JP6075191B2 - 補間回路および受信回路 - Google Patents

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Description

本発明は、補間回路および受信回路に関し、例えば補間コードに基づき補間データを生成する補間回路および受信回路に関する。
通信基幹向け装置やサーバ等の情報処理機器の性能向上に伴い、これらの装置内外における信号の送受信のデータレートが高くなりつつある。このような送受信装置の受信回路においては、入力データの位相に同期してサンプリングする同期型と入力データの位相とは同期させないでサンプリングする非同期型がある。非同期型受信回路においては、サンプリングされたデータから補間により補間データを生成することが知られている(例えば特許文献1)。
特開2012−147079号公報
補間データを生成するために、受信データの電圧を異なるタイミングで保持する複数の保持回路内の各可変容量に電荷を蓄積させ、可変容量が蓄積した電荷を合成することが行われる。しかし、データ信号が伝搬するラインに直列に可変容量の容量値を切り換えるスイッチが接続されると、信号損失が大きくなる。
本補間回路および受信回路は、信号損失を抑制することを目的とする。
時系列に入力される複数の入力データを、それぞれ保持する複数の保持回路と、前記複数の保持回路に保持された、時系列に隣接する入力データに対応する電圧を補間コードに基づき重み付けし合成した第1電流と、前記時系列に隣接する入力データに対応する電圧の反転電圧を前記補間コードに基づき重み付けし合成した第2電流と、を生成する重み付け回路と、前記第1電流と前記第2電流とを比較することにより、補間データのハイまたはローを判定する判定回路と、を具備することを特徴とする補間回路を用いる。
上記補間回路と、前記補間データの位相を検出し、前記補間コードを生成する検出回路と、を具備することを特徴とする受信回路を用いる。
本補間回路および受信回路によれば、信号損失を抑制することができる。
図1は、受信回路を示すブロック図である。 図2は、時間に対する信号を示す図である。 図3は、比較例に係る補間回路の一部を示す回路図である。 図4は、比較例における各スイッチの動作を示すタイミングチャートである。 図5は、比較例に係る補間回路の一部の動作を示す回路図(その1)である。 図6は、比較例に係る補間回路の一部の動作を示す回路図(その2)である。 図7は、比較例に係る補間回路の一部の動作を示す回路図(その3)である。 図8は、比較例に係る補間回路の一部の動作を示す回路図(その4)である。 図9は、比較例に係る補間回路の回路図である。 図10は、比較例におけるタイミングチャートである。 図11は、実施例1に係る補間回路の一部を示すブロック図である。 図12は、実施例1に係る補間回路の回路図である。 図13は、実施例1におけるタイミングチャートである。 図14は、生成回路の例を示す回路図である。 図15は、生成回路の別の例を示す回路図である。 図16は、生成回路のさらに別の例を示す回路図である。
まず、非同期型受信回路について説明する。図1は、比較例または実施例に係る補間回路を含む受信回路のブロック図である。図1を参照し、受信回路100は、補間回路12、判定回路14、検出回路16、ローパスフィルタ(LPF)18を備えている。補間回路12は、データ点とバウンダリ点とを含み、時系列に入力される入力データから補間コード(Interpolation
Code)に基づき補間データを生成する。判定回路14は、補間データを参照値と比較することにより、ハイレベルかローレベルかを判定する。これにより、判定回路14は、出力データを生成する。検出回路16は、出力データのバウンダリ点に基づき出力データの位相を検出し検出信号を出力する。LPF18は、検出信号をフィルタリングし、補間コードとする。受信回路100としては、例えばCDR(Clock
Data Recovery)回路を用いることができる。
図2は、時間に対する信号を示す図である。以下の実施例においては、1ユニットインターバルにおいて2個のデータがサンプリングされる2x方式を例に説明するが、他の方式にも適用できることは言うまでもない。図2を参照し、Snは時系列に入力された入力データに対応する。補間回路12は、2つの入力データSn−1およびSnから1つの補間データDnを生成する(nは自然数)。補間コードkを0≦k≦1としたとき、補間データDnは、Dn=(1−k)×Sn−1+k×Sにより生成できる。これにより、入力データの位相と合った補間データを生成することができる。このように、補間コードkは、入力データを重み付けする係数である。2x方式においては、データ点Dとバウンダリ点Bが交互に生成される。データ点は受信回路以降の回路においてデジタルデータとして扱われる点であり、バウンダリ点はデータが遷移する点である。2x方式においては、例えばデータ点はバウンダリ点の中間点となる。
