JP6058401B2 - 磁気センサ装置 - Google Patents

磁気センサ装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6058401B2
JP6058401B2 JP2013000419A JP2013000419A JP6058401B2 JP 6058401 B2 JP6058401 B2 JP 6058401B2 JP 2013000419 A JP2013000419 A JP 2013000419A JP 2013000419 A JP2013000419 A JP 2013000419A JP 6058401 B2 JP6058401 B2 JP 6058401B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetic sensor
protrusion
magnetic
sensor element
magnet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013000419A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014132238A (ja
Inventor
康生 高田
康生 高田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokai Rika Co Ltd
Original Assignee
Tokai Rika Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokai Rika Co Ltd filed Critical Tokai Rika Co Ltd
Priority to JP2013000419A priority Critical patent/JP6058401B2/ja
Publication of JP2014132238A publication Critical patent/JP2014132238A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6058401B2 publication Critical patent/JP6058401B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Measuring Magnetic Variables (AREA)

Description

本発明は、磁気センサ装置に関する。
従来の技術として、対向して配置され、被検出対象と対向する部位の磁極が同一である細長い一対のバイアス磁石と、対向する一対のバイアス磁石の側面の上下左右の一部同士を連結し、一対のバイアス磁石と磁極の向きが同一の補助磁石と、一対のバイアス磁石及び補助磁石に囲まれた領域に配置され、複数の磁気抵抗素子を有するセンサチップと、を備えた磁気センサが知られている(例えば、特許文献1参照。)。
このセンサチップは、細長い複数のリードフレームを有している。磁気センサは、複数の磁気抵抗素子が配置された端部が、一対のバイアス磁石及び補助磁石に囲まれるように、また複数のリードフレームが、一対のバイアス磁石に沿って配置される。
特開2011−196965号公報
このように、近年の磁気センサは、検出精度の向上や小型化のため、様々な磁石の形状が提案されている。しかし、磁石の形状によっては、組み付けの手間がかかり、製造コストが増加する問題がある。
従って、本発明の目的は、組み付けを容易に行うことができると共に製造コストを抑制することができる磁気センサ装置を提供することにある。
本発明の一態様は、複数の端子が一方側に設けられ、他方側に接近及び離脱する検出対象物に基づいて変化する磁場を検出する第1の磁気センサ素子と第2の磁気センサ素子を有する磁気センサと、磁場を生成し、基部、及び基部から突出するように設けられた第1の突出部と第2の突出部を有し磁気センサの他方側が基部側になるように、かつ第1の突出部及び第2の突出部を挟んで対称に第1の磁気センサ素子と第2の磁気センサ素子が位置するように、磁気センサが第1の突出部と第2の突出部の間に挿入され、磁気センサが挿入される挿入方向に対して垂直となる垂直方向の第1の突出部及び第2の突出部の厚みが、基部の挿入方向の厚みよりも厚い磁場生成部と、を備えた磁気センサ装置を提供する。
本発明によれば、組み付けを容易に行うことができると共に製造コストを抑制することができる。
図1(a)は、実施の形態に係る磁気センサ装置の斜視図であり、(b)は、磁気センサの斜視図であり、(c)は、磁気センサ素子と磁石の位置関係を示す概略図であり、(d)は、磁気センサ素子の回路図である。 図2(a)は、実施の形態に係る磁気センサ装置の磁石の斜視図であり、(b)は、磁気センサが挿入された磁石を側面から見た概略図である。 図3(a)は、実施の形態に係る磁性体が磁気センサ装置に近づいている場合をシミュレーションした結果を示すベクトル図であり、(b)は、磁性体が磁気センサ装置から離れている場合をシミュレーションした結果を示すベクトル図である。
