度を確保することができるウエーハの加工方法を提供することにある。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、基板の表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハに、ゲッタリングシンク効果を付与するウエーハの加工方法であって、
基板の裏面が研削され所定の厚さに形成されたウエーハにおける基板の裏面に生成された加工歪を除去する加工核歪除去工程と、
該加工核歪除去工程が実施されたウエーハの基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線を、その集光点を基板の内部に位置付けて照射し、基板の内部に変質層を形成することによりゲッタリングシンク効果層を生成するゲッタリングシンク効果層生成工程と、
該ゲッタリングシンク効果層生成工程が実施されたウエーハをストリートに沿って個々のチップに分割する分割工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
また、本発明によれば、基板の表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハに、ゲッタリングシンク効果を付与するウエーハの加工方法であって、
基板の裏面が研削され所定の厚さに形成されたウエーハにおける基板の裏面に生成された加工歪を除去する加工核歪除去工程と、
該加工核歪除去工程が実施されたウエーハをストリートに沿って個々のチップに分割する分割工程と、
該分割工程が実施され個々のチップに分割されたウエーハの基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線を、その集光点を個々のチップの基板の内部に位置付けて照射し、基板の内部に変質層を形成することによりゲッタリングシンク効果層を生成するゲッタリングシンク効果層生成工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
本発明によれば、基板の裏面が上記加工歪層除去工程を実施することにより研削によって生成された加工歪層が除去されているので、抗折強度が安定する。また、個々に分割されたチップは、上記ゲッタリングシンク効果層生成工程を実施することにより基板の厚さ方向中間部に変質層が形成されているので、この変質層がゲッタリングシンク効果層として機能する。
以下、本発明によるウエーハの加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して更に詳細に説明する。
図１には、本発明に従って加工されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図１に示す半導体ウエーハ２は、シリコンからなる基板２０の表面２０ａに複数のストリート２１が格子状に形成されているとともに、該複数のストリート２１によって区画された複数の領域にデバイス２２が形成されている。このように構成された半導体ウエーハ２における基板２０の表面２ａには、図２に示すように保護部材３を貼着する（保護部材貼着工程）。
保護部材貼着工程を実施することにより半導体ウエーハ２における基板２０の表面２０ａに保護部材３を貼着したならば、基板２０の裏面２０ｂを研削して半導体ウエーハ２を所定の厚さに形成する研削工程を実施する。この研削工程は、図３に示す研削装置４によって実施する。図３に示す研削装置４は、被加工物を保持するチャックテーブル４１と、該チャックテーブル４１に保持された被加工物を研削するための研削砥石４２を備えた研削ホイール４３とからなっている。このような研削装置４によって上記研削工程を実施するには、チャックテーブル４１上に半導体ウエーハ２の保護部材３側を載置し（従って、半導体ウエーハ２は基板２０の裏面２０ｂが上側となる）、図示しない吸引手段によってチャックテーブル４１上に半導体ウエーハ２を吸着保持する。そして、チャックテーブル４１を例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削砥石４２を備えた研削ホイール４３を６０００ｒｐｍで回転せしめて基板２０の裏面２０ｂに接触することにより、所定の厚さ、例えば１００μmになるまで研削する。このようにして研削工程を実施すると、半導体ウエーハ２における基板２０の裏面２０ｂには上述した研削によって厚さが１μm程度の加工歪層が生成される。
上述した研削工程を実施したならば、半導体ウエーハ２における基板２０の裏面２０ｂに生成された加工歪層を除去する加工歪層除去工程を実施する。この加工歪層除去工程は例えば図４に示す研磨装置５によって実施する。図４に示す研磨装置５は、被加工物を保持するチャックテーブル５１と、該チャックテーブル５１に保持された被加工物を研磨するためのフエルト等の柔軟部材に酸化ジルコニア等の砥粒を分散させ適宜のボンド剤で固定した研磨砥石５２を備えた研磨工具５３とからなっている。このような研磨装置５によって上記加工歪層除去工程を実施するには、チャックテーブル５１上に上述した研削工程が実施された半導体ウエーハ２の保護部材３側を載置し（従って、半導体ウエーハ２は基板２０の裏面２０ｂが上側となる）、図示しない吸引手段によってチャックテーブル５１上に半導体ウエーハ２を吸着保持する。そして、チャックテーブル５１を例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研磨砥石５２を備えた研磨工具５３を例えば６０００ｒｐｍで回転せしめて基板２０の裏面２０ｂに接触することにより、基板２０の裏面２０ｂを研磨加工する。この結果、上述した研削工程を実施することによって半導体ウエーハ２における基板２０の裏面２０ｂに生成された加工歪層が除去される。なお、加工歪層除去工程は、ポリッシング或いはウエットエッチング、ドライエッチング等によって実施してもよい。
