JP6069140B2

JP6069140B2 - Substrate processing system, substrate processing method, and computer readable storage medium storing substrate processing program

Info

Publication number: JP6069140B2
Application number: JP2013187301A
Authority: JP
Inventors: 信彦毛利; 小原　隆憲; 隆憲小原
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2013-09-10
Filing date: 2013-09-10
Publication date: 2017-02-01
Anticipated expiration: 2033-09-10
Also published as: JP2015056431A

Description

本発明は、基板を処理液で処理する基板処理システム及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に関するものである。 The present invention relates to a substrate processing system and a substrate processing method for processing a substrate with a processing liquid, and a computer-readable storage medium storing a substrate processing program.

従来より、半導体部品やフラットパネルディスプレイなどを製造する際には、基板処理システムを用いて半導体ウエハや液晶基板などの基板に対して処理液を用いて洗浄等の処理を施す。 Conventionally, when manufacturing a semiconductor component, a flat panel display, or the like, a substrate processing system is used to perform processing such as cleaning using a processing liquid on a substrate such as a semiconductor wafer or a liquid crystal substrate.

従来の基板処理システムは、基板を保持しながら回転させる基板保持機構と、回転する基板に処理液を供給する処理液供給機構とを備える。そして、基板処理システムでは、基板保持機構で基板を保持しながら回転させるとともに、処理液供給機構から基板の表面に向けて処理液を供給する。これにより、基板処理システムは、基板の表面を処理液で処理する。その際に使用された処理液は、基板の回転による遠心力によって基板の外周外方に振り切られ、基板の外周外方に設けられた回収カップで回収される。 A conventional substrate processing system includes a substrate holding mechanism that rotates while holding a substrate, and a processing liquid supply mechanism that supplies a processing liquid to the rotating substrate. In the substrate processing system, the substrate is rotated while being held by the substrate holding mechanism, and the processing liquid is supplied from the processing liquid supply mechanism toward the surface of the substrate. Thereby, the substrate processing system processes the surface of the substrate with the processing liquid. The processing liquid used at that time is shaken off to the outer periphery of the substrate by a centrifugal force generated by the rotation of the substrate, and is recovered by a recovery cup provided on the outer periphery of the substrate.

この基板処理システムでは、基板の表面を処理した際に基板の表面から剥離したパーティクル等が処理液とともに基板の外周外方に振り切られ、回収カップから外部に排出される。しかしながら、従来の基板処理システムでは、全てのパーティクル等が処理液とともに外部に排出されるのではなく、一部のパーティクル等が回収カップの内周面に付着して残留してしまい、その後の基板の処理時にパーティクル等が基板に再付着するおそれがあった。 In this substrate processing system, particles and the like separated from the surface of the substrate when the surface of the substrate is processed are shaken off to the outer periphery of the substrate together with the processing liquid, and discharged from the recovery cup to the outside. However, in the conventional substrate processing system, not all particles etc. are discharged to the outside together with the processing liquid, but some particles etc. remain attached to the inner peripheral surface of the recovery cup, and the subsequent substrate There was a risk that particles or the like may reattach to the substrate during the treatment.

そのため、従来の基板処理システムでは、回収カップの内側に洗浄ノズルを設け、洗浄ノズルから回収カップの内周面に向けて洗浄液を吐出して回収カップの内周面を洗浄していた（たとえば、特許文献１参照。）。 Therefore, in the conventional substrate processing system, a cleaning nozzle is provided inside the recovery cup, and the cleaning liquid is discharged from the cleaning nozzle toward the inner peripheral surface of the recovery cup to clean the inner peripheral surface of the recovery cup (for example, (See Patent Document 1).

特開２００２−３０５１３４号公報JP 2002-305134 A

ところが、上記従来の基板処理システムでは、回収カップの内周面を洗浄する際に、洗浄ノズルから回収カップの内周面に向けて吐出した洗浄液が回収カップの内周面で飛散し、基板保持機構などに洗浄液とともにパーティクル等が付着するおそれがあった。パーティクル等が基板保持部などに付着してしまうと、その後の基板の処理時にパーティクル等が基板に再付着し、基板の処理を良好に行えないおそれがあった。 However, in the above conventional substrate processing system, when cleaning the inner peripheral surface of the recovery cup, the cleaning liquid discharged from the cleaning nozzle toward the inner peripheral surface of the recovery cup is scattered on the inner peripheral surface of the recovery cup, and the substrate is held. There is a possibility that particles and the like adhere to the mechanism and the like together with the cleaning liquid. If particles or the like adhere to the substrate holding part or the like, the particles or the like may reattach to the substrate during subsequent substrate processing, and the substrate may not be processed satisfactorily.

そこで、本発明では、基板を処理液で処理する基板処理システムにおいて、前記基板を基板保持部で保持する基板保持機構と、前記基板に向けて処理液を供給する処理流体供給部と、前記処理流体供給部から供給された処理液を前記基板の外周外方で回収する回収カップと、前記回収カップを前記基板保持部に対して相対的に昇降させる回収カップ昇降機構と、前記回収カップの内周面に向けて洗浄液を供給する回収カップ洗浄液供給部と、前記回収カップ昇降機構と回収カップ洗浄液供給部を制御する制御装置とを備え、前記回収カップ洗浄液供給部は、洗浄液を吐出する洗浄ノズルと、前記洗浄ノズルを昇降させる洗浄ノズル昇降機構とを有し、前記制御装置は、前記回収カップ昇降機構によって前記回収カップを前記基板保持部の位置よりも下側に降下させ、前記回収カップ洗浄液供給部によって前記下降された回収カップの内周面に向けて洗浄液を供給させて、前記基板保持部の位置よりも下側の位置で前記回収カップの内周面を洗浄し、前記回収カップの内周面の洗浄時に、前記洗浄ノズル昇降機構によって前記洗浄ノズルを昇降させることにした。
Therefore, according to the present invention, in a substrate processing system for processing a substrate with a processing liquid, a substrate holding mechanism that holds the substrate with a substrate holding part, a processing fluid supply part that supplies a processing liquid toward the substrate, and the processing A recovery cup for recovering the processing liquid supplied from the fluid supply unit outside the outer periphery of the substrate; a recovery cup lifting mechanism for lifting the recovery cup relative to the substrate holding unit; A recovery cup cleaning liquid supply unit that supplies the cleaning liquid toward the peripheral surface; and a control device that controls the recovery cup lifting mechanism and the recovery cup cleaning liquid supply unit, wherein the recovery cup cleaning liquid supply unit is a cleaning nozzle that discharges the cleaning liquid When the cause of the cleaning nozzle elevating and a cleaning nozzle lift mechanism, wherein the control device, the position the collecting cup of the substrate holding portion by the collecting cup lift mechanism The recovery cup cleaning liquid supply unit supplies the cleaning liquid toward the inner peripheral surface of the recovered recovery cup and lowers the recovery cup at a position lower than the position of the substrate holding unit. The cleaning nozzle is moved up and down by the cleaning nozzle lifting mechanism when cleaning the inner peripheral surface of the recovery cup .

