JP2008103401A - Package for upper/lower electrode type light emitting diode, and its manufacturing method - Google Patents

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宏司 伏見
Kengo Nishiyama
研吾 西山
Koji Kudo
幸二 工藤
Narimiya Yamamoto
済宮 山本
Kazuma Mitsuyama
和磨 光山
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a package for upper/lower electrode type light emitting diode exhibiting excellent mass productivity and high strength. <P>SOLUTION: The package for light emitting diode comprises metal substrates 12 and 14 for fixing an upper/lower electrode type light emitting diode 11, a slit 13 provided in the metal substrates 12 and 14, a pair of package electrodes 111 (upper electrode) and 112 (lower electrode) formed on the metal substrates 12 and 14 while holding the slit 13 between, and a reflector 16 fixed in correspondence with the slit 13. A large number of slits 13 are opened through the metal substrates 12 and 14 in one or a plurality of rows. The reflector 16 is a tubular body having an inclining surface which becomes wider from the narrow bottom toward the distal end wherein the bottom is fixed to the metal substrates 12 and 14 and at least one width is formed shorter than the length of the slit 13. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、上部電極および下部電極を備えた上下電極型発光ダイオード用パッケージおよび上下電極型発光ダイオード用パッケージの製造方法に関するものである。特に、本発明は、前記上下電極型発光ダイオード組立体を作製する前のパッケージであり、前記上下電極型発光ダイオードからなる発光装置を量産するのに適した上下電極型発光ダイオード用パッケージおよび上下電極型発光ダイオード用パッケージの製造方法に関するものである。また、本発明は、上下電極型発光ダイオードに流す電流容量、大電流で発生した熱の放熱性、パッケージの強度、熱応力、あるいは発光効率の全てを満す上下電極型発光ダイオード用パッケージおよび上下電極型発光ダイオード用パッケージの製造方法に関するものである。   The present invention relates to an upper / lower electrode type light emitting diode package including an upper electrode and a lower electrode, and a method of manufacturing the upper / lower electrode type light emitting diode package. In particular, the present invention is a package before manufacturing the upper and lower electrode type light emitting diode assembly, and is suitable for mass production of a light emitting device comprising the upper and lower electrode type light emitting diode. The present invention relates to a method for manufacturing a type light emitting diode package. The present invention also relates to a package for an upper and lower electrode type light emitting diode that satisfies all of the current capacity flowing through the upper and lower electrode type light emitting diode, the heat dissipation of heat generated by a large current, the strength of the package, the thermal stress, or the luminous efficiency. The present invention relates to a method for manufacturing an electrode type light emitting diode package.

図６（イ）は従来例における発光ダイオード組立体を説明するための概略断面図で、（ロ）は前記従来例における発光ダイオード組立体を説明するための平面図である。図６（イ）および（ロ）において、発光ダイオード組立体６０は、印刷配線基板６１と、当該印刷配線基板６１の上に設けられたサブマウント基板６２と、前記サブマウント基板６２の周囲を囲むプラスチック製筒体６３と、上下電極型発光ダイオード６５と、前記上下電極型発光ダイオード６５を覆う透明封止樹脂６６とから構成される。   FIG. 6A is a schematic sectional view for explaining a light emitting diode assembly in a conventional example, and FIG. 6B is a plan view for explaining the light emitting diode assembly in the conventional example. 6A and 6B, the light-emitting diode assembly 60 surrounds a printed wiring board 61, a submount board 62 provided on the printed wiring board 61, and the periphery of the submount board 62. A plastic cylinder 63, an upper and lower electrode type light emitting diode 65, and a transparent sealing resin 66 covering the upper and lower electrode type light emitting diode 65 are formed.

前記プラスチック製筒体６３は、たとえば、エポキシ樹脂を主成分とした熱硬化性樹脂により、リードフレーム６４とともに一体成形される。前記印刷配線基板６１は、前記上下電極型発光ダイオード６５を点滅させるための図示されていない制御回路と接続するためのプリント配線６１１がエッチング等により所望のパターンで形成されている。前記サブマウント基板６２は、上面にエッチングまたはマスクを用いて蒸着パターンを成形する等により一対の配線６２２が形成されている。   The plastic cylinder 63 is integrally formed with the lead frame 64 by using, for example, a thermosetting resin mainly composed of an epoxy resin. On the printed wiring board 61, a printed wiring 611 for connecting to a control circuit (not shown) for blinking the upper and lower electrode type light emitting diodes 65 is formed in a desired pattern by etching or the like. A pair of wirings 622 is formed on the upper surface of the submount substrate 62 by, for example, forming an evaporation pattern using etching or a mask.

前記プラスチック製筒体６３は、リードフレーム６４が内部（埋め込み部６４１）を貫通している。また、前記プラスチック製筒体６３は、上下電極型発光ダイオード６５の発光を内部周囲により反射する。さらに、前記プラスチック製筒体６３は、インジェクション成形の際にリードフレーム６４を内部に埋設する、いわゆるインサートまたはアウトサート成形（インジェクション成形）により一体的に作製される。   In the plastic cylinder 63, the lead frame 64 penetrates the inside (embedded portion 641). The plastic cylinder 63 reflects light emitted from the upper and lower electrode type light emitting diodes 65 from the inner periphery. Further, the plastic cylinder 63 is integrally manufactured by so-called insert or outsert molding (injection molding) in which the lead frame 64 is embedded in the injection molding.

上下電極型発光ダイオード６５は、下部に二つの電極６２３を備えており、半導体ウエハからなるサブマウント基板６２からダイシングにより切り出され、前記電極が前記サブマウント基板６２の配線６２２と接続される。前記透明封止樹脂６６は、耐熱性を有し、前記プラスチック製筒体６３の内部に充填され、平板状または凸状のレンズを構成する。   The upper and lower electrode type light emitting diode 65 includes two electrodes 623 in the lower part, cut out by dicing from the submount substrate 62 made of a semiconductor wafer, and the electrodes are connected to the wiring 622 of the submount substrate 62. The transparent sealing resin 66 has heat resistance, is filled in the plastic cylindrical body 63, and forms a flat or convex lens.

特開２００１−２４４５０８号公報に記載されている発光ダイオード用パッケージは、金属基板の一方に上下電極型発光ダイオードの下部電極を取り付け、前記上下電極型発光ダイオードの上部電極をボンディングワイヤーで他方の絶縁された金属基板に接続している。特開２００３−８０７４号公報に記載されている表面実装型発光装置は、フリップチップ型発光ダイオードを互いに絶縁された金属基板の上に取り付けられている。また、特開２００５−１９６０９号公報に記載されている発光ダイオード用パッケージは、フリップチップ型発光ダイオードを半導体基板の収納凹所に載置し、配線により接続を行っている。
特開２００１−２４４５０８号公報 特開２００３−８０７４号公報 特開２００５−１９６０９号公報 In the light emitting diode package described in Japanese Patent Laid-Open No. 2001-244508, the lower electrode of the upper and lower electrode type light emitting diode is attached to one side of a metal substrate, and the upper electrode of the upper and lower electrode type light emitting diode is insulated with the other by a bonding wire. Connected to the metal substrate. In the surface-mounted light-emitting device described in Japanese Patent Laid-Open No. 2003-8074, flip-chip light-emitting diodes are mounted on metal substrates that are insulated from each other. In addition, in the light emitting diode package described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-19609, a flip chip type light emitting diode is placed in a housing recess of a semiconductor substrate and connected by wiring.
JP 2001-244508 A JP 2003-8074 A Japanese Patent Laid-Open No. 2005-19609

前記サブマウントタイプのフリップチップ型発光ダイオードは、上部に電極がないため、発光した光が全て外部に照射されるという利点がある。しかし、上下電極型発光ダイオードは、近年、前記タイプのフリップチップ型発光ダイオードに勝る性能のものが開発されつつある。前記上下電極型発光ダイオードは、電流を多く流すことができ、照度も向上させることができるが、前記サブマウントタイプの構造にすると、熱により配線が断線したり、発光ダイオードの経年変化による破壊等の欠点があった。また、サブマウントタイプは、量産に対する生産性が悪いという問題があった。   The sub-mount type flip-chip type light emitting diode has an advantage that all the emitted light is irradiated to the outside because there is no electrode on the upper part. However, in recent years, upper and lower electrode type light emitting diodes have been developed having performances superior to the above-described flip chip type light emitting diodes. The upper and lower electrode type light emitting diode can flow a large amount of current and can improve the illuminance. However, when the submount type structure is used, the wiring may be disconnected due to heat, or the light emitting diode may be destroyed due to aging. There were drawbacks. Further, the submount type has a problem that productivity for mass production is poor.

