JP6064415B2 - Light emitting device - Google Patents

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Description

本発明は、ガラスエポキシ基板を用いた発光装置に関する。   The present invention relates to a light emitting device using a glass epoxy substrate.

一般に、発光素子を用いた発光装置は、小型で電力効率がよく、鮮やかな色を発光することで知られている。この発光装置に係る発光素子は半導体素子であるため、球切れなどの心配が少ないだけでなく、初期駆動特性に優れ、振動やオン・オフ点灯の繰り返しに強いという特徴を有する。このような優れた特性を有するため、発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）、レーザーダイオード（ＬＤ：Laser Diode）などの発光素子を用いる発光装置は、各種の光源として利用されている。   In general, a light-emitting device using a light-emitting element is known to be small, power efficient, and emit bright colors. Since the light-emitting element according to this light-emitting device is a semiconductor element, it has not only less fear of ball breakage but also excellent initial drive characteristics and is strong against repeated vibration and on / off lighting. Because of such excellent characteristics, light emitting devices using light emitting elements such as light emitting diodes (LEDs) and laser diodes (LDs) are used as various light sources.

発光装置は、主に、発光素子と、その発光素子を配置し発光素子と電気的に接続する導電配線を有する基材と、その基材上の発光素子を被覆する封止部材と、から構成されている。また、表面実装型のＣＯＢ（Chip on Board）のように、発光素子の周囲に樹脂枠を形成するタイプのものもある。   The light-emitting device mainly includes a light-emitting element, a base material having a conductive wiring in which the light-emitting element is arranged and electrically connected to the light-emitting element, and a sealing member that covers the light-emitting element on the base material. Has been. Also, there is a type in which a resin frame is formed around a light emitting element, such as a surface mount type COB (Chip on Board).

このようなＣＯＢでは、基材として、コストの低いガラスエポキシ基板が多く採用されている。しかしながら、ガラスエポキシ基板は、耐熱性、耐光性が悪く、発光素子の周辺において劣化が進行しやすい。そのため、ガラスエポキシ基板を用いた発光装置は、寿命が短くなるという問題がある。そこで、基材として、耐熱性や耐光性に優れたセラミックス基板を用いることも行われている（例えば特許文献１参照）。   In such COB, a low-cost glass epoxy substrate is often used as a base material. However, the glass epoxy substrate has poor heat resistance and light resistance, and is easily deteriorated around the light emitting element. Therefore, a light emitting device using a glass epoxy substrate has a problem that the lifetime is shortened. Therefore, a ceramic substrate having excellent heat resistance and light resistance is also used as a base material (see, for example, Patent Document 1).

特開２００６−３２８０４号公報JP 2006-32804 A

しかしながら、セラミックス基板を用いた発光装置では、以下に示す問題がある。
セラミックス基板は、ガラスエポキシ基板に比べ、耐熱性、耐光性に優れ、発光装置の寿命を長くすることができる。しかしながら、セラミックス基板は高価なため、発光装置のコストが高くなるという問題がある。 However, the light emitting device using the ceramic substrate has the following problems.
The ceramic substrate is excellent in heat resistance and light resistance as compared with the glass epoxy substrate, and can extend the life of the light emitting device. However, since the ceramic substrate is expensive, there is a problem that the cost of the light emitting device is increased.

本発明はかかる問題に鑑み、コストを抑えつつ、耐熱性、耐光性に優れた発光装置を提供することを課題とする。   In view of such a problem, an object of the present invention is to provide a light emitting device having excellent heat resistance and light resistance while suppressing cost.

前記課題を解決するために、本発明に係る発光装置は、基材と、前記基材上に設置された発光素子とを備える発光装置であって、前記基材は、ガラスエポキシ基板と、セラミックス基板とからなり、前記ガラスエポキシ基板は、所定領域において、側面および底面がガラスエポキシからなる凹部を有し、前記凹部に前記セラミックス基板が設けられ、前記セラミックス基板上に前記発光素子が設置され、前記発光素子の上面が、前記ガラスエポキシ基板の上面よりも高い位置にあることを特徴とする。 In order to solve the above-mentioned problems, a light-emitting device according to the present invention is a light-emitting device including a base material and a light-emitting element installed on the base material, wherein the base material is a glass epoxy substrate, a ceramics consists of a substrate, the glass epoxy substrate, in Jo Tokoro region, has a recess side surface and a bottom surface is made of glass epoxy, the recess wherein the ceramic substrate is provided, the light emitting element is disposed on the ceramic substrate The upper surface of the light emitting element is located higher than the upper surface of the glass epoxy substrate.

このような構成を備える発光装置は、基材にガラスエポキシ基板を用いることでコストが低減する。また、発光素子が置かれていない領域である熱伝導に関係ない領域に、耐熱性や耐光性の悪いガラスエポキシ基板を用いても、影響が少ない。また、発光装置は、基材の一部がセラミックス基板からなり、このセラミックス基板上に発光素子が設置されていることで、発光素子から発せられた熱がセラミックス基板を伝わって外部に放出され、耐熱性が向上し、また耐光性が向上する。さらに、発光装置は、発光素子の上面がガラスエポキシ基板の上面よりも高い位置にあることで、発光素子からの光が効率よく外部に放出される。また、発光装置は、ガラスエポキシ基板に形成された凹部を埋めるようにセラミックス基板を設置し、そのセラミックス基板上に発光素子を設置するように構成されているため、凹部を形成しない平板状の基材上に発光素子を設置する場合と同様に、モールドやワイヤボンディングを行うことができる。   In the light emitting device having such a configuration, the cost is reduced by using a glass epoxy substrate as a base material. Further, even if a glass epoxy substrate having poor heat resistance or light resistance is used in a region not related to heat conduction, which is a region where no light emitting element is placed, the influence is small. Further, in the light emitting device, a part of the base material is made of a ceramic substrate, and the light emitting element is installed on the ceramic substrate, so that heat generated from the light emitting element is transmitted to the outside through the ceramic substrate, Heat resistance is improved and light resistance is improved. Further, in the light emitting device, light from the light emitting element is efficiently emitted to the outside because the upper surface of the light emitting element is located higher than the upper surface of the glass epoxy substrate. Further, since the light emitting device is configured such that a ceramic substrate is installed so as to fill a recess formed in the glass epoxy substrate, and a light emitting element is installed on the ceramic substrate, a flat substrate having no recess is formed. As in the case of installing a light emitting element on a material, molding or wire bonding can be performed.

本発明に係る発光装置は、前記基材は長尺状であり、前記凹部が、前記基材の長手方向に沿って複数形成されていてもよい。
このような構成を備える発光装置は、基材上に複数の発光素子を載置した、長尺状のＣＯＢとすることができる。 In the light emitting device according to the present invention, the base material may be long, and a plurality of the recesses may be formed along the longitudinal direction of the base material.
A light-emitting device having such a configuration can be a long COB in which a plurality of light-emitting elements are placed on a base material.

前記基材は、平面視において、１５〜３０ｃｍ×１〜５ｃｍの長尺状であり、前記凹部は、平面視において、０．５〜４．５ｃｍ×０．５〜４．５ｃｍの矩形状であることが好ましい。
このような構成を備える発光装置は、基材の平面視におけるサイズに対する、凹部の平面視におけるサイズを規定することで、ガラスエポキシ基板の割合とセラミックス基板の割合とのバランスをより良好とすることができる。このため、よりコストの削減を図りつつ、耐熱性や耐光性を向上させることができる。 The base material has a long shape of 15 to 30 cm × 1 to 5 cm in plan view, and the concave portion has a rectangular shape of 0.5 to 4.5 cm × 0.5 to 4.5 cm in plan view. Preferably there is.
A light-emitting device having such a configuration has a better balance between the ratio of the glass epoxy substrate and the ratio of the ceramic substrate by defining the size in the plan view of the recess relative to the size in the plan view of the base material. Can do. For this reason, it is possible to improve heat resistance and light resistance while further reducing costs.

前記セラミックス基板は、前記長尺状の基材に対して長手方向に直交する短手方向の中央に形成されていることが好ましい。
このような構成を備える発光装置は、セラミックス基板が基材の短手方向（幅方向）の中央に形成されることで、発光素子も基材の短手方向の中央に形成できるため、発光装置の発光のバランスが良くなる。 The ceramic substrate is preferably formed at the center in the short direction perpendicular to the longitudinal direction with respect to the long substrate.
In the light emitting device having such a configuration, since the ceramic substrate is formed in the center in the short direction (width direction) of the base material, the light emitting element can also be formed in the center in the short direction of the base material. The balance of light emission is improved.

前記セラミックス基板は、前記基材の中央に形成されていてもよい。
このような構成を備える発光装置は、前記した長尺状以外の形状の基材においても、コストの削減を図りつつ、耐熱性や耐光性を向上させることができる。 The ceramic substrate may be formed in the center of the base material.
A light-emitting device having such a configuration can improve heat resistance and light resistance while reducing costs even in a base material having a shape other than the long shape described above.

本発明に係る発光装置によれば、コストを削減できるとともに、基材の耐熱性や耐光性を向上させることができ、発光装置の寿命を長くすることができる。   According to the light emitting device of the present invention, the cost can be reduced, the heat resistance and light resistance of the base material can be improved, and the life of the light emitting device can be extended.