次に、非同期型受信回路の補間回路の比較例について説明する。図3は、比較例に係る補間回路の一部を示す回路図であり、時系列に隣接する2つの入力データから1つの補間データを生成する回路を示す。図3を参照し、補間回路12の一部は、gm回路30aおよび30b、サンプリング回路13を備えている。サンプリング回路13は、スイッチ32a、32b、34a、34bおよび35、可変容量36および38並びにA/D(アナログデジタル変換器)40を備えている。入力VinとノードN1との間は2つの経路に分岐されている。一方の経路において、gm回路30a、スイッチ32aおよび可変容量36が直列に電気的に接続されている。gm回路30aは、入力信号Vinを電流に変換する電圧電流変換回路である。スイッチ32aは、gm回路30aの出力端子と可変容量36の一端との間に電気的に接続されている。スイッチ34aは、可変容量36の一端と電源Vddとの間に電気的に接続されている。可変容量36の他端がノードN1と接続されている。
他方の経路において、gm回路30b、スイッチ32bおよび可変容量38が直列に電気的に接続されている。gm回路30bは、入力信号Vinを電流に変換する電圧電流変換回路である。スイッチ32bは、gm回路30bの出力端子と可変容量38の一端との間に電気的に接続されている。スイッチ34bは、可変容量38の一端と電源Vddとの間に電気的に接続されている。可変容量38の他端がノードN1と接続されている。スイッチ35は、ノードN1とグランドとの間に電気的に接続されている。ノードN1がA/D40に接続される。スイッチ32a、32b、34a、34bおよび35はそれぞれクロックCKn−1、CKn、CLKH、CLKHおよびCLKRがハイのときオンし、ローのときオフする。可変容量36は1−kに対応する容量値となり、kに対応する容量37は容量値に寄与しない。可変容量38はkに対応する容量値となり、1−kに対応する容量39は容量値に寄与しない。
図4は、比較例における各スイッチの動作を示すタイミングチャートである。図5から図8は、比較例に係る補間回路の一部の動作を示す回路図である。図5から図8における容量36および38内のハッチングは、容量36および38に蓄積された電荷量を示す。ハッチングの面積は蓄積された電荷量に対応する。図4および図5を参照し、時間t1とt2との間の期間において、CLKH、CLKR、CLKn−1およびCLKnは、それぞれハイ、ハイ、ローおよびローである。この期間においては、電源Vddとグランドとの間に可変容量36および38がそれぞれ直列に電気的に接続される。これにより、可変容量36および38が充電される。
図4および図6を参照し、時間t3とt5との間の期間において、CLKH、CLKRおよびCLKn−1は、それぞれロー、ハイおよびハイである。この期間においては、可変容量36がgm回路30aとグランドとの間に直列に電気的に接続される。これにより、可変容量36から矢印56のように電荷が引き抜かれる。よって、可変容量36には、時間t3とt5との間の期間の電圧入力信号Vin(入力データSn−1に相当する)に対応する電荷が蓄積される。
図4および図7を参照し、時間t4とt6との間の期間において、CLKH、CLKRおよびCLKnは、それぞれロー、ハイおよびハイである。この期間においては、可変容量38がgm回路30bとグランドとの間に直列に電気的に接続される。これにより、可変容量38から矢印58のように電荷が引き抜かれる。よって、可変容量38には、時間t4とt6との間の期間の入力信号Vin(入力データSnに相当する)に対応する電荷が蓄積される。
図4および図8を参照し、時間t7とt8との間の期間において、CLKH、CLKR、CLKn−1およびCLKnは、それぞれハイ、ロー、ローおよびローである。この期間においては、電源VddとノードN1との間に可変容量36および38が並列に電気的に接続される。ノードN1は、グランドから遮断される。これにより、可変容量36および38に蓄積された電荷が合成される。よって、ノードN1の電圧が補間データDnに相当する値となる。A/D40はノードN1の電圧をデジタル値に変換して出力する。
以上のようにして、入力データSn−1およびSnから補間データDnが生成される。
