JP6050571B2 - 研磨監視方法および研磨装置 - Google Patents
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図17は、半導体ウエハ(基板)の研磨を開始してから半導体ウエハ上の導電膜がクリアされる(無くなる)までの研磨時間(t)と渦電流センサの信号値との関係を示す図である。図17に示すように、半導体ウエハの研磨開始直後は、導電膜が厚いため、渦電流センサの出力は高くなるが、研磨が進行するにつれて導電膜が薄くなるため、渦電流センサの信号値が低下していく。そして、導電膜がクリアされる(無くなる)と、渦電流センサの信号値が一定になる。この信号値が一定になった時点(特異点)を検出することにより、研磨終点に到達したことを判断することができる。
本発明によれば、渦電流センサのコイルを含む電気回路のインピーダンスの抵抗成分およびリアクタンス成分を表す座標系の原点を平行移動させることにより、ドリフト量に相当する分を出力信号から取り除くことができる。
本発明の好ましい態様によれば、前記渦電流センサの上方に基板が存在しない時の出力信号のうち、前記渦電流センサの上方に研磨面のドレッシング用のドレッサが存在しない領域からの出力信号のみを用いることを特徴とする。
本発明によれば、渦電流センサの上方に基板が存在しない時の出力信号のうち、研磨面上または上方に何も存在していない時の出力信号のみを用いる。これにより、渦電流センサに影響を及ぼさない範囲の信号のみを用いることができる。
本発明の好ましい態様によれば、前記渦電流センサの出力信号は、該渦電流センサのコイルを含む電気回路のインピーダンスの抵抗成分およびリアクタンス成分を座標と定義したときに、導電膜の厚さが小さくなるに従って座標系の原点と前記座標との距離が短くなるような位置に前記座標を回転および移動させた座標として表されることを特徴とする。
本発明の好ましい態様によれば、前記出力信号の補正は、前記座標系の原点を移動させることにより行うことを特徴とする。
本発明の好ましい態様によれば、前記補正により移動した座標系の原点と前記インピーダンスの座標との距離から前記導電膜の厚さを監視することを特徴とする。
本発明の好ましい態様によれば、前記渦電流センサの上方に基板が存在しない時の出力信号のうち、前記渦電流センサの上方に基板保持用のトップリングが存在しない領域からの出力信号のみを用いることを特徴とする。
本発明の好ましい態様によれば、前記渦電流センサの上方に基板が存在しない時の出力信号のうち、前記渦電流センサの上方に研磨面のドレッシング用のドレッサが存在しない領域からの出力信号のみを用いることを特徴とする。
図3は、渦電流センサ50の構成を示す図であり、図3(a)は渦電流センサ50の構成を示すブロック図であり、図3(b)は渦電流センサ50の等価回路図である。
図3(a)に示すように、渦電流センサ50は、検出対象の金属膜等の導電膜mfの近傍にセンサコイル60を配置し、そのコイルに交流信号源52が接続されている。ここで、検出対象の導電膜mfは、例えば半導体ウエハW上に形成されたCu,Al,Au,Wなどの薄膜である。センサコイル60は、検出用のコイルであり、検出対象の導電膜に対して、例えば0.5〜5.0mm程度の近傍に配置される。
図7(a)は、渦電流センサ50が半導体ウエハWの表面(被研磨面)を走査(スキャン)するときの軌跡と渦電流センサ50の出力との関係を示す。図7(a)に示すように、渦電流センサ50は、研磨テーブル1の回転に伴い半導体ウエハWの下方を通過している間、半導体ウエハWの導電膜mfに反応して所定の信号値を出力するようになっている。
図7(b)は、研磨テーブル1の回転と渦電流センサ50の出力の関係を示す図である。図7(b)において、横軸は研磨時間(t)であり、縦軸は渦電流センサ50の出力値である。図7(b)に示すように、渦電流センサ50がウエハ内の領域(A)にあるときには、半導体ウエハ上の導電膜mfに反応した概略方形パルス状の出力となり、渦電流センサ50がウエハ外の領域(B)にあるときには、一定レベルの低出力となる。