本発明の実施形態に係る発光装置の全体構成（樹脂部材を除く）を示す上面図である。It is a top view which shows the whole structure (except a resin member) of the light-emitting device which concerns on embodiment of this invention. （ａ）は、本発明の実施形態に係る発光装置において、基材に対するセラミックス基板の位置関係を示す斜視図、（ｂ）は、本発明の実施形態に係る発光装置の全体構成を示す概略図であって、図１のＡ−Ａ断面図である。(A) is a perspective view which shows the positional relationship of the ceramic substrate with respect to a base material in the light-emitting device which concerns on embodiment of this invention, (b) is the schematic which shows the whole structure of the light-emitting device which concerns on embodiment of this invention. And it is AA sectional drawing of FIG. 本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を示す概略図であって、（ａ）は、ガラスエポキシ基板作成工程を示す図、（ｂ）は、導電配線部形成工程を示す図、（ｃ）は、セラミックス基板設置工程を示す図、（ｄ）は、発光素子設置工程を示す図、（ｅ）は、ワイヤボンディング工程を示す図、（ｆ）は、光反射性樹脂形成工程を示す図、（ｇ）は、第１封止樹脂形成工程を示す図、（ｈ）は、第２封止樹脂形成工程を示す図、である。It is the schematic which shows an example of the manufacturing method of the light-emitting device which concerns on embodiment of this invention, Comprising: (a) is a figure which shows a glass epoxy substrate creation process, (b) is a figure which shows a conductive wiring part formation process, (C) is a figure which shows a ceramic substrate installation process, (d) is a figure which shows a light emitting element installation process, (e) is a figure which shows a wire bonding process, (f) is a light reflective resin formation process. The figure shown, (g) is a figure which shows a 1st sealing resin formation process, (h) is a figure which shows a 2nd sealing resin formation process. 本発明の実施形態の第１変形例に係る発光装置の全体構成を示す概略図であって、図１のＡ−Ａ断面図に相当する図である。It is the schematic which shows the whole structure of the light-emitting device which concerns on the 1st modification of embodiment of this invention, Comprising: It is a figure corresponded to AA sectional drawing of FIG. 本発明の実施形態の第２変形例に係る発光装置の全体構成（封止樹脂部材を除く）を示す上面図である。It is a top view which shows the whole structure (except sealing resin member) of the light-emitting device which concerns on the 2nd modification of embodiment of this invention.

以下、本発明の実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明において参照する図面は、本発明を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係などが誇張、あるいは、部材の一部が省略されている場合がある。また、以下の説明では、同一の名称および符号については原則として同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。   Hereinafter, light-emitting devices according to embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. Note that the drawings referred to in the following description schematically show the present invention, and therefore the scale, spacing, positional relationship, etc. of each member may be exaggerated, or some members may be omitted. is there. Moreover, in the following description, the same name and code | symbol are showing the same or the same member in principle, and a detailed description is abbreviate | omitted suitably.

［発光装置］
本発明の実施形態に係る発光装置１の構成について、図１および図２を参照しながら詳細に説明する。なお、ここでは、発光装置１の一例として、基材１００が長尺状であり、矩形状の凹部１１が、ガラスエポキシ基板１０の長手方向に沿って複数形成されている形態の発光装置１について説明する。
発光装置１は、例えばエッジライト型のバックライトユニットや直管型ＬＥＤランプなどに利用できる装置であり、基材１００と、基材１００上に設置された発光素子３０とを備えるものである。発光装置１は、ここでは図１および図２に示すように、ガラスエポキシ基板１０と、セラミックス基板２０とからなる基材１００と、発光素子３０と、導電配線部４０と、光反射性樹脂５０と、第１封止樹脂７０と、第２封止樹脂８０と、を備えている。なお、本発明の構成を分かりやすく示すために、図１では、図２（ｂ）において図示している光反射性樹脂５０、第１封止樹脂７０および第２封止樹脂８０の図示を省略している。 [Light emitting device]
The configuration of the light emitting device 1 according to the embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2. Here, as an example of the light emitting device 1, the light emitting device 1 in a form in which the base material 100 is long and a plurality of rectangular recesses 11 are formed along the longitudinal direction of the glass epoxy substrate 10. explain.
The light emitting device 1 is a device that can be used for, for example, an edge light type backlight unit, a straight tube type LED lamp, and the like, and includes a base material 100 and a light emitting element 30 installed on the base material 100. Here, as shown in FIGS. 1 and 2, the light emitting device 1 includes a base material 100 including a glass epoxy substrate 10 and a ceramic substrate 20, a light emitting element 30, a conductive wiring portion 40, and a light reflecting resin 50. And a first sealing resin 70 and a second sealing resin 80. In order to clearly show the configuration of the present invention, the light-reflective resin 50, the first sealing resin 70, and the second sealing resin 80 illustrated in FIG. 2B are not shown in FIG. doing.

基材１００は、発光装置１を構成する各種部材を設置するためのものであり、ガラスエポキシ基板１０と、セラミックス基板２０とからなる。本発明は、図１および図２に示すように、基材１００をガラスエポキシ基板１０とセラミックス基板２０とに分け、ガラスエポキシ基板１０に対してセラミックス基板２０を設置できるようにしたことを特徴としている。   The base material 100 is for installing various members constituting the light emitting device 1, and includes a glass epoxy substrate 10 and a ceramic substrate 20. As shown in FIGS. 1 and 2, the present invention is characterized in that the base material 100 is divided into a glass epoxy substrate 10 and a ceramic substrate 20 so that the ceramic substrate 20 can be installed on the glass epoxy substrate 10. Yes.

基材１００は、図１および図２に示すように、長尺状に形成することができる。
長尺状とは、発光素子３０が複数載置できるような細長い矩形平板状をいう。そしてここでは、基材１００の４隅は直角状となっているが、丸みを帯びた形態であってもよい。
基材１００のサイズや形状は特に限定されず、発光素子３０の数や配列間隔など、目的および用途に応じて適宜選択することができる。なお、一例としては、平面視で１５〜３０ｃｍ×１〜５ｃｍである。 The base material 100 can be formed in a long shape as shown in FIGS.
The long shape means an elongated rectangular flat plate shape on which a plurality of light emitting elements 30 can be placed. In this example, the four corners of the base material 100 are right-angled, but may be rounded.
The size and shape of the substrate 100 are not particularly limited, and can be appropriately selected according to the purpose and application such as the number of light emitting elements 30 and the arrangement interval. In addition, as an example, it is 15-30 cm x 1-5 cm by planar view.

基材１００には、適宜、外部電源と繋ぐための端子電極を設けることができる。基材１００の左右端（幅方向の両端あるいは長手方向の両端）でそれぞれアノード電極とカソード電極を出しておけば、基材１００をいくつも繋げることが容易にできる。なお、左右のどちらかにアノード電極とカソード電極の両方を設けても構わない。   The base material 100 can be appropriately provided with a terminal electrode for connecting to an external power source. If the anode electrode and the cathode electrode are respectively provided at the left and right ends (both ends in the width direction or both ends in the longitudinal direction) of the base material 100, it is possible to easily connect the base materials 100. In addition, you may provide both an anode electrode and a cathode electrode in either of right and left.

ガラスエポキシ基板１０は、図１、図２（ａ）に示すように、基材１００の一部を構成するものであり、セラミックス基板２０を設置するためのものである。ガラスエポキシ基板１０は、図１に示すように上面視すると、平面視形状は、基材１００の平面視形状と同一であり、長尺状に形成されている。そして、ガラスエポキシ基板１０は、ガラスエポキシ基板１０の所定領域において一定間隔をあけて、凹部１１（溝部）を有している。   As shown in FIGS. 1 and 2A, the glass epoxy substrate 10 constitutes a part of the base material 100 and is used for installing the ceramic substrate 20. When the glass epoxy substrate 10 is viewed from above as shown in FIG. 1, the planar view shape is the same as the planar view shape of the substrate 100 and is formed in a long shape. And the glass epoxy board | substrate 10 has the recessed part 11 (groove part) at predetermined intervals in the predetermined area | region of the glass epoxy board | substrate 10. FIG.

所定領域とは、ガラスエポキシ基板１０においてセラミックス基板２０を設けるための領域であり、セラミックス基板２０が埋設される部位である。
凹部１１とは、基材１００の所定領域、具体的にはガラスエポキシ基板１０の所定領域において凹状（窪み状）に形成された部位をいい、セラミックス基板２０を載置する底面と、セラミックス基板２０の周囲を囲む側面とから形成される空洞部（くぼみ部）である。すなわち、ガラスエポキシ基板１０の所定領域において、厚み方向にガラスエポキシ基板１０の少なくとも一部を切り欠いた部位である。 The predetermined region is a region for providing the ceramic substrate 20 in the glass epoxy substrate 10 and is a portion where the ceramic substrate 20 is embedded.
The concave portion 11 is a predetermined region of the base material 100, specifically, a portion formed in a concave shape (indented shape) in a predetermined region of the glass epoxy substrate 10, and includes a bottom surface on which the ceramic substrate 20 is placed, a ceramic substrate 20 It is a cavity part (indentation part) formed from the side surface surrounding the circumference | surroundings. That is, in a predetermined region of the glass epoxy substrate 10, it is a portion where at least a part of the glass epoxy substrate 10 is cut out in the thickness direction.