図9は、比較例に係る補間回路の回路図である。図9を参照し、補間回路12は、gm回路30aおよび30bと複数のサンプリング回路13aおよび13bを備えている。隣接するサンプリング回路13aおよび13bは、スイッチ32を共有している。スイッチ32は、スイッチ31aと31bとが直列に接続されている。サンプリング回路13aおよび13bは、それぞれ複数(例えばNc個:図9では32個)のスライス47を備えている。各スライス47は、スイッチ34、41および42、キャパシタ43を備えている。スイッチ41は入力データSn−1(サンプリング回路13aではS3)を出力するスイッチ32とキャパシタ43の一端との間に接続されている。スイッチ42は入力データSn(サンプリング回路13aではS4)を出力するスイッチ32とキャパシタ43の一端との間に接続されている。キャパシタ43の他端は出力ノードN1に接続されている。スイッチ34は、図6のスイッチ34と同じであり、キャパシタ43の一端(ノードN0)と電源Vccとの間に接続されている。なお、スイッチ34が各スライス47に設けられているのは、全てのキャパシタ43を充電することを可能とするためである。
Nc個のスライス47は並列に接続されている。Nc個のスライス47のキャパシタ43の容量値は同じである。スイッチ41と42は、互いに相補的にオンオフする。すなわち、スイッチ41がオンのときスイッチ42はオフであり、スイッチ41がオフときスイッチ42はオンである。これにより、スイッチ41がオンしたスライス47のキャパシタ43は並列に入力データSn−1に相当するスイッチ32に接続され、これらのスライス47のキャパシタ43は可変容量36に対応する。スイッチ42がオンしたスライス47のキャパシタ43は並列に入力データSnに相当するスイッチ32に接続され、これらのスライス47のキャパシタ43は可変容量38に対応する。よって、可変容量36と可変容量38との容量値の和は同じとなる。kを0から1とし、Nc個のスライス47のうち、Nc×(1−k)個のスライス47のスイッチ41をオンし、Nc×k個のスイッチ42をオンする。これにより、出力ノード3N1には、(1−k)×Sn−1+k×Snに比例する電圧が生成される。A/D40はノードN1の電圧を補間データDnとして出力する。
図10は、比較例におけるタイミングチャートである。信号φn(φ1からφ8を図示)は、スイッチ31aを制御する信号である。信号φs0n(φs02からφs05を図示)は、スイッチ31bを制御する信号である。信号φr0nおよびφh0nは、それぞれスイッチ35および34を制御する信号である。信号φd0nはA/D40にサンプリングさせる信号である。φr0n、φh0nおよびφd0nの例としてφr04、φh04およびφd04を図示している。n=4以外のφr0n、φh0nおよびφd0nは、φnおよびφs0nと同様にnにより遅延する信号である。例えばφr04はφs04と同じ信号である。φh04はφs06の反転信号と同じ信号である。φd04はφs03と同じ信号である。
電圧V1およびV2は、それぞれノードN0およびN1の電圧である。V1のハイレベルはVddであり、V2のローレベルはグランドである。Doは出力データを示す。
時間t1からt2の期間において、図5と同様に、可変容量36および38を充電する。このとき、ノードN0の電圧V1はVddとなる。ノードN1の電圧V2はグランドとなる。時間t3とt5との期間においては、S3に相当するスイッチ31aと31bとがともにハイレベルとなる。これにより、図6と同様に、可変容量36の電荷が引き抜かれる。時間t5においては、電圧V1は入力データS3に相当する電圧となる。時間t4とt6との期間においては、S4に相当するスイッチ31aと31bとがともにハイレベルとなる。これにより、図7と同様に、可変容量38の電荷が引き抜かれる。時間t7とt8との期間においては、図8と同様に、スイッチ35がオフし、スイッチ34がオンする。これにより、ノードN1の電圧V2上昇し、時間t11以降において、電圧V2が補間データD4に相当する電圧となる。時間t12において、φd04がアップし、A/D40は、電圧V2をサンプリングする。補間データD4は出力データDoのバウンダリのデータに対応する。他の補間データDnも同様に生成される。
比較例においては、図9に示すように、スイッチ41および42が信号の伝搬するラインに直列に接続される。このため、信号の損失が生じる。また、スイッチ41および42は、スライス47毎に設けられるためスイッチの数が増大してしまう。さらに、図10に示すように、φh04がローレベルとなる時間t2と、φr04がローレベルとなる時間t10と、の間にφ3およびφ4のいずれもがオンすることになる。