(実施の形態の要約)
実施の形態に係る磁気センサ装置は、複数の端子が一方側に設けられ、他方側に接近及び離脱する検出対象物に基づいて変化する磁場を検出する磁気センサと、磁場を生成し、基部、及び基部から突出するように設けられた第1の突出部と第2の突出部を有し、第1の突出部と第2の突出部の間に、磁気センサの他方側が基部側になるように挿入された磁場生成部と、を備える。
この磁気センサ装置は、磁気センサの複数の端子が設けられた一方側ではなく、他方側が、磁石の第1の突出部と第2の突出部の間に挿入されるので、端子側から領域に挿入する場合と比べ、組み付けが容易となる。また磁気センサ装置は、磁石の形状が簡単であり、さらに組み付けが容易であるので、製造コストが抑制される。
[実施の形態]
(磁気センサ装置1の構成)
図1(a)は、実施の形態に係る磁気センサ装置の斜視図であり、(b)は、磁気センサの斜視図であり、(c)は、磁気センサ素子と磁石の位置関係を示す概略図であり、(d)は、磁気センサ素子の回路図である。図2(a)は、実施の形態に係る磁気センサ装置の磁石の斜視図であり、(b)は、磁気センサが挿入された磁石を側面から見た概略図である。なお、実施の形態に係る各図において、図形間の比率は、実際の比率とは異なる場合がある。
この磁気センサ装置1は、一例として、車両のニュートラルポジションの検出やブレーキのオン、オフの検出等に用いられるセンサ装置であるが、これらに限定されない。
この磁気センサ装置1は、図1(a)〜(c)に示すように、主に、複数の端子としての端子群36が一方側である端部31に設けられ、他方側である先端部32に接近及び離脱する検出対象物としての磁性体6に基づいて変化する磁場を検出する磁気センサ3と、磁場を生成し、基部50、及び基部50から突出するように設けられた第1の突出部51と第2の突出部52を有し、第1の突出部51と第2の突出部52の間に、磁気センサ3の先端部32が基部50側になるように挿入された磁場生成部としての磁石5と、を備えて概略構成されている。
また磁気センサ装置1は、例えば、図1(a)に示すように、板形状のフランジ10を有している。このフランジ10の第1の面12には、略円筒形状を有する凸部16が設けられている。またフランジ10には、組み付けの際にボルト等が挿入される貫通孔14が、凸部16に隣接して設けられている。
さらにフランジ10の第1の面12の反対側である第2の面13には、例えば、図1(a)に示すように、開口180が略楕円形状である円筒形のコネクタ部18が設けられている。この開口180内には、端子群36が露出している。
このフランジ10、凸部16及びコネクタ部18は、例えば、磁気センサ3と共に、樹脂を用いたインサート成形によって一体に形成される。
凸部16は、例えば、図1(a)に示すように、キャップ20の挿入開口200に挿入される。このキャップ20は、例えば、図1(a)に示すように、一方が閉じられた円筒形状を有している。このキャップ20と凸部16とは、例えば、レーザ溶着法により一体とされる。
このレーザ溶着法とは、例えば、熱可塑性樹脂からなる透過側と吸収側の樹脂を合わせた界面に透過側からレーザを照射し、吸収側の樹脂がレーザを吸収することで高温となり、両者が溶融して溶融池(溶融プール)を形成し、両者を溶着させる方法である。
この透過側の樹脂は、例えば、レーザをほとんど吸収せずに透過させる樹脂を用いることが好ましい。また、吸収側の樹脂は、例えば、レーザを吸収して効率よく熱に変換する樹脂を用いることが好ましい。
従って、透過側となるキャップ20は、例えば、ポリスチレン(PS)、ポリメタクリル酸メチル(PMMA)等の非晶性樹脂、ポリプロピレン(PP)、ポリブチレンテレフタレート(PBT)、ポリフェニレンサルファイド(PPS)等の結晶性樹脂が用いられる。また、色材は、例えば、レーザを透過させる染料が用いられる。
吸収側となる凸部16は、例えば、レーザを吸収する色材を含有する上記の非晶性樹脂及び結晶性樹脂が用いられる。また、色材は、顔料及び染料の組み合わせが好ましい。これは、顔料は、レーザを吸収及び散乱させるので、吸収しすぎて局所的に異常な発熱が起こる可能性があり、染料は、レーザの吸収が弱く十分に発熱しない可能性があるからである。従って、両者を組み合わせることにより、発熱量が制御され、凸部16とキャップ20とを効率よく溶着することが可能となる。
(磁気センサ3の構成)
磁気センサ3は、図1(b)及び(c)に示すように、離れて配置された第1の磁気センサ素子34及び第2の磁気センサ素子35を有している。また磁気センサ3は、第1の磁気センサ素子34及び第2の磁気センサ素子35等を保護するための封止体30を有している。
この封止体30は、磁石5の第1の突出部51及び第2の突出部52の間隔に応じた形状を有している。具体的には、封止体30は、図1(b)に示すように、端子群36が作る平面に直交する方向の厚みが、第1の突出部51及び第2の突出部52の間隔と、実質的に同じとなるように形成されている。言い換えるなら、磁気センサ3を磁石5に挿入する際の挿入方向に垂直となる垂直方向の厚みが、当該間隔と実質的に同じとなる。