凹部１１は、基材１００の長手方向に沿って複数形成されており、ここでは、それぞれの凹部１１が等間隔で形成されている。そして、凹部１１のそれぞれにセラミックス基板２０が設けられている。凹部１１のサイズは、後記するガラスエポキシ基板１０のサイズに合わせて、適宜設定すればよい。
凹部１１のサイズや形状は特に限定されず、発光素子３０のサイズやガラスエポキシ基板１０のサイズなど、目的および用途に応じて適宜選択することができる。なお、一例としては、平面視で０．５〜４．５ｃｍ×０．５〜４．５ｃｍである。 A plurality of recesses 11 are formed along the longitudinal direction of the substrate 100, and here, the respective recesses 11 are formed at equal intervals. A ceramic substrate 20 is provided in each of the recesses 11. What is necessary is just to set the size of the recessed part 11 suitably according to the size of the glass epoxy board | substrate 10 mentioned later.
The size and shape of the recess 11 are not particularly limited, and can be appropriately selected according to the purpose and application such as the size of the light emitting element 30 and the size of the glass epoxy substrate 10. In addition, as an example, it is 0.5-4.5 cm x 0.5-4.5 cm by planar view.

また、ガラスエポキシ基板１０は、凹部１１を有する部位においては、図２（ｂ）に示すように、図１のＡ−Ａ断面において断面視すると、前記した凹部１１により凹状にくぼんだ形状を呈している。ガラスエポキシ基板１０の凹部１１内には、図１に示すように、セラミックス基板２０が設けられている。
ガラスエポキシ基板１０の長尺側の両縁、すなわち第１長尺部１３および第２長尺部１４のそれぞれの上面には、図１に示すように、長手方向に沿って導電配線部４０が形成されるとともに、図２（ｂ）に示すように、当該導電配線部４０を覆うように、光反射性樹脂５０が凸状に形成されている。 In addition, the glass epoxy substrate 10 has a concave portion 11 in the portion having the concave portion 11 as shown in FIG. 2B when viewed in cross section along the AA cross section of FIG. ing. A ceramic substrate 20 is provided in the recess 11 of the glass epoxy substrate 10 as shown in FIG.
As shown in FIG. 1, conductive wiring portions 40 are provided along the longitudinal direction on both edges of the glass epoxy substrate 10 on the long side, that is, on the upper surfaces of the first long portion 13 and the second long portion 14, respectively. As shown in FIG. 2B, the light reflecting resin 50 is formed in a convex shape so as to cover the conductive wiring portion 40.

ここで、第１長尺部１３とは、ガラスエポキシ基板１０の長尺側の両縁のうちの一側において、導電配線部４０を設けるための所定幅を有する領域をいう。また、第２長尺部１４とは、ガラスエポキシ基板１０の長尺側の両縁のうちの他側において、導電配線部４０を設けるための所定幅を有する領域をいう。第１長尺部１３および第２長尺部１４を形成する領域のサイズは特に限定されるものではなく、導電配線部４０のサイズや形状などを考慮して適宜設定すればよい。   Here, the 1st elongate part 13 means the area | region which has the predetermined width | variety for providing the conductive wiring part 40 in one side of the both edges of the elongate side of the glass epoxy board | substrate 10. FIG. The second long portion 14 refers to a region having a predetermined width for providing the conductive wiring portion 40 on the other side of both long edges of the glass epoxy substrate 10. The size of the region where the first long portion 13 and the second long portion 14 are formed is not particularly limited, and may be set as appropriate in consideration of the size and shape of the conductive wiring portion 40.

セラミックス基板２０は、図１に示すように、発光素子３０を設置するためのものであり、凹部１１に埋設されて基材１００の一部を構成している。セラミックス基板２０は、図１に示すように上面視すると、四角形状（ここでは正方形状）に形成されており、図２（ｂ）に示すように断面視すると、ガラスエポキシ基板１０の凹部１１に沿った形状に形成されている。そして、セラミックス基板２０の上面には、図１に示すように、１枚のセラミックス基板２０に対して発光素子３０が１つずつ設置されている。また、セラミックス基板２０の上面には、図２（ｂ）に示すように、発光素子３０を覆うように、第１封止樹脂７０が凸状に形成されている。このセラミックス基板２０は、図２（ｂ）に示すように、ガラスエポキシ基板１０の凹部１１内に設置され、例えば接合用樹脂を用いて樹脂接合されている。   As shown in FIG. 1, the ceramic substrate 20 is for installing the light emitting element 30, and is embedded in the recess 11 to constitute a part of the substrate 100. The ceramic substrate 20 is formed in a quadrangular shape (here, a square shape) when viewed from the top as shown in FIG. 1, and is formed in the concave portion 11 of the glass epoxy substrate 10 when viewed in a cross section as shown in FIG. It is formed in the shape along. On the upper surface of the ceramic substrate 20, as shown in FIG. 1, one light emitting element 30 is installed for each ceramic substrate 20. Further, as shown in FIG. 2B, the first sealing resin 70 is formed on the upper surface of the ceramic substrate 20 so as to cover the light emitting element 30. As shown in FIG. 2B, the ceramic substrate 20 is installed in the concave portion 11 of the glass epoxy substrate 10 and is resin-bonded using, for example, a bonding resin.

セラミックス基板２０の設置間隔は特に限定されず、希望する発光特性に応じて任意の間隔で設置することができる。また、セラミックス基板２０の設置個数も、少なくとも１つ設置されていればよく、希望する発光特性に応じて任意の個数で設置することができる。   The installation interval of the ceramic substrate 20 is not particularly limited, and the ceramic substrate 20 can be installed at an arbitrary interval according to desired light emission characteristics. Moreover, the ceramic substrate 20 should just be installed at least one, and can be installed by arbitrary number according to the desired light emission characteristic.

セラミックス基板２０は、図１に示すように、ガラスエポキシ基板１０に設けられた、複数の凹部１１のそれぞれに埋設されている。また、セラミックス基板２０は、ガラスエポキシ基板１０の凹部１１に収まる幅および長さで形成されているとともに、図２（ｂ）に示すように、当該凹部１１の深さと同じ厚さで形成されている。   As shown in FIG. 1, the ceramic substrate 20 is embedded in each of the plurality of recesses 11 provided in the glass epoxy substrate 10. Further, the ceramic substrate 20 is formed with a width and a length that can be accommodated in the concave portion 11 of the glass epoxy substrate 10 and is formed with the same thickness as the depth of the concave portion 11 as shown in FIG. Yes.

ここで、セラミックス基板２０の側面と、ガラスエポキシ基板１０との間には多少の隙間が形成されていてもよい。すなわち、セラミックス基板２０の幅および長さは、凹部１１の幅および長さよりも僅かに小さくてもよい。セラミックス基板２０の側面と、ガラスエポキシ基板１０との間に隙間が形成されるように設計することで、セラミックス基板２０を凹部１１に載置しやすくなる。また、セラミックス基板２０を凹部１１にダイボンドする際に、接合用樹脂の量が多くても、基材１００上に接合用樹脂がはみ出ることが防止される。隙間の大きさは特に限定されず、適宜調整すればよい。なお、隙間は、セラミックス基板２０の４辺全てに形成されていてもよく、１〜３辺に形成されていてもよく、あるいは、４辺とも形成されていなくてもよい。   Here, a slight gap may be formed between the side surface of the ceramic substrate 20 and the glass epoxy substrate 10. That is, the width and length of the ceramic substrate 20 may be slightly smaller than the width and length of the recess 11. By designing so that a gap is formed between the side surface of the ceramic substrate 20 and the glass epoxy substrate 10, the ceramic substrate 20 can be easily placed in the recess 11. Further, when the ceramic substrate 20 is die-bonded to the recess 11, the bonding resin is prevented from protruding on the base material 100 even if the amount of the bonding resin is large. The size of the gap is not particularly limited, and may be adjusted as appropriate. Note that the gap may be formed on all four sides of the ceramic substrate 20, may be formed on one to three sides, or may not be formed on all four sides.

そして、セラミックス基板２０は、図１に示すように、上面の中心領域に発光素子３０が設置された状態で、ガラスエポキシ基板１０の長手方向に沿って、一定間隔をあけて５つ設置されている。ただし、前記したように、セラミックス基板２０の設置間隔および設置個数は、希望する発光特性に応じて適宜変更可能である。なお、前記したように、セラミックス基板２０は、ガラスエポキシ基板１０の凹部１１の深さと同じ厚さで形成されているため、図２（ｂ）に示すように、当該セラミックス基板２０がガラスエポキシ基板１０の凹部１１内に設置された状態において、セラミックス基板２０の上面と、第１長尺部１３の上面および第２長尺部１４の上面との間に段差が生じないように構成されている。   Then, as shown in FIG. 1, five ceramic substrates 20 are installed at regular intervals along the longitudinal direction of the glass epoxy substrate 10 with the light emitting elements 30 installed in the central region of the upper surface. Yes. However, as described above, the interval between the ceramic substrates 20 and the number of the ceramic substrates 20 can be appropriately changed according to the desired light emission characteristics. As described above, since the ceramic substrate 20 is formed to have the same thickness as the depth of the recess 11 of the glass epoxy substrate 10, as shown in FIG. 2B, the ceramic substrate 20 is a glass epoxy substrate. 10, the step is configured such that no step is generated between the upper surface of the ceramic substrate 20, the upper surface of the first long portion 13, and the upper surface of the second long portion 14. .