以下に、上記比較例を改善する実施例について説明する。
図11は、実施例1に係る補間回路の一部を示すブロック図である。図11を参照し、時系列に隣接する2つの入力データから1つの補間データを生成する回路を示す。図11を参照し、補間回路12の一部は、gm回路30aおよび30b、サンプリング回路13を備えている。サンプリング回路13は、スイッチ32a、32b、34a、34b、35aおよび35b、キャパシタ44aおよび44bおよび生成回路45を備えている。キャパシタ44aおよび44bは、容量値が固定のキャパシタである。入力VinとノードN01との間には、gm回路30a、スイッチ32aおよびキャパシタ44aが直列に電気的に接続されている。gm回路30aは、入力信号Vinを電流に変換する電圧電流変換回路である。スイッチ32aは、gm回路30aの出力端子とキャパシタ44aの一端(ノードN00)との間に電気的に接続されている。キャパシタ44aの他端がノードN01と接続されている。スイッチ34aは、ノードN00と電源Vddとの間に電気的に接続されている。スイッチ35aは、ノードN01とグランドとの間に電気的に接続されている。
入力VinとノードN03との間には、gm回路30b、スイッチ32bおよびキャパシタ44bが直列に電気的に接続されている。gm回路30bは、入力信号Vinを電流に変換する電圧電流変換回路である。スイッチ32bは、gm回路30bの出力端子とキャパシタ44bの一端(ノードN02)との間に電気的に接続されている。スイッチ34bは、ノードN02と電源Vddとの間に電気的に接続されている。キャパシタ44bの他端がノードN03と接続されている。スイッチ35bは、ノードN03とグランドとの間に電気的に接続されている。ノードN01とN03とが生成回路45に入力する。生成回路45は、ノードN01とN03との電圧を補間コードに基づき重み付けし合成することにより補間データを生成する。
図12は、実施例1に係る補間回路の回路図である。図12を参照し、補間回路12は、gm回路30aおよび30bと複数の保持回路Bn(nは自然数であり、図12では、B3からB5を図示)を備えている。保持回路Bnは、スイッチ32、34、35およびキャパシタ44を有し、時系列に入力する入力データSnを保持する。補間データDnを出力するサンプリング回路13は、保持回路Bn−1およびBnを有している。例えば、補間データD4を出力するサンプリング回路13と補間データD5を出力するサンプリング回路13は、保持回路B4を共有している。図9と同様に、各保持回路Bnにおいて、スイッチ32は、スイッチ31aと31bとが直列に接続されている。生成回路45は、重み付け回路46と判定回路48とを備えている。
キャパシタ44には、スイッチ32がオンしたときに対応する入力データSn相当の電荷が蓄積される。よって、ノードN01およびN03の電圧は、入力データS3およびS4に対応する電圧V1およびV3となる。重み付け回路46は、ノードN01およびN03の電圧V1およびV2を、補間コードに基づき合成する。判定回路48は、重み付け回路46の出力を参照値と比較することにより、デジタル信号(ハイまたはロー)に変換する。なお、キャパシタ44の容量値は互いにほぼ同じであることが好ましい。
図13は、実施例1におけるタイミングチャートである。信号φn(φ1からφ5を図示)は、保持回路Bnにおけるスイッチ31aを制御する信号である。信号φs0n(φs03からφs05を図示)は、保持回路Bnにおけるスイッチ31bを制御する信号である。信号φr0nおよびφh0nは、それぞれ保持回路Bnにおけるスイッチ35および34を制御する信号である。信号φd0nは補間データDnを出力する判定回路48に入力するサンプリング信号である。φr0n、φh0nおよびφd0nの例としてφr04、φh04およびφd04を図示している。n=4以外のφr0n、φh0nおよびφd0nは、φnおよびφs0nと同様にnにより一定期間遅延する信号である。例えばφr04はφs04と同じ信号である。φh04はφs06の反転信号と同じ信号である。φd04はφs03と同じ信号である。
電圧V0からV4は、それぞれノードN00からN03の電圧である。V0およびV2のハイレベルはVddであり、V1およびV3のローレベルはグランドである。Doは出力データを示す。