R1I1+L1dI1/dt+MdI2/dt=E (1)
R2I2+L2dI2/dt+MdI1/dt=0 (2)
ここで、Mは相互インダクタンスであり、R1はコイル1を含むセンサ側回路の等価抵抗であり、L1はコイル1を含むセンサ側回路の自己インダクタンスである。R2は渦電流損に相当する等価抵抗であり、L2は渦電流が流れる導電膜の自己インダクタンスである。
(R1+jωL1)I1+jωMI2=E (3)
(R2+jωL2)I2+jωMI1=0 (4)
これら式(3),(4)から、次の式が導かれる。
I1=E(R2+jωL2)/{(R1+jωL1)(R2+jωL2)+ω2M2}
=E/{(R1+jωL1)+ω2M2/(R2+jωL2)} (5)
Φ=E/I1
={R1+ω2M2R2/(R2 2+ω2L2 2)
+jω{L1−ω2L2M2/(R2 2+ω2L2 2)} (6)
ここで、Φの実部(抵抗成分)、虚部(誘導リアクタンス成分)をそれぞれX,Yとおくと、上記式(6)は、次のようになる。
Φ=X+jωY (7)
M=k(L1L2)1/2 (8)
次に、渦電流センサ50の出力信号を研磨中に較正しつつ半導体ウエハ上の導電膜の膜厚変化を監視する方法について説明する。
図11は、渦電流センサ50の出力信号を較正しつつ半導体ウエハ上の導電膜の膜厚変化を監視する処理フローの一態様を示す図である。図11に示すように、ステップ1において、半導体ウエハWをトップリング10により保持し、研磨テーブル1およびトップリング10をそれぞれ回転させ、半導体ウエハWを研磨パッド2に押圧してウエハ上の導電膜を研磨する研磨工程を開始する。このとき、渦電流センサ50は、図7に示すように、研磨テーブル1の回転に伴いウエハ内の領域(A)とウエハ外の領域(B)を通過するが、ステップ2において、モニタリング装置55は、渦電流センサ50がウエハ外の領域(B)にあるときのデータを取得する。この場合、研磨開始後、研磨テーブル1が1回転以上回転した後におけるウエハ外の領域(B)のデータを取得し、その後、研磨テーブル1がN回転(Nは整数)までデータを取得し続ける。そして、ステップ3において、N回転数までの渦電流センサ50のウエハ外の領域(B)の出力値の平均値に基づいて、ドリフト量(補正量)を算出する。
なお、ウエハ外の領域とは、トップリングの領域以外、ドレッサの領域以外、アトマイザ等の領域以外であり、研磨テーブル(研磨パッド)上に何も存在していない領域である。
ΔXa=X11−X1,ΔYa=Y11−Y1
ここで、X11,Y11は、渦電流センサ50のウエハ外の領域(B)の出力値の平均値であり、X1,Y1は、補正用基準信号値である。補正用基準信号値は、導電膜の膜厚が0となったときに類似する値である。
次に、ステップ4において、ステップ3で算出したドリフト量(補正量)を登録(保存)する。そして、ステップ5において、登録されたドリフト量(補正量)に相当する分だけ、XY座標系の原点Oを平行移動する。
1a テーブル軸
2 研磨パッド
2a 研磨面
3 研磨液供給ノズル
10 トップリング
11 トップリングシャフト
12 トップリングヘッド
20 ドレッシング装置
21 ドレッサアーム
22 ドレッサ
22a ドレッシング部材
23 揺動軸
50 渦電流センサ
52 交流信号源
55 モニタリング装置
56 制御装置(コントローラ)
60 センサコイル
62 発振コイル
63 検出コイル
64 バランスコイル
71 ボビン
105 同期検波部
120 バンドパスフィルタ
121 ブリッジ回路
123 高周波アンプ
125 cos同期検波回路
126 sin同期検波回路
127,128 ローパスフィルタ
150 ロータリジョイント
151m シム(薄板)
mf 導電膜
W 半導体ウエハ
Claims (14)
- 回転する研磨テーブル上の研磨面に研磨対象の基板を押圧して基板上の導電膜を研磨し、研磨中に研磨テーブルに設置された渦電流センサにより導電膜の厚さを監視する研磨監視方法であって、