前記上下電極型発光ダイオードは、大型で、発光効率が良く、照度の高いものが得られるようになって来た。しかし、前記上下電極型発光ダイオードは、照明に使用すると、多くの電流を流すことができるが、放熱および熱応力による歪みで配線が断線するという問題があった。また、スリットを備えた金属基板に取り付けられた発光ダイオードは、透明樹脂で封止され、前記透明樹脂で強度を持たせるために、硬度の高いものが使用されている。しかし、前記硬度の高い封止材料は、発光ダイオードから発生する熱応力が大きいという問題があった。前記熱応力は、発光ダイオードに電力を供給する配線を断線させる恐れがあった。   The upper and lower electrode type light emitting diodes are large, have high luminous efficiency, and have high illuminance. However, when the upper and lower electrode type light emitting diodes are used for illumination, a large amount of current can flow, but there is a problem that wiring is disconnected due to heat dissipation and distortion due to thermal stress. Moreover, the light emitting diode attached to the metal board | substrate provided with the slit is sealed with transparent resin, and the thing with high hardness is used in order to give intensity | strength with the said transparent resin. However, the sealing material having a high hardness has a problem that the thermal stress generated from the light emitting diode is large. The thermal stress may break the wiring that supplies power to the light emitting diode.

以上のような課題を解決するために、本発明は、スリットが設けられた金属基板と、前記金属基板に設けられた反射膜を備えた反射体とから少なくとも構成された上下電極型発光ダイオード用パッケージを提供することを目的とする。本発明は、量産性に優れた形状からなるとともに、強度の高い上下電極型発光ダイオード用パッケージを提供することを目的とする。   In order to solve the problems as described above, the present invention provides an upper and lower electrode type light emitting diode comprising at least a metal substrate provided with a slit and a reflector provided with a reflective film provided on the metal substrate. The purpose is to provide a package. It is an object of the present invention to provide a package for an upper and lower electrode type light emitting diode having a shape with excellent mass productivity and high strength.

（第１発明）
第１発明の上下電極型発光ダイオード用パッケージは、一列または複数列に上下電極型発光ダイオードの取り付け位置を有する金属基板と、前記上下電極型発光ダイオードを取り付け位置に対応するように、一列または複数列に前記金属基板の上に開口されている多数のスリットと、前記スリットを挟んで前記金属基板の上に多数形成されている一対のパッケージ電極と、前記金属基板に取り付けられているとともに、前記スリットに対応して取り付けられ、少なくとも一方の幅が前記スリットの長さより短い多数の反射体と、で構成された上下電極型発光ダイオード用パッケージ集合体を、各スリットの内側で切断し、前記スリットで分割された一対のパッケージ電極が前記反射体で保持されていることを特徴とする。 (First invention)
The upper and lower electrode type light emitting diode packages according to the first aspect of the present invention are arranged in one or more rows so that the upper and lower electrode type light emitting diodes correspond to the mounting positions of the metal substrate having the mounting positions of the upper and lower electrode type light emitting diodes in one or more rows. A plurality of slits opened on the metal substrate in a row, a pair of package electrodes formed on the metal substrate across the slit, and attached to the metal substrate; A package assembly for upper and lower electrode type light emitting diodes, which is attached to correspond to the slits and includes a plurality of reflectors having at least one width shorter than the length of the slits, is cut inside each slit, and the slits A pair of package electrodes divided by (1) is held by the reflector.

（第２発明）
第２発明の上下電極型発光ダイオード用パッケージは、第１発明の反射体がアルミナ系、アルミナおよびガラスの複合系のセラミックからなり、エポキシ樹脂系、ポリイミド樹脂系、ガラス系、ロウ材系の接着剤で前記金属基板に接合されていることを特徴とする。 (Second invention)
In the upper and lower electrode type light emitting diode package of the second invention, the reflector of the first invention is made of an alumina-based, alumina-glass composite ceramic, and is bonded with epoxy resin, polyimide resin, glass, or brazing material. It is characterized by being bonded to the metal substrate with an agent.

（第３発明）
第３発明の上下電極型発光ダイオード用パッケージは、第１発明または第２発明の金属基板に設けられたスリットの集合体が直線状、曲線状、あるいは十字状、Ｔ字状、Ｈ字状などのいずれかであることを特徴とする。 (Third invention)
In the upper and lower electrode type light emitting diode package of the third invention, the assembly of slits provided on the metal substrate of the first or second invention is linear, curved, cross-shaped, T-shaped, H-shaped, etc. It is either of these.

（第４発明）
第４発明の上下電極型発光ダイオード用パッケージは、第１発明から第３発明のスリットに予め絶縁樹脂が充填されていることを特徴とする。 (Fourth invention)
The upper and lower electrode type light emitting diode package of the fourth invention is characterized in that an insulating resin is filled in advance in the slits of the first to third inventions.

（第５発明）
第５発明の上下電極型発光ダイオード用パッケージは、第１発明から第４発明の金属基板が銅または銅合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金、鉄または鉄合金から選択された材料であることを特徴とする。 (Fifth invention)
The upper and lower electrode type light emitting diode package of the fifth invention is characterized in that the metal substrate of the first to fourth inventions is a material selected from copper or copper alloy, aluminum or aluminum alloy, iron or iron alloy. .

（第６発明）
第６発明の上下電極型発光ダイオード用パッケージは、第１発明から第５発明の金属基板が銅または銅合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなり、その表面に、銀メッキ層が形成されていることを特徴とする。 (Sixth invention)
In the upper and lower electrode type light emitting diode package of the sixth invention, the metal substrate of the first to fifth inventions is made of copper or copper alloy, aluminum or aluminum alloy, and a silver plating layer is formed on the surface thereof. Features.

（第７発明）
第７発明の上下電極型発光ダイオード用パッケージは、第１発明から第６発明の金属基板の一方に凹部または平面が、他方に平面または凸部が形成されていることを特徴とする。 (Seventh invention)
The upper and lower electrode type light emitting diode package of the seventh invention is characterized in that a recess or a plane is formed on one side of the metal substrate of the first to sixth inventions, and a plane or a projection is formed on the other side.

（第８発明）
第８発明の上下電極型発光ダイオード用パッケージは、第１発明から第７発明の銀メッキ層が形成された金属基板上の前記パッケージ電極に金メッキ層が形成されていることを特徴とする。 (Eighth invention)
The upper and lower electrode type light emitting diode package of the eighth invention is characterized in that a gold plating layer is formed on the package electrode on the metal substrate on which the silver plating layer of the first to seventh inventions is formed.

（第９発明）
第９発明の上下電極型発光ダイオード用パッケージは、第１発明から第８発明のスリットまたは十字状スリットが反射体の内部中心から偏心していることを特徴とする。 (9th invention)
The upper and lower electrode type light emitting diode package of the ninth invention is characterized in that the slit or cross-shaped slit of the first to eighth inventions is eccentric from the inner center of the reflector.

（第１０発明）
第１０発明の上下電極型発光ダイオード用パッケージは、第１発明から第９発明の反射体内部の発光ダイオードを封止する透明封止樹脂の硬度がショアＡ（ゴムの硬さ）で１５から８５、好ましくは２０から８０であることを特徴とする。 (10th invention)
In the upper and lower electrode type light emitting diode package of the tenth invention, the hardness of the transparent sealing resin for sealing the light emitting diode inside the reflector of the first invention to the ninth invention is Shore A (rubber hardness) of 15 to 85. , Preferably 20 to 80.

（第１１発明）
第１１発明の上下電極型発光ダイオード用パッケージは、第１発明から第１０発明のパッケージ電極間に流す電流値が、３５０ｍＡ以上であることを特徴とする。 (11th invention)
The upper and lower electrode type light emitting diode package of the eleventh aspect of the invention is characterized in that the value of a current flowing between the package electrodes of the first to tenth aspects of the invention is 350 mA or more.