時間t1からt2の期間において、φr04とφh04とがハイレベルであり、保持回路B4のスイッチ34と35とがオンする。これにより保持回路B4のキャパシタ44が充電される。このとき、ノードN02の電圧V2はVddとなり、ノードN03の電圧V3はグランド電位となる。図示していないが、φr03とφh03とがハイレベルとなる期間において、保持回路B3のノードN00の電圧V0はVddとなり、ノードN01の電圧V1はグランド電位となる。時間t3とt5との期間においては、φ3とφs03とがハイレベルとなり、保持回路B3のスイッチ31aと31bとがともにオンする。これにより、保持回路B3のキャパシタ44の電荷が引き抜かれる。時間t5において、電圧V0は入力データS3に相当する電圧となる。時間t4とt6との期間においては、保持回路B4のスイッチ31aと31bとがともにハイレベルとなる。これにより、保持回路B4のキャパシタ44が引き抜かれる。時間t6において、電圧V2は入力データS4に相当する電圧となる。
時間t7とt8との期間においては、保持回路B4のスイッチ35がオフし、スイッチ34がオンする。これにより、ノードN03の電圧V1上昇し、時間t11以降において、電圧V3が入力データS4に相当する電圧となる。同様に、保持回路B3において、時間t13以降において、電圧V1が入力データS3に相当する電圧となる。重み付け回路46は、電圧V1とV3とを重み付けし合成する。時間t12において、φd04がアップすると、判定回路48は、合成された電圧から補間データD4を生成する。
図13にように、信号φn、φs0n、φr0n、φh0nおよびφr0nは、nが1増加するごとに一定期間遅延する信号である。これにより、各保持回路Bnおよび生成回路45は、入力データSnからnに対し連続して補間データDnを生成できる。このような動作をタイムインターリーブ動作という。
比較例においては、図9に示すように、補間データD4に相当するスイッチ34および35に、入力データS3に相当するスイッチ32と、入力データS4に相当するスイッチ32と、が接続されている。このため、図10に示すように、φh04がローレベルとなる時間t2と、φr04がローレベルとなる時間t10と、の間にφ3のパルスとφ4のパルスとを収める。すなわち、時間t2とt10との間に、φ3をロー、ハイ、ローとし、φ3より遅れてφ4をロー、ハイ、ローとする。
一方、実施例1においては、図12に示すように、保持回路B4のスイッチ34および35には、スイッチ32のうち入力データS4に相当するスイッチ32のみが接続されている。このため、図13に示すように、φh04がローレベルとなる時間t2と、φr04がローレベルとなる時間t10と、の間にφ4のパルスが収まればよい。すなわち、時間t2とt10との間に、φ4をロー、ハイ、ローとすればよい。高速化が進むとφnのパルス幅をφh0nおよびφr0nのパルス幅に対し狭くすることが難しくなる。実施例1によれば、比較例に比べ、パルス幅のマージンを大きくできる。よって、より高速化に対応することができる。
実施例1によれば、図12および図13のように、複数の保持回路Bnは、時系列に入力される複数の入力データをそれぞれ保持する。生成回路45の重み付け回路46は、複数の保持回路Bnのうち時系列に隣接する保持回路Bnに保持された入力データを補間コードに基づき重み付けし合成する。生成回路45の判定回路48は、合成されたデータから補間データを生成する。例えば、判定回路48は、重み付け回路46の出力と参照値とを比較し、ハイかローかを判定することにより補間データのデジタルデータを生成する。このように、異なる時間の入力データを保持回路Bnが保持し、生成回路45が保持された入力データと補間コードとに基づき補間データを生成する。これにより、図9に示すスイッチ41および42が不要になる。よって、スイッチ41および42によるインピーダンス増加が抑制され信号損失を抑制することができる。また、スイッチ41、42およびキャパシタ43を各スライス47に設けないため、回路面積を縮小できる。さらに、図13において説明したように、時間t2とt10との間に1つのφnが入ればよいため、パルス幅のマージンを大きくできる。これにより、回路の高速化が可能となる。
複数の保持回路Bnのそれぞれは、入力データSnの電圧に対応する電荷を蓄積するキャパシタ44を備える場合について説明したが、複数の保持回路Bnは入力データを保持すればよい。キャパシタ44を用いる場合、複数のキャパシタ44の容量値を互いに同じとすることにより、簡単に補間データを生成できる。