また、前記制御装置は、前記下降された回収カップの内周面の洗浄時に、前記回収カップ昇降機構によって前記回収カップを昇降させることにした。 Further, the control device raises and lowers the recovery cup by the recovery cup lifting mechanism when cleaning the inner peripheral surface of the lowered recovery cup.

また、前記回収カップは、底部に形成した排気口の上方に排気口カバーを設け、前記排気口カバーは、前記回収カップの内周面における洗浄液が供給される位置の鉛直下方に想定した仮想線から、前記基板保持機構で水平に保持される基板の中心に対して外側の前記排気口を覆うことで、前記回収カップの内周面における洗浄液が供給される位置の鉛直下方に想定した仮想線よりも内側の前記排気口の上方を開放させることにした。
The virtual, the collection cup, the outlet cover provided above the exhaust port formed in the bottom, the exhaust port cover, it is assumed vertically below the position where the cleaning liquid definitive an inner circumferential surface of the collecting cup is supplied from the line, by covering the exhaust port of the outer side with respect to the center of the substrate to be horizontally held by the substrate holding mechanism, assuming vertically below the position where the cleaning liquid definitive an inner circumferential surface of the collecting cup is supplied The upper part of the exhaust port inside the imaginary line was opened.

また、本発明では、基板を処理液で処理する基板処理方法において、基板保持部により前記基板を保持した状態で前記基板に供給された処理液を前記基板の外周外方で回収する回収カップを、前記基板保持部の位置よりも下側に降下させ、前記降下された回収カップの内周面に向けて昇降させた洗浄ノズルから洗浄液を供給して、処理液による処理時に前記基板保持部の位置よりも下側の位置で前記回収カップの内周面を洗浄することにした。
According to the present invention, in the substrate processing method for processing a substrate with a processing liquid, a recovery cup is provided for recovering the processing liquid supplied to the substrate in a state where the substrate is held by a substrate holding unit outside the outer periphery of the substrate. The cleaning liquid is supplied from a cleaning nozzle that is lowered below the position of the substrate holding part and is raised and lowered toward the inner peripheral surface of the lowered recovery cup, and the substrate holding part is The inner peripheral surface of the recovery cup was cleaned at a position below the position.

また、本発明では、基板処理システムに処理液で基板を処理させる基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体において、基板保持部により前記基板を保持した状態で前記基板に供給された処理液を前記基板の外周外方で回収する回収カップを、前記基板保持部の位置よりも下側に降下させ、前記下降された回収カップの内周面に向けて昇降させた洗浄ノズルから洗浄液を供給して、処理液による処理時に前記基板保持部の位置よりも下側の位置で前記回収カップの内周面を洗浄することにした。 According to the present invention, in a computer-readable storage medium storing a substrate processing program for processing a substrate with a processing liquid in a substrate processing system, the processing liquid supplied to the substrate in a state where the substrate is held by a substrate holding unit The recovery cup that recovers the outer periphery of the substrate is lowered below the position of the substrate holding portion, and the cleaning liquid is supplied from the cleaning nozzle that is raised and lowered toward the inner peripheral surface of the lowered recovery cup. Then, the inner peripheral surface of the recovery cup is cleaned at a position lower than the position of the substrate holding portion during processing with the processing liquid .

本発明では、回収カップの内周面に付着したパーティクル等を基板保持機構などに再付着させることなく除去することができ、その後の基板の処理を良好に行うことができる。 In the present invention, particles or the like adhering to the inner peripheral surface of the recovery cup can be removed without being reattached to the substrate holding mechanism or the like, and subsequent substrate processing can be performed satisfactorily.

基板処理システムの概略構成を示す平面説明図。Plane explanatory drawing which shows schematic structure of a substrate processing system. 処理ユニットの概略構成を示す側面説明図。Side surface explanatory drawing which shows schematic structure of a processing unit. 処理ユニットを示す側面説明図。Side surface explanatory drawing which shows a processing unit. 同平面説明図。FIG. 同平面断面説明図。FIG. 回収カップ洗浄液供給部を示す平面拡大説明図。Plane expansion explanatory drawing which shows a collection cup washing | cleaning liquid supply part. 同側面拡大説明図。FIG. 基板処理プログラムのフローチャート。The flowchart of a substrate processing program. 回収カップ洗浄液供給部を示す側面拡大説明図。Side surface expansion explanatory drawing which shows a collection cup washing | cleaning liquid supply part.

以下に、本発明に係る基板処理システム及び基板処理方法並びに基板処理プログラムの具体的な構成について図面を参照しながら説明する。 A specific configuration of a substrate processing system, a substrate processing method, and a substrate processing program according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。 FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing system according to the present embodiment. In the following, in order to clarify the positional relationship, the X axis, the Y axis, and the Z axis that are orthogonal to each other are defined, and the positive direction of the Z axis is the vertically upward direction.

図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。 As shown in FIG. 1, the substrate processing system 1 includes a carry-in / out station 2 and a processing station 3. The carry-in / out station 2 and the processing station 3 are provided adjacent to each other.

搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウェハ（以下ウェハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。 The carry-in / out station 2 includes a carrier placement unit 11 and a transport unit 12. A plurality of carriers C that accommodate a plurality of substrates, in this embodiment a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer W) in a horizontal state, are placed on the carrier placement unit 11.

搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。 The transport unit 12 is provided adjacent to the carrier placement unit 11 and includes a substrate transport device 13 and a delivery unit 14 inside. The substrate transfer device 13 includes a wafer holding mechanism that holds the wafer W. Further, the substrate transfer device 13 can move in the horizontal direction and the vertical direction and can turn around the vertical axis, and transfers the wafer W between the carrier C and the delivery unit 14 using the wafer holding mechanism. Do.

処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。 The processing station 3 is provided adjacent to the transfer unit 12. The processing station 3 includes a transport unit 15 and a plurality of processing units 16. The plurality of processing units 16 are provided side by side on the transport unit 15.

搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。 The transport unit 15 includes a substrate transport device 17 inside. The substrate transfer device 17 includes a wafer holding mechanism that holds the wafer W. Further, the substrate transfer device 17 can move in the horizontal direction and the vertical direction and can turn around the vertical axis, and transfers the wafer W between the delivery unit 14 and the processing unit 16 using a wafer holding mechanism. I do.

処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定の基板処理を行う。 The processing unit 16 performs predetermined substrate processing on the wafer W transferred by the substrate transfer device 17.

また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。 Further, the substrate processing system 1 includes a control device 4. The control device 4 is a computer, for example, and includes a control unit 18 and a storage unit 19. The storage unit 19 stores a program for controlling various processes executed in the substrate processing system 1. The control unit 18 controls the operation of the substrate processing system 1 by reading and executing the program stored in the storage unit 19.

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。 Such a program may be recorded on a computer-readable storage medium, and may be installed in the storage unit 19 of the control device 4 from the storage medium. Examples of the computer-readable storage medium include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnetic optical disk (MO), and a memory card.

上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。 In the substrate processing system 1 configured as described above, first, the substrate transfer device 13 of the loading / unloading station 2 takes out the wafer W from the carrier C placed on the carrier placement unit 11 and receives the taken-out wafer W. Place on the transfer section 14. The wafer W placed on the delivery unit 14 is taken out from the delivery unit 14 by the substrate transfer device 17 of the processing station 3 and carried into the processing unit 16.

処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。 The wafer W carried into the processing unit 16 is processed by the processing unit 16, then unloaded from the processing unit 16 by the substrate transfer device 17, and placed on the delivery unit 14. Then, the processed wafer W placed on the delivery unit 14 is returned to the carrier C of the carrier placement unit 11 by the substrate transfer device 13.

図２に示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板保持機構３０と、処理流体供給部４０と、回収カップ５０とを備える。 As shown in FIG. 2, the processing unit 16 includes a chamber 20, a substrate holding mechanism 30, a processing fluid supply unit 40, and a recovery cup 50.

チャンバ２０は、基板保持機構３０と処理流体供給部４０と回収カップ５０とを収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。 The chamber 20 accommodates the substrate holding mechanism 30, the processing fluid supply unit 40, and the recovery cup 50. An FFU (Fan Filter Unit) 21 is provided on the ceiling of the chamber 20. The FFU 21 forms a down flow in the chamber 20.

基板保持機構３０は、保持部３１と、支柱部３２と、駆動部３３とを備える。保持部３１は、ウェハＷを水平に保持する。支柱部３２は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部３３によって回転可能に支持され、先端部において保持部３１を水平に支持する。駆動部３３は、支柱部３２を鉛直軸まわりに回転させる。かかる基板保持機構３０は、駆動部３３を用いて支柱部３２を回転させることによって支柱部３２に支持された保持部３１を回転させ、これにより、保持部３１に保持されたウェハＷを回転させる。 The substrate holding mechanism 30 includes a holding unit 31, a support unit 32, and a driving unit 33. The holding unit 31 holds the wafer W horizontally. The support | pillar part 32 is a member extended in a perpendicular direction, a base end part is rotatably supported by the drive part 33, and supports the holding | maintenance part 31 horizontally in a front-end | tip part. The drive unit 33 rotates the column unit 32 around the vertical axis. The substrate holding mechanism 30 rotates the support unit 31 by rotating the support unit 32 using the drive unit 33, thereby rotating the wafer W held by the support unit 31. .

処理流体供給部４０は、ウェハＷに対して処理流体を供給する。処理流体供給部４０は、処理流体供給源７０に接続される。 The processing fluid supply unit 40 supplies a processing fluid to the wafer W. The processing fluid supply unit 40 is connected to a processing fluid supply source 70.

回収カップ５０は、保持部３１を取り囲むように配置され、保持部３１の回転によってウェハＷから飛散する処理液を捕集する。回収カップ５０の底部には、排液口５１が形成されており、回収カップ５０によって捕集された処理液は、かかる排液口５１から処理ユニット１６の外部へ排出される。また、回収カップ５０の底部には、ＦＦＵ２１から供給される気体を処理ユニット１６の外部へ排出する排気口５２が形成される。 The collection cup 50 is disposed so as to surround the holding unit 31, and collects the processing liquid scattered from the wafer W by the rotation of the holding unit 31. A drain port 51 is formed at the bottom of the recovery cup 50, and the processing liquid collected by the recovery cup 50 is discharged from the drain port 51 to the outside of the processing unit 16. Further, an exhaust port 52 for discharging the gas supplied from the FFU 21 to the outside of the processing unit 16 is formed at the bottom of the recovery cup 50.

図３及び図４に示すように、基板保持機構３０の保持部３１（基板保持部）は、支柱部３２の上端に円板状の回転プレート３４を取付けている。回転プレート３４の外周端縁部には、ウェハＷの外周端縁を下側（裏面側）から支持する基板支持体３５が円周方向に間隔をあけて３個設けられている。 As shown in FIGS. 3 and 4, the holding portion 31 (substrate holding portion) of the substrate holding mechanism 30 has a disk-shaped rotating plate 34 attached to the upper end of the column portion 32. Three substrate supports 35 that support the outer peripheral edge of the wafer W from the lower side (back surface side) are provided at the outer peripheral edge portion of the rotating plate 34 at intervals in the circumferential direction.

また、回収カップ５０は、チャンバ２０に固定されるカップ本体５３と、カップ本体５３に昇降自在に取付けられた昇降カップ５４とで構成する。本実施形態では、保持部３１の高さは変化せず、昇降カップ５４の高さを変えることにより、昇降カップ５４が保持部３１に対して相対的に昇降する。 The recovery cup 50 includes a cup main body 53 fixed to the chamber 20 and an elevating cup 54 attached to the cup main body 53 so as to be movable up and down. In the present embodiment, the height of the holding part 31 does not change, and the raising / lowering cup 54 moves up and down relatively with respect to the holding part 31 by changing the height of the raising / lowering cup 54.

