JP4467760B2 - 膜厚測定方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、膜厚測定の技術分野にかかり、特に、導電性薄膜内に渦電流を生成し、渦電流の影響によるインダクタンス成分の変化を測定して膜厚を求める技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来技術の膜厚測定方法の一例を説明する。
図11(a)の符号110は、シリコン基板等の基板本体を示しており、該基板本体110上には、金属薄膜から成る導電性薄膜111が形成されている。
【0003】
この導電性薄膜111の膜厚を測定しようとする場合、同図(b)に示すように、導電性薄膜111の一部を除去して開口112を形成し、導電性薄膜111表面に探針の先端を接触させ、開口112を横切るときに、導電性薄膜111表面と開口112底面の基板本体110表面との間の段差を探針によって感知し、導電性薄膜111の厚さを測定している(触針式膜厚測定方法)。
【0004】
この膜厚測定方法は、基板本体110等の歪みやそりに影響されない正確な値が得られるため、薄膜を成長させるプロセスや、薄膜をエッチングするプロセスの評価等に用いられている。
【0005】
しかしながら、上記の測定方法は煩雑である。しかも、製品となる半導体基板には開口を形成できないため、膜厚測定用の基板を別途用意し、製品と同じプロセスで導電性薄膜を形成し、その導電性薄膜の膜厚を測定することで、実際に形成される導電性薄膜の膜厚を推定する必要がある。従って、上記方法では、間接的な膜厚測定である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、測定対象の導電性薄膜を直接精度良く測定できる技術を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、請求項1記載の発明は、基準コイルと測定コイルが直列接続された回路と、2個の基準抵抗が直列接続された回路とが並列接続されたインダクタンスブリッジを用い、前記基準コイルよりも前記測定コイルに近接した位置に導電性薄膜を配置し、前記インダクタンスブリッジに交流電圧を印加して前記導電性薄膜中に渦電流を発生させ、前記インダクタンスブリッジの出力端子である接続中点間に現れた電圧を測定する第1の工程を有し、前記接続中点間に現れた電圧から、前記導電性薄膜の膜厚を求める膜厚測定方法であって、前記導電性薄膜を前記基準コイルと前記測定コイルに近づけない状態で前記インダクタンスブリッジに交流電圧を印加し、前記直列接続回路の前記接続中点間に現れる交流電圧を測定する第2の工程と、前記測定コイルと前記導電性薄膜との間の距離とを測定する距離測定工程と、を有し、予め、既知の異なる膜厚の基準用導電性薄膜を前記導電性薄膜として前記第1、第2の工程の測定結果の差と、前記距離測定工程との測定結果をデータベースとして記録し、測定対象物である測定用導電性薄膜を前記導電性薄膜として前記第1、第2の工程と前記距離測定工程とを行い、前記第1、第2の工程の測定結果の差と前記距離測定工程の測定結果を前記データベースに照合し、前記導電性薄膜の膜厚を求める膜厚測定方法である。
請求項2記載の発明は、前記第1の工程は、前記第2の工程を行った直前又は直後に行う請求項1記載の膜厚測定方法である。
請求項3記載の発明は、前記導電性薄膜の膜厚変化を検出する請求項1又は請求項2のいずれか1項記載の膜厚測定方法であって、前記第1の工程は、前記導電性薄膜の膜厚変化中に二回以上行う膜厚測定方法である。
【0008】
先ず、本発明の測定原理を説明する。図2の符号10は、Maxwellブリッジと呼ばれるインダクタンスブリッジを示している。
【0009】
このインダクタンスブリッジ10は、測定コイル11と、基準コイル12と、第1、第2の基準抵抗14、15を有している。
【0010】
測定コイル11と基準コイル12とは、接続中点23において互いに直列接続されており、また、第1、第2の基準抵抗14、15は、同様に、接続中点24において互いに直列接続されている。
【0011】
測定コイル11と基準コイル12の直列接続回路と、第1、第2の基準抵抗14、15の直列接続回路は、その両端の並列接続点21、22において互いに並列接続されている。
【0012】
測定コイル11のインダクタンス成分の大きさと基準コイル12のインダクタンス成分の大きさを等しくし、また、第1、第2の基準抵抗14、15の抵抗成分を等しくすると、インダクタンスブリッジ10のバランスがとれ、並列接続点21、22に交流電圧VDを印加しても、接続中点23、24の間に電圧は現われない。