なお、磁気センサ3の変形例として、封止体30は、磁石5の第1の突出部51及び第2の突出部52に挿入される際のガイドが、第1の突出部51及び第2の突出部52と接触する少なくとも1つの面に形成されていても良い。この接触する少なくとも1つの面とは、例えば、図1(b)に示すように、端子群36が作る平面にほぼ平行な面である上面300、又は上面300の反対側の面である下面301である。
このガイドは、一例として、上面300に形成される場合、上面300から突出するように、かつ第1の突出部51を挟むように設けられた2つの凸部でも良いし、第1の突出部51が嵌り込む溝であっても良い。またガイドは、例えば、下面301にも上面300と同様のガイドが設けられても良いし、いくつかのガイドが組み合わされたものでも良い。
また封止体30は、例えば、図1(b)に示すように、第1の磁気センサ素子34、第2の磁気センサ素子35のみならず、制御部3a、コンデンサ3b、コンデンサ3c、抵抗3d及び抵抗3eと、端子群36の端部と、を封止している。
この樹脂による封止は、例えば、エポキシ樹脂を主成分に、シリカ充填材等を加えた熱硬化性成形材料を用いて行われる。樹脂による封止は、例えば、主に、磁気センサ素子等を光、熱及び湿度等の環境から保護することを目的としている。
第1の磁気センサ素子34及び第2の磁気センサ素子35は、例えば、第1の突出部51及び第2の突出部52の中間を通る後述する平面39b内に配置される。
この第1の磁気センサ素子34は、例えば、図1(d)に示すように、第1の磁気抵抗素子341及び第2の磁気抵抗素子342を備えて概略構成されている。また第2の磁気センサ素子35は、第1の磁気センサ素子34と構成が実質的に同一の2つの磁気抵抗素子を備えている。従って、第2の磁気センサ素子35もまた第1の磁気抵抗素子341及び第2の磁気抵抗素子342を備えるものとし、以下では、主に第1の磁気センサ素子34の構成について説明する。
この第1の磁気抵抗素子341及び第2の磁気抵抗素子342は、一例として、Ni、Fe、Co等の強磁性体金属を主成分とした膜を用いて形成される。磁場が形成する磁気ベクトルが作用していない場合の第1の磁気抵抗素子341及び第2の磁気抵抗素子342の抵抗値は、等しいものとする。
第1の磁気抵抗素子341の一方端部は、第2の磁気抵抗素子342の一方端部と電気的に接続される。また第1の磁気抵抗素子341の他方端部は、例えば、電源回路に電気的に接続され、基準電圧VCCが供給される。また、第2の磁気抵抗素子342の他方端部は、例えば、接地回路に電気的に接続される。この第1の磁気抵抗素子341と第2の磁気抵抗素子342は、ハーフブリッジ回路を構成している。第1の磁気センサ素子34のハーフブリッジ回路の中点電位は、図1(d)に示すように、Vである。
ここで、第2の磁気センサ素子35は、第1の磁気センサ素子34と実質的に同一の構成を有するので、第2の磁気センサ素子35が出力する中点電位は、Vである。従って、磁気センサ3の制御部3aは、例えば、この中点電位V及び中点電位Vに基づいて差分(=V−V)を算出し、予め定められたしきい値と、算出した差分と、を比較することにより、磁性体6の接近及び離脱、つまり磁性体6の検出の有無を判定するように構成されている。
なお、第1の磁気センサ素子34及び第2の磁気センサ素子35は、上記ではハーフブリッジ回路を有していたが、これに限定されず、それぞれがフルブリッジ回路を有する構成であっても良い。この場合、制御部3aは、例えば、それぞれの磁気センサ素子の中点電位から差分を算出し、算出したそれぞれの差分に基づいて磁性体6の検出の有無、及び磁気センサ素子の故障の有無を判定する。この故障を判定する方法は、一例として、2つのフルブリッジ回路から出力される差分の差が、予め定められた値よりも大きい場合、いずれかの磁気センサ素子が故障していると判定する周知の方法等を用いることが可能である。
第1の磁気抵抗素子341は、図1(d)に示すように、互いに平行に並んだ複数の感磁部340を有する。この感磁部340は、図1(d)の紙面において、直線的に折り返された長手方向の部分であり、磁気ベクトルの向きに応じて磁気抵抗値が変化する部分である。感磁部340同士を接続する部分は、感磁部340と比べて長さが短くなるように形成されている。従って、この接続する部分は、磁気抵抗値の変化が、感磁部340と比べて無視できる程度に小さいことが好ましい。なお、この接続する部分は、例えば、磁気抵抗値が変化しない導電性部材を用いて形成されても良い。
第1の磁気抵抗素子341と第2の磁気抵抗素子342は、それぞれの感磁部340が実質的に直交するように配置される。図1(c)に示すように、第1の磁気センサ素子34と第2の磁気センサ素子35は、例えば、第1の磁気抵抗素子341と第2の磁気抵抗素子342とで、実質的に同じ位置関係となるように配置される。これは、後述するように、磁石5が生成する磁場が、図1(c)の紙面において、第1の突出部51を中心として左右対称に生じるからである。なお、第1の磁気抵抗素子341及び第2の磁気抵抗素子342の配置は、上記に限定されない。