カップ本体５３は、底部周縁に平面視で円環状の溝５５を形成する。この溝５５に排液口５１と排気口５２とが形成されている。排気口５２には、排気口カバー５６が取付けられている。この排気口カバー５６の具体的な構成は後述する。 The cup body 53 forms an annular groove 55 in the plan view in the bottom periphery. A drainage port 51 and an exhaust port 52 are formed in the groove 55. An exhaust port cover 56 is attached to the exhaust port 52. A specific configuration of the exhaust port cover 56 will be described later.

昇降カップ５４は、カップ本体５３の円筒状の周壁５７に沿って上下に伸延する円環状の基部５８と、基部５８の上端部から内側上方に向けて傾斜状に伸延するカバー部５９とを有する。 The elevating cup 54 has an annular base 58 that extends vertically along the cylindrical peripheral wall 57 of the cup body 53, and a cover portion 59 that extends in an upwardly inward direction from the upper end of the base 58. .

この昇降カップ５４には、カップ本体５３の周壁５７に沿って昇降カップ５４を昇降させるための回収カップ昇降機構６０が接続される。回収カップ昇降機構６０は、制御装置４で昇降制御される。 The elevating cup 54 is connected to a recovery cup elevating mechanism 60 for elevating the elevating cup 54 along the peripheral wall 57 of the cup body 53. The collection cup lifting mechanism 60 is lifted and lowered by the control device 4.

また、回収カップ５０には、回収カップ５０（昇降カップ５４）の内周面に洗浄液を供給するための回収カップ洗浄液供給部６１が設けられている。 Further, the recovery cup 50 is provided with a recovery cup cleaning liquid supply unit 61 for supplying a cleaning liquid to the inner peripheral surface of the recovery cup 50 (elevating cup 54).

図５に示すように、回収カップ洗浄液供給部６１は、カップ本体５３の溝５５の内周部に洗浄ノズル６２を円周方向に間隔をあけて複数個取り付けることができ、本実施形態では、１２個取付けられている。各洗浄ノズル６２には、洗浄液を供給する洗浄液供給源６３が流量調整器６４を介して接続される。流量調整器６４は、制御装置４で制御される。各洗浄ノズル６２は、図６に示すように、洗浄液供給源６３から供給された洗浄液６５を左右に扇状に拡散させてミスト状にして吐出する。隣り合う洗浄ノズル６２から吐出された扇状に広がるミスト状の洗浄液６５は、回収カップ５０（昇降カップ５４）の内周面に隙間なく供給される。 As shown in FIG. 5, the recovery cup cleaning liquid supply unit 61 can attach a plurality of cleaning nozzles 62 to the inner peripheral part of the groove 55 of the cup body 53 at intervals in the circumferential direction. Twelve are attached. A cleaning liquid supply source 63 that supplies a cleaning liquid is connected to each cleaning nozzle 62 via a flow rate regulator 64. The flow rate regulator 64 is controlled by the control device 4. As shown in FIG. 6, each cleaning nozzle 62 diffuses the cleaning liquid 65 supplied from the cleaning liquid supply source 63 left and right in a fan shape and discharges it in the form of a mist. The fan-like mist-like cleaning liquid 65 discharged from the adjacent cleaning nozzles 62 is supplied to the inner peripheral surface of the recovery cup 50 (elevating cup 54) without a gap.

図７（ａ）に示すように、基板保持機構３０にウェハＷが保持されている状態でウェハＷを処理液で処理する際には、ウェハＷの外周外方に昇降カップ５４を位置させる。回転するウェハＷによって振り切られた処理液６６は、昇降カップ５４の傾斜状のカバー部５９の内周面に衝突した後に、カップ本体５３の溝５５に流れ込み、排液口５１から外部へ排出される。 As shown in FIG. 7A, when the wafer W is processed with the processing liquid while the wafer W is held by the substrate holding mechanism 30, the elevating cup 54 is positioned outside the outer periphery of the wafer W. The processing liquid 66 shaken off by the rotating wafer W collides with the inner peripheral surface of the inclined cover portion 59 of the elevating cup 54, then flows into the groove 55 of the cup body 53, and is discharged from the liquid discharge port 51 to the outside. The

一方、図７（ｂ）に示すように、ウェハＷの処理後において基板保持機構３０でウェハＷを保持していない状態で回収カップ５０の内周面を洗浄する際には、ウェハＷの処理時において保持部３１の位置よりも下側に昇降カップ５４を位置させる。この状態で、回収カップ洗浄液供給部６１は、洗浄ノズル６２からミスト状の洗浄液６５を昇降カップ５４の内周面に向けて吐出する。図示されるように、ノズル６２は平面かつ放射状のミスト吐出、すなわち、上方向から見れば図６のような扇状であるが、横から見た場合は図７（ｂ）のように広がりを持たない直線状のミストを吐出する。吐出されたミスト状の洗浄液６５は、昇降カップ５４の傾斜状のカバー部５９の内周面に衝突して液滴となる。液滴となった後に、大部分の液滴は昇降カップ５４の内周面を伝わってカップ底部にたどり着いてカップ本体５３の溝５５に流れ込み、排液口５１から外部へ排出される。 On the other hand, as shown in FIG. 7B, when the inner peripheral surface of the recovery cup 50 is cleaned in a state where the wafer W is not held by the substrate holding mechanism 30 after the wafer W is processed, the processing of the wafer W is performed. At that time, the elevating cup 54 is positioned below the position of the holding portion 31. In this state, the recovery cup cleaning liquid supply unit 61 discharges the mist cleaning liquid 65 from the cleaning nozzle 62 toward the inner peripheral surface of the elevating cup 54. As shown in the figure, the nozzle 62 has a flat and radial mist discharge, that is, a fan shape as shown in FIG. 6 when viewed from above, but has a spread as shown in FIG. 7B when viewed from the side. Dispense no straight mist. The discharged mist-like cleaning liquid 65 collides with the inner peripheral surface of the inclined cover portion 59 of the elevating cup 54 and becomes liquid droplets. After the droplets are formed, most of the droplets travel along the inner peripheral surface of the elevating cup 54, reach the bottom of the cup, flow into the groove 55 of the cup body 53, and are discharged from the drain port 51 to the outside.