（第１２発明）
第１２発明における上下電極型発光ダイオード用パッケージの製造方法は、一列または複数列に上下電極型発光ダイオードの取り付け位置を有する金属基板の前記上下電極型発光ダイオードを取り付け位置に対応するように、一列または複数列に前記金属基板の上に開口されている多数のスリットまたは十字状スリット等を形成する工程と、前記金属基板に取り付けられているとともに、前記スリットに対応して取り付けられ、少なくとも一方の幅が前記スリットの長さより短い反射体を取り付ける工程と、で作られた上下電極型発光ダイオード用パッケージ集合体を、スリットで分離された複数のパッケージ電極を有するように前記金属基板をパッケージ単位に分割する工程とからなる、スリットで分離された複数のパッケージ電極が前記反射体で保持されていることを特徴とする。 (Twelfth invention)
According to a twelfth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a package for upper and lower electrode type light emitting diodes, wherein the upper and lower electrode type light emitting diodes on the metal substrate having the mounting positions of the upper and lower electrode type light emitting diodes in one or a plurality of rows Or forming a plurality of slits or cross-shaped slits or the like opened on the metal substrate in a plurality of rows, and being attached to the metal substrate and corresponding to the slit, and at least one of the slits A step of attaching a reflector whose width is shorter than the length of the slit, and a package assembly for upper and lower electrode type light emitting diodes made in the above, the metal substrate as a package unit so as to have a plurality of package electrodes separated by slits. A plurality of package electrodes separated by slits. Characterized in that it is held in morphism body.

（第１３発明）
第１３発明の上下電極型発光ダイオード用パッケージの製造方法は、金属基板に設けられたスリットの集合体が直線状、曲線状、あるいは十字状、Ｔ字状、Ｈ字状などのいずれかであることを特徴とする。 (13th invention)
According to the thirteenth invention of the method for manufacturing the upper and lower electrode type light emitting diode package, the aggregate of the slits provided on the metal substrate is any one of a linear shape, a curved shape, a cross shape, a T shape, and an H shape. It is characterized by that.

本発明によれば、金属基板にスリットまたは十字状スリット等が設けられており、少なくとも一方の幅が前記スリットの長さより短く、上方に向かって広い開口部を有する筒状反射体が前記金属基板に取り付けられているため、分離して１個の上下電極型発光ダイオード用パッケージとした場合、前記反射体の金属基板に対する取り付けによって十分な強度を得ることができる。特に、前記反射体内部の発光ダイオードを封止するエラストマー系の透明封止樹脂が充填された上下電極型発光ダイオード用パッケージは、上下電極型発光ダイオードを取り付けて、大電流を流しても、前記反射体に充填されたエラストマータイプの透明封止樹脂により、十分に熱応力を吸収することができる。また、本発明によれば、一枚の金属基板から多数のパッケージが得られ、生産性が向上する。   According to the present invention, the metal substrate is provided with a slit or a cross-shaped slit or the like, and at least one width is shorter than the length of the slit, and the cylindrical reflector having a wide opening upward is the metal substrate. Therefore, when separated into a single upper / lower electrode type light emitting diode package, sufficient strength can be obtained by attaching the reflector to the metal substrate. In particular, the upper and lower electrode type light emitting diode package filled with the elastomer-based transparent sealing resin that seals the light emitting diode inside the reflector has the upper and lower electrode type light emitting diodes attached, Thermal stress can be sufficiently absorbed by the elastomer-type transparent sealing resin filled in the reflector. In addition, according to the present invention, a large number of packages can be obtained from a single metal substrate, and productivity is improved.

（第１発明）
第１発明の上下電極型発光ダイオード用パッケージは、上下電極型発光ダイオードを取り付ける金属基板と、前記金属基板に設けられたスリットと、前記スリットを挟んで前記金属基板の上に形成されている一対のパッケージ電極と、前記スリットに対応して取り付けられた反射体とから少なくとも構成されている。前記スリットは、金属基板の上に予め、プレス、あるいは、エッチッング等によって、一列または複数列に多数開口されている。前記スリットは、縦横同じ数または異なる数にすることができる。前記反射体は、底部が狭く先端部に進む従い広くなる傾斜面を備えた筒状体であり、前記底部が前記金属基板に取り付けられているとともに、少なくとも一方の幅が前記スリットの長さより短く形成されている。前記金属基板は、上部に向かって広がった筒体からなる反射体により固定されるため、前記スリットで分離された複数のパッケージ電極を保持でき、パッケージとしての強度を十分に維持できるだけでなく、上下電極型発光ダイオードから発生する熱による応力を吸収することができる。 (First invention)
The upper and lower electrode type light emitting diode package according to the first aspect of the present invention is a pair of metal substrate on which the upper and lower electrode type light emitting diode is mounted, a slit provided on the metal substrate, and the metal substrate sandwiched between the slits. The package electrode and a reflector attached to correspond to the slit. A large number of the slits are opened in advance in one or a plurality of rows on the metal substrate by pressing or etching. The slits may be the same number or different numbers in the vertical and horizontal directions. The reflector is a cylindrical body having an inclined surface that becomes narrower as the bottom narrows and advances toward the tip. The bottom is attached to the metal substrate, and at least one width is shorter than the length of the slit. Is formed. Since the metal substrate is fixed by a reflector made of a cylindrical body that spreads upward, it can hold a plurality of package electrodes separated by the slits, and can maintain sufficient strength as a package. Stress due to heat generated from the electrode type light emitting diode can be absorbed.

前記上下電極型発光ダイオード用パッケージは、少なくとも一方の幅が前記スリットの長さより短いため、前記反射体の周囲を切断することにより、単体とすることができる。前記反射体の反射面、および前記反射体の内部における金属基板の表面には、たとえば、金または銀メッキが形成されて、前記上下電極型発光ダイオードの光を効率的に反射する。前記上下電極型発光ダイオード用パッケージは、この状態で出荷され、上下電極型発光ダイオードを取り付け、透明封止樹脂を充填した後、所望の配線が施されている印刷配線基板に取り付けられる。   Since the upper and lower electrode type light emitting diode package has at least one width shorter than the length of the slit, the package can be formed as a single unit by cutting the periphery of the reflector. For example, gold or silver plating is formed on the reflection surface of the reflector and the surface of the metal substrate inside the reflector to efficiently reflect light from the upper and lower electrode type light emitting diodes. The package for the upper and lower electrode type light emitting diodes is shipped in this state, and after the upper and lower electrode type light emitting diodes are attached and filled with a transparent sealing resin, they are attached to a printed wiring board on which desired wiring is applied.

（第２発明）
第２発明の上下電極型発光ダイオード用パッケージは、反射体がアルミナ系、アルミナおよびガラスの複合系のセラミックからなり、必要に応じて、表面に光を反射する膜がコーティングされている。また、前記反射体は、エポキシ樹脂系、ポリイミド樹脂系、ガラス系、ロウ材系の接着剤で前記金属基板に接合されている。前記膜および接着剤は、たとえば、自動機等によりサイズの小さい部分に塗布することが容易である。 (Second invention)
In the upper and lower electrode type light emitting diode package of the second invention, the reflector is made of alumina, a composite ceramic of alumina and glass, and a film for reflecting light is coated on the surface as necessary. The reflector is bonded to the metal substrate with an epoxy resin, polyimide resin, glass or brazing adhesive. The film and the adhesive can be easily applied to a small-sized portion by, for example, an automatic machine.

（第３発明）
第３発明の上下電極型発光ダイオード用パッケージは、第１発明の金属基板上に設けられたスリットの集合体が直線状、曲線状、あるいは十字状、Ｔ字状、Ｈ字状、その他変形したスリットのいずれかに開口されている。たとえば、２個の上下電極型発光ダイオードは、十字状スリットを挟んで、前記反射体の内部に並列に配置される。したがって、前記上下電極型発光ダイオード用パッケージは、２個の上下電極型発光ダイオードを並列に取り付けた場合、１個と比較して２倍の光量を得る発光装置とすることができる。 (Third invention)
In the upper and lower electrode type light emitting diode package of the third invention, the assembly of slits provided on the metal substrate of the first invention is linear, curved, cross-shaped, T-shaped, H-shaped, or other deformed Opened in one of the slits. For example, two upper and lower electrode type light emitting diodes are arranged in parallel inside the reflector with a cross-shaped slit in between. Therefore, the upper and lower electrode type light emitting diode package can be a light emitting device that obtains twice the amount of light as compared with one when two upper and lower electrode type light emitting diodes are mounted in parallel.

（第４発明）
第４発明の上下電極型発光ダイオード用パッケージは、第１発明から第３発明のスリットに予め絶縁材料が充填されている。また、前記絶縁材料は、セラミックや樹脂材料を用いることができる。 (Fourth invention)
In the upper and lower electrode type light emitting diode package of the fourth invention, the slits of the first to third inventions are filled with an insulating material in advance. The insulating material may be ceramic or resin material.