【0013】
しかし、インダクタンスブリッジ10のバランスが取れていても、測定コイル11に基板5を近づけた場合、基板5の内部や、基板5の表面に形成されている導電性薄膜中に渦電流が生じるため、その渦電流の影響によって測定コイル11のインダクタンス成分の大きさが変化し、インダクタンスブリッジ10のバランスがくずれる。その結果、接続中点23、24の間に交流電圧VSが現れる。
【0014】
インダクタンスブリッジ10に印加する交流電圧VDを、
VD = VD0・exp(iωt)
で表した場合、接続中点23、24の間に現れる交流電圧VSは、
VS = VS0・exp(iωt+φ) =VS0・exp(iωt)・cos(φ) + i・VS0・exp(iωt)・sin(φ)
で表される。
【0015】
この接続中点23、24に現れる交流電圧VSのうち、印加した交流電圧VDに同期した位相の電圧と、90°ずれた位相の電圧とを求めると、その比から、渦電流の影響によって測定コイル11のインダクタンス成分が変化した大きさ、即ち、測定コイル11のインダクタンス成分の変化量ΔLが求められる。
【0016】
インダクタンス成分の変化量ΔLは、基板5中の渦電流損失に対応した値であり、交流電圧VDの周波数は既知であるから、基板5や基板5表面の導電性薄膜(例えば銅薄膜)の比抵抗が既知であれば、膜厚が求められる。
【0017】
一般に、基板5の本体が絶縁性基板であれば、導電性薄膜中にだけ渦電流が生じ、他方、基板5の本体が半導体基板であっても、導電性薄膜に比較して導電率が低く、半導体基板中に生じた渦電流は無視できるため、インダクタンス成分の変化量ΔLは、導電性薄膜中に生じた渦電流による影響と見てよい。
【0018】
但し、測定コイル11のインダクタンス成分の変化量ΔLは、導電性薄膜の材質の他、測定コイル11と基板5表面の導電性薄膜との距離Wによっても影響される。
【0019】
逆に、既知の膜厚Dを有する導電性薄膜に対し、距離Wと、インダクタンス成分の変化量ΔLとを測定し、それらを対応付けて記憶データとし、データベースを構成しておくと、未知の膜厚Dを有する基板を測定コイル11に近づけ、距離Wとインダクタンス成分の変化量ΔLを測定し、データベースに照合することで、未知の膜厚Dを求めることが可能になる。但し、データベースを作製したときの導電性薄膜と未知の膜厚Dの導電性薄膜の材質が同じである等、導電率が一定である場合である。
【0020】
実際には、予め、膜厚が異なる導電性薄膜を有する複数の基板を用意し、触針式の膜厚測定装置等で各基板の導電性薄膜の膜厚Dを測定しておき、距離Wを変えて、各基板に対するインダクタンス成分の変化量ΔLを測定し、膜厚D、距離W、変化量ΔLの測定値と共に記憶データとして記憶装置中に記憶しておくとデータベースが得られる。
【0021】
図4は、距離Wとインダクタンス成分の変化量ΔLの関係を説明するためのグラフであり、横軸は距離W、縦軸はインダクタンス成分の変化量ΔLである。
【0022】
グラフ中のプロットはデータベース中の記憶データの一例であり、導電性薄膜の膜厚Dが、435.5nm、752.3nm、949.8nm、1168.0nm、1851.7nmの基板を用い、距離Wを、200μm、250μm、300μm、350μm、400μmと変化させたときの、測定コイル11のインダクタンス成分の変化量ΔLの記憶データを示している。
【0023】
なお、インダクタンスブリッジ10に印加する交流電圧VDの大きさは、例えば数V程度、周波数は1MHz〜10MHz程度である。
【0024】
また、符号a1〜a5の曲線は、膜厚Dが異なる基板毎にデータベース中の記憶データを結んだ曲線である。このグラフから、インダクタンス成分の変化量ΔLは、距離Wと膜厚Dの関数(ΔL = f(W,D))になっていることが分かる。
【0025】
図5は、横軸にインダクタンス成分の変化量ΔL、縦軸に膜厚Dをとったグラフであり、符号b1〜b5は、図4のデータベース中で、距離Wが同じ記憶データ同士を3次スプライン補間して結んだ曲線である。
【0026】
ここでは、記憶データが存在する200μm、250μm、300μm、350μm、400μmの5本の曲線b1〜b5しか示されていないが、上記以外の大きさの任意の距離Wに対しても、上記測定結果を補間して3次スプライン曲線を得ることができる。
【0027】