上述したように加工歪層除去工程を実施したならば、加工歪層が除去された半導体ウエーハ２における基板２０に対して透過性を有する波長のレーザー光線を、その集光点を基板２０の内部に位置付けて照射し、基板２０の内部に変質層を形成することによりゲッタリングシンク効果層を生成するゲッタリングシンク効果層生成工程を実施する。ゲッタリングシンク効果層生成工程は、図５に示すレーザー加工装置６を用いて実施する。図５に示すレーザー加工装置６は、被加工物を保持するチャックテーブル６１と、該チャックテーブル６１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段６２を具備している。チャックテーブル６１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない加工送り機構によって図５において矢印Ｘで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り機構によって矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。上記レーザー光線照射手段６２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング６２１の先端に装着された集光器６２２からパルスレーザー光線を照射する。また、図示のレーザー加工装置６は、上記レーザー光線照射手段６２を構成するケーシング６２１の先端部に装着された撮像手段６３を備えている。この撮像手段６３は、可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
上述した図５に示すレーザー加工装置６を用いてゲッタリングシンク効果層生成工程を実施するには、先ず上記研削工程が実施された半導体ウエーハ２の保護部材３側をチャックテーブル６１上に載置し（従って、半導体ウエーハ２は基板２０の裏面２０ｂが上側となる）、図示しない吸引手段によってチャックテーブル６１上に半導体ウエーハ２を吸着保持する。このようにして、半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル６１は、図示しない移動機構によって撮像手段６３の直下に位置付けられる。
チャックテーブル６１が撮像手段６３の直下に位置付けられると、撮像手段６３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段６３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２における基板２０の表面２０aに複数のデバイス２２が形成されている領域を検出し、加工領域のX,Y座標値を求める。このとき、デバイス２２が形成されている半導体ウエーハ２における基板２０の表面２０ａは下側に位置しているが、撮像手段６３が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成された撮像手段を備えているので、裏面２６ｂから透かしてデバイス２２を撮像することができる。
次に、図６の（ａ）で示すようにチャックテーブル６１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段６２の集光器６２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、加工開始位置をレーザー光線照射手段６２の集光器６２２の直下に位置付ける。そして、集光器６２２から基板２０に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル６１を図６の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の送り速度で移動せしめる（ゲッタリングシンク効果層生成工程）。そして、図６の（ｂ）で示すようにレーザー光線照射手段６２の集光器６２２の照射位置がデバイスが形成されている領域の図６の（ｂ）右端に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル６１の移動を停止する。このゲッタリングシンク効果層生成工程においては、パルスレーザー光線の集光点Ｐを半導体ウエーハ２の厚さ方向中間部に位置付けることにより、半導体ウエーハ２の厚さ方向中間部に変質層２１０が形成される。
上記ゲッタリングシンク効果層生成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源 ：ＬＤ励起ＱスイッチＮｄ：ＹＶＯ4スレーザー
波長 ：１０６４ｎｍのパルスレーザー
繰り返し周波数 ：１００ｋＨｚ
集光点のピークパワー密度：１×１０8Ｗ／cm2
集光スポット径 ：φ１μｍ
加工送り速度 ：１００ｍｍ／秒
上記加工条件によってゲッタリングシンク効果層生成工程を実施することにより、半導体ウエーハ２の基板２０の内部には厚さが１〜２μｍの変質層２１０が形成される。そして、上述したゲッタリングシンク効果層生成工程を半導体ウエーハ２における基板２０の表面２０aに形成されている複数のデバイス２２に対応した全領域に実施する。なお、変質層２１０の間隔は、１μｍ程度でよい。このようにして基板２０の内部に形成された変質層２１０は、ゲッタリングシンク効果層として機能する。
以上のようにして、ゲッタリングシンク効果層生成工程を実行したならば、図７に示すように環状のフレームF装着されたダイシングテープTの表面に半導体ウエーハ２における基板２０の裏面２０bを貼着する（ウエーハ支持工程）。そして、半導体ウエーハ２における基板２０の表面２aに貼着されている保護部材３を剥離する。