（第５発明）
第５発明の上下電極型発光ダイオード用パッケージは、第１発明から第４発明の金属基板が銅または銅合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金、鉄または鉄合金から選択された材料である。前記金属基板は、製造および経年変化による強度、大電流を流した場合の電気抵抗、放熱性を考慮して、所望の特性の材料を選択することができる。 (Fifth invention)
In the upper and lower electrode type light emitting diode package of the fifth invention, the metal substrate of the first to fourth inventions is a material selected from copper or copper alloy, aluminum or aluminum alloy, iron or iron alloy. For the metal substrate, a material having desired characteristics can be selected in consideration of strength due to manufacturing and aging, electric resistance when a large current is passed, and heat dissipation.

（第６発明）
第６発明の上下電極型発光ダイオード用パッケージは、第１発明から第５発明における銅または銅合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属基板の表面に、銀メッキ層が形成されている。前記銀メッキ層は、電気抵抗の減少、放熱性、光の反射効率等を向上させることができる。 (Sixth invention)
In the upper and lower electrode type light emitting diode package of the sixth invention, a silver plating layer is formed on the surface of a metal substrate made of copper, copper alloy, aluminum or aluminum alloy in the first to fifth inventions. The silver plating layer can improve electrical resistance reduction, heat dissipation, light reflection efficiency, and the like.

（第７発明）
第７発明の上下電極型発光ダイオード用パッケージは、第１発明から第６発明の金属基板の一方には、凹部が成形され、内部に上下電極型発光ダイオードが収納される。また、金属基板の他方は、平面となっており、前記上下電極型発光ダイオードの上部電極と同じ高さになっている。さらに、前記金属基板の一方は、平面で、他方に凸部が形成されている。この場合も、前記金属基板の上面と、上下電極型発光ダイオードの上部電極の高さは、同じであるため、接続部材を一枚の金属板とすることができる。 (Seventh invention)
The upper and lower electrode type light emitting diode package of the seventh invention is formed with a recess in one of the metal substrates of the first to sixth inventions, and the upper and lower electrode type light emitting diode is accommodated therein. The other side of the metal substrate is flat and has the same height as the upper electrode of the upper and lower electrode type light emitting diode. Further, one of the metal substrates is a flat surface, and a convex portion is formed on the other. Also in this case, since the height of the upper surface of the metal substrate and the upper electrode of the upper and lower electrode type light emitting diode are the same, the connecting member can be a single metal plate.

（第８発明）
第８発明の上下電極型発光ダイオード用パッケージは、第１発明から第７発明における銀メッキ層が形成された金属基板上で、前記上下電極型発光ダイオードが取り付けられる位置となるパッケージ電極に金メッキ層が形成されている。たとえば、前記銀メッキ層と上下電極型発光ダイオードの電極との間に形成された前記金メッキ層は、導電性を良くするだけでなく、共晶ハンダを使用する際に、接着を堅固に行うことができるようになる。 (Eighth invention)
According to an eighth aspect of the present invention, there is provided a package for upper and lower electrode type light emitting diodes on the metal electrode on which the silver plated layer according to the first to seventh aspects of the invention is formed. Is formed. For example, the gold plating layer formed between the silver plating layer and the electrodes of the upper and lower electrode type light emitting diodes not only improves conductivity but also firmly adheres when using eutectic solder. Will be able to.

（第９発明）
第９発明の上下電極型発光ダイオード用パッケージは、第１発明から第８発明におけるスリットまたは十字状スリット等が反射体の内部中心から偏心していることにより、上下電極型発光ダイオードの光が反射体のほぼ中心から照射されるような位置になっている。 (9th invention)
The package for the upper and lower electrode type light emitting diode of the ninth invention is such that the slit or the cross-shaped slit in the first to eighth inventions is decentered from the inner center of the reflector, so that the light of the upper and lower electrode type light emitting diode is reflected by the reflector. The position is such that it is irradiated from almost the center.

（第１０発明）
第１０発明の上下電極型発光ダイオード用パッケージは、第１発明から第９発明における反射体内部の発光ダイオードを封止する透明封止樹脂の硬度がショアＡ（ゴムの硬さ）で１５から８５、好ましくは２０から８０のものを採用している。前記硬度の絶縁性樹脂は、パッケージ電極間に大きな電流をながしても、その際に発生する熱の応力を吸収できる硬さになっている。 (10th invention)
In the upper and lower electrode type light emitting diode package of the tenth invention, the hardness of the transparent sealing resin for sealing the light emitting diode inside the reflector in the first to ninth inventions is Shore A (rubber hardness) of 15 to 85. Preferably, 20 to 80 are used. The insulating resin having the hardness is hard enough to absorb the heat stress generated at that time even when a large current is applied between the package electrodes.

（第１１発明）
第１１発明の上下電極型発光ダイオード用パッケージは、第１発明から第１０発明におけるパッケージ電極間に流す電流を３５０ｍＡ以上であることを定格としている。前記パッケージ電極間を流れる電流が３５０ｍＡ以下の場合、熱の発生が少なく、前記反射体の内部に充填される透明封止樹脂の硬度を考慮する必要がない。 (11th invention)
The upper and lower electrode type light emitting diode package of the eleventh aspect of the invention is rated to have a current flowing between the package electrodes in the first to tenth aspects of the invention of 350 mA or more. When the current flowing between the package electrodes is 350 mA or less, there is little heat generation, and it is not necessary to consider the hardness of the transparent sealing resin filled in the reflector.

（第１２発明）
第１２発明における上下電極型発光ダイオード用パッケージの製造方法は、金属基板にスリットを形成する工程と、前記金属基板に反射体を取り付ける工程の二つから構成されている。まず、第１工程は、前記金属基板の上に、一列または複数列に開口される多数のスリットまたは十字状スリット等が形成される。前記スリットまたは十字状スリットは、一列または複数列に上下電極型発光ダイオードが取り付けられる金属基板の位置に対応している。第２工程は、少なくとも一方の幅が前記スリットの長さより短い反射体がそれぞれの前記スリットに対応して前記金属基板に取り付けられる。第３工程は、前記上下電極型発光ダイオード用パッケージ集合体を、スリットで分離された複数のパッケージ電極を有するように前記金属基板をパッケージ単位に分割する。前記分割されたパッケージは、スリットで分離された複数のパッケージ電極が前記反射体で堅固に保持されている。 (Twelfth invention)
The manufacturing method of the upper and lower electrode type light emitting diode package according to the twelfth aspect of the invention comprises two steps: a step of forming a slit in a metal substrate and a step of attaching a reflector to the metal substrate. First, in the first step, a large number of slits or cross-shaped slits or the like opened in one or a plurality of rows are formed on the metal substrate. The slits or cross-shaped slits correspond to the positions of the metal substrate on which the upper and lower electrode type light emitting diodes are attached in one or more rows. In the second step, a reflector having at least one width shorter than the length of the slit is attached to the metal substrate corresponding to each slit. In the third step, the metal substrate is divided into package units so that the upper and lower electrode type light emitting diode package assembly has a plurality of package electrodes separated by slits. In the divided package, a plurality of package electrodes separated by slits are firmly held by the reflector.

（第１３発明）
第１３発明における上下電極型発光ダイオード用パッケージの製造方法は、金属基板に設けられたスリットの形状を、直線状、曲線状、あるいは十字状、Ｔ字状、Ｈ字状、その他変形などの多数のスリットを設けた上下電極型発光ダイオード用パッケージ集合体とすることができる。大型の金属基板は、複数種類の形状の異なったスリットを成形した上下電極型発光ダイオード用パッケージ集合体として作製した後、単体のパッケージとして切断することができる。 (13th invention)
According to the thirteenth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing the upper / lower electrode type light emitting diode package, wherein the slits provided on the metal substrate are linear, curved, cross-shaped, T-shaped, H-shaped, and many other modifications. It can be set as the package assembly for upper and lower electrode type light emitting diodes provided with the slit. A large metal substrate can be cut as a single package after it is produced as a package assembly for upper and lower electrode type light emitting diodes in which slits having different shapes are formed.