従って、膜厚Dが未知の基板を測定コイル11に近づけ、距離Wとインダクタンス成分の変化量ΔLを測定すると、その測定結果とデータベース中の記憶データから、測定結果を通る3次スプライン曲線を得ることができる。
【0028】
この3次スプライン曲線に、測定したインダクタンス成分の変化量ΔLを与えると、未知の膜厚Dが求められる。
【0029】
距離Wと変化量ΔLを測定し、データベースに照合して膜厚Dを求めることができる導電性薄膜は、その導電率が、データベースを構成する記憶データを得たときの導電性薄膜と同じ値である必要がある。導電性薄膜には、銅薄膜、アルミニウム薄膜、合金薄膜等の種類があるが、測定対象の導電性薄膜の材質毎にデータベースを作製しておくとよい。
【0030】
以上説明したように本発明方法を用いれば、基板や測定コイル11を動かして距離Wを一定にする必要がないので、基板又は測定コイル11を上下方向に動かすための機構は不要であり、また、上下方向の移動時間が不要であるから、低コストで高速な測定が可能である。
【0031】
図8〜図10のグラフは、本発明方法と他の膜厚測定方法の測定精度を示すグラフである。
【0032】
図8のグラフは、シリコン基板の表面に形成した銅薄膜の膜厚分布を測定した例であり、横軸は、基板中心をゼロとした場合の基板中心から測定点までの距離を示しており、縦軸は、測定した膜厚を示している。
【0033】
符号d1は、基板又は測定コイル11を上下方向に動かし、銅薄膜と測定コイル11の間の距離Wを一定にし、インダクタンス成分の変化量ΔLを測定し、求めた膜厚Dを結んだ曲線であり(距離調整法)、符号d2は、四探針法によって抵抗値を測定し、膜厚Dに換算した結果を結んだ曲線であり、符号d3は、本発明方法によって求めた膜厚Dを結んだ線分である。
【0034】
本発明方法によれば、距離Wを一定にしなくても、精度良く求められていることが分かる。
【0035】
図9のグラフは、シリコン基板表面にスパッタリング法によって形成したシード層用の銅薄膜の面内膜厚分布を測定した結果である。符号e1は、銅薄膜と測定コイル11との間の距離Wを一定にしてインダクタンス成分の変化量ΔLを測定した場合の膜厚Dを結んだ曲線であり(距離調節法)、符号e2で示した2本の曲線は、本発明方法による2回の測定結果である。
【0036】
図10のグラフは、図9のグラフを求めたときに使用した基板の銅薄膜表面に、さらにメッキ法によって配線用の銅薄膜を積層させた場合の測定結果を示している。符号f1は、図9の曲線e1と同様に、距離Wを一定にした場合の測定結果を結んだ曲線であり、符号f2で示した2本の曲線は、本発明方法によって得られた膜厚分布である。
【0037】
以上のように、本発明方法は、距離Wを一定にした場合と同程度の精度が得られている。
【0038】
次に、インダクタンス成分の変化量ΔLの正確な求め方について説明する。
インダクタンス素子にはドリフト現象が存在することが知られており、インダクタンスブリッジ10がバランスし、接続中点23、24間に電圧が現れない状態を作っても、時間が経過するとバランスが崩れ、接続中点23、24に電圧が現れることが確認されている。
【0039】
ドリフト現象は、温度変化の影響であるとか、周囲の磁気の影響であるとか言われているが、その原因は未だはっきりつかめていないのが実状である。
【0040】
ドリフト現象の一例を図6に示す。
この図6の縦軸は、インダクタンスブリッジ10の接続中点23、24に現れる交流電圧から求めた測定コイル11のインダクタンス成分の大きさを示しており、横軸は時間を示している。
【0041】
符号c1は、測定コイル11に基板を近づけない状態で測定した場合の測定値を結んだ曲線であり(右側の縦軸の値)、符号c2は、一定の膜厚の導電性薄膜を有する基板を測定コイル11に近づけた場合の測定値を結んだ曲線である(左側の縦軸の値)。
【0042】
このように、基板の有無によらず、測定コイル11のインダクタンス成分の大きさが変化していることが分かる。
【0043】
測定コイル11のインダクタンス成分の真値をL0、時間変化によるドリフト量をLdrift、導電性薄膜に生じた渦電流の影響によるインダクタンス成分の変化量をΔLとすると、渦電流の影響が無いときの測定コイル11のインダクタンス成分の大きさL1と、渦電流の影響がある場合のインダクタンス成分の大きさL2は、
L1 = L0+Ldrift
L2 = L0+Ldrift+ΔL
となる。
【0044】