基板上の導電膜を砥粒を含んだ研磨液で研磨中に渦電流センサの出力信号を取得し、前記基板上の導電膜の研磨中であって渦電流センサの上方に基板が存在しない時の出力信号を用いて渦電流センサの出力調整量を算出し、該出力調整量を用いて前記基板上の導電膜の研磨中であって渦電流センサの上方に基板が存在する時の出力信号を補正して基板上の導電膜の厚さを監視することを特徴とする研磨監視方法。 - 前記渦電流センサの出力信号は、該渦電流センサのコイルを含む電気回路のインピーダンスの抵抗成分およびリアクタンス成分を座標と定義したときに、導電膜の厚さが小さくなるに従って座標系の原点と前記座標との距離が短くなるような位置に前記座標を回転および移動させた座標として表されることを特徴とする請求項1記載の研磨監視方法。
- 前記出力信号の補正は、前記座標系の原点を移動させることにより行うことを特徴とする請求項2記載の研磨監視方法。
- 前記補正により移動した座標系の原点と前記インピーダンスの座標との距離から前記導電膜の厚さを監視することを特徴とする請求項3記載の研磨監視方法。
- 前記出力信号の補正は、前記渦電流センサの上方に基板が存在しない時の出力信号のN回転数の平均値を使用することを特徴とする請求項1記載の研磨監視方法。
- 前記渦電流センサの上方に基板が存在しない時の出力信号のうち、前記渦電流センサの上方に基板保持用のトップリングが存在しない領域からの出力信号のみを用いることを特徴とする請求項1記載の研磨監視方法。
- 前記渦電流センサの上方に基板が存在しない時の出力信号のうち、前記渦電流センサの上方に研磨面のドレッシング用のドレッサが存在しない領域からの出力信号のみを用いることを特徴とする請求項6記載の研磨監視方法。
- 研磨面を有し回転する研磨テーブルと、
前記研磨面に砥粒を含んだ研磨液を供給する研磨液供給手段と、
研磨対象の基板を前記研磨面に押圧して基板上の導電膜を研磨するトップリングと、
前記研磨テーブル内に設置された渦電流センサと、
前記渦電流センサの出力信号に基づいて導電膜の厚さを監視するモニタリング装置とを備え、
前記モニタリング装置は、基板上の導電膜を砥粒を含んだ研磨液で研磨中に渦電流センサの出力信号を取得し、前記基板上の導電膜の研磨中であって渦電流センサの上方に基板が存在しない時の出力信号を用いて渦電流センサの出力調整量を算出し、該出力調整量を用いて前記基板上の導電膜の研磨中であって渦電流センサの上方に基板が存在する時の出力信号を補正して基板上の導電膜の厚さを監視することを特徴とする研磨装置。 - 前記渦電流センサの出力信号は、該渦電流センサのコイルを含む電気回路のインピーダンスの抵抗成分およびリアクタンス成分を座標と定義したときに、導電膜の厚さが小さくなるに従って座標系の原点と前記座標との距離が短くなるような位置に前記座標を回転および移動させた座標として表されることを特徴とする請求項8記載の研磨装置。
- 前記出力信号の補正は、前記座標系の原点を移動させることにより行うことを特徴とする請求項9記載の研磨装置。
- 前記補正により移動した座標系の原点と前記インピーダンスの座標との距離から前記導電膜の厚さを監視することを特徴とする請求項10記載の研磨装置。
- 前記出力信号の補正は、前記渦電流センサの上方に基板が存在しない時の出力信号のN回転数の平均値を使用することを特徴とする請求項8記載の研磨装置。
- 前記渦電流センサの上方に基板が存在しない時の出力信号のうち、前記渦電流センサの上方に基板保持用のトップリングが存在しない領域からの出力信号のみを用いることを特徴とする請求項8記載の研磨装置。
- 前記渦電流センサの上方に基板が存在しない時の出力信号のうち、前記渦電流センサの上方に研磨面のドレッシング用のドレッサが存在しない領域からの出力信号のみを用いることを特徴とする請求項13記載の研磨装置。
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