セラミックス基板２０のサイズや形状は特に限定されず、発光素子３０のサイズやガラスエポキシ基板１０のサイズなど、目的および用途に応じて適宜選択することができる。なお、一例としては、平面視で０．５〜４．５ｃｍ×０．５〜４．５ｃｍである。ただし、前記したとおり、セラミックス基板２０の幅および長さは、凹部１１の幅および長さよりも僅かに小さくてもよい。例えば、セラミックス基板２０の幅および長さを凹部１１の幅および長さよりも１％程度短くすることで隙間ができて、セラミックス基板２０を凹部１１に嵌め込みやすくなる。   The size and shape of the ceramic substrate 20 are not particularly limited, and can be appropriately selected according to the purpose and application such as the size of the light emitting element 30 and the size of the glass epoxy substrate 10. In addition, as an example, it is 0.5-4.5 cm x 0.5-4.5 cm by planar view. However, as described above, the width and length of the ceramic substrate 20 may be slightly smaller than the width and length of the recess 11. For example, by making the width and length of the ceramic substrate 20 shorter by about 1% than the width and length of the recess 11, a gap is formed, and the ceramic substrate 20 can be easily fitted into the recess 11.

セラミックス基板２０は、長尺状の基材１００に対して長手方向に直交する短手方向の中央に形成されている。すなわち、基材１００の幅方向の中心にセラミックス基板２０の中心が位置し、基材１００の幅方向の中心線に沿って複数のセラミックス基板２０が所定の間隔で設けられている。   The ceramic substrate 20 is formed at the center in the short direction perpendicular to the longitudinal direction with respect to the long base material 100. That is, the center of the ceramic substrate 20 is located at the center of the base material 100 in the width direction, and a plurality of ceramic substrates 20 are provided at predetermined intervals along the center line of the base material 100 in the width direction.

発光素子３０は、電圧を印加することで発光し、必要に応じて蛍光体を励起させるものである。発光素子３０は、図１に示すように、セラミックス基板２０上に１つずつ設置され、ガラスエポキシ基板１０の第１長尺部１３および第２長尺部１４の上面にそれぞれ形成された導電配線部４０とワイヤＷによって電気的に接続されている。その際、発光素子３０は、図１に示すように、第１長尺部１３および第２長尺部１４の上面に断続的に形成された複数の導電配線部４０のうち、当該発光素子３０と最も近い位置にある導電配線部４０とワイヤＷによって接続される。また、発光素子３０同士は、図１では図示を省略しているものの、当該発光素子３０が接続されている導電配線部４０同士がワイヤＷによって接続されることで、所望の接続方法（例えば直列接続、並列接続および直並列接続）で接続されている。   The light emitting element 30 emits light by applying a voltage, and excites a phosphor as necessary. As shown in FIG. 1, the light emitting elements 30 are installed one by one on the ceramic substrate 20 and are formed on the upper surfaces of the first elongated portion 13 and the second elongated portion 14 of the glass epoxy substrate 10, respectively. The part 40 and the wire W are electrically connected. At that time, as shown in FIG. 1, the light emitting element 30 includes a plurality of conductive wiring portions 40 intermittently formed on the upper surfaces of the first long portion 13 and the second long portion 14. Are connected by a wire W to the conductive wiring portion 40 located at the closest position. Although the light emitting elements 30 are not shown in FIG. 1, the conductive wiring portions 40 to which the light emitting elements 30 are connected are connected by wires W, so that a desired connection method (for example, in series) Connected, parallel connection and series-parallel connection).

発光素子３０は、具体的にはＬＥＤチップであり、用途に応じて任意の波長のものを選択することができる。例えば青色（波長４３０ｎｍ〜４９０ｎｍの光）、緑色（波長４９０ｎｍ〜５７０ｎｍの光）の発光素子３０としては、窒化物系半導体（ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）を用いることができる。また、発光素子３０は、ここでは図１に示すように、フェイスアップ実装型を用いている。なお、発光素子３０は、図２（ｂ）に示すように、第１封止樹脂７０によって上面および側面が覆われている。 The light emitting element 30 is specifically an LED chip, and an arbitrary wavelength can be selected according to the application. For example, as a light emitting element 30 of blue (light with a wavelength of 430 nm to 490 nm) and green (light with a wavelength of 490 nm to 570 nm), a nitride-based semiconductor (In X Al Y Ga 1-XY N, 0 ≦ X, 0 ≦ Y, X + Y ≦ 1) can be used. In addition, the light emitting element 30 is a face-up mounting type as shown in FIG. In addition, as shown in FIG.2 (b), the light emitting element 30 has the upper surface and side surface covered with the 1st sealing resin 70. As shown in FIG.

また、図２（ｂ）に示すように、発光素子３０の上面が、ガラスエポキシ基板１０の上面よりも高い位置にある。なお、発光素子３０の上面とは、発光素子３０が載置される面の反対側の面である。また、ガラスエポキシ基板１０の上面とは、凹部１１以外の上方の面であり、例えば図２（ｂ）では、第１長尺部１３および第２長尺部１４の上面である。すなわち、発光素子３０は、その上面が凹部１１から上方に出るように設けられている。なお、ここでは、セラミックス基板２０が凹部１１の深さと同じ厚さで形成されているため、発光素子３０の全てがガラスエポキシ基板１０の上面よりも高い位置にある。しかしながら、セラミックス基板２０が凹部１１の深さよりも薄くなるような厚さで形成されている場合には、発光素子３０の一部がガラスエポキシ基板１０の上面よりも高い位置にあればよい。すなわち、発光素子３０は、その少なくとも一部が凹部１１から上方に突き出し、ガラスエポキシ基板１０の上面よりも高い位置にくるように設ければよい。発光素子３０の上面が、ガラスエポキシ基板１０の上面よりも高い位置にあることで、発光素子からの光が効率よく外部に放出される。これにより、光の取り出し効率が向上する。   Further, as shown in FIG. 2B, the upper surface of the light emitting element 30 is higher than the upper surface of the glass epoxy substrate 10. Note that the upper surface of the light emitting element 30 is a surface opposite to the surface on which the light emitting element 30 is placed. Moreover, the upper surface of the glass epoxy board | substrate 10 is an upper surface other than the recessed part 11, for example, is the upper surface of the 1st elongate part 13 and the 2nd elongate part 14 in FIG.2 (b). That is, the light emitting element 30 is provided so that the upper surface thereof protrudes upward from the recess 11. Here, since the ceramic substrate 20 is formed with the same thickness as the depth of the recess 11, all of the light emitting elements 30 are located higher than the upper surface of the glass epoxy substrate 10. However, in the case where the ceramic substrate 20 is formed with a thickness that is thinner than the depth of the recess 11, a part of the light emitting element 30 may be located at a position higher than the upper surface of the glass epoxy substrate 10. That is, the light emitting element 30 may be provided so that at least a part of the light emitting element 30 protrudes upward from the recess 11 and is positioned higher than the upper surface of the glass epoxy substrate 10. Since the upper surface of the light emitting element 30 is higher than the upper surface of the glass epoxy substrate 10, light from the light emitting element is efficiently emitted to the outside. Thereby, the light extraction efficiency is improved.

導電配線部４０は、発光素子３０同士の電気的接続を中継するものである。導電配線部４０は、図１に示すように、発光素子３０の一側および他側において、ガラスエポキシ基板１０の両縁、すなわち第１長尺部１３および第２長尺部１４のそれぞれの上面に形成されている。また、導電配線部４０は、具体的には図１に示すように、第１長尺部１３および第２長尺部１４のそれぞれの上面の長手方向に沿って断続的に形成されている。これにより、発光装置１は、セラミックス基板２０がガラスエポキシ基板１０のどの位置に設置されていても、当該セラミックス基板２０上の発光素子３０と導電配線部４０とをワイヤＷで容易に接続することができる。   The conductive wiring portion 40 relays electrical connection between the light emitting elements 30. As shown in FIG. 1, the conductive wiring portion 40 has both edges of the glass epoxy substrate 10 on one side and the other side of the light emitting element 30, that is, the upper surfaces of the first long portion 13 and the second long portion 14. Is formed. Specifically, as shown in FIG. 1, the conductive wiring portion 40 is intermittently formed along the longitudinal direction of the upper surface of each of the first long portion 13 and the second long portion 14. Thereby, the light emitting device 1 can easily connect the light emitting element 30 and the conductive wiring portion 40 on the ceramic substrate 20 with the wire W, regardless of the position of the ceramic substrate 20 on the glass epoxy substrate 10. Can do.