端子群36は、端子37〜端子39を備えて概略構成されている。この端子37〜端子39は、例えば、主に細長い板形状に形成されている。また、端子37〜端子39は、例えば、Al、Cu等の導電性を有する金属材料、又は、真鍮等の合金材料を用いて形成される。なお、端子37〜端子39は、例えば、その表面に、Sn、Ni、Au、Ag等の金属材料を用いたメッキ処理が施されていても良い。この端子37〜端子39は、図1(a)及び(b)に示すように、主に直線形状に形成される。端子37〜端子39を直線形状とすることにより、磁気センサ装置1の構成が簡単となり、製造コストを抑制することが可能となる。
コネクタ部18には、例えば、車両のハーネスにコネクタが接続される。この接続により、端子群36は、例えば、車両のECU(Electric Control Unit)と電気的に接続される。磁気センサ装置1は、この車両のハーネスを介して電圧Vの供給が行われると共に出力信号の出力を行うように構成されている。
端子37は、例えば、制御部3aを介して出力信号が出力される端子である。端子38は、例えば、電圧Vが供給される端子である。端子39は、例えば、接地回路に電気的に接続される端子である。この端子39は、例えば、図1(b)及び(c)に示すように、先端がクランク状に曲り、その先に搭載部39aが設けられている。この搭載部39aには、第1の磁気センサ素子34、第2の磁気センサ素子35及び制御部3aが配置されている。
制御部3aは、例えば、取得したデータに演算、加工等を行うCPU(Central Processing Unit)、半導体メモリであるRAM(Random Access Memory)及びROM(Read Only Memory)等から構成されるマイクロコンピュータである。また、制御部3aは、一例として、供給された電圧Vから基準電圧VCCを生成するように構成されている。また、制御部3aは、例えば、しきい値を有し、算出した差分としきい値とを比較するように構成されている。制御部3aは、差分がしきい値よりも大きい場合は、磁性体6を検出したと判定してHi信号を出力し、差分がしきい値以下の場合は、磁性体6を検出していないと判定してLo信号を出力する。
コンデンサ3bは、図1(b)に示すように、端子37と端子39とに電気的に接続されている。コンデンサ3cは、端子38と端子39とに電気的に接続されている。また抵抗3dは、端子37と端子38とに電気的に接続されている。抵抗3eは、端子38と端子39とに電気的に接続されている。このコンデンサ3b及びコンデンサ3cは、例えば、過渡電圧(サージ)保護、及び入力する電圧Vに混入するノイズを除去するためのものである。
第1の磁気センサ素子34及び第2の磁気センサ素子35と制御部3a、端子群36と制御部3aは、ワイヤボンディングにより電気的に接続されている。
(磁石5の構成)
磁石5は、例えば、アルニコ磁石、フェライト磁石、ネオジム磁石等の永久磁石を所望の形状に成形したもの、又は、フェライト系、ネオジム系、サマコバ系、サマリウム鉄窒素系等の磁性体材料と、合成樹脂材料と、を混合して所望の形状に成形したものである。
この磁石5は、例えば、図2(a)及び(b)に示すように、四角柱形状を有する基部50の一側面から突出する第1の突出部51及び第2の突出部52を有する。言い換えるなら、磁石5は、第1の突出部51と第2の突出部52が平行に並び、その一方の端部を基部50により接続したような簡単な形状を有する。
着磁は、例えば、図2(b)に示すように、第1の突出部51及び第2の突出部52の端部がS極となり、その反対側の基部50がN極となるように行われる。言い換えるなら、磁性体6と対向する基部50の磁極は、N極であり、その反対側の第1の突出部51及び第2の突出部52の端部は、S極である。なお、着磁は、N極とS極を入れ替えて行われても良い。
磁石5は、図2(b)に示すように、磁気センサ3が挿入される挿入方向Xに対して垂直となる垂直方向Zの第1の突出部51及び第2の突出部52の厚みWが、基部50の挿入方向Xの厚みWよりも厚くなるように構成されている。言い換えるなら、この厚みWは、挿入方向Xを中心とした周方向の厚みでもある。
具体的には、磁石5は、例えば、図2(b)に示すように、基部50の厚みWが、第1の突出部51及び第2の突出部52の厚みWよりも薄くなるように構成されている。磁石5は、この構成が採用されることにより、基部50による磁場の関与が小さくなり、第1の磁気センサ素子34及び第2の磁気センサ素子35に作用する磁気ベクトルが、磁性体6の接近及び離脱によりその方向が変化し易くなる。なお、磁石5を図2(a)の紙面左側から見た際の横方向の幅aは、一例として、5mmである。基部50の厚みWは、一例として、1.0mm以上1.5mm未満である。第1の突出部51及び第2の突出部52の厚みWは、一例として、1.5mmである。第1の突出部51と第2の突出部52との間隔dは、一例として、5mmである。基部50の端面500から第1の突出部51の端面510、又は端面500から第2の突出部52の端面520までの距離Lは、一例として、6mmである。以下では、シミュレーションの結果に基づいてこの磁気ベクトルの方向の変化を説明する。