昇降カップ５４の傾斜状のカバー部５９の内周面に衝突した洗浄液６５は液摘となって昇降カップ５４の内周面を伝わるだけでなく、一部の液摘はカバー部５９の内周面に洗浄液６５が衝突した位置の鉛直下方よりも外側に向けて滴下する（図７（ｂ）の矢印）。そこで、排気口５２の上方に設けた排気口カバー５６は、回収カップ５０（昇降カップ５４）の内周面に洗浄液６５が供給される位置Ｐの鉛直下方に想定した仮想線Ｌから外側の範囲で排気口５２の上方を覆うようにしている。このように、回収カップ５０の内周面に洗浄液６５が供給される位置Ｐの鉛直下方から外側の範囲で排気口５２を覆うことで、回収カップ５０の内周面に洗浄液が供給される位置Ｐの鉛直下方よりも内側において排気口５２の上方を開放させる。これにより、排気口カバー５６によって洗浄液６５の液滴が排気口５２に流入するのを防止するとともに、ＦＦＵ２１から供給された気体が排気口５２に上下に円滑に流れるのを排気口カバー５６で阻害しないようにしている。なお、排気口カバー５６は、外側下方に向けて傾斜状に形成して、洗浄液６５が回収カップ５０との間の隙間を通じて流れ落ち、回収カップ５０の底部に流れ込むようにしている。なお、鉛直下方に限らず、実際に液摘が落下する可能性のある範囲を考慮して、排気口カバー５６の覆う範囲を少し広く、すなわち、想定した仮想線Ｌよりも左側に越えるように構成しても良い。 The cleaning liquid 65 that has collided with the inner peripheral surface of the inclined cover portion 59 of the elevating cup 54 becomes not only a liquid knob but also propagates through the inner peripheral surface of the elevating cup 54, and a part of the liquid knob is not removed from the inner circumference of the cover portion 59. The cleaning liquid 65 is dropped toward the outside from the vertically lower position where the cleaning liquid 65 collides with the surface (arrow in FIG. 7B). Therefore, the exhaust port cover 56 provided above the exhaust port 52 is a range outside the imaginary line L assumed vertically below the position P at which the cleaning liquid 65 is supplied to the inner peripheral surface of the recovery cup 50 (elevating cup 54). The upper part of the exhaust port 52 is covered. Thus, the position where the cleaning liquid is supplied to the inner peripheral surface of the recovery cup 50 by covering the exhaust port 52 in the range from the vertically lower side to the outer side of the position P where the cleaning liquid 65 is supplied to the inner peripheral surface of the recovery cup 50. The upper side of the exhaust port 52 is opened inside the vertical lower side of P. This prevents the droplet of the cleaning liquid 65 from flowing into the exhaust port 52 by the exhaust port cover 56 and inhibits the gas supplied from the FFU 21 from flowing smoothly up and down into the exhaust port 52 by the exhaust port cover 56. I try not to. The exhaust port cover 56 is formed to be inclined downward toward the outside, so that the cleaning liquid 65 flows down through the gap between the recovery cup 50 and flows into the bottom of the recovery cup 50. It should be noted that the range covered by the exhaust port cover 56 is a little wider, that is, beyond the assumed imaginary line L in consideration of the range where the liquid catcher may actually fall, not limited to the vertically downward direction. It may be configured.

基板処理システム１は、以上のように構成しており、制御装置４の記憶部１９に記憶された基板処理プログラムにしたがって動作する。図８は、本実施形態の基板処理及び回収カップ洗浄のためのプログラムのフローチャートであり、基板処理システム１の稼動に伴い開始される。 The substrate processing system 1 is configured as described above, and operates according to a substrate processing program stored in the storage unit 19 of the control device 4. FIG. 8 is a flowchart of a program for substrate processing and recovery cup cleaning according to the present embodiment, which starts with the operation of the substrate processing system 1.

図８に示すように、制御装置４は、通常においてはウェハＷを処理液で処理する（基板液処理ステップＳ１）。 As shown in FIG. 8, the control device 4 normally processes the wafer W with the processing liquid (substrate liquid processing step S1).

ウェハＷの洗浄処理においては、図７（ａ）に示すように、基板保持機構３０の保持部３１にウェハＷを載置する。制御装置４は、回収カップ昇降機構６０を制御して、ウェハＷの外周外方に昇降カップ５４を位置させる。また、制御装置４は、基板保持機構３０を制御して、回転プレート３４を回転させる。これにより、ウェハＷは、回転プレート３４とともに回転する。その後、制御装置４は、処理流体供給部４０を制御して、回転するウェハＷの上面（表面）に処理液を供給させる。処理液は、回転するウェハＷの遠心力でウェハＷの外周外方に振り切られ、昇降カップ５４の傾斜状のカバー部５９の内周面に衝突した後に、カップ本体５３の溝５５に流れ込み、排液口５１から外部へ排出される。これにより、ウェハＷが処理液で処理される。処理されたウェハＷは、基板保持機構３０から搬出される。 In the cleaning process of the wafer W, the wafer W is placed on the holding unit 31 of the substrate holding mechanism 30 as shown in FIG. The control device 4 controls the recovery cup lifting mechanism 60 to position the lifting cup 54 outside the outer periphery of the wafer W. Further, the control device 4 controls the substrate holding mechanism 30 to rotate the rotating plate 34. As a result, the wafer W rotates with the rotating plate 34. Thereafter, the control device 4 controls the processing fluid supply unit 40 to supply the processing liquid to the upper surface (surface) of the rotating wafer W. The processing liquid is swung off the outer periphery of the wafer W by the centrifugal force of the rotating wafer W, and after flowing into the groove 55 of the cup body 53 after colliding with the inner peripheral surface of the inclined cover portion 59 of the elevating cup 54, It is discharged from the drain 51 to the outside. Thereby, the wafer W is processed with the processing liquid. The processed wafer W is unloaded from the substrate holding mechanism 30.