上述したウエーハ支持工程を実施したならば、ゲッタリングシンク効果層生成工程が実施された半導体ウエーハ２をストリート２１に沿って個々のチップに分割する分割工程を実施する。この分割工程は、図８に示す切削装置７を用いて実施する。図８に示す切削装置７は、被加工物を保持するチャックテーブル７１と、該チャックテーブル７１上に保持された被加工物を切削する切削ブレード７２１を備えた切削手段７２と、チャックテーブル７１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段７３を具備している。チャックテーブル７１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない移動機構によって図８において矢印Ｘで示す加工送り方向および矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。切削ブレード７２１は円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃からなっており、切れ刃は例えば粒径３μｍ程度のダイヤモンド砥粒を電鋳によって固定して形成されている。上記撮像手段７３は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
このように構成された切削装置７を用いて切削溝形成工程を実施するには、チャックテーブル７１上に上述したウエーハ支持工程において半導体ウエーハ２が貼着されたダイシングテープTを載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、ダイシングテープTを介して半導体ウエーハ２をチャックテーブル７１上に保持する。なお、図８においてはダイシングテープTが装着された環状のフレームFを省いて示しているが、環状のフレームＦはチャックテーブル７１に配設された適宜のフレーム保持手段に保持される。このようにして、半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル７１は、図示しない切削送り機構によって撮像手段７３の直下に位置付けられる。
チャックテーブル７１が撮像手段７３の直下に位置付けられると、撮像手段７３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２の切削すべき領域を検出するアライメント工程を実行する。即ち、撮像手段７３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の所定方向に形成されているストリート２１と、切削ブレード７２１との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、切削領域のアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、半導体ウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直角に延びるストリート２１に対しても、同様に切削領域のアライメントが遂行される。
以上のようにしてチャックテーブル７１上に保持されている半導体ウエーハ２に形成されているストリート２１を検出し、切削領域のアライメントが行われたならば、半導体ウエーハ２を保持したチャックテーブル７１を切削領域の切削開始位置に移動する。このとき、図９に示すように半導体ウエーハ２は切削すべきストリート２１の一端（図９において左端）が切削ブレード７２１の直下より所定量右側に位置するように位置付けられる。そして、切削ブレード７２１を図９において矢印７２１aで示す方向に所定の回転速度で回転し、２点鎖線で示す待機位置から図示しない切り込み送り機構によって図９において実線で示すように切削ブレード７２１の下端がダイシングテープTに達する位置まで切り込み送りする。
上述したように切削ブレード７２１の切り込み送りを実施したならば、切削ブレード７２１を図９において矢印７２１aで示す方向に所定の回転速度で回転しつつ、チャックテーブル７１を図９において矢印Ｘ１で示す方向に所定の切削送り速度で移動せしめる。そして、チャックテーブル７１に保持された半導体ウエーハ２の右端が切削ブレード７２１の直下を通過したらチャックテーブル７１の移動を停止する。この結果、半導体ウエーハ２は、ストリート２１に沿って切断される。
なお、上記分割肯定は、例えば以下の加工条件で行われる。
切削ブレード ：外径５２ｍｍ、厚さ３０μｍ
切削ブレードの回転速度：４００００ｒｐｍ
切削送り速度 ：５０ｍｍ／秒
上述した切断工程を半導体ウエーハ２に形成された全てのストリート２１に実施する。この結果、半導体ウエーハ２にはストリート２１に沿って切断され、図１０に示すように各デバイス２２毎に半導体チップ２００に分割される（分割工程）。このようにして分割された半導体チップ２００は、基板２０の裏面２０bが上記加工歪層除去工程を実施することによって研削工程で生成された加工歪層が除去されているので、抗折強度が安定する。また、半導体チップ２００は、上記ゲッタリングシンク効果層生成工程を実施することにより基板２０の厚さ方向中間部に変質層２１０が形成されているので、この変質層２１０がゲッタリングシンク効果層として機能する。
次に、本発明によるウエーハの加工方法の他の実施形態について説明する。
この実施形態においては、上記研削工程、加工歪層除去工程および分割工程を実施することにより、半導体ウエーハ２を個々の半導体チップに分割した後にゲッタリングシンク効果層生成工程を実施する。このように半導体ウエーハ２を個々の半導体チップに分割した後に実施するゲッタリングシンク効果層生成工程について、図１１乃至図１４を参照して説明する。先ず、図１１に示すように個々の半導体チップ２００に分割された半導体ウエーハ２を環状のフレームF装着されたダイシングテープTの表面に基板２０の表面２０aを貼着する。従って、個々の半導体チップ２００に分割された半導体ウエーハ２は、基板２０の裏面２０bが上側となる。そして、上記図５に示すレーザー加工装置６を用いて個々に分割された半導体チップ２００毎にトレパニング加工によりゲッタリングシンク効果層生成工程を実施する。