図3(a)は、実施の形態に係る磁性体が磁気センサ装置に近づいている場合をシミュレーションした結果を示すベクトル図であり、(b)は、磁性体が磁気センサ装置から離れている場合をシミュレーションした結果を示すベクトル図である。
このシミュレーションは、図2(a)及び(b)に示すように、幅aを5mm、厚みWを1mm、厚みWを3mm、間隔dを3.5mm、及び距離Lを7mmとして行った。このシミュレーションにより得られた、第1の突出部51と第2の突出部52の中間で、第1の磁気センサ素子34及び第2の磁気センサ素子35が作る平面39bにおける磁気ベクトル5aが、図3(a)及び(b)である。
図3(a)及び(b)に点線で示す配置可能領域34aは、一例として、第1の磁気センサ素子34を配置することが可能な領域を模式的に示したものである。また配置可能領域35aは、一例として、第2の磁気センサ素子35を配置することが可能な領域を模式的に示したものである。従って、配置可能な領域は、図3(a)及び(b)に示す配置可能領域34a及び配置可能領域35aに限定されず、第1の磁気センサ素子34及び第2の磁気センサ素子35に応じて、その境界の近傍であって磁気ベクトル5aが変化する領域が含まれていても良い。
この配置可能領域34a及び配置可能領域35aは、磁性体6の接近及び離脱により、大きく磁気ベクトル5aの方向が変化する領域である。磁気ベクトル5aの方向は、図3(a)及び(b)に示すように、中心線mに対して対称である。従って、配置可能領域34a及び配置可能領域35aは、中心線mに対して対称の領域である。なお、この中心線mは、図3(a)及び(b)において、平面39bを左右に分ける線分である。この中心線mの周囲は、図3(a)及び(b)に示すように、磁気ベクトル5aの変化に乏しいので、配置を避けることが好ましい。
具体的には、配置可能領域34a及び配置可能領域35aは、例えば、中心線mの周囲を除く、基部50に近い領域と、基部50から第1の突出部51及び第2の突出部52の中央近傍で、かつ中心線mの周囲を除く領域と、により概略構成されたL型の領域となっている。つまり、基部50に近い中心線mの周囲の領域と、基部50に近い領域から第1の突出部51及び第2の突出部52の中央近傍で中心線mの周囲の領域とは、一例として、配置に適さない領域である。
本実施の形態に係る第1の磁気センサ素子34及び第2の磁気センサ素子35は、一例として、図3(a)及び(b)に示すように、第1の突出部51及び第2の突出部52に囲まれた領域53とその外側との境界が、第1の磁気センサ素子34及び第2の磁気センサ素子35の素子中心と略一致すると共に、基部50よりの配置可能領域34a及び配置可能領域35aに配置される。この配置された領域は、磁性体6に近く磁気ベクトル5aの方向の変化が他の領域と比べて大きいので、配置に適している。
さらに、第1の突出部51と第2の突出部52の中間に位置する平面39bは、S極同士が反発することから、磁気ベクトル5aの平面39bの成分が、平面39bの上下の平面内の磁気ベクトルの成分よりも大きくなっている。従って、平面39b内の配置可能領域34a及び配置可能領域35aが、配置に最適である。
以下に、磁気センサ装置1の組み付けの一例について説明する。
(磁気センサ装置1の組み付け)
まず、端子群36を用意し、制御部3a、コンデンサ3b、コンデンサ3c、抵抗3d及び抵抗3eを端子群36に組み付けると共に、搭載部39aに第1の磁気センサ素子34及び第2の磁気センサ素子35を組み付ける。
次に、第1の磁気センサ素子34及び第2の磁気センサ素子35と制御部3a、制御部3aと端子群36をワイヤボンディングにより電気的に接続する。
次に、封止樹脂を用いて第1の磁気センサ素子34及び第2の磁気センサ素子35等を封止した封止体30を備えた磁気センサ3を形成する。
次に、フランジ10、凸部16及びコネクタ部18を、磁気センサ3と共にインサート成形によって一体に形成する。
次に、磁気センサ3の先端部32を磁石5の第1の突出部51及び第2の突出部52の間に挿入し、磁石5を磁気センサ3に組み付ける。
次に、キャップ20の挿入開口200に凸部16を挿入し、レーザ溶着法により、凸部16とキャップ20とを一体にして磁気センサ装置1を得る。
以下に、磁気センサ装置1の動作について説明する。
(動作)
磁気センサ装置1は、基準電圧VCCが印加されると、第1の磁気センサ素子34が検出する磁気ベクトルに応じた中点電位V、及び第2の磁気センサ素子35が検出する磁気ベクトルに応じた中点電位Vを制御部3aに出力する。
制御部3aは、この中点電位V及び中点電位Vに基づいて差分を算出する。制御部3aは、算出した差分と、予め定められたしきい値と、を比較することにより、磁性体6が検出されたか否かを判定する。制御部3aは、磁性体6が検出されていないと判定すると出力信号としてLo信号を、検出されたと判定するとHi信号を出力する。
(実施の形態の効果)