図12に示すように、保持回路Bnは、複数のスイッチ34(第1スイッチ)は、複数のキャパシタ44の一端とVdd(第1電源)との間に直列に接続されている。複数のスイッチ35(第2スイッチ)は、複数のキャパシタ44の他端とグランド(第1電源より低い電圧の第2電源)との間にそれぞれ直列に接続されている。複数のスイッチ32(第3スイッチ)は、複数のキャパシタ44の一端に複数の入力データSnのそれぞれに対応する電流を印加する。これにより、キャパシタ44は、入力データSnに対応する電荷を蓄積できる。
図13に示すように、それぞれのキャパシタ44に対応し、スイッチ34がオフ(φh0nがロー)かつスイッチ35がオン(φr0nがハイ)の間に、スイッチ32のオン期間(φnがハイの期間)が含まれる。このように、時間t2とt10との間に1つのφnが入ればよい。
次に、実施例1に用いられる生成回路の例を説明する。以下の生成回路の説明においては、各信号を差動信号を用い説明する。図11および図12において、各信号は差動信号でもよい。
図14は、生成回路の例を示す回路図である。図14を参照し、生成回路45は、ラッチ回路60、トランジスタ61および電流源62を備えている。ラッチ回路60は、2組のインバータ80aおよび80bを有している。各インバータ80aおよび80bは、それぞれn型FET(Field
Effect Transistor)63aおよび63b、p型FET64aおよび64bを備えている。FET63aとFET64aとのドレインは共通に接続されインバータ80aの出力ノードとなる。FET63aとFET64aとのゲートは共通に接続されインバータ80aの入力ノードとなる。FET63aおよび64aのソースはそれぞれノードN10aおよび電源Vdd(第2電源)に接続される。インバータ80bも同様である。
インバータ80aの出力ノードはインバータ80bの入力ノードに接続される。インバータ80bの出力ノードはインバータ80aの入力ノードに接続される。各インバータ80aおよび80bの出力ノードは、それぞれ生成回路45の出力端子70aおよび70bに接続される。1対の出力端子70aおよび70bは相補的な信号を出力する。スイッチ68は、φdの反転信号(図12および13におけるφn04の反転信号)がハイレベル(φdがローレベル)となると、オンし、出力端子70aおよび70bのラッチ回路60に保持されたデータを出力する。スイッチ69は、オフすることにより、生成回路45を活性化させるスイッチである。
トランジスタ61は、4つのn型FET65aから65dを備えている。FET65aおよび65bのドレインは共通にノードN10aに接続される。FET65cおよび65dのドレインは共通にノードN10bに接続される。FET65aおよび65cのソースは共通にノードN11bに接続される。FET65bおよび65dのソースは共通にノードN11aに接続される。FET65aから65dのゲートには、それぞれ電圧V1p、V2p、V1mおよびV2mが入力する。電圧V1pおよびV2pは、例えば図12および図13におけるそれぞれ電圧V1およびV3である。電圧V1mおよびV2mは電圧V1pおよびV2pの反転信号である。
電流源62は、複数のスライス66aおよび66bを有している。スライス66a毎に、ノードN11aとグランド(第1電源)とを接続するスイッチ67aが設けられている。すなわち、ノードN11aとグランドとの間に複数のスイッチ67aが接続されている。スライス66b毎に、ノードN11bとグランドとを接続するスイッチ67bが設けられている。すなわち、ノードN11bとグランドとの間に複数のスイッチ67bが接続されている。スイッチ67aおよび67bは、信号φdに同期してオンする。ここで、信号φdは、例えば図12および図13のφd0nに対応する。補間コードkに基づきスイッチ67aおよび67bのうちオンするスイッチが設定されている。
例えば、スライス66aおよび66bがそれぞれNc個設けられている場合、スライス66aのうちk(kは0から1)×Nc個のスライスのスイッチ67aがφdに同期する。他のスライスのスイッチ67aはφdに関係なくオフである。スライス66bのうち(1−k)×Nc個のスライスのスイッチ67bがφdに同期する。他のスライスのスイッチ67bはφdに関係なくオフである。
FET65aから65dの電流電圧特性が線形的とすると、ノードN10aを流れる電流は、A0×((1−k)×Sn−1+k×Sn)+I0となる。一方、ノードN10aを流れる電流は、−A0×((1−k)×Sn−1+k×Sn)+I0となる。ここで、A0は一定係数、I0は、Vp1およびVp2(またはVm1およびVmp)が0のときノードN10a(またはノードN10bを流れる電流である。よって、ラッチ回路60が、ノードN10aの電位とノードN10bの電位とを比較することにより、(1−k)×Sn−1+k×Snがハイかローかを判定できる。このように、Dn=(1−k)×Sn−1+k×Snに対応する補間データが生成される。このようにして、実施例1においても比較例と同様な処理を行なうことができる。