ここで、トレパニング加工を実施するためのレーザー光線照射手段について、図１２を参照して説明する。
上記図５に示すレーザー加工装置６におけるレーザー光線照射手段６２は、上記ケーシング６２１内に配設されたパルスレーザー光線発振手段８１と、出力調整手段８２と、パルスレーザー光線発振手段８１が発振したレーザー光線の光軸を加工送り方向（X軸方向）に偏向する第１の音響光学偏向手段８３と、レーザー光線発振手段８１が発振したレーザー光線の光軸を割り出し送り方向（Y軸方向）に偏向する第２の音響光学偏向手段８４を具備している。また、上記集光器６２２は、上記第１の音響光学偏向手段８３および第２の音響光学偏向手段８４を通過したパルスレーザー光線を下方に向けて方向変換する方向変換ミラー６２２aと、該方向変換ミラー６２２aによって方向変換されたレーザー光線を集光する集光レンズ６２２bを具備している。
上記パルスレーザー光線発振手段８１は、パルスレーザー光線発振器８１１と、これに付設された繰り返し周波数設定手段８１２とから構成されている。上記出力調整手段８２は、パルスレーザー光線発振手段８１から発振されたパルスレーザー光線の出力を調整する。
上記第１の音響光学偏向手段８３は、レーザー光線発振手段８１が発振したレーザー光線の光軸を加工送り方向（X軸方向）に偏向する第１の音響光学素子８３１と、該第１の音響光学素子８３１に印加するRF（radio frequency）を生成する第１のRF発振器８３２と、該第１のRF発振器８３２によって生成されたRFのパワーを増幅して第１の音響光学素子８３１に印加する第１のRFアンプ８３３と、第１のRF発振器８３２によって生成されるRFの周波数を調整する第１の偏向角度調整手段８３４と、第１のRF発振器８３２によって生成されるRFの振幅を調整する第１の出力調整手段８３５を具備している。上記第１の音響光学素子８３１は、印加されるRFの周波数に対応してレーザー光線の光軸を偏向する角度を調整することができるとともに、印加されるRFの振幅に対応してレーザー光線の出力を調整することができる。なお、上記第１の偏向角度調整手段８３４および第１の出力調整手段８３５は、図示しない制御手段によって制御される。
上記第２の音響光学偏向手段８４は、レーザー光線発振手段８１が発振したレーザー光線の光軸を加工送り方向（X軸方向）と直交する割り出し送り方向に偏向する第２の音響光学素子８４１と、該第２の音響光学素子８４１に印加するRFを生成する第２のRF発振器８４２と、該RF発振器８４２によって生成されたRFのパワーを増幅して第２の音響光学素子８４１に印加する第２のRFアンプ８４３と、第２のRF発振器８４２によって生成されるRFの周波数を調整する第２の偏向角度調整手段８４４と、第２のRF発振器８４２によって生成されるRFの振幅を調整する第２の出力調整手段８４５を具備している。上記第２の音響光学素子８４１は、印加されるRFの周波数に対応してレーザー光線の光軸を偏向する角度を調整することができるとともに、印加されるRFの振幅に対応してレーザー光線の出力を調整することができる。なお、上記第２の偏向角度調整手段８４４および第２の出力調整手段８４５は、図示しない制御手段によって制御される。
また、図示の実施形態におけるレーザー光線照射手段６２は、上記第１の音響光学素子８３にRFが印加されない場合に、図１２において１点差線で示すように第１の音響光学素子８３２によって偏向されないレーザー光線を吸収するためのレーザー光線吸収手段８５を具備している。
図示の実施形態におけるレーザー光線照射手段６２は以上のように構成されており、第１の音響光学素子８３１および第２の音響光学素子８４１にRFが印加されていない場合には、パルスレーザー光線発振手段８１から発振されたパルスレーザー光線は、出力調整手段８２、第１の音響光学素子８３１、第２の音響光学素子８４１を介して図１２において１点鎖線で示すようにレーザー光線吸収手段８５に導かれる。一方、第１の音響光学素子８３１に例えば１０kHzの周波数を有するRFが印加されると、パルスレーザー光線発振手段８１から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図１２において実線で示すように偏向され集光点Paに集光される。また、第１の音響光学素子８３１に例えば２０kHzの周波数を有するRFが印加されると、パルスレーザー光線発振手段８１から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図１２において破線で示すように偏向され、上記集光点Paから加工送り方向（X軸方向）に所定量変位した集光点Pbに集光される。なお、第２の音響光学素子８４１に所定周波数を有するRFが印加されると、パルスレーザー光線発振手段８１から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸を加工送り方向（X軸方向）と直交する割り出し送り方向（Y軸方向：図１２において紙面に垂直な方向）に所定量変位した集光点に集光される。
従って、第１の音響光学偏向手段７３および第２の音響光学偏向手段８４を作動してパルスレーザー光線の光軸をX軸方向とY軸方向に順次偏向させることにより、図１３に示すようにパルスレーザー光線のスポットSを渦巻き状に移動するトレパニング加工を実施することができる。