本実施の形態に係る磁気センサ装置1は、組み付けを容易に行うことができると共に製造コストを抑制することができる。具体的には、磁気センサ装置1は、磁気センサ3の端子群36が設けられた一方側ではなく、他方側が、磁石5の第1の突出部51と第2の突出部52の間の領域53に挿入されるので、端子群36側から領域53に挿入する場合と比べ、組み付けが容易となる。また磁気センサ装置1は、磁石5の形状が簡単であり、さらに組み付けが容易であるので、製造コストが抑制される。
この磁気センサ装置1は、磁石5を磁気センサ3の先端部32側から組み付けることができるので、磁気センサ3の端部31側から組み付ける場合と比べて、小型化することができる。特に、図1(a)に示すように、磁気センサ装置1は、磁石5を磁気センサ3の先端部32から組み付けるので、磁石5を磁気センサ3の端部31から組み付ける場合と比べて、凸部16から端子群36を露出させる必要がなくて凸部16が短くて済み、小型化することができる。
この磁気センサ装置1は、磁石5を磁気センサ3の先端部32側から組み付けることができるため、少なくとも封止体30に露出する端子37〜端子39を曲げる必要がないので、加工の工程が少なくなり製造コストが抑制される。
この磁気センサ装置1は、封止体30が第1の突出部51及び第2の突出部52の間隔に応じた形状となっているので、磁気センサ3と磁石5との組み付けが容易となると共に相対的な位置合わせが容易となる。従って、磁気センサ3と磁石5との相対的な位置合わせが容易であることから、位置合わせの精度が高く、磁気センサ3の磁性体6の検出精度が向上する。
この磁気センサ装置1の磁石5は、磁気センサ3が挿入される挿入方向Xに対して垂直となる垂直方向Zの第1の突出部51及び第2の突出部52の厚みWが、基部50の挿入方向Xの厚みWよりも厚くなるように構成されている。従って、磁気センサ装置1は、厚みWと厚みWとが同じ場合と比べて、基部50による磁場の関与が小さくなり、磁性体6の接近及び離脱による磁気ベクトル5aの変化を大きくすることができる。
この磁気センサ装置1は、第1の磁気センサ素子34及び第2の磁気センサ素子35の配置に適した配置可能領域34a及び配置可能領域35aが、第1の突出部51及び第2の突出部52の先端近傍よりも磁気ベクトル5aの変化が大きい領域で、かつ中心線mに対して対称なので、磁石5に対する磁気センサ3の位置にずれが生じた場合でも検出精度の低下を抑制することができる。
具体的には、磁気センサ装置1は、図3(a)及び(b)の紙面の上下左右に、磁気センサ3と磁石5との相対的な位置がずれた場合、特に、磁石5の第1の突出部41及び第2の突出部52に囲まれた領域53の外の配置可能領域34a及び配置可能領域35aでは、ずれた先の磁気ベクトル5aが、配置予定の場所の磁気ベクトル5aとほぼ同じ方向となっているので、検出精度の低下を抑制することができる。
また第1の磁気センサ素子34及び第2の磁気センサ素子35は、第1の突出部51と第2の突出部52の中間であって同極が反発する平面39b内に配置される。従って、磁気センサ装置1は、平面39b内の磁気ベクトル5aの成分が、平面39bと平行な平面内の成分よりも大きいので、第1の磁気抵抗素子341及び第2の磁気抵抗素子342からの出力信号が大きくなる。従って、磁気センサ装置1は、出力信号が大きいので、出力信号が小さくて増幅率が高くなる場合と比べて、検出精度が向上する。
そして、磁気センサ装置1は、図2(a)の紙面の上下に、磁気センサ3と磁石5との相対的な位置がずれた場合、位置がずれない場合と比べて、磁気ベクトル5aの平面内の成分が小さくなるもののその方向の変化は大きいので、検出精度の低下を抑制することができる。
以上、本発明の実施の形態及び変形例を説明したが、これらの実施の形態及び変形例は、一例に過ぎず、特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。これら新規な実施の形態及び変形例は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更等を行うことができる。また、これら実施の形態及び変形例の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない。さらに、これら実施の形態及び変形例は、発明の範囲及び要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1…磁気センサ装置
3…磁気センサ
3a…制御部
3b…コンデンサ
3c…コンデンサ
3d,3e…抵抗
5…磁石
5a…磁気ベクトル
6…磁性体
10…フランジ
12…第1の面
13…第2の面
14…貫通孔
16…凸部
18…コネクタ部
20…キャップ
30…封止体
31…端部
32…先端部
34…第1の磁気センサ素子
34a…配置可能領域
35…第2の磁気センサ素子
35a…配置可能領域
36…端子群
37〜39…端子
39a…搭載部
39b…平面
41…突出部
50…基部
51…第1の突出部
52…第2の突出部
53…領域
180…開口
200…挿入開口
300…上面
301…下面
340…感磁部
341…第1の磁気抵抗素子
342…第2の磁気抵抗素子
500,510,520…端面