図15は、生成回路の別の例を示す回路図である。図15を参照し、生成回路45aにおいて、電流源62は、スイッチ71、FET72および可変電源73を備えている。FET72のドレインはスイッチ71を介しノードN11aまたはN11bに接続されている。スイッチ71はφdに同期してオンまたはオフする。FET72のソースはグランドに接続されている。FET72のゲートは可変電源73が接続されている。可変電源73の電圧を補間コードkに基づき制御する。これにより、ノード11aおよび11bを流れる電流を変化させることができる。その他の構成は図14と同じであり説明を省略する。
図16は、生成回路のさらに別の例を示す回路図である。図16を参照し、生成回路45bにおいて、電流源62は、FET72、可変容量77、キャパシタ75およびアンプ76を備えている。FET72のドレインはノードN11aまたはN11bに接続されている。FET72のソースはグランドに接続されている。FET72のゲートとグランドとの間に可変容量77が接続されている。さらにFET72のゲートとアンプ76の出力との間にはキャパシタ75が接続されている。アンプ76は、φdを増幅して出力する。キャパシタ75と可変容量77とはアンプ76の出力電圧をキャパシタ75と可変容量77との容量値比で分割しFET72のゲートに印加する。可変容量77の容量値を補間コードkに基づき制御することにより、ノード11aおよび11bを流れる電流を補間コードに基づき変化させることができる。その他の構成は図14と同じであり説明を省略する。
図14から図16に示すように、隣接する保持回路Bn−1およびBnに入力データSn−1およびSnが保持される。重み付け回路46(電流源62およびトランジスタ61に対応する)は、入力データSn−1およびSnを、補間コードに基づき重み付けし合成したデータに対応する電流を、ノードN10aおよびN10bに生成する。判定回路48(ラッチ回路60に対応する)は、ノードN10aおよびN10bを流れる電流に基づき、補間データのハイまたはローを判定する。
例えば、トランジスタ61が含む複数のFET65aから65dは、それぞれソース(第1端子)とドレイン(第2端子)との間を流れる電流量をゲート(制御端子)の電圧で制御する。FET65a(または65c)のゲートには、隣接する保持回路の一方の出力が入力される。FET65b(または65d)のゲートには、隣接する保持回路の他方の出力が入力される。電流源62は、補間コードに基づきFET65aおよび65cのソースとドレインとの間を流れる電流と、FET65bおよび65dのソースとドレインとの間を流れる電流の比と、を変更する。これにより、ノードN10aおよびノードN10bには、(1−k)×Sn−1+k×Snに対応する電位を生成できる。
FET65bおよび65dのゲートと、FET65aおよび65cのゲートと、には補信号が入力される。これにより、ノードN10aとノードN10bとの電位を比較することにより、補間データのハイまたはローを判定できる。
このように、重み付け回路46は、隣接する保持回路Bn−1およびBnに保持された電圧Vp1およびVp2を補間コードに基づき重み付けし合成したデータに対応する電流をノードN10aに生成する。重み付け回路46は、電圧Vp1およびVp2の反転電圧Vm1およびVm2を補間コードに基づき重み付けし合成したデータに対応する電流をノードN10bに生成する。判定回路48は、ノードN10aとN10bとの電流を比較することにより、補間データをハイまたはローと判定することができる。
重み付け回路46として電流源62およびトランジスタ61の例を説明した。また、判定回路48として、グランドと電源Vddとの間にトランジスタ61と直列に接続されているラッチ回路60を例に説明した。重み付け回路46は、判定回路48は、その他の構成でもよい。
例えば、ノードN10aおよびノードN10bと電源Vddとの間にそれぞれ負荷が接続され、負荷とは別にノードN10aおよびN10bの電位を比較する判定回路が設けられていてもよい。
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
なお、以上の説明に関して更に以下の付記を開示する。