上述したレーザー光線照射手段６２を備えたレーザー加工装置６を用いて個々に分割された半導体チップ２００毎にトレパニング加工によりゲッタリングシンク効果層生成工程を実施するには、図１１に示すように環状のフレームF装着されたダイシングテープTの表面に基板２０の表面２０aが貼着された半導体ウエーハ２を上記チャックテーブル６１上に保持する。次に、チャックテーブル６１上に保持された半導体ウエーハ２における個々の分割された所定の半導体チップ２００をレーザー光線照射手段６２の集光器６２２の直下に位置付ける。そして、パルスレーザー光線の集光点を半導体ウエーハ２の厚さ方向中間部に位置付け、集光器６２２から基板２０に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつ図１４に示すように上述したトレパニング加工を実施する。この結果、半導体チップ２００に内部にゲッタリングシンク効果層として機能する変質層を形成することができる。
本発明によるウエーハの加工方法によって加工される半導体ウエーハの斜視図。 図１に示す半導体ウエーハの表面に保護部材を貼着した状態を示す斜視図。 本発明によるウエーハの加工方法における研削工程の説明図。 本発明によるウエーハの加工方法における加工歪層除去工程の説明図。 本発明によるウエーハの加工方法におけるゲッタリングシンク効果層生成工程を実施するためのレーザー加工装置の要部斜視図。 本発明によるウエーハの加工方法におけるゲッタリングシンク効果層生成工程を示す説明図。 本発明によるウエーハの加工方法におけるウエーハ支持工程を示す説明図。 本発明によるウエーハの加工方法における分割工程を実施するための切削装置の要部斜視図。 本発明によるウエーハの加工方法における分割工程を示す斜視図。 図９に示す分割工程によって半導体ウエーハが分割された半導体チップの斜視図。 個々の半導体チップに分割された半導体ウエーハを環状のフレーム装着されたダイシングテープの表面に表面側を貼着した状態を示す斜視図。 図５に示すレーザー加工装置を構成するレーザー光線照射手段の他の実施形態を示すブロック構成図。 図１２に示すレーザー光線照射手段によって実施するトレパニング加工の説明図。 本発明によるウエーハの加工方法におけるゲッタリングシンク効果層生成工程の他の実施形態を示す説明図。
符号の説明
２：半導体ウエーハ
２０：基板
２１：ストリート
２２：デバイス
２００：半導体チップ
２１０：変質層
３：保護部材
４：研削装置
４１：研削装置のチャックテーブル
４２：研削砥石
４３：研削ホイール
５：研磨装置
５１：研磨装置のチャックテーブル
５２：研磨砥石
５３：研磨工具
６：レーザー加工装置
６１：レーザー加工装置のチャックテーブル
６２：レーザー光線照射手段
６２２：集光器
６３：撮像手段
７：切削装置
７１：切削装置のチャックテーブル
７２：切削手段
７２１：切削ブレード
７３：撮像手段
８１：パルスレーザー光線発振手段
８２：出力調整手段
８３：第１の音響光学偏向手段
８４：第２の音響光学偏向手段

Claims (2)

  1. 基板の表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハに、ゲッタリングシンク効果を付与するウエーハの加工方法であって、
    基板の裏面が研削され所定の厚さに形成されたウエーハにおける基板の裏面に生成された加工歪を除去する加工核歪除去工程と、
    該加工核歪除去工程が実施されたウエーハの基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線を、その集光点を基板の内部に位置付けて照射し、基板の内部に変質層を形成することによりゲッタリングシンク効果層を生成するゲッタリングシンク効果層生成工程と、
    該ゲッタリングシンク効果層生成工程が実施されたウエーハをストリートに沿って個々のチップに分割する分割工程と、を含む、
    ことを特徴とするウエーハの加工方法。
  2. 基板の表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハに、ゲッタリングシンク効果を付与するウエーハの加工方法であって、
    基板の裏面が研削され所定の厚さに形成されたウエーハにおける基板の裏面に生成された加工歪を除去する加工核歪除去工程と、
    該加工核歪除去工程が実施されたウエーハをストリートに沿って個々のチップに分割する分割工程と、
    該分割工程が実施され個々のチップに分割されたウエーハの基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線を、その集光点を個々のチップの基板の内部に位置付けて照射し、基板の内部に変質層を形成することによりゲッタリングシンク効果層を生成するゲッタリングシンク効果層生成工程と、を含む、
    ことを特徴とするウエーハの加工方法。
JP2006287897A 2006-10-23 2006-10-23 ウエーハの加工方法 Pending JP2008108792A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006287897A JP2008108792A (ja) 2006-10-23 2006-10-23 ウエーハの加工方法
US11/907,939 US7611970B2 (en) 2006-10-23 2007-10-18 Wafer processing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006287897A JP2008108792A (ja) 2006-10-23 2006-10-23 ウエーハの加工方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008108792A true JP2008108792A (ja) 2008-05-08

Family

ID=39318448

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006287897A Pending JP2008108792A (ja) 2006-10-23 2006-10-23 ウエーハの加工方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7611970B2 (ja)