導電配線部４０は、ここでは図１に示すように、それぞれが長方形状に形成され、第１長尺部１３および第２長尺部１４のそれぞれの上面に破線状に形成されている。ただし、導電配線部４０の形状は特に限定されず、例えばそれぞれを円形状に形成し、第１長尺部１３および第２長尺部１４のそれぞれの上面に点線状に形成しても構わない。また、導電配線部４０の厚さも特に限定されない。さらに、導電配線部４０が形成される間隔も特に限定されないが、この間隔が短いほど発光素子１つあたりに割り振られる導電配線部４０の数が増加し、発光素子３０のレイアウト性が向上する。従って、導電配線部４０は、第１長尺部１３および第２長尺部１４のそれぞれの上面に、短絡が発生しない範囲において、可能な限り短い間隔で形成されることが好ましい。   Here, as shown in FIG. 1, the conductive wiring portions 40 are each formed in a rectangular shape, and are formed in broken lines on the upper surfaces of the first long portion 13 and the second long portion 14. However, the shape of the conductive wiring part 40 is not particularly limited. For example, each of the conductive wiring parts 40 may be formed in a circular shape, and may be formed in dotted lines on the upper surfaces of the first long part 13 and the second long part 14. . Further, the thickness of the conductive wiring portion 40 is not particularly limited. Further, the interval at which the conductive wiring portions 40 are formed is not particularly limited, but the shorter the interval is, the more conductive wiring portions 40 are allocated per light emitting element, and the layout of the light emitting element 30 is improved. Therefore, it is preferable that the conductive wiring portion 40 is formed on the upper surfaces of the first long portion 13 and the second long portion 14 at intervals as short as possible within a range in which a short circuit does not occur.

導電配線部４０は、図１に示すように、発光素子３０の一対の電極（図示省略）とワイヤＷによって電気的に接続されている。また、導電配線部４０同士も、図１では図示を省略しているものの、互いにワイヤＷによって接続されている。なお、導電配線部４０は、図２（ｂ）に示すように、光反射性樹脂５０によって上面および側面が覆われている。ここで、導電配線部４０の具体例としては、銅、銀、金、アルミニウムなどの金属膜が挙げられる。   As shown in FIG. 1, the conductive wiring portion 40 is electrically connected to a pair of electrodes (not shown) of the light emitting element 30 by wires W. The conductive wiring portions 40 are also connected to each other by wires W, although not shown in FIG. In addition, as shown in FIG. 2B, the conductive wiring portion 40 is covered at its upper surface and side surfaces with a light reflective resin 50. Here, specific examples of the conductive wiring portion 40 include metal films such as copper, silver, gold, and aluminum.

光反射性樹脂５０は、発光素子３０から出射された光を反射するためのものである。光反射性樹脂５０は、図２（ｂ）に示すように、ガラスエポキシ基板１０の第１長尺部１３および第２長尺部１４のそれぞれの上面において、導電配線部４０と、当該導電配線部４０から発光素子３０に延びるワイヤＷの一部とを覆うように凸状形成されている。また、光反射性樹脂５０は、図示は省略したものの、ガラスエポキシ基板１０の第１長尺部１３および第２長尺部１４のそれぞれの上面において、当該ガラスエポキシ基板１０の長手方向に連続して形成され、第１長尺部１３および第２長尺部１４のそれぞれの上面に断続的に形成された導電配線部４０の全てを覆うように形成されている。   The light reflective resin 50 is for reflecting the light emitted from the light emitting element 30. As shown in FIG. 2B, the light-reflecting resin 50 is formed on the upper surface of each of the first long portion 13 and the second long portion 14 of the glass epoxy substrate 10, and the conductive wiring portion 40 and the conductive wiring. A convex shape is formed so as to cover a part of the wire W extending from the portion 40 to the light emitting element 30. Although not shown, the light reflective resin 50 is continuous in the longitudinal direction of the glass epoxy substrate 10 on the upper surface of each of the first elongated portion 13 and the second elongated portion 14 of the glass epoxy substrate 10. It is formed so as to cover all of the conductive wiring portions 40 formed intermittently on the upper surfaces of the first long portion 13 and the second long portion 14.

光反射性樹脂５０の幅および厚さは特に限定されず、希望する反射特性に応じて任意の幅および厚さで形成することができる。例えば、発光素子３０から側方へ出射して外側へ向かう光を反射させるように、例えば発光素子３０の高さよりも高く形成する。また、光反射性樹脂５０の具体的な素材としては、絶縁材料を用いることが好ましく、所定の強度を確保するために、例えば熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることが好ましい。光反射性樹脂５０としては、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン、ウレタン樹脂、オキセタン樹脂、フッ素樹脂、アクリル、ポリカーボネイト、ポリイミド、ポリフタルアミドなどにＴｉＯ２，ＺｒＯ２，Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２等を含有させたものを用いることができる。 The width and thickness of the light-reflective resin 50 are not particularly limited, and can be formed with an arbitrary width and thickness according to desired reflection characteristics. For example, the light emitting element 30 is formed to be higher than the height of the light emitting element 30 so as to reflect the light emitted from the light emitting element 30 to the side and going outward. In addition, as a specific material of the light reflective resin 50, an insulating material is preferably used, and in order to ensure a predetermined strength, for example, a thermosetting resin or a thermoplastic resin is preferably used. Examples of the light reflecting resin 50 include epoxy resin, silicone resin, modified silicone, urethane resin, oxetane resin, fluororesin, acrylic resin, polycarbonate, polyimide, polyphthalamide, TiO 2 , ZrO 2 , Al 2 O 3 , and the like. it can be used which contains a SiO 2 or the like.

第１封止樹脂７０は、セラミックス基板２０に設置された部材を塵芥、水分、外力などから保護するためのものである。第１封止樹脂７０は、図２（ｂ）に示すように、セラミックス基板２０の上面において、発光素子３０と、当該発光素子３０から導電配線部４０に延びるワイヤＷの一部と、セラミックス基板２０の一部とを覆うように凸状に形成されている。また、第１封止樹脂７０は、図示は省略したものの、セラミックス基板２０の上面において、ガラスエポキシ基板１０の長手方向に連続して形成され、セラミックス基板２０の上面に設置された発光素子３０の全てを覆うように構成されている。   The first sealing resin 70 is for protecting members installed on the ceramic substrate 20 from dust, moisture, external force, and the like. As shown in FIG. 2B, the first sealing resin 70 includes the light emitting element 30, a part of the wire W extending from the light emitting element 30 to the conductive wiring portion 40, and the ceramic substrate on the upper surface of the ceramic substrate 20. It is formed in a convex shape so as to cover part of 20. Although not shown, the first sealing resin 70 is formed continuously on the upper surface of the ceramic substrate 20 in the longitudinal direction of the glass epoxy substrate 10, and the first sealing resin 70 is disposed on the upper surface of the ceramic substrate 20. It is configured to cover everything.

第１封止樹脂７０の幅および厚さは特に限定されず、任意の幅および厚さで形成することができる。また、第１封止樹脂７０の具体的な素材としては、発光素子３０からの光を効率よく外部に放出するために、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂などの透光性の素材を用いることが好ましい。なお、第１封止樹脂７０は、図示しない蛍光体を含有してもよく、当該蛍光体を第１封止樹脂７０中に分散、あるいは、当該蛍光体を沈降させて発光素子３０の上面および側面に付着させる構成としても構わない。   The width and thickness of the first sealing resin 70 are not particularly limited, and can be formed with an arbitrary width and thickness. In addition, as a specific material of the first sealing resin 70, it is preferable to use a translucent material such as a silicone resin or an epoxy resin in order to efficiently emit light from the light emitting element 30 to the outside. Note that the first sealing resin 70 may contain a phosphor (not shown), and the phosphor is dispersed in the first sealing resin 70 or the phosphor is allowed to settle and the upper surface of the light emitting element 30 and It does not matter as a structure attached to the side surface.

第２封止樹脂８０は、前記した第１封止樹脂７０と同様に、ガラスエポキシ基板１０およびセラミックス基板２０に設置された部材を塵芥、水分、外力などから保護するためのものである。第２封止樹脂８０は、図２（ｂ）に示すように、ガラスエポキシ基板１０の第１長尺部１３および第２長尺部１４の間において、第１封止樹脂７０と、セラミックス基板２０の一部と、ワイヤＷの一部と、第１長尺部１３および第２長尺部１４のそれぞれの一部と、光反射性樹脂５０の一部とを覆うように凸状に形成されている。また、第２封止樹脂８０は、図示は省略したものの、ガラスエポキシ基板１０の第１長尺部１３および第２長尺部１４の間において、ガラスエポキシ基板１０の長手方向に連続して形成され、第１封止樹脂７０の全てを覆うように構成されている。   Similar to the first sealing resin 70 described above, the second sealing resin 80 is for protecting the members installed on the glass epoxy substrate 10 and the ceramic substrate 20 from dust, moisture, external force, and the like. As shown in FIG. 2B, the second sealing resin 80 includes a first sealing resin 70 and a ceramic substrate between the first long portion 13 and the second long portion 14 of the glass epoxy substrate 10. 20, a part of the wire W, a part of each of the first long part 13 and the second long part 14, and a part of the light reflective resin 50 are formed in a convex shape. Has been. In addition, the second sealing resin 80 is continuously formed in the longitudinal direction of the glass epoxy substrate 10 between the first long portion 13 and the second long portion 14 of the glass epoxy substrate 10 although illustration is omitted. It is configured to cover all of the first sealing resin 70.

第２封止樹脂８０の幅および厚さは特に限定されず、任意の幅および厚さで形成することができる。また、第２封止樹脂８０の具体的な素材としては、発光素子３０からの光を効率よく外部に放出するために、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂などの透光性の素材を用いることが好ましい。   The width and thickness of the second sealing resin 80 are not particularly limited, and can be formed with an arbitrary width and thickness. In addition, as a specific material of the second sealing resin 80, it is preferable to use a light-transmitting material such as a silicone resin or an epoxy resin in order to efficiently emit light from the light emitting element 30 to the outside.