Claims (3)

  1. 複数の端子が一方側に設けられ、他方側に接近及び離脱する検出対象物に基づいて変化する磁場を検出する第1の磁気センサ素子と第2の磁気センサ素子を有する磁気センサと、
    前記磁場を生成し、基部、及び前記基部から突出するように設けられた第1の突出部と第2の突出部を有し、前記磁気センサの前記他方側が前記基部側になるように、かつ前記第1の突出部及び前記第2の突出部を挟んで対称に前記第1の磁気センサ素子と前記第2の磁気センサ素子が位置するように、前記磁気センサが前記第1の突出部と前記第2の突出部の間に挿入され、前記磁気センサが挿入される挿入方向に対して垂直となる垂直方向の前記第1の突出部及び前記第2の突出部の厚みが、前記基部の前記挿入方向の厚みよりも厚い磁場生成部と、
    を備えた磁気センサ装置。
  2. 前記磁場生成部は、前記第1の突出部及び前記第2の突出部の端部が第1の磁極となり、その反対側の前記基部が第2の磁極となる、請求項1に記載の磁気センサ装置。
  3. 前記磁気センサは、前記第1の磁気センサ素子及び前記第2の磁気センサ素子を保護する封止体を有し、
    前記封止体は、前記磁場生成部の前記第1の突出部及び前記第2の突出部の間隔に応じた形状を有する請求項1又は2に記載の磁気センサ装置。
JP2013000419A 2013-01-07 2013-01-07 磁気センサ装置 Active JP6058401B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013000419A JP6058401B2 (ja) 2013-01-07 2013-01-07 磁気センサ装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013000419A JP6058401B2 (ja) 2013-01-07 2013-01-07 磁気センサ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014132238A JP2014132238A (ja) 2014-07-17
JP6058401B2 true JP6058401B2 (ja) 2017-01-11