JP (1) JP2008108792A (ja)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009272440A (ja) * 2008-05-07 2009-11-19 Sumco Corp 半導体ウェーハの製造方法
WO2010044279A1 (ja) * 2008-10-16 2010-04-22 株式会社Sumco ゲッタリングシンクを有する固体撮像素子用エピタキシャル基板、半導体デバイス、裏面照射型固体撮像素子およびそれらの製造方法
JP2010098105A (ja) * 2008-10-16 2010-04-30 Sumco Corp 固体撮像素子用エピタキシャル基板の製造方法、固体撮像素子用エピタキシャル基板
JP2010161107A (ja) * 2009-01-06 2010-07-22 Tokyo Seimitsu Co Ltd 半導体装置製造方法
WO2010082267A1 (ja) * 2009-01-15 2010-07-22 並木精密宝石株式会社 エピタキシャル成長用内部改質基板及びそれを用いて作製される結晶成膜体、デバイス、バルク基板及びそれらの製造方法
JP2010283023A (ja) * 2009-06-02 2010-12-16 Sumco Corp 半導体デバイス向け半導体基板の製造方法、半導体デバイスの製造方法
US8309436B2 (en) 2009-06-05 2012-11-13 Sumco Corporation Method of producing epitaxial substrate with gettering for solid-state imaging device, and method of producing solid-state imaging device using same substrate
JP2012256653A (ja) * 2011-06-07 2012-12-27 Disco Abrasive Syst Ltd 電極が埋設されたウエーハの加工方法
US8357592B2 (en) 2009-06-02 2013-01-22 Sumco Corporation Method and apparatus for manufacturing semiconductor substrate dedicated to semiconductor device, and method and apparatus for manufacturing semiconductor device
JPWO2011108698A1 (ja) * 2010-03-05 2013-06-27 並木精密宝石株式会社 エピタキシャル成長用内部改質基板、多層膜付き内部改質基板、半導体デバイス、半導体バルク基板およびそれらの製造方法
JP2013157454A (ja) * 2012-01-30 2013-08-15 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法、半導体デバイスの製造方法及びレーザ加工装置
US8658516B2 (en) 2010-01-29 2014-02-25 Sumco Corporation Method of producing silicon wafer, epitaxial wafer and solid state image sensor, and device for producing silicon wafer
JP2014053351A (ja) * 2012-09-05 2014-03-20 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
KR20140038302A (ko) * 2012-09-20 2014-03-28 가부시기가이샤 디스코 게터링층 형성 방법

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI525664B (zh) * 2010-03-05 2016-03-11 Namiki Precision Jewel Co Ltd A crystalline film, a device, and a method for producing a crystalline film or device
JP2011201759A (ja) * 2010-03-05 2011-10-13 Namiki Precision Jewel Co Ltd 多層膜付き単結晶基板、多層膜付き単結晶基板の製造方法および素子製造方法
US8809166B2 (en) * 2012-12-20 2014-08-19 Nxp B.V. High die strength semiconductor wafer processing method and system
US9093518B1 (en) * 2014-06-30 2015-07-28 Applied Materials, Inc. Singulation of wafers having wafer-level underfill
US9165832B1 (en) 2014-06-30 2015-10-20 Applied Materials, Inc. Method of die singulation using laser ablation and induction of internal defects with a laser
US10350710B2 (en) * 2015-04-08 2019-07-16 The Japan Steel Works, Ltd. Laser irradiation method and apparatus