以上のような構成を備える発光装置１は、基材１００をガラスエポキシ基板１０とセラミックス基板２０とで構成することで、基材１００の全てをガラスエポキシで構成する場合と比較して、耐熱性や耐光性を向上させることができ、発光装置１の寿命を長くすることができる。また、セラミックス基板上に発光素子を設置することで、Ａｇめっきを用いなくても良いため硫化することがなく、さらに発光素子からの光の光束を向上させることができる。また、基材１００の全てをセラミックスで構成する場合と比較して、コストを抑えることができる。また、発光装置１は、ガラスエポキシ基板１０に形成された凹部１１を埋めるようにセラミックス基板２０を設置し、そのセラミックス基板２０上に発光素子３０を設置するように構成されているため、凹部１１を形成しない平板状の基材上に発光素子３０を設置する場合と同様に、モールドやワイヤボンディングを行うことができる。   The light-emitting device 1 having the above-described configuration includes the base material 100 composed of the glass epoxy substrate 10 and the ceramic substrate 20, so that the heat resistance is higher than when the base material 100 is entirely composed of glass epoxy. In addition, the light resistance can be improved, and the life of the light emitting device 1 can be extended. Further, by installing the light emitting element on the ceramic substrate, it is not necessary to use Ag plating, so that it is not sulfided, and the light flux from the light emitting element can be improved. Further, the cost can be reduced as compared with the case where all of the substrate 100 is made of ceramics. Further, the light emitting device 1 is configured such that the ceramic substrate 20 is installed so as to fill the concave portion 11 formed in the glass epoxy substrate 10, and the light emitting element 30 is installed on the ceramic substrate 20. Similarly to the case where the light emitting element 30 is installed on a flat base material that does not form a film, molding or wire bonding can be performed.

［発光装置の製造方法］
以下、本発明の実施形態に係る発光装置１の製造方法について、図３を参照（適宜図１および図２を参照）しながら説明する。発光装置１の製造方法は、ここではガラスエポキシ基板作成工程と、導電配線部形成工程と、セラミックス基板設置工程と、発光素子設置工程と、ワイヤボンディング工程と、光反射性樹脂形成工程と、第１封止樹脂形成工程と、第２封止樹脂形成とを行う。 [Method for Manufacturing Light Emitting Device]
Hereinafter, a method for manufacturing the light emitting device 1 according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 3 (refer to FIGS. 1 and 2 as appropriate). Here, the manufacturing method of the light emitting device 1 includes a glass epoxy substrate creating step, a conductive wiring portion forming step, a ceramic substrate installing step, a light emitting element installing step, a wire bonding step, a light reflecting resin forming step, 1 sealing resin formation process and 2nd sealing resin formation are performed.

ガラスエポキシ基板作成工程は、ガラスエポキシ基板１０を作成する工程である。このガラスエポキシ基板形成工程では、図３（ａ）に示すように、ガラスエポキシからなる薄い板状部材（薄板基板１０ａ）を所定枚数積層させることで作成することができる。具体的には、凹部１１を形成するため、上部に位置する薄板基板１０ａには、凹部１１用の穴（溝）を作製しておく。そして、この穴を形成した薄板基板１０ａの積層数により、凹部の深さを調整する。積層する薄板基板１０ａ同士は、例えば樹脂や半田ペーストなどの接合部材により接着させればよい。なお、基板材料の一部を除去して凹部１１を形成し、ガラスエポキシ基板１０を作成することもできる。   The glass epoxy substrate creation step is a step of creating the glass epoxy substrate 10. In this glass epoxy substrate forming step, as shown in FIG. 3A, a thin plate member (thin plate substrate 10a) made of glass epoxy can be formed by laminating a predetermined number. Specifically, in order to form the concave portion 11, a hole (groove) for the concave portion 11 is formed in the thin plate substrate 10a located at the top. And the depth of a recessed part is adjusted with the number of lamination | stacking of the thin board | substrate 10a in which this hole was formed. The thin plate substrates 10a to be stacked may be bonded to each other with a bonding member such as a resin or a solder paste. Note that the glass epoxy substrate 10 can be formed by removing a part of the substrate material to form the recess 11.

導電配線部形成工程は、ガラスエポキシ基板１０上に導電配線部４０を形成する工程である。この導電配線部形成工程では、図３（ｂ）に示すように、ガラスエポキシ基板１０の第１長尺部１３および第２長尺部１４のそれぞれの上面に、めっきまたは蒸着などによって、銅などの金属膜からなる導電配線部４０を形成する。   The conductive wiring portion forming step is a step of forming the conductive wiring portion 40 on the glass epoxy substrate 10. In this conductive wiring portion forming step, as shown in FIG. 3B, the upper surface of each of the first long portion 13 and the second long portion 14 of the glass epoxy substrate 10 is plated with copper or the like by plating or vapor deposition. A conductive wiring portion 40 made of the metal film is formed.

セラミックス基板設置工程は、ガラスエポキシ基板１０にセラミックス基板２０を設置する工程である。このセラミックス基板設置工程では、図３（ｃ）に示すように、セラミックス基板２０をガラスエポキシ基板１０の凹部１１内に設置する。   The ceramic substrate installation step is a step of installing the ceramic substrate 20 on the glass epoxy substrate 10. In this ceramic substrate installation step, the ceramic substrate 20 is installed in the recess 11 of the glass epoxy substrate 10 as shown in FIG.

発光素子設置工程は、セラミックス基板２０に発光素子３０を設置する工程である。この発光素子設置工程では、図３（ｄ）に示すように、セラミックス基板２０の上面に複数の発光素子３０を設置する。なお、発光素子３０は、予めセラミックス基板２０の上面に設置し、前記したセラミックス基板設置工程において、当該セラミックス基板２０とともにガラスエポキシ基板１０側に設置してもよい。   The light emitting element installation step is a step of installing the light emitting element 30 on the ceramic substrate 20. In this light emitting element installation step, a plurality of light emitting elements 30 are installed on the upper surface of the ceramic substrate 20 as shown in FIG. The light emitting element 30 may be installed on the upper surface of the ceramic substrate 20 in advance, and may be installed on the glass epoxy substrate 10 side together with the ceramic substrate 20 in the ceramic substrate installation step.

ワイヤボンディング工程は、発光素子３０と導電配線部４０とをワイヤＷで接続する工程である。ワイヤボンディング工程では、図３（ｅ）に示すように、ワイヤＷによって、発光素子３０の一対の電極（図示省略）と導電配線部４０とを電気的に接続する。また、ここでは図示は省略したものの、ワイヤボンディング工程では、所望の接続方法（例えば直列接続、並列接続および直並列接続）に応じて、導電配線部４０同士もワイヤＷによって接続する。ワイヤＷの素材としては、金、銀、銅、白金、アルミニウム、またはこれらの合金などを用いることができる。   The wire bonding step is a step of connecting the light emitting element 30 and the conductive wiring portion 40 with a wire W. In the wire bonding step, as shown in FIG. 3E, a pair of electrodes (not shown) of the light emitting element 30 and the conductive wiring portion 40 are electrically connected by a wire W. Although illustration is omitted here, in the wire bonding step, the conductive wiring portions 40 are also connected by the wires W according to a desired connection method (for example, series connection, parallel connection, and series-parallel connection). As a material of the wire W, gold, silver, copper, platinum, aluminum, or an alloy thereof can be used.

光反射性樹脂形成工程は、ガラスエポキシ基板１０に光反射性樹脂５０を形成する工程である。光反射性樹脂形成工程では、光反射性樹脂５０用の樹脂材料を滴下する図示しない樹脂塗布装置をガラスエポキシ基板１０の長手方向に操作することで、図３（ｆ）に示すように、ガラスエポキシ基板１０の第１長尺部１３および第２長尺部１４の上面において、導電配線部４０と、当該導電配線部４０から発光素子３０に延びるワイヤＷの一部とを覆うように光反射性樹脂５０を形成する。   The light reflecting resin forming step is a step of forming the light reflecting resin 50 on the glass epoxy substrate 10. In the light-reflective resin forming step, a resin coating device (not shown) for dropping the resin material for the light-reflective resin 50 is operated in the longitudinal direction of the glass epoxy substrate 10, as shown in FIG. On the upper surface of the first long portion 13 and the second long portion 14 of the epoxy substrate 10, light reflection is performed so as to cover the conductive wiring portion 40 and a part of the wire W extending from the conductive wiring portion 40 to the light emitting element 30. The conductive resin 50 is formed.

第１封止樹脂形成工程は、セラミックス基板２０に第１封止樹脂７０を形成する工程である。第１封止樹脂形成工程では、第１封止樹脂７０用の樹脂材料を滴下する図示しない樹脂塗布装置をガラスエポキシ基板１０の長手方向に操作することで、図３（ｇ）に示すように、セラミックス基板２０の上面において、発光素子３０と、当該発光素子３０から導電配線部４０に延びるワイヤＷの一部とを覆うように第１封止樹脂７０を形成する。   The first sealing resin forming step is a step of forming the first sealing resin 70 on the ceramic substrate 20. In the first sealing resin forming step, a resin coating device (not shown) for dropping the resin material for the first sealing resin 70 is operated in the longitudinal direction of the glass epoxy substrate 10, as shown in FIG. The first sealing resin 70 is formed on the upper surface of the ceramic substrate 20 so as to cover the light emitting element 30 and a part of the wire W extending from the light emitting element 30 to the conductive wiring portion 40.