その後、制御装置４は、回収カップ５０の内周面の洗浄処理を行うか否かを判断する（回収カップ洗浄判断ステップＳ２）。たとえば、制御装置４は、前回の回収カップ５０の洗浄処理から経過した時間や、液処理したウェハＷの枚数などに基づいて、回収カップ５０の洗浄処理を行うか否かを判断する。なお、オペレーターの指示に基づいて強制的に回収カップ５０の洗浄処理を行わせてもよい。 Thereafter, the control device 4 determines whether or not to clean the inner peripheral surface of the recovery cup 50 (recovery cup cleaning determination step S2). For example, the control device 4 determines whether or not to perform the cleaning process of the recovery cup 50 based on the time elapsed since the previous cleaning process of the recovery cup 50, the number of wafers W subjected to the liquid processing, and the like. It should be noted that the recovery cup 50 may be forcibly washed based on an operator instruction.

回収カップ５０の洗浄処理を行うと判断した場合、制御装置４は、図７（ｂ）に示すように、回収カップ昇降機構６０を制御して、昇降カップ５４を降下させて、ウェハＷの処理時において保持部３１の回転プレート３４の下面の位置よりも下側に位置させる（回収カップ降下ステップＳ３）。 When it is determined that the cleaning process of the recovery cup 50 is performed, the control device 4 controls the recovery cup lifting mechanism 60 to lower the lifting cup 54 and process the wafer W as shown in FIG. At this time, the holding part 31 is positioned below the position of the lower surface of the rotating plate 34 (recovery cup lowering step S3).

その後、制御装置４は、回収カップ洗浄液供給部６１を制御して、洗浄ノズル６２から洗浄液を昇降カップ５４の内周面に向けて吐出させる（回収カップ洗浄ステップＳ４）。洗浄液６５は、昇降カップ５４の傾斜状のカバー部５９の内周面に衝突した後に、カップ本体５３の溝５５に流れ込み、排液口５１から外部へ排出される。これにより、回収カップ５０（昇降カップ５４）の内周面が洗浄液６５で洗浄される。 Thereafter, the control device 4 controls the recovery cup cleaning liquid supply unit 61 to discharge the cleaning liquid from the cleaning nozzle 62 toward the inner peripheral surface of the elevating cup 54 (recovery cup cleaning step S4). The cleaning liquid 65 collides with the inner peripheral surface of the inclined cover portion 59 of the elevating cup 54 and then flows into the groove 55 of the cup body 53 and is discharged from the drain port 51 to the outside. Thereby, the inner peripheral surface of the recovery cup 50 (elevating cup 54) is cleaned with the cleaning liquid 65.

回収カップ５０の洗浄が終了した後に、制御装置４は、回収カップ洗浄液供給部６１を制御して、洗浄液６５の吐出を停止するとともに、回収カップ昇降機構６０を制御して、昇降カップ５４を上昇させて、ウェハＷの外周外方に位置させる（回収カップ上昇ステップＳ５）。回収カップ５０の洗浄を終了した場合、または回収カップ５０の洗浄処理を行わないと判断した場合は基板液処理ステップＳ１に戻り、次の基板液処理を行うようにし、システムが停止するまで以上のフローを繰り返す。 After the cleaning of the recovery cup 50 is completed, the control device 4 controls the recovery cup cleaning liquid supply unit 61 to stop the discharge of the cleaning liquid 65 and also controls the recovery cup lifting mechanism 60 to raise the lifting cup 54. The wafer W is positioned outside the outer periphery of the wafer W (recovery cup raising step S5). When the cleaning of the recovery cup 50 is completed, or when it is determined that the cleaning process of the recovery cup 50 is not performed, the process returns to the substrate liquid processing step S1, and the next substrate liquid processing is performed. Repeat the flow.

回収カップ５０の洗浄処理時には、図９（ａ）に示すように、制御装置４で回収カップ昇降機構６０を制御して、回収カップ５０（昇降カップ５４）を上下に昇降させながら、洗浄ノズル６２から洗浄液６５を昇降カップ５４の内周面に向けて吐出させてもよい。これにより、回収カップ５０の内周面の広い範囲を同時に洗浄することができる。この場合、回収カップ５０を昇降させるのではなく、洗浄ノズル６２を昇降させてもよい。すなわち、図９（ｂ）に示すように、洗浄ノズル６２に洗浄ノズル昇降機構６７を接続し、制御装置４で洗浄ノズル昇降機構６７を制御して洗浄ノズル６２を上下に昇降させながら、洗浄ノズル６２から洗浄液を昇降カップ５４の内周面に向けて吐出させてもよい。 During the cleaning process of the recovery cup 50, as shown in FIG. 9A, the control nozzle 4 controls the recovery cup lifting mechanism 60 to move the recovery cup 50 (the lifting cup 54) up and down while moving the cleaning nozzle 62. The cleaning liquid 65 may be discharged toward the inner peripheral surface of the elevating cup 54. Thereby, the wide range of the inner peripheral surface of the collection cup 50 can be cleaned simultaneously. In this case, instead of raising and lowering the collection cup 50, the cleaning nozzle 62 may be raised and lowered. That is, as shown in FIG. 9B, the cleaning nozzle lifting mechanism 67 is connected to the cleaning nozzle 62, and the control nozzle 4 controls the cleaning nozzle lifting mechanism 67 to move the cleaning nozzle 62 up and down. The cleaning liquid may be discharged from 62 toward the inner peripheral surface of the elevating cup 54.

上述したように、図７のミスト状の洗浄液６５は、昇降カップ５４の傾斜状のカバー部５９の内周面に衝突して液滴となり、液滴となった後に、大部分の液滴は昇降カップ５４の内周面を伝わって下方に流れていく。したがって、洗浄液６５が供給される位置Ｐは、パーティクル等が多く付着している高さよりも若干高い位置であることが好ましい。これは、放射状のミストはカップにたどり着き液滴に変化した後、円周方向に移動しながらカップの内面上を流れ落ちていき、ある程度の距離だけ流れたときにカップの全周の位置で均一な流量の下向きの水流が生成されるためである。付着したパーティクルの大部分は強い水圧を与える必要がなく、上方向からの水流により剥がれ落ちるという特性を持つので、上記均一な水流により、円周上どの位置でもムラのない均一な洗浄効果を得ることができる。 As described above, the mist-like cleaning liquid 65 in FIG. 7 collides with the inner peripheral surface of the inclined cover portion 59 of the elevating cup 54 to form droplets, and after the droplets are formed, most of the droplets are It flows downward along the inner peripheral surface of the elevating cup 54. Therefore, the position P to which the cleaning liquid 65 is supplied is preferably a position that is slightly higher than the height at which many particles or the like are attached. This is because the radial mist arrives at the cup and turns into droplets, then moves down the inner surface of the cup while moving in the circumferential direction, and is uniform at the entire circumference of the cup when it flows for a certain distance. This is because a downward flow of water is generated. Most of the adhered particles do not need to give a strong water pressure and have the property of peeling off due to the water flow from above, so the uniform water flow provides a uniform cleaning effect with no unevenness at any position on the circumference. be able to.