図１（イ）から（ハ）は本発明の第１実施例で、（イ）はパッケージに上下電極型発光ダイオードを取り付けた状態を示す断面図、（ロ）は（イ）の拡大図、（ハ）はパッケージおよび上下電極型発光ダイオードの平面図である。図１（イ）から（ハ）において、本実施例における上下電極型発光ダイオード用パッケージは、金属基板１２、１４と、前記金属基板１２と１４との間に設けられているスリットまたは絶縁部材１３と、前記金属基板１２、１４に取り付けられ、反射膜１６１が形成されている傾斜した反射面を有するとともに、上部に向かってより広がるように成形された筒状の反射体１６とから少なくとも構成されている。前記金属基板１２は、スリットまたは絶縁部材１３によって金属基板１４と電気的に分離されている。   FIGS. 1 (a) to (c) are the first embodiment of the present invention, (a) is a sectional view showing a state where upper and lower electrode type light emitting diodes are attached to a package, (b) is an enlarged view of (a), (C) is a plan view of the package and upper and lower electrode type light emitting diodes. 1A to 1C, the package for the upper and lower electrode type light emitting diodes in this embodiment is made of metal substrates 12 and 14 and slits or insulating members 13 provided between the metal substrates 12 and 14. And a cylindrical reflector 16 which is attached to the metal substrates 12 and 14 and has an inclined reflecting surface on which a reflecting film 161 is formed, and is shaped so as to further spread toward the upper part. ing. The metal substrate 12 is electrically separated from the metal substrate 14 by a slit or an insulating member 13.

金属基板１２、１４は、銅または銅合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金、鉄または鉄合金とすることができる。前記金属基板１２、１４は、たとえば、銅である場合、亜鉛を微量含有させ、強度を上げている。前記金属基板１２、１４は、表面に銀メッキ層が形成された後、上下電極型発光ダイオードの電極が配置される位置に金メッキ層が形成されている。前記金属基板１２、１４が銅基板の場合、前記銅基板は、ニッケルメッキが形成された後、銀メッキが形成され、マスクをして前記上下電極型発光ダイオードが載置される位置に金メッキ層が形成される。また、前記金メッキ層は、前記銀メッキが形成された上の全面に形成することもできる。   The metal substrates 12, 14 can be copper or copper alloy, aluminum or aluminum alloy, iron or iron alloy. For example, when the metal substrates 12 and 14 are made of copper, a slight amount of zinc is contained to increase the strength. The metal substrates 12 and 14 are formed with a silver plating layer on the surface and then a gold plating layer at a position where the electrodes of the upper and lower electrode type light emitting diodes are disposed. When the metal substrates 12 and 14 are copper substrates, the copper substrate is formed with nickel plating and then with silver plating, and a gold plating layer is placed at a position where the upper and lower electrode type light emitting diodes are placed using a mask. Is formed. The gold plating layer may be formed on the entire surface on which the silver plating is formed.

前記反射体１６は、少なくとも一方の幅が前記スリットまたは絶縁部材１３の長さより短く、それぞれの前記スリットまたは絶縁部材１３に対応して前記金属基板に取り付けられる。前記反射体１６は、たとえば、アルミナ系、アルミナおよびガラスの複合系のセラミックからなる。前記反射体１６は、エポキシ樹脂系、ポリイミド樹脂系、ガラス系、ロウ材系の接着剤により、前記金属基板１２、１４に接合される。また、前記スリットは、直線状、曲線状、あるいは十字状、Ｔ字状、Ｈ字状等任意の形状に変形させることができる。さらに、前記スリットには、予め絶縁材料が充填されてもよい。   The reflector 16 has a width at least one shorter than the length of the slit or the insulating member 13 and is attached to the metal substrate corresponding to each slit or the insulating member 13. The reflector 16 is made of, for example, alumina, alumina and glass composite ceramic. The reflector 16 is bonded to the metal substrates 12 and 14 with an epoxy resin, polyimide resin, glass, or brazing adhesive. Further, the slit can be deformed into an arbitrary shape such as a straight shape, a curved shape, a cross shape, a T shape, or an H shape. Furthermore, the slit may be filled with an insulating material in advance.

前記絶縁部材１３は、たとえば、セラミック材料、あるいは１液性または２液性のエポキシ系樹脂を主成分とした熱硬化性樹脂、あるいはシリコン系樹脂からなる樹脂を充填できるが、単なる空間として絶縁性を持たせることもできる。前記上部に向かって広がった筒状の反射体１６は、前記金属基板１２、１４と接着剤により接合しているため、前記スリットを備えた金属基板１２、１４の強度を維持することができる。また、上下電極型発光ダイオードを設置した反射体の内部に充填する透明封止樹脂は、エラストマータイプとすることができる。前記エラストマータイプの硬度は、ショアＡ（ゴムの硬さ）で１５から８５、好ましくは２０から８０のものを使用することが望ましい。前記透明封止樹脂は、特に、シリコン系樹脂からなるエラストマーであることが望ましい。   The insulating member 13 can be filled with, for example, a ceramic material, a thermosetting resin whose main component is a one-component or two-component epoxy resin, or a resin made of a silicon resin, but it is insulative as a simple space. Can also be given. Since the cylindrical reflector 16 spreading toward the upper part is bonded to the metal substrates 12 and 14 by an adhesive, the strength of the metal substrates 12 and 14 having the slits can be maintained. Moreover, the transparent sealing resin with which the inside of the reflector provided with the upper and lower electrode type light emitting diodes is filled can be an elastomer type. The elastomer type has a hardness of Shore A (rubber hardness) of 15 to 85, preferably 20 to 80. The transparent sealing resin is particularly preferably an elastomer made of a silicon-based resin.

図１（イ）および（ロ）において、前記金属基板１２には、上下電極型発光ダイオード１１が収納できる収納凹部１２１が形成されている。前記上下電極型発光ダイオード１１は、上部電極１１１と下部電極１１２が設けられている。前記金属基板１２は、前記上下電極型発光ダイオード１１の下部電極１１２と、たとえば、共晶ハンダにより接合される。前記上下電極型発光ダイオード１１の上部電極１１１は、接続金属板１５により、前記金属基板１４と、たとえば、共晶ハンダにより接続される。前記上下電極型発光ダイオード１１および接続金属板１５が存在していない金属基板１２、１４の表面には、後述する反射体の内部に相当する領域に銀メッキ１６２、１６３が施され、上下電極型発光ダイオード１１の発光を効率良く反射させる。   1A and 1B, the metal substrate 12 is formed with a storage recess 121 in which the upper and lower electrode type light emitting diodes 11 can be stored. The upper and lower electrode type light emitting diode 11 is provided with an upper electrode 111 and a lower electrode 112. The metal substrate 12 is joined to the lower electrode 112 of the upper and lower electrode type light emitting diode 11 by eutectic solder, for example. The upper electrode 111 of the upper and lower electrode type light emitting diode 11 is connected to the metal substrate 14 by a connection metal plate 15 by eutectic solder, for example. On the surfaces of the metal substrates 12 and 14 where the upper and lower electrode type light emitting diodes 11 and the connection metal plate 15 are not present, silver plating 162 and 163 are applied to regions corresponding to the inside of a reflector described later, so that the upper and lower electrode type The light emitted from the light emitting diode 11 is efficiently reflected.

図１（ハ）において、上下電極型発光ダイオード１１の上部電極１１１は、目の字状に開口部１１３を有し、この部分から光を効率良く外部に照射する。前記開口部１１３は、目の字状以外に、日の字状、ロの字状、コの字状等がある。また、接続金属板１５は、たとえば、２本の接続部１５１を有し、前記上下電極型発光ダイオード１１の上部電極１１１の一部に接続されている。前記接続部１５１は、その太さを変えたり、あるいは本数を変えることができる。また、前記接続金属板１５の金属基板１４側は、広い面積を有し、前記金属基板１４と接続される。前記接続金属板１５は、金属基板１２、１４と同様に、銅または銅合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金、鉄または鉄合金から選択された材料である。また、前記接続金属板１５は、たとえば、４本ないし６本の金線に変えることができる。前記金線は、本数を増加することにより、大電流を流すことが容易にできる。   In FIG. 1C, the upper electrode 111 of the upper and lower electrode type light emitting diode 11 has an opening 113 in the shape of an eye, and efficiently radiates light from this portion to the outside. The opening 113 has a sun-shape, a square shape, a U-shape and the like in addition to the eye-shape. The connecting metal plate 15 has, for example, two connecting portions 151 and is connected to a part of the upper electrode 111 of the upper and lower electrode type light emitting diode 11. The connecting portion 151 can be changed in thickness or number. The connecting metal plate 15 has a large area on the metal substrate 14 side and is connected to the metal substrate 14. The connection metal plate 15 is a material selected from copper or a copper alloy, aluminum or an aluminum alloy, iron or an iron alloy, like the metal substrates 12 and 14. The connecting metal plate 15 can be changed to, for example, four to six gold wires. By increasing the number of the gold wires, a large current can be easily passed.

