JP6051520B2 - ダイシング・ダイボンディング一体型テープ、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
[ダイシング・ダイボンディング一体型テープの作製]
[タック強度の評価]
[粘接着層と基材層との間の剥離強度の評価]
[リングフレームからの剥離性の評価]
Claims (5)
- テープの基部をなす基材層と、前記基材層の一方面側に形成され、半導体ウェハ及びリングフレームを保持する粘接着層と、を備えたダイシング・ダイボンディング一体型テープであって、
前記基材層は自己粘着性を有し、
前記粘接着層は、エネルギー線照射により硬化する粘接着剤からなり、前記エネルギー線照射前には前記粘接着層と前記基材層との間における剥離が前記粘接着層と前記リングフレームとの間における剥離に比較して発生し難く、前記エネルギー線照射後には前記粘接着層と前記基材層との間における剥離が前記粘接着層と前記半導体ウェハとの間における剥離に比較して発生し易くなるように構成されていることを特徴とするダイシング・ダイボンディング一体型テープ。 - 前記基材層のタック強度が、前記リングフレームのタック強度よりも高くなっていることを特徴とする請求項1記載のダイシング・ダイボンディング一体型テープ。
- 前記基材層のタック強度が、気温30℃において50gf以上であることを特徴とする請求項1又は2記載のダイシング・ダイボンディング一体型テープ。
- 前記エネルギー線照射前における前記基材層と前記粘接着層との間の剥離強度が0.4N/25mm以上であり、
前記エネルギー線照射後における前記基材層と前記粘接着層との間の剥離強度が0.1N/25mm以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項記載のダイシング・ダイボンディング一体型テープ。 - テープの基部をなし、自己粘着性を有する基材層と、前記基材層の一方面側に形成され、エネルギー線照射により硬化する粘接着剤からなる粘接着層と、を備えたダイシング・ダイボンディング一体型テープの前記粘接着層上に、半導体ウェハ及びリングフレームを載置し、
前記半導体ウェハを切断して複数の半導体チップに個片化し、
前記粘接着層のうち、前記リングフレームが載置されていない部分のみに前記エネルギー線を照射した後に、前記半導体チップをピックアップすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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