なお、ウェハＷの液処理時には、ウェハＷから振り切られた処理液６６は、重力の作用でウェハＷよりも少し下側の回収カップ５０（昇降カップ５４）の内周面に衝突する。そのため、回収カップ５０の内周面において、保持部３１の回転プレート３４の上側の水平面よりも少し下側となる部分にパーティクル等が多く付着している。そこで、保持部３１の回転プレート３４の上側の水平面よりも少し下側となる部分の回収カップ５０の内周面に向けて洗浄液を吐出するのが好ましい。ただし、上記のように均一の水流を生成して利用するために、パーティクル等が多く付着する位置よりも若干高い位置が設定されるほうが好ましい。 During the liquid processing of the wafer W, the processing liquid 66 shaken off from the wafer W collides with the inner peripheral surface of the recovery cup 50 (elevating cup 54) slightly below the wafer W due to the action of gravity. Therefore, on the inner peripheral surface of the recovery cup 50, a large amount of particles and the like are attached to a portion slightly lower than the horizontal surface above the rotating plate 34 of the holding unit 31. Therefore, it is preferable to discharge the cleaning liquid toward the inner peripheral surface of the recovery cup 50 in a portion slightly lower than the horizontal surface on the upper side of the rotating plate 34 of the holding unit 31. However, in order to generate and use a uniform water flow as described above, it is preferable to set a position that is slightly higher than a position where many particles or the like adhere.

また、ウェハＷの液処理時には、基板保持機構３０（回転プレート３４）の回転によって作用する遠心力で処理液６６を振り切っている。そのため、回収カップ５０（昇降カップ５４）の内周面において、回転プレート３４の回転速度に応じて処理液６６が衝突する位置（高さ）が異なる。そこで、図９で示した構成において、ウェハＷの液処理時に基板保持機構３０で回転させたウェハＷの回転速度に応じて、制御装置４で昇降カップ５４や洗浄ノズル６２を昇降させる位置を変更するように制御してもよい。 Further, at the time of liquid processing of the wafer W, the processing liquid 66 is shaken off by a centrifugal force acting by the rotation of the substrate holding mechanism 30 (the rotating plate 34). Therefore, on the inner peripheral surface of the recovery cup 50 (the elevating cup 54), the position (height) where the processing liquid 66 collides differs depending on the rotational speed of the rotating plate 34. Therefore, in the configuration shown in FIG. 9, the control device 4 changes the position at which the elevating cup 54 and the cleaning nozzle 62 are raised and lowered according to the rotation speed of the wafer W rotated by the substrate holding mechanism 30 during the liquid processing of the wafer W. You may control to do.

上記実施形態では、基板保持機構３０及び保持されるウェハＷの高さは変化せず、昇降カップ５４の高さを変えていたが、基板保持機構３０を昇降させることにより、昇降カップ５４がウェハＷに対して相対的に昇降するようにしてもよい。 In the above embodiment, the height of the substrate holding mechanism 30 and the held wafer W is not changed, and the height of the elevating cup 54 is changed. However, by elevating the substrate holding mechanism 30, the elevating cup 54 is moved to the wafer. You may make it raise / lower relatively with respect to W.

また、上記回収カップ５０では、カップ本体５３に対して昇降カップ５４を昇降させる構成としているが、これに限られず、カップ本体５３と昇降カップ５４とを一体的に形成して回収カップ全体を昇降させるようにしてもよい。なお、上記実施形態では、昇降カップ５４の先端部分が保持部３１の回転プレート３４の下面の高さよりも低いものとしたが、回転プレート３４の上面の高さよりも低いものとする等、結果的にウェハＷへの再付着が生じない範囲であれば、昇降カップ５４の下降位置は保持部３１の間で適宜決めても良い。 In the above-described recovery cup 50, the elevating cup 54 is moved up and down with respect to the cup main body 53. However, the present invention is not limited to this, and the cup main body 53 and the elevating cup 54 are integrally formed to raise and lower the entire recovery cup. You may make it make it. In the above embodiment, the tip portion of the elevating cup 54 is lower than the height of the lower surface of the rotating plate 34 of the holding portion 31, but as a result, the height of the upper surface of the rotating plate 34 is lower. As long as the reattachment to the wafer W does not occur, the lowering position of the elevating cup 54 may be appropriately determined between the holding portions 31.

以上に説明したように、上記基板処理システム１では、回収カップ５０の昇降カップ５４を保持部３１の位置よりも下側に降下させるとともに、昇降カップ５４の内周面に向けて洗浄液６５を供給して、処理液６６による処理時に保持されたウェハＷの位置よりも下側の位置で昇降カップ５４の内周面を洗浄する。これにより、上記基板処理システム１では、回収カップ５０の内周面に付着したパーティクル等を保持部３１などに再付着させることなく除去することができ、その後のウェハＷの処理を良好に行うことができる。 As described above, in the substrate processing system 1, the elevating cup 54 of the recovery cup 50 is lowered below the position of the holding unit 31 and the cleaning liquid 65 is supplied toward the inner peripheral surface of the elevating cup 54. Then, the inner peripheral surface of the elevating cup 54 is cleaned at a position lower than the position of the wafer W held during processing with the processing liquid 66. Thereby, in the said substrate processing system 1, the particle | grains adhering to the internal peripheral surface of the collection | recovery cup 50 can be removed without reattaching to the holding | maintenance part 31 etc., and the process of the subsequent wafer W is performed favorably. Can do.