JP6605277B2 (ja) * 2015-09-29 2019-11-13 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003264194A (ja) * 2002-03-11 2003-09-19 Hamamatsu Photonics Kk レーザゲッタリング方法及び半導体基板
WO2006008824A1 (ja) * 2004-07-16 2006-01-26 Renesas Technology Corp. 半導体集積回路装置の製造方法
JP2006041258A (ja) * 2004-07-28 2006-02-09 Renesas Technology Corp ゲッタリング層を有する半導体チップとその製造方法
JP2007165706A (ja) * 2005-12-15 2007-06-28 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置の製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001085385A (ja) 1999-07-14 2001-03-30 Nisso Engineering Co Ltd シリコンのエッチング方法及び装置
SG92720A1 (en) * 1999-07-14 2002-11-19 Nisso Engineering Co Ltd Method and apparatus for etching silicon
JP4594545B2 (ja) 2001-03-28 2010-12-08 株式会社ディスコ 研磨装置及びこれを含んだ研削・研磨機
SG131737A1 (en) * 2001-03-28 2007-05-28 Disco Corp Polishing tool and polishing method and apparatus using same
JP4854866B2 (ja) * 2001-04-27 2012-01-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4943636B2 (ja) * 2004-03-25 2012-05-30 エルピーダメモリ株式会社 半導体装置及びその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003264194A (ja) * 2002-03-11 2003-09-19 Hamamatsu Photonics Kk レーザゲッタリング方法及び半導体基板
WO2006008824A1 (ja) * 2004-07-16 2006-01-26 Renesas Technology Corp. 半導体集積回路装置の製造方法
JP2006041258A (ja) * 2004-07-28 2006-02-09 Renesas Technology Corp ゲッタリング層を有する半導体チップとその製造方法
JP2007165706A (ja) * 2005-12-15 2007-06-28 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置の製造方法

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009272440A (ja) * 2008-05-07 2009-11-19 Sumco Corp 半導体ウェーハの製造方法
WO2010044279A1 (ja) * 2008-10-16 2010-04-22 株式会社Sumco ゲッタリングシンクを有する固体撮像素子用エピタキシャル基板、半導体デバイス、裏面照射型固体撮像素子およびそれらの製造方法
JP2010098105A (ja) * 2008-10-16 2010-04-30 Sumco Corp 固体撮像素子用エピタキシャル基板の製造方法、固体撮像素子用エピタキシャル基板
US9281197B2 (en) 2008-10-16 2016-03-08 Sumco Corporation Epitaxial substrate for solid-state imaging device with gettering sink, semiconductor device, back illuminated solid-state imaging device and manufacturing method thereof
JP2010161107A (ja) * 2009-01-06 2010-07-22 Tokyo Seimitsu Co Ltd 半導体装置製造方法
WO2010082267A1 (ja) * 2009-01-15 2010-07-22 並木精密宝石株式会社 エピタキシャル成長用内部改質基板及びそれを用いて作製される結晶成膜体、デバイス、バルク基板及びそれらの製造方法
JP2010165817A (ja) * 2009-01-15 2010-07-29 Namiki Precision Jewel Co Ltd エピタキシャル成長用内部改質基板及びそれを用いて作製される結晶成膜体、デバイス、バルク基板及びそれらの製造方法
JP2010283023A (ja) * 2009-06-02 2010-12-16 Sumco Corp 半導体デバイス向け半導体基板の製造方法、半導体デバイスの製造方法
US8357592B2 (en) 2009-06-02 2013-01-22 Sumco Corporation Method and apparatus for manufacturing semiconductor substrate dedicated to semiconductor device, and method and apparatus for manufacturing semiconductor device