前記上下電極型発光ダイオード１１の側部１１４から出る光は、前記接続金属板１５の開口部を通して外部に照射される。前記接続金属板１５は、前記上部電極１１１および前記金属基板１４と、たとえば、共晶ハンダにより接続される。前記共晶ハンダによる接続は、互いに金メッキを施すことにより、接合強度を強くすることができる。前記金属基板１４は、配線である１本の金線と比較して、大容量の電流を流すことができるだけでなく、断面および表面の形状により強度および放熱性を向上させることができる。さらに、前記接続金属板１５の接続部１５１の形状および本数は、任意に変えることができる。   Light emitted from the side portion 114 of the upper and lower electrode type light emitting diode 11 is irradiated to the outside through the opening portion of the connection metal plate 15. The connection metal plate 15 is connected to the upper electrode 111 and the metal substrate 14 by eutectic solder, for example. In the connection using the eutectic solder, the bonding strength can be increased by applying gold plating to each other. The metal substrate 14 not only allows a large amount of current to flow as compared with a single gold wire that is a wiring, but also can improve strength and heat dissipation due to a cross section and a surface shape. Furthermore, the shape and the number of the connecting portions 151 of the connecting metal plate 15 can be arbitrarily changed.

図２は上下電極型発光ダイオードを金属基板上に取り付けた他の例を説明するための断面図である。図２において、金属基板１２には、上下電極型発光ダイオード１１を収納する収納凹部がない。したがって、接続金属板２５は、ほぼＬ字状に形成されて、上下電極型発光ダイオード１１の上部電極１１１と、金属基板１４とを接続している。前記上下電極型発光ダイオード１１の大きさは、約１．０ｍｍ×１．０ｍｍ程度であるため、前記厚さの前記収納凹部を作製するより、前記接続金属板２５を作製した方が良い場合が多い。   FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining another example in which upper and lower electrode type light emitting diodes are mounted on a metal substrate. In FIG. 2, the metal substrate 12 does not have a storage recess for storing the upper and lower electrode type light emitting diodes 11. Therefore, the connection metal plate 25 is formed in an approximately L shape, and connects the upper electrode 111 of the upper and lower electrode type light emitting diode 11 and the metal substrate 14. Since the size of the upper and lower electrode type light emitting diodes 11 is about 1.0 mm × 1.0 mm, it may be better to produce the connecting metal plate 25 than to produce the storage recess of the thickness. Many.

図３（イ）から（ハ）は接続金属板の変形例を説明するための図で、（ニ）は上下電極型発光ダイオードの上部電極の平面図である。図３（イ）において、接続金属板１５は、図１に示されたものと同じであり、金属基板１２に設けられた収納凹部１２１に上下電極型発光ダイオード１１を収納した場合のもので、前記上下電極型発光ダイオード１１の電極と接続する二本の接続部１５１、１５２と、これらの間に形成され、前記上下電極型発光ダイオード１１の側部１１４から照射される光を通す開口部１５５が設けられている。   FIGS. 3A to 3C are views for explaining modifications of the connecting metal plate, and FIG. 3D is a plan view of the upper electrode of the upper and lower electrode type light emitting diode. In FIG. 3A, the connecting metal plate 15 is the same as that shown in FIG. 1, and is a case where the upper and lower electrode type light emitting diodes 11 are housed in the housing recesses 121 provided on the metal substrate 12. Two connecting portions 151 and 152 connected to the electrodes of the upper and lower electrode type light emitting diodes 11, and an opening 155 that is formed between them and allows light emitted from the side portion 114 of the upper and lower electrode type light emitting diodes 11 to pass therethrough. Is provided.

図３（ロ）において、接続金属板３１５は、図１に示された例に使用するものであり、前記上下電極型発光ダイオード１１の上部電極１１１と接続する３本の接続部３１１、３１２、３１３と、これらの間に形成され、前記上下電極型発光ダイオード１１の側部１１４から照射される光を通す開口部３５５、３５６が設けられている。図３（ハ）において、接続金属板３２５は、２本の接続部３５１が互いに外方向に向けた湾曲をしているとともに、先端部３５２が前記接続部３５１より面積を大きくしている。前記湾曲した接続部３５１は、前記上下電極型発光ダイオード１１の側部１１４から照射される光を多く通すような開口部３５３が設けられている。   In FIG. 3B, a connection metal plate 315 is used in the example shown in FIG. 1 and includes three connection portions 311 312 connected to the upper electrode 111 of the upper and lower electrode type light emitting diode 11. 313 and openings 355 and 356 that are formed between them and allow light emitted from the side portions 114 of the upper and lower electrode type light emitting diodes 11 to pass therethrough. In FIG. 3C, the connecting metal plate 325 has two connecting portions 351 that are curved outwardly from each other, and the tip portion 352 has a larger area than the connecting portion 351. The curved connecting portion 351 is provided with an opening 353 through which a large amount of light irradiated from the side portion 114 of the upper and lower electrode type light emitting diode 11 passes.

図３（ニ）において、上下電極型発光ダイオード１１は、上部に上部電極１１１が目の字状に形成されている。また、前記上部電極１１１の接続金属板側には、面積の大きい接続端部３６が形成されている。前記接続端部３６は、たとえば、前記接続金属板３２５の先端部３５２の面積をほぼ同じにすることにより、互いの電気的接合をより向上させることができる。   In FIG. 3 (d), the upper and lower electrode type light emitting diodes 11 have an upper electrode 111 formed in an eye shape on the top. A connection end 36 having a large area is formed on the connection metal plate side of the upper electrode 111. For example, the connection end portion 36 can further improve electrical connection with each other by making the area of the tip end portion 352 of the connection metal plate 325 substantially the same.

図４（イ）から（ニ）は接続金属板の他の変形例を説明するための図である。図４（イ）において、接続金属板４５は、ほぼ中央部４５１で湾曲部を有し、上下電極型発光ダイオード１１の電極に先端部４５２で接続されている。前記接続金属板４５は、前記上下電極型発光ダイオード１１が、金属基板１２の収納凹部に収納されていない場合の例である。図４（ロ）において、接続金属板４６は、ほぼ中央部４６１で上に盛り上がった湾曲部４６１と、前記上下電極型発光ダイオード１１の電極に接続する先端部４６２を備えている。   4 (a) to 4 (d) are diagrams for explaining another modified example of the connection metal plate. In FIG. 4A, the connection metal plate 45 has a curved portion at the substantially central portion 451 and is connected to the electrode of the upper and lower electrode type light emitting diode 11 at the tip portion 452. The connection metal plate 45 is an example when the upper and lower electrode type light emitting diodes 11 are not housed in the housing recesses of the metal substrate 12. In FIG. 4B, the connecting metal plate 46 includes a curved portion 461 bulging upward at a substantially central portion 461 and a tip portion 462 connected to the electrodes of the upper and lower electrode type light emitting diodes 11.

図４（ハ）において、接続金属板４７は、図２に示された例のように、ほぼＬ字状とした後、ほぼ中央部に湾曲部４７１を設けた例である。図４（ニ）において、接続金属板４８は、金属基板１２に設けられた収納凹部１２１に前記上下電極型発光ダイオード１１が収納されており、前記金属基板１４と、前記上下電極型発光ダイオード１１の上部電極とを接続する際に、湾曲部４８１を備えている。図４（ロ）から（ニ）における接続金属板の湾曲部は、電流を多く流すことによる熱応力を吸収し易いような形状にしている。また、前記湾曲部は、図４において、上下方向に設けられているが、図３（ハ）に示されているように、平面方向に設けることもでき、前記上下電極型発光ダイオード１１の側部からの光を多く照射できるよう構造になっている。   In FIG. 4C, the connecting metal plate 47 is an example in which a curved portion 471 is provided at substantially the center after being substantially L-shaped as in the example shown in FIG. In FIG. 4D, the connection metal plate 48 has the upper and lower electrode type light emitting diodes 11 accommodated in an accommodation recess 121 provided in the metal substrate 12, and the metal substrate 14 and the upper and lower electrode type light emitting diodes 11. When the upper electrode is connected, a bending portion 481 is provided. The curved portion of the connecting metal plate in FIGS. 4 (b) to 4 (d) is shaped so as to easily absorb thermal stress caused by flowing a large amount of current. In addition, the curved portion is provided in the vertical direction in FIG. 4, but can also be provided in the planar direction as shown in FIG. It is structured to be able to irradiate much light from the part.