(付記1)時系列に入力される複数の入力データを、それぞれ保持する複数の保持回路と、前記複数の保持回路に保持された、時系列に隣接する入力データを、補間コードに基づき重み付けし合成した補間データを生成する生成回路と、を具備することを特徴とする補間回路。
(付記2)前記複数の保持回路のそれぞれは、前記入力データの電圧に対応する電荷を蓄積するキャパシタを備えることを特徴とする付記1記載の補間回路。
(付記3)前記複数の保持回路のそれぞれは、前記キャパシタの一端と第1電源との間に直列に接続された第1スイッチと、前記キャパシタの他端と前記第1電源より低い電圧の第2電源との間に直列に接続された第2スイッチと、前記キャパシタの一端に前記入力データに対応する電流を印加する第3スイッチと、を具備することを特徴とする付記2記載の補間回路。
(付記4)前記生成回路には、前記時系列に隣接する保持回路の出力および前記補間コードが入力することを特徴とする付記1から3のいずれか一項記載の補間回路。
(付記5)前記生成回路は、前記時系列に隣接する保持回路の出力を前記補間コードに基づき重み付けし合成した電流を生成する重み付け回路と、前記電流に基づき前記補間データのハイまたはローを判定する判定回路とを備えることを特徴とする付記4記載の補間回路。
(付記6)前記第1スイッチがオフかつ前記第2スイッチがオンの間に、前記第3スイッチのオン期間が含まれることを特徴とする付記3記載の補間回路。
(付記7)前記重み付け回路は、隣接する保持回路に保持された入力データを、前記補間コードに基づき重み付けし合成した第1電流と、前記隣接する保持回路に保持された電圧の反転データを前記補間コードに基づき重み付けし合成した第2電流と、を生成し、前記判定回路は、前記第1電流と前記第電流とを比較することにより、前記補間データの判定を行なうことを特徴とする付記5記載の補間回路。
(付記8)キャパシタの容量値は互いに同じであることを特徴とする付記2から4のいずれか一項記載の補間回路。
(付記9)付記1から8のいずれか一項記載の補間回路と、前記補間データの位相を検出し、前記補間コードを生成する検出回路と、を具備することを特徴とする受信回路。
12 補間回路
13 サンプリング回路
16 検出回路
32−35 スイッチ
44 キャパシタ
45 生成回路
46 重み付け回路
48 判定回路
60 ラッチ回路
61 トランジスタ
62 電流源
65 FET
100 受信回路

Claims (6)

  1. 時系列に入力される複数の入力データを、それぞれ保持する複数の保持回路と、
    前記複数の保持回路に保持された、時系列に隣接する入力データに対応する電圧を補間コードに基づき重み付けし合成した第1電流と、前記時系列に隣接する入力データに対応する電圧の反転電圧を前記補間コードに基づき重み付けし合成した第2電流と、を生成する重み付け回路と、
    前記第1電流と前記第2電流とを比較することにより、補間データのハイまたはローを判定する判定回路と、
    を具備することを特徴とする補間回路。
  2. 前記複数の保持回路のそれぞれは、前記入力データに対応する電荷を蓄積するキャパシタを備えることを特徴とする請求項1記載の補間回路。
  3. 前記複数の保持回路のそれぞれは、前記キャパシタの一端と第1電源との間に直列に接続された第1スイッチと、
    前記キャパシタの他端と前記第1電源より低い電圧の第2電源との間に直列に接続された第2スイッチと、
    前記キャパシタの一端に前記入力データに対応する電流を印加する第3スイッチと、
    を具備し、
    前記キャパシタの他端は前記重み付け回路に接続され、
    前記キャパシタと前記重み付け回路との間には直列にスイッチは接続されていないことを特徴とする請求項2記載の補間回路。
  4. 前記判定回路は、2つのインバータを有するラッチ回路を備え、
    前記2つのインバータのそれぞれの電源に前記第1電流および前記第2電流が流れることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項記載の補間回路。
  5. 前記保持回路が前記入力データを保持するときに、前記第2スイッチおよび前記第3スイッチがオンし、前記第1スイッチがオフすることを特徴とする請求項3記載の補間回路。
  6. 請求項1から5のいずれか一項記載の補間回路と、
    前記補間データの位相を検出し、前記補間コードを生成する検出回路と、
    を具備することを特徴とする受信回路。
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