Ｗウェハ
１基板処理システム
３０基板保持機構
４０処理流体供給部
５０回収カップ
６０回収カップ昇降機構
６１回収カップ洗浄液供給部
６２洗浄ノズル W Wafer 1 Substrate Processing System 30 Substrate Holding Mechanism 40 Processing Fluid Supply Unit 50 Recovery Cup 60 Recovery Cup Elevating Mechanism 61 Recovery Cup Cleaning Liquid Supply Unit 62 Cleaning Nozzle

Claims

基板を処理液で処理する基板処理システムにおいて、
前記基板を基板保持部で保持する基板保持機構と、
前記基板に向けて処理液を供給する処理流体供給部と、
前記処理流体供給部から供給された処理液を前記基板の外周外方で回収する回収カップと、
前記回収カップを前記基板保持部に対して相対的に昇降させる回収カップ昇降機構と、
前記回収カップの内周面に向けて洗浄液を供給する回収カップ洗浄液供給部と、
前記回収カップ昇降機構と回収カップ洗浄液供給部を制御する制御装置と、
を備え、
前記回収カップ洗浄液供給部は、洗浄液を吐出する洗浄ノズルと、前記洗浄ノズルを昇降させる洗浄ノズル昇降機構とを有し、
前記制御装置は、
前記回収カップ昇降機構によって前記回収カップを前記基板保持部の位置よりも下側に降下させ、前記回収カップ洗浄液供給部によって前記降下された回収カップの内周面に向けて洗浄液を供給させて、前記基板保持部の位置よりも下側の位置で前記回収カップの内周面を洗浄し、前記回収カップの内周面の洗浄時に、前記洗浄ノズル昇降機構によって前記洗浄ノズルを昇降させることを特徴とする基板処理システム。 In a substrate processing system for processing a substrate with a processing liquid,
A substrate holding mechanism for holding the substrate by a substrate holding unit;
A processing fluid supply unit for supplying a processing liquid toward the substrate;
A recovery cup for recovering the processing liquid supplied from the processing fluid supply unit outside the outer periphery of the substrate;
A recovery cup lifting mechanism that lifts and lowers the recovery cup relative to the substrate holder;
A recovery cup cleaning liquid supply section for supplying a cleaning liquid toward the inner peripheral surface of the recovery cup;
A control device for controlling the recovery cup lifting mechanism and the recovery cup cleaning liquid supply unit;
With
The recovery cup cleaning liquid supply unit includes a cleaning nozzle that discharges a cleaning liquid, and a cleaning nozzle lifting mechanism that lifts and lowers the cleaning nozzle.
The controller is
The recovery cup is lowered below the position of the substrate holding part by the recovery cup lifting mechanism, and the cleaning liquid is supplied toward the inner peripheral surface of the recovery cup lowered by the recovery cup cleaning liquid supply part, The inner peripheral surface of the recovery cup is cleaned at a position lower than the position of the substrate holding portion, and the cleaning nozzle is moved up and down by the cleaning nozzle lifting mechanism when cleaning the inner peripheral surface of the recovery cup. Substrate processing system.

前記制御装置は、前記下降された回収カップの内周面の洗浄時に、前記回収カップ昇降機構によって前記回収カップを昇降させることを特徴とする請求項１に記載の基板処理システム。 2. The substrate processing system according to claim 1, wherein the controller raises and lowers the recovery cup by the recovery cup lifting mechanism when cleaning the inner peripheral surface of the lowered recovery cup. 3.

前記回収カップは、底部に形成した排気口の上方に排気口カバーを設け、
前記排気口カバーは、前記回収カップの内周面における洗浄液が供給される位置の鉛直下方に想定した仮想線から、前記基板保持機構で水平に保持される基板の中心に対して外側の前記排気口を覆うことで、前記回収カップの内周面における洗浄液が供給される位置の鉛直下方に想定した仮想線よりも内側の前記排気口の上方を開放させることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板処理システム。 The recovery cup is provided with an exhaust port cover above the exhaust port formed at the bottom,
The exhaust port cover, the virtual line cleaning liquid definitive on the inner peripheral surface is assumed to vertically below the position where it is supplied in collecting cup, the outer with respect to the center of the substrate to be horizontally held by the substrate holding mechanism by covering the exhaust ports, according to claim 1, characterized in that for opening the upper inner side of the exhaust port than the imaginary line cleaning liquid definitive on the inner peripheral surface is assumed to vertically below the position where it is supplied said collecting cup Or the substrate processing system of Claim 2 .

基板を処理液で処理する基板処理方法において、
基板保持部により前記基板を保持した状態で前記基板に供給された処理液を前記基板の外周外方で回収する回収カップを、前記基板保持部の位置よりも下側に降下させ、前記降下された回収カップの内周面に向けて昇降させた洗浄ノズルから洗浄液を供給して、処理液による処理時に前記基板保持部の位置よりも下側の位置で前記回収カップの内周面を洗浄することを特徴とする基板処理方法。 In a substrate processing method for processing a substrate with a processing liquid,
A recovery cup for recovering the processing liquid supplied to the substrate outside the outer periphery of the substrate while holding the substrate by the substrate holding unit is lowered below the position of the substrate holding unit, and is lowered. The cleaning liquid is supplied from the cleaning nozzle that is moved up and down toward the inner peripheral surface of the recovery cup, and the inner peripheral surface of the recovery cup is cleaned at a position lower than the position of the substrate holder when processing with the processing liquid. And a substrate processing method.

基板処理システムに処理液で基板を処理させる基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体において、
基板保持部により前記基板を保持した状態で前記基板に供給された処理液を前記基板の外周外方で回収する回収カップを、前記基板保持部の位置よりも下側に降下させ、前記降下された回収カップの内周面に向けて昇降させた洗浄ノズルから洗浄液を供給して、処理液による処理時に前記基板保持部の位置よりも下側の位置で前記回収カップの内周面を洗浄することを特徴とする基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
In a computer readable storage medium storing a substrate processing program for causing a substrate processing system to process a substrate with a processing liquid,
A recovery cup for recovering the processing liquid supplied to the substrate outside the outer periphery of the substrate while holding the substrate by the substrate holding unit is lowered below the position of the substrate holding unit, and is lowered. The cleaning liquid is supplied from the cleaning nozzle that is moved up and down toward the inner peripheral surface of the recovery cup, and the inner peripheral surface of the recovery cup is cleaned at a position lower than the position of the substrate holder when processing with the processing liquid. A computer-readable storage medium storing a substrate processing program.