図５（イ）は本発明の第２実施例を説明するための断面図で、図２（ロ）および（ハ）は上下電極型発光ダイオード用パッケージをマトリクス状に配置した例を説明する平面図である。図５（イ）において、実施例１と異なるところは、金属基板２２に収納凹部が設けられていない点と、金属基板５４に接続金属板５５を取り付ける凸部５６が成形されている点にある。上下電極型発光ダイオード１１は、下部電極１１２が金属基板２２上に接続されている。接続金属板５５は、板状に成形されており、一方が前記上下電極型発光ダイオード１１の上部電極１１１に、他方が金属基板５４の上面に成形された凸部５６にそれぞれ接合されている。第２実施例の発明は、前記金属基板５４の形状を工夫することにより、金属基板２２に収納凹部を設ける必要がなくなるだけでなく、接続金属板５５の形状を単純化することができる。   FIG. 5 (a) is a cross-sectional view for explaining a second embodiment of the present invention. FIGS. 2 (b) and 2 (c) are plan views for explaining an example in which upper and lower electrode type light emitting diode packages are arranged in a matrix. FIG. In FIG. 5 (a), the difference from the first embodiment is that the metal substrate 22 is not provided with a storage recess, and the metal substrate 54 is provided with a projection 56 for attaching the connection metal plate 55 thereto. . In the upper / lower electrode type light emitting diode 11, the lower electrode 112 is connected on the metal substrate 22. The connection metal plate 55 is formed in a plate shape, and one is joined to the upper electrode 111 of the upper and lower electrode type light emitting diode 11 and the other is joined to the convex portion 56 formed on the upper surface of the metal substrate 54. In the invention of the second embodiment, by devising the shape of the metal substrate 54, it is not necessary to provide a storage recess in the metal substrate 22, and the shape of the connection metal plate 55 can be simplified.

図５（ロ）および（ハ）において、マトリクス状に配置された上下電極型発光ダイオード用パッケージは、図１（イ）から（ハ）、および図５（イ）に示すように、スリット５１１の位置が反射体１６の中央部から偏心して設けられている。前記配置は、上下電極型発光ダイオード１１を前記反射体１６（図１（ハ）参照）の中心に配置でき、前記反射体１６の反射膜１６１から効率良く光を外部に照射できる。また、前記上下電極型発光ダイオード用パッケージは、上下電極型発光ダイオード（図示されていない）が取り付けられた後、切断線５１２、５１３により、それぞれが分離される。前記切断は、カッターで切る場合、あるいは金型でプレスする場合があり、一個一個、列毎、全部同時に切断する場合がある。前記金属基板１２、１４（２２、５４）は、それぞれの上下電極型発光ダイオードの電極および前記接続金属板５５が配置される位置にパッケージ電極として、金メッキ層５１４、５１５が形成される。   5 (b) and 5 (c), the upper and lower electrode type light emitting diode packages arranged in a matrix form the slits 511 as shown in FIGS. 1 (a) to (c) and FIG. 5 (a). The position is eccentric from the center of the reflector 16. In the arrangement, the upper and lower electrode type light emitting diodes 11 can be arranged at the center of the reflector 16 (see FIG. 1C), and light can be efficiently radiated from the reflection film 161 of the reflector 16 to the outside. The upper and lower electrode type light emitting diode packages are separated by cutting lines 512 and 513 after the upper and lower electrode type light emitting diodes (not shown) are attached. The cutting may be performed with a cutter or may be pressed with a mold, and may be cut simultaneously, one by one, every row. Gold plating layers 514 and 515 are formed on the metal substrates 12 and 14 (22 and 54) as package electrodes at positions where the electrodes of the upper and lower electrode type light emitting diodes and the connection metal plate 55 are disposed.

前記金属基板は、ほぼマトリクス状に十字状スリットが設けられる。前記十字状スリットは、たとえば、空間、あるいは絶縁材料が予め充填またはインサート成形される。前記絶縁材料は、エポキシ系樹脂、あるいはセラミック等が使用できる。前記上下電極型発光ダイオード用パッケージは、十字状スリットを挟んで、２個の上下電極型発光ダイオードが並列に配置され、照度の高い照明装置等に利用することができる。   The metal substrate is provided with cross-shaped slits in a substantially matrix shape. For example, the cross-shaped slit is previously filled or insert-molded with a space or an insulating material. As the insulating material, epoxy resin, ceramic, or the like can be used. The upper and lower electrode type light emitting diode package has two upper and lower electrode type light emitting diodes arranged in parallel across a cross-shaped slit, and can be used for a lighting device having high illuminance.

前記反射体は、前記十字状スリットがほぼ中心に来るように配置することもできる。前記十字状スリットの長さは、前記反射体の少なくとも一方の幅より長く、一部が突出するように配置される。前記反射体が取り付けられた金属基板は、パッケージとして出荷されて、上下電極型発光ダイオードが接続されるとともに、前記反射体内にエラストマータイプの透光封止樹脂部材が充填されて、上下電極型発光ダイオード組立体ができる。   The reflector may be arranged so that the cross-shaped slit is substantially at the center. The length of the cross-shaped slit is longer than at least one width of the reflector, and is arranged so that a part thereof protrudes. The metal substrate to which the reflector is attached is shipped as a package to which upper and lower electrode type light emitting diodes are connected, and the reflector is filled with an elastomer-type translucent sealing resin member, so that upper and lower electrode type light emission is achieved. A diode assembly is created.

以上、本発明の実施例を詳述したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではない。そして、本発明は、特許請求の範囲に記載された事項を逸脱することがなければ、種々の設計変更を行うことが可能である。本発明の上下電極型発光ダイオードの上下電極、金属基板、接続金属板等の接続は、共晶ハンダ、共晶ハンダペースト、共晶ハンダとフラックス、金−錫共晶ハンダペースト等、公知または周知のものを使用することができる。本発明の反射体の部材および反射膜は、前記同様に、公知または周知のものを使用することができる。   As mentioned above, although the Example of this invention was explained in full detail, this invention is not limited to the said Example. The present invention can be modified in various ways without departing from the scope of the claims. The connection of the upper and lower electrodes, the metal substrate, the connecting metal plate, etc. of the upper and lower electrode type light emitting diode of the present invention is known or well known, such as eutectic solder, eutectic solder paste, eutectic solder and flux, and gold-tin eutectic solder paste. Can be used. As the reflector member and the reflective film of the present invention, known or well-known members can be used as described above.

（イ）から（ハ）は本発明の第１実施例で、（イ）はパッケージに上下電極型発光ダイオードを取り付けた状態を示す断面図、（ロ）は（イ）の拡大図、（ハ）はパッケージおよび上下電極型発光ダイオードの平面図である。（実施例１）(A) to (c) are the first embodiment of the present invention, (a) is a cross-sectional view showing a state where the upper and lower electrode type light emitting diodes are attached to the package, (b) is an enlarged view of (a), (c) ) Is a plan view of the package and upper and lower electrode type light emitting diodes. Example 1 上下電極型発光ダイオードを金属基板上に取り付けた他の例を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the other example which attached the upper-and-lower electrode type light emitting diode on the metal substrate. （イ）から（ハ）は接続金属板の変形例を説明するための図で、（ニ）は上下電極型発光ダイオードの上部電極の平面図である。(A)-(c) is a figure for demonstrating the modification of a connection metal plate, (d) is a top view of the upper electrode of an up-and-down electrode type light emitting diode. （イ）から（ニ）は接続金属板の他の変形例を説明するための図である。(A) to (d) is a figure for demonstrating the other modification of a connection metal plate. （イ）は本発明の第２実施例を説明するための断面図で、図２（ロ）および（ハ）は上下電極型発光ダイオード用パッケージをマトリクス状に配置した例を説明する平面図である。(A) is a cross-sectional view for explaining a second embodiment of the present invention, and FIGS. 2 (b) and (c) are plan views for explaining an example in which upper and lower electrode type light emitting diode packages are arranged in a matrix. is there. （イ）は従来例における発光ダイオード組立体を説明するための概略断面図で、（ロ）は前記従来例における発光ダイオード組立体を説明するための平面図である。(A) is a schematic sectional drawing for demonstrating the light emitting diode assembly in a prior art example, (b) is a top view for demonstrating the light emitting diode assembly in the said prior art example.