第２封止樹脂形成工程は、ガラスエポキシ基板１０に第２封止樹脂８０を形成する工程である。第２封止樹脂形成工程では、第２封止樹脂８０用の樹脂材料を滴下する図示しない樹脂塗布装置をガラスエポキシ基板１０の長手方向に操作することで、図３（ｈ）に示すように、ガラスエポキシ基板１０の第１長尺部１３および第２長尺部１４の間において、第１封止樹脂７０と、セラミックス基板２０の一部と、ワイヤＷの一部と、第１長尺部１３および第２長尺部１４のそれぞれの一部と、光反射性樹脂５０の一部とを覆うように第２封止樹脂８０を形成する。以上のような手順を行うことにより、図１および図２に示すような発光装置１を製造することができる。   The second sealing resin forming step is a step of forming the second sealing resin 80 on the glass epoxy substrate 10. In the second sealing resin formation step, as shown in FIG. 3H, a resin coating device (not shown) for dropping the resin material for the second sealing resin 80 is operated in the longitudinal direction of the glass epoxy substrate 10. Between the first elongate portion 13 and the second elongate portion 14 of the glass epoxy substrate 10, the first sealing resin 70, a part of the ceramic substrate 20, a part of the wire W, and the first elongate The second sealing resin 80 is formed so as to cover a part of each of the part 13 and the second long part 14 and a part of the light reflective resin 50. By performing the procedure as described above, the light emitting device 1 as shown in FIGS. 1 and 2 can be manufactured.

以上、本発明に係る発光装置について、発明を実施するための形態により具体的に説明したが、本発明の趣旨はこれらの記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて広く解釈されなければならない。また、これらの記載に基づいて種々変更、改変などしたものも本発明の趣旨に含まれることはいうまでもない。以下、本発明の実施形態に係る発光装置の変形例について説明する。   The light emitting device according to the present invention has been specifically described above with reference to embodiments for carrying out the invention. However, the gist of the present invention is not limited to these descriptions, and is based on the description of the claims. It must be interpreted widely. Needless to say, various changes and modifications based on these descriptions are also included in the spirit of the present invention. Hereinafter, modifications of the light emitting device according to the embodiment of the present invention will be described.

［第１変形例］
図４に示すように、発光装置１Ａは、基材１００Ａの裏面に銅箔１２が設けられ、凹部１１が、ガラスエポキシ基板１０Ａに形成された貫通穴を銅箔１２で塞ぐことで形成されている。すなわち、凹部１１におけるガラスエポキシ基板１０Ａは、厚み方向に全て切り欠いており、貫通穴を形成している。そして、基材１００Ａであるガラスエポキシ基板１０Ａおよびセラミックス基板２０の裏面、すなわち発光素子３０を載置する面と反対側の面は、銅箔１２が設けられている。
このように、ガラスエポキシ基板１０Ａと、その裏面に設けられた銅箔１２とが一体となって、凹部１１を形成している。 [First Modification]
As shown in FIG. 4, the light emitting device 1 </ b> A has a copper foil 12 provided on the back surface of the base material 100 </ b> A, and the recess 11 is formed by closing the through hole formed in the glass epoxy substrate 10 </ b> A with the copper foil 12. Yes. That is, the glass epoxy substrate 10A in the recess 11 is notched in the thickness direction, and a through hole is formed. And the copper foil 12 is provided in the back surface of the glass epoxy board | substrate 10A which is the base material 100A, and the ceramic substrate 20, ie, the surface on the opposite side to the surface where the light emitting element 30 is mounted.
Thus, the glass epoxy substrate 10A and the copper foil 12 provided on the back surface thereof are integrated to form the recess 11.

また、銅箔１２は、複数のセラミックス基板２０の全てに接合するように連続して設けられていることが好ましい。なお、「連続して設けられている」とは、銅箔１２が一枚の部材として、複数のセラミックス基板２０の全てに接合するように設けられているという意味である。すなわち、銅箔１２はそれぞれの貫通穴の下のみに設けられているのではなく、基材１００Ａの裏面のほぼ全面に、繋がって設けられていることが好ましい。   Moreover, it is preferable that the copper foil 12 is provided continuously so as to be bonded to all of the plurality of ceramic substrates 20. “Consecutively provided” means that the copper foil 12 is provided as a single member so as to be bonded to all of the plurality of ceramic substrates 20. That is, it is preferable that the copper foil 12 is not provided only under each through-hole, but is connected to almost the entire back surface of the base material 100A.

銅箔１２は、ガラスエポキシ基板作成工程の後、かつセラミックス基板設置工程の前に、基材１００Ａの裏面（ガラスエポキシ基板１０Ａの裏面）に接合する。すなわち、本実施形態においては、ガラスエポキシ基板作成工程とセラミックス基板設置工程との間に、銅箔接合工程を有する。銅箔１２の接合は、例えば樹脂や半田ペーストなどの接合部材により行うことができる。   The copper foil 12 is bonded to the back surface of the base material 100A (the back surface of the glass epoxy substrate 10A) after the glass epoxy substrate creation step and before the ceramic substrate setting step. That is, in this embodiment, it has a copper foil joining process between a glass epoxy board | substrate preparation process and a ceramic substrate installation process. The copper foil 12 can be joined by a joining member such as resin or solder paste.

また、発光装置１Ａは、図４に示すように、セラミックス基板２０と銅箔１２との間に、金または銀などからなる金属膜９０を備えており、セラミックス基板２０の下面と、銅箔１２の上面とが、当該金属膜９０を介して接合されている。なお、この金属膜９０は、セラミックス基板２０と銅箔１２との間の全面に形成されていることが放熱性の観点からも好ましいが、部分的に形成されていてもよい。また、セラミックス基板２０と銅箔１２とを金属膜９０を介して接合する際には、例えば共晶接合などを利用することができる。   As shown in FIG. 4, the light emitting device 1 </ b> A includes a metal film 90 made of gold or silver between the ceramic substrate 20 and the copper foil 12, and the lower surface of the ceramic substrate 20 and the copper foil 12. Are joined to each other via the metal film 90. The metal film 90 is preferably formed on the entire surface between the ceramic substrate 20 and the copper foil 12 from the viewpoint of heat dissipation, but may be partially formed. Moreover, when bonding the ceramic substrate 20 and the copper foil 12 through the metal film 90, eutectic bonding etc. can be utilized, for example.

このような構成を備える発光装置１Ａは、セラミックス基板２０を設け、当該セラミックス基板２０直下の凹部１１の底面を銅箔１２で構成することで、発光素子３０で発生した熱をセラミックス（セラミックス基板２０）、銅箔１２の順に伝熱させて外部に放熱することができるため、放熱性をより向上させることができる。また、発光装置１Ａは、セラミックス基板２０と銅箔１２との間に金属膜９０が設けられているため、同種材料の接合となってセラミックス基板２０と銅箔１２との接着性を向上させることができるとともに、放熱性をより一層向上させることができる。   The light emitting device 1A having such a configuration is provided with the ceramic substrate 20, and the bottom surface of the concave portion 11 directly below the ceramic substrate 20 is formed of the copper foil 12, so that the heat generated in the light emitting element 30 is generated by the ceramic (ceramic substrate 20). ), Since heat can be transferred to the outside in the order of the copper foil 12, heat dissipation can be further improved. Moreover, since the metal film 90 is provided between the ceramic substrate 20 and the copper foil 12, the light emitting device 1A improves the adhesion between the ceramic substrate 20 and the copper foil 12 by joining the same kind of materials. In addition, the heat dissipation can be further improved.

［第２変形例］
前記した実施形態、第１変形例では、基材１００，１００Ａが長尺状であるものについて説明したが、図５に示すように、発光装置１Ｂは、セラミックス基板２０が、基材１００の中央に形成された形態のものであってもよい。なお、図５における光反射性樹脂５０は、外形のみを線で示し、透過させた状態で図示している。また、第１封止樹脂および第２封止樹脂の図示を省略している。 [Second Modification]
In the above-described embodiment and the first modification, the base material 100, 100A has been described as having a long shape. However, as shown in FIG. 5, the light emitting device 1B has the ceramic substrate 20 in the center of the base material 100. It may be in the form formed in. Note that the light-reflective resin 50 in FIG. 5 is shown in a state in which only the outer shape is shown by lines and transmitted. Moreover, illustration of the first sealing resin and the second sealing resin is omitted.

具体的には、図５に示すように、発光装置１Ｂは、矩形平板状の基材１００の中央に、セラミックス基板２０が円状に設けられている。そして、このセラミックス基板２０上に、１つまたは複数の発光素子３０が設置されている。
基材１００の中央とは、基材１００の中心部近傍をいい、発光装置１Ｂがその機能を問題なく発揮できれば、特に厳密に規定されるものではない。また、円状とは、真円の他、楕円形状も含み、発光装置１Ｂがその機能を問題なく発揮できれば、特に厳密に規定されるものではない。なお、円状の他、例えば四角形や六角形などの多角形であってもよい。 Specifically, as illustrated in FIG. 5, in the light emitting device 1 </ b> B, the ceramic substrate 20 is provided in a circular shape at the center of a rectangular flat base material 100. One or a plurality of light emitting elements 30 are installed on the ceramic substrate 20.
The center of the base material 100 refers to the vicinity of the central portion of the base material 100, and is not particularly strictly defined as long as the light emitting device 1B can exhibit its function without problems. The circular shape includes not only a perfect circle but also an elliptical shape, and is not particularly strictly defined as long as the light emitting device 1B can perform its function without any problem. In addition to a circular shape, it may be a polygon such as a square or a hexagon.