Family

ID=51411377

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013000419A Active JP6058401B2 (ja) 2013-01-07 2013-01-07 磁気センサ装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6058401B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6965903B2 (ja) 2019-02-22 2021-11-10 日立金属株式会社 回転速度センサ及びその製造方法
JP2021047084A (ja) * 2019-09-18 2021-03-25 株式会社東海理化電機製作所 磁気センサ

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0573908U (ja) * 1992-03-13 1993-10-08 富士通テン株式会社 磁気検出素子用バイアス磁石
JPH10142263A (ja) * 1996-11-11 1998-05-29 Murata Mfg Co Ltd 電流検出装置
US7816772B2 (en) * 2007-03-29 2010-10-19 Allegro Microsystems, Inc. Methods and apparatus for multi-stage molding of integrated circuit package
JP2011196965A (ja) * 2010-03-24 2011-10-06 Denso Corp 磁気センサ
JP5535858B2 (ja) * 2010-09-30 2014-07-02 株式会社東海理化電機製作所 近接スイッチ

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014132238A (ja) 2014-07-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4561613B2 (ja) 磁気センサ
US7626376B2 (en) Electric current detector having magnetic detector
US7355388B2 (en) Rotation detecting device using magnetic sensor
JP4274051B2 (ja) 回転検出装置及び回転検出装置の製造方法
CN104204835B (zh) 磁性传感器装置
CN106066420B (zh) 电流检测设备
JP2007232372A (ja) 回転検出装置
EP2955535A1 (en) Magnetic sensor device
JP2015132534A (ja) 電流検出装置
JP2014077682A (ja) 電流センサ
JP6384677B2 (ja) 電流センサ
CN112050836B (zh) 带有测试磁体的传感器装置及所属的方法
WO2019038964A1 (ja) 電流センサ
JP6058401B2 (ja) 磁気センサ装置
JP5284024B2 (ja) 磁気センサ
JP2009216456A (ja) 電流センサ
JP4617762B2 (ja) 回転検出装置の製造方法
JP2018072250A (ja) センサ装置
WO2016093059A1 (ja) 電流センサ
JP5086169B2 (ja) 電流センサ及び電流センサの製造方法
JP6694354B2 (ja) 磁気センサ装置
JP2018072251A (ja) センサ装置
JP2013162003A (ja) コアホルダ及び電流センサ
JP2011196965A (ja) 磁気センサ
JP5762856B2 (ja) 電流センサ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150827

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160617

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160628

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160812

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20161122

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20161207

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6058401

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150