US8309436B2 (en) 2009-06-05 2012-11-13 Sumco Corporation Method of producing epitaxial substrate with gettering for solid-state imaging device, and method of producing solid-state imaging device using same substrate
US8658516B2 (en) 2010-01-29 2014-02-25 Sumco Corporation Method of producing silicon wafer, epitaxial wafer and solid state image sensor, and device for producing silicon wafer
JPWO2011108698A1 (ja) * 2010-03-05 2013-06-27 並木精密宝石株式会社 エピタキシャル成長用内部改質基板、多層膜付き内部改質基板、半導体デバイス、半導体バルク基板およびそれらの製造方法
KR101527457B1 (ko) * 2010-03-05 2015-06-10 나미키 세이미쓰 하우세키 가부시키가이샤 에피택셜성장용 내부개질기판, 다층막형성 내부개질기판, 반도체 디바이스, 반도체 벌크 기판 및 그들의 제조 방법
JP5802943B2 (ja) * 2010-03-05 2015-11-04 並木精密宝石株式会社 エピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法および多層膜付き内部改質基板の製造方法
JP2012256653A (ja) * 2011-06-07 2012-12-27 Disco Abrasive Syst Ltd 電極が埋設されたウエーハの加工方法
JP2013157454A (ja) * 2012-01-30 2013-08-15 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法、半導体デバイスの製造方法及びレーザ加工装置
JP2014053351A (ja) * 2012-09-05 2014-03-20 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
KR20140038302A (ko) * 2012-09-20 2014-03-28 가부시기가이샤 디스코 게터링층 형성 방법
JP2014063786A (ja) * 2012-09-20 2014-04-10 Disco Abrasive Syst Ltd ゲッタリング層形成方法
KR102008530B1 (ko) * 2012-09-20 2019-08-07 가부시기가이샤 디스코 게터링층 형성 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20080096368A1 (en) 2008-04-24
US7611970B2 (en) 2009-11-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2008108792A (ja) ウエーハの加工方法
JP4733934B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP5000944B2 (ja) レーザー加工装置のアライメント方法
JP5154838B2 (ja) レーザー加工装置
JP6062287B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP5902540B2 (ja) レーザー加工方法およびレーザー加工装置
JP2005203541A (ja) ウエーハのレーザー加工方法
JP6026222B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP5964604B2 (ja) レーザー加工装置
JP4694795B2 (ja) ウエーハの分割方法
KR101953918B1 (ko) 레이저 가공 장치
JP2005129607A (ja) ウエーハの分割方法
JP2009021476A (ja) ウエーハの分割方法
JP4977432B2 (ja) ヒ化ガリウムウエーハのレーザー加工方法
JP2005135964A (ja) ウエーハの分割方法
JP6324796B2 (ja) 単結晶基板の加工方法
JP2010123797A (ja) ウエーハのレーザー加工方法
JP6189066B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP2006202933A (ja) ウエーハの分割方法
JP2014000588A (ja) レーザー加工装置
JP2008053500A (ja) ウエーハの分割方法
JP4447392B2 (ja) ウエーハの分割方法および分割装置
JP2006140341A (ja) ウエーハの分割方法
JP6147982B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP2008042110A (ja) ウエーハの分割方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090928

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120605

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120607

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20121023