基材１００やセラミックス基板２０のサイズや形状は特に限定されず、発光素子３０の数や配列間隔など、目的および用途に応じて適宜選択することができる。
その他については、前記した実施形態、第１変形例と同様であるので、ここでは説明を省略する。 The size and shape of the base material 100 and the ceramic substrate 20 are not particularly limited, and can be appropriately selected according to the purpose and application such as the number of light emitting elements 30 and the arrangement interval.
Since others are the same as those in the above-described embodiment and the first modification, the description thereof is omitted here.

［第３変形例］
前記した実施形態では、基材１００が長尺状であり、凹部１１が複数ある場合について説明したが、例えば、基材１００の長辺を短くして矩形状とし、凹部１１を１つとした形態、すなわち１つのセラミックス基板２０上に１つの発光素子３０が設置された形態であってもよい。 [Third Modification]
In the above-described embodiment, the case where the base material 100 is long and there are a plurality of the concave portions 11 has been described, but, for example, a form in which the long side of the base material 100 is shortened to be rectangular and the concave portion 11 is one. That is, one light emitting element 30 may be installed on one ceramic substrate 20.

［第４変形例］
発光装置１，１Ａ，１Ｂは、図２（ｂ）および図４に示すように、いずれも発光素子３０がフェイスアップ実装型である場合を例として説明したが、当該発光素子３０は、フェイスダウン実装型であっても構わない。この場合は、例えばセラミックス基板２０上に金属配線膜を形成し、発光素子３０の電極を下に向けて金属配線膜上にフェイスダウン実装した後、金属配線膜と導電配線部４０とをワイヤＷで接続してもよい。 [Fourth Modification]
As shown in FIGS. 2B and 4, the light emitting devices 1, 1 </ b> A, and 1 </ b> B have been described by taking the case where the light emitting element 30 is a face-up mounting type as an example. It may be a mounting type. In this case, for example, a metal wiring film is formed on the ceramic substrate 20 and face-down mounting is performed on the metal wiring film with the electrode of the light emitting element 30 facing down, and then the metal wiring film and the conductive wiring portion 40 are connected to the wire W. You may connect with.

［第５変形例］
また、発光素子３０をフェイスダウン実装する場合は、基材１００，１００Ａ内部に這わせた配線を利用して発光素子３０の電極と導電配線部４０とを接続しても構わない。この場合は、例えばセラミックス基板２０上に金属配線膜を形成するとともに、当該金属配線膜の下面と導電配線部４０の下面とを接続するように、基材１００，１００Ａの内部に配線を形成しておく。そして、発光素子３０の電極を下に向けて金属配線膜上にフェイスダウン実装し、発光素子３０と導電配線部４０とを電気的に接続する。また、図示は省略したが、この場合も発光装置１，１Ａ，１Ｂと同様に、隣接する導電配線部４０同士をワイヤＷによって接続する。 [Fifth Modification]
Further, when the light emitting element 30 is mounted face-down, the electrodes of the light emitting element 30 and the conductive wiring portion 40 may be connected using a wiring lined inside the base materials 100 and 100A. In this case, for example, a metal wiring film is formed on the ceramic substrate 20 and wiring is formed inside the base materials 100 and 100A so as to connect the lower surface of the metal wiring film and the lower surface of the conductive wiring part 40. Keep it. Then, face-down mounting is performed on the metal wiring film with the electrode of the light emitting element 30 facing downward, and the light emitting element 30 and the conductive wiring portion 40 are electrically connected. Although illustration is omitted, in this case as well, adjacent conductive wiring portions 40 are connected by wires W in the same manner as the light emitting devices 1, 1 </ b> A, 1 </ b> B.

なお、このように基材１００，１００Ａの内部に配線を形成する場合、配線の形成経路は特に限定されず、例えば導電配線部４０の下面から、凹部１１の側壁を経由して前記した金属配線と接続するような経路で形成してもよく、あるいは、導電配線部４０の下面から、凹部１１の底面を経由して前記した金属配線と接続するような経路で形成してもよい。このように基材１００，１００Ａ内部に配線を這わせることで、発光素子３０と導電配線部４０とを接続するワイヤＷが外部に露出することがないため、第２封止樹脂８０を設ける必要がなくなり、製造工程を簡略化することができる。   When wiring is formed inside the base materials 100 and 100A in this way, the wiring formation path is not particularly limited. For example, the metal wiring described above from the lower surface of the conductive wiring portion 40 via the side wall of the recess 11. Alternatively, it may be formed by a route that connects to the metal wiring from the lower surface of the conductive wiring portion 40 via the bottom surface of the recess 11. Since the wires W connecting the light emitting element 30 and the conductive wiring portion 40 are not exposed to the outside by arranging the wiring inside the base materials 100 and 100A in this way, it is necessary to provide the second sealing resin 80. The manufacturing process can be simplified.

［第６変形例］
発光装置１，１Ａは、前記したように、第１封止樹脂７０がガラスエポキシ基板１０の長手方向に連続して形成されている場合を例として説明したが、当該第１封止樹脂７０は、発光素子３０のみを被覆する構成であっても構わない。この場合は、前記した第１封止樹脂形成工程において、図示しない樹脂塗布装置によって第１封止樹脂７０の樹脂材料を発光素子３０ごとに滴下し、当該発光素子３０を被覆する半球状の第１封止樹脂７０を形成すればよい。 [Sixth Modification]
As described above, the light emitting devices 1 and 1A have been described by taking the case where the first sealing resin 70 is continuously formed in the longitudinal direction of the glass epoxy substrate 10 as an example. The configuration may be such that only the light emitting element 30 is covered. In this case, in the first sealing resin forming step, the resin material of the first sealing resin 70 is dropped for each light emitting element 30 by a resin coating device (not shown), and the hemispherical first covering the light emitting element 30 is performed. One sealing resin 70 may be formed.

１，１Ａ，１Ｂ 発光装置
１０，１０Ａ ガラスエポキシ基板
１０ａ 薄板基板
１１ 凹部
１２ 銅箔
１３ 第１長尺部
１４ 第２長尺部
２０ 第２基板
３０ 発光素子
４０ 導電配線部
５０ 光反射性樹脂
７０ 第１封止樹脂
８０ 第２封止樹脂
９０ 金属膜
１００，１００Ａ 基材
Ｗ ワイヤ 1, 1A, 1B Light emitting device 10, 10A Glass epoxy substrate 10a Thin plate substrate 11 Recess 12 Copper foil 13 First long portion 14 Second long portion 20 Second substrate 30 Light emitting element 40 Conductive wiring portion 50 Light reflecting resin 70 First sealing resin 80 Second sealing resin 90 Metal film 100, 100A Base material W Wire

Claims (5)

基材と、前記基材上に設置された発光素子とを備える発光装置であって、
前記基材は、ガラスエポキシ基板と、セラミックス基板とからなり、
前記ガラスエポキシ基板は、所定領域において、側面および底面がガラスエポキシからなる凹部を有し、
前記凹部に前記セラミックス基板が設けられ、
前記セラミックス基板上に前記発光素子が設置され、
前記発光素子の上面が、前記ガラスエポキシ基板の上面よりも高い位置にあることを特徴とする発光装置。 A light emitting device comprising a base material and a light emitting element installed on the base material,
The substrate comprises a glass epoxy substrate and a ceramic substrate,
The glass epoxy substrate, in Jo Tokoro region, has a recess side surface and a bottom surface is made of glass epoxy,
The ceramic substrate is provided in the recess,
The light emitting element is installed on the ceramic substrate,
The light emitting device, wherein an upper surface of the light emitting element is located higher than an upper surface of the glass epoxy substrate. 前記基材は長尺状であり、前記凹部が、前記基材の長手方向に沿って複数形成されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。 The light-emitting device according to claim 1, wherein the base material has a long shape, and a plurality of the concave portions are formed along a longitudinal direction of the base material. 前記基材は、平面視において、１５〜３０ｃｍ×１〜５ｃｍの長尺状であり、前記凹部は、平面視において、０．５〜４．５ｃｍ×０．５〜４．５ｃｍの矩形状であることを特徴とする請求項２に記載の発光装置。 The base material has a long shape of 15 to 30 cm × 1 to 5 cm in plan view, and the concave portion has a rectangular shape of 0.5 to 4.5 cm × 0.5 to 4.5 cm in plan view. The light emitting device according to claim 2, wherein the light emitting device is provided. 前記セラミックス基板が、前記長尺状の基材に対して長手方向に直交する短手方向の中央に形成されていることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の発光装置。 The ceramic substrate, the light emitting device according to claim 2 or claim 3, characterized in that it is formed in the center in the lateral direction perpendicular to the longitudinal direction relative to said elongated base member. 前記セラミックス基板が、前記基材の中央に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1, wherein the ceramic substrate is formed at a center of the base material.
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