符号の説明Explanation of symbols

１１・・・上下電極型発光ダイオード
１１１・・・上部電極
１１２・・・下部電極
１１３・・・開口部
１２、１４、２２、５１、５４・・・金属基板
１２１・・・収納凹部
１３、５１１・・・スリットまたは絶縁部材
１５、２５、５５・・・接続金属板
１５１・・・接続部
１６・・・反射体
１６１・・・反射膜
１６２、１６３・・・銀メッキ
５１２、５１３・・・切断線
５１４、５１５・・・パッケージ電極（金メッキ層） DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Vertical electrode type light emitting diode 111 ... Upper electrode 112 ... Lower electrode 113 ... Opening part 12, 14, 22, 51, 54 ... Metal substrate 121 ... Storage recessed part 13,511 ... Slit or insulating member 15, 25, 55 ... Connection metal plate 151 ... Connection part 16 ... Reflector 161 ... Reflection film 162, 163 ... Silver plating 512, 513 ... Cutting line 514, 515 ... Package electrode (gold plated layer)

Claims (13)

一列または複数列に上下電極型発光ダイオードの取り付け位置を有する金属基板と、
前記上下電極型発光ダイオードを取り付け位置に対応するように、一列または複数列に前記金属基板の上に開口されている多数のスリットと、
前記スリットを挟んで前記金属基板の上に多数形成されている複数のパッケージ電極と、
前記金属基板に取り付けられているとともに、前記スリットに対応して取り付けられ、少なくとも一方の幅が前記スリットの長さより短い多数の反射体と、
で構成された上下電極型発光ダイオード用パッケージ集合体を、
スリットで分離された複数のパッケージ電極を有するように前記金属基板をパッケージ単位に分割し、前記スリットで分離された複数のパッケージ電極が前記反射体で保持されていることを特徴とする上下電極型発光ダイオード用パッケージ。 A metal substrate having mounting positions of the upper and lower electrode type light emitting diodes in one or a plurality of rows;
A number of slits opened on the metal substrate in a row or a plurality of rows so as to correspond to the mounting position of the upper and lower electrode type light emitting diodes,
A plurality of package electrodes formed on the metal substrate across the slit;
A number of reflectors attached to the metal substrate and attached to correspond to the slit, wherein at least one width is shorter than the length of the slit;
A package assembly for upper and lower electrode type light emitting diodes, comprising:
An upper and lower electrode type wherein the metal substrate is divided into package units so as to have a plurality of package electrodes separated by slits, and the plurality of package electrodes separated by the slits are held by the reflector Light emitting diode package. 前記反射体は、アルミナ系、アルミナおよびガラスの複合系のセラミックからなり、エポキシ樹脂系、ポリイミド樹脂系、ガラス系、ロウ材系の接着剤で前記金属基板に接合されていることを特徴とする請求項１に記載された上下電極型発光ダイオード用パッケージ。   The reflector is made of a composite ceramic of alumina, alumina and glass, and is bonded to the metal substrate with an epoxy resin, polyimide resin, glass, or brazing adhesive. The package for upper and lower electrode type light emitting diodes according to claim 1. 前記金属基板に設けられたスリットの集合体は、直線状、曲線状、あるいは十字状、Ｔ字状、Ｈ字状などのいずれかであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載された上下電極型発光ダイオード用パッケージ。   The aggregate of slits provided on the metal substrate is linear, curved, cross-shaped, T-shaped, H-shaped, or the like. Package for the upper and lower electrode type light emitting diodes. 前記スリットには、予め絶縁材料が充填されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載された上下電極型発光ダイオード用パッケージ。   The upper and lower electrode type light emitting diode package according to any one of claims 1 to 3, wherein the slit is previously filled with an insulating material. 前記金属基板は、銅または銅合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金、鉄または鉄合金から選択された材料であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載された上下電極型発光ダイオード用パッケージ。   The upper and lower electrode type according to any one of claims 1 to 4, wherein the metal substrate is a material selected from copper or a copper alloy, aluminum or an aluminum alloy, iron or an iron alloy. Light emitting diode package. 前記金属基板は、銅または銅合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなり、その表面に、銀メッキ層が形成されていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載された上下電極型発光ダイオード用パッケージ。   The said metal board | substrate consists of copper or a copper alloy, aluminum, or an aluminum alloy, The silver plating layer is formed in the surface, It described in any one of Claim 1-5 characterized by the above-mentioned. Upper and lower electrode type light emitting diode package. 前記金属基板は、一方に凹部または平面が、他方に平面または凸部が形成されていることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載された上下電極型発光ダイオード用パッケージ。   7. The upper and lower electrode type light emitting diode according to claim 1, wherein the metal substrate has a concave portion or a flat surface on one side and a flat surface or a convex portion on the other side. package. 前記銀メッキ層が形成された金属基板上の前記パッケージ電極に金メッキ層が形成されていることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載された上下電極型発光ダイオード用パッケージ。   8. The upper and lower electrode type light emitting diode according to claim 1, wherein a gold plating layer is formed on the package electrode on the metal substrate on which the silver plating layer is formed. 9. package. 前記スリットまたは十字状スリットは、反射体の内部中心から偏心していることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載された上下電極型発光ダイオード用パッケージ。   The upper and lower electrode type light emitting diode package according to any one of claims 1 to 8, wherein the slit or the cross-shaped slit is eccentric from an inner center of the reflector. 前記発光ダイオード用パッケージの反射体内部の発光ダイオードを封止する透明封止樹脂の硬度は、ショアＡ（ゴムの硬さ）で１５から８５、好ましくは２０から８０であることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載された上下電極型発光ダイオード用パッケージ。   The hardness of the transparent sealing resin for sealing the light emitting diode inside the reflector of the light emitting diode package is 15 to 85, preferably 20 to 80 in Shore A (rubber hardness). The package for upper and lower electrode type light emitting diodes according to any one of claims 1 to 9. 前記パッケージ電極間に流す電流値は、３５０ｍＡ以上であることを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載された上下電極型発光ダイオード用パッケージ。   The upper and lower electrode type light emitting diode package according to any one of claims 1 to 10, wherein a current value flowing between the package electrodes is 350 mA or more. 一列または複数列に上下電極型発光ダイオードの取り付け位置を有する金属基板の前記上下電極型発光ダイオードを取り付け位置に対応するように、一列または複数列に前記金属基板の上に開口されている多数のスリットまたは十字状スリット等を形成する工程と、
前記金属基板に取り付けられているとともに、前記スリットに対応して取り付けられ、少なくとも一方の幅が前記スリットの長さより短い反射体を取り付ける工程と、
で作られた上下電極型発光ダイオード用パッケージ集合体を、
スリットで分離された複数のパッケージ電極を有するように前記金属基板をパッケージ単位に分割する工程と、
からなる、スリットで分離された複数のパッケージ電極が前記反射体で保持されていることを特徴とする上下電極型発光ダイオード用パッケージの製造方法。 A plurality of rows of the upper and lower electrode type light emitting diodes of the metal substrate having the mounting positions of the upper and lower electrode type light emitting diodes in one row or a plurality of rows are opened on the metal substrate in one or more rows so as to correspond to the mounting position. Forming a slit or a cross-shaped slit,
A step of attaching a reflector that is attached to the metal substrate and is attached to correspond to the slit, and at least one of which is shorter than the length of the slit;
The package assembly for upper and lower electrode type light emitting diodes made in
Dividing the metal substrate into package units so as to have a plurality of package electrodes separated by slits;
A plurality of package electrodes separated by slits are held by the reflector, and a method for manufacturing a package for an upper and lower electrode type light emitting diode, comprising: 前記金属基板に設けられたスリットの集合体は、直線状、曲線状、あるいは十字状、Ｔ字状、Ｈ字状などのいずれかであることを特徴とする請求項１２に記載された上下電極型発光ダイオード用パッケージの製造方法。   13. The upper and lower electrodes according to claim 12, wherein the aggregate of slits provided on the metal substrate is any one of a linear shape, a curved shape, a cross shape, a T shape, an H shape, and the like. For manufacturing a type light emitting diode package.
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