インダクタンスブリッジ10によって導電性薄膜の膜厚を測定する直前に、先ず、基板を測定コイル11に近づけない状態で接続中点23、24の間の交流電圧を測定すると、その電圧は、ドリフト量Ldriftの大きさを示しており、次いで、直ちに基板を測定コイル11に近づけ、接続中点23、24の間の交流電圧を測定すると、その交流電圧は、Ldrift+ΔLの大きさを示している。従って、この2回の測定値を引き算するとドリフト量Ldriftが消去され、変化量ΔLの大きさが求められる。
【0045】
この引き算は、接続中点23、24に現れる交流電圧の測定値を引き算した後、インダクタンス成分の変化量ΔLに換算してもよいし、測定結果を、それぞれドリフト量Ldriftと、ドリフト量Ldrift+変化量ΔLの和に換算した後、引き算して変化量ΔLを求めてもよい。
【0046】
以上のように、ドリフト量Ldriftを消去すると、正確な変化量ΔLが求められる。膜厚が未知の導電性薄膜を測定する場合に限らず、データベースを作製する際にもドリフト量Ldriftを消去し、正確な変化量ΔLを測定するとよい。
【0047】
【発明の実施の形態】
本発明方法を図面を用いて説明する。
【0048】
図1(a)の符号40は膜厚測定機構の収容室を示している。この収容室40内には、基板搬送ロボット41が配置されている。基板搬送ロボット41は、折り曲げ可能なアーム43と、アーム43の先端に取り付けられたハンド42とを有している。アーム43は、折り曲げ自在に構成されており、図示しないモータにより、アーム43の折り曲げを制御すると、アーム43が水平面内で伸縮するようになっている。このアーム43の伸縮により、ハンド42は水平面内で移動される。
【0049】
収容室40の天井には、膜厚センサー7と距離測定装置9とが取り付けられている。図1(b)は、アーム43を伸ばし、ハンド42を膜厚センサー7の下方位置に静止させた状態を示している。
【0050】
膜厚センサー7内には、図2に示したインダクタンスブリッジ10が内蔵されている。
インダクタンスブリッジ10は、上述したように、測定コイル11と、該測定コイル11に対して直列接続された基準コイル12と、互いに直列接続された第1、第2の基準抵抗14、15を有している。測定コイル11と基準コイル12の直列接続回路と、第1、第2の基準抵抗14、15の直列接続回路は、並列接続点21、22において互いに並列接続されて構成されている。
【0051】
収容室40の外部には、測定装置8が配置されている。
測定装置8内には、交流電圧源26と、測定回路27とが配置されており、並列接続点21、22は、交流電圧源26に接続され、交流電圧が印加されるように構成されている。
【0052】
測定コイル11と基準コイル12とが互いに接続された接続中点23と、第1、第2の基準抵抗14、15が互いに接続された接続中点24は、測定回路27に接続されており、インダクタンスブリッジ10に交流電圧が印加されたときに、接続中点23、24に現れる交流電圧は測定回路27によって測定されるように構成されている。
【0053】
測定コイル11と基準コイル12は、膜厚センサー7内で、図3に示すように、測定コイル11が下方に位置し、基準コイル12は測定コイル11よりも上方に位置するように配置されている。
【0054】
従って、膜厚センサー7の下方位置にハンド42を静止させた状態では、測定コイル11がハンド42に近接し、基準コイル12は、測定コイル11よりもハンド42から離れたところに位置するようになっている。
【0055】
その状態で、インダクタンスブリッジ10に交流電圧を印加すると、インダクタンスブリッジ10が予めバランスされている場合であっても、接続中点23、24の間に、ドリフト量Ldriftに応じた交流電圧が現れる。
このドリフト量Ldriftを測定回路8によって求め、記憶しておく。
【0056】
次に、図1(c)に示すように、基板5をハンド42上に乗せ、基板5を測定コイル11と距離測定装置9の真下位置に移動させ、静止させる。
【0057】
基板5は、シリコン等の半導体のウェハや、板状のガラス等から成る基板本体30と、該基板本体30表面に形成された導電性薄膜(例えば銅薄膜)31とを有している。
【0058】
この基板5は、導電性薄膜31を上側に向けた状態でハンド42上に配置されており、従って、測定コイル11は、基準コイル12よりも導電性薄膜31の近くに位置している。
【0059】
基板5には、反りや歪みがあるため、ハンド42と測定コイル11との距離が一定でも、基板5表面と距離測定装置9との間の距離Wは一定にならない。
【0060】
距離測定装置9は、レーザー光を測定対象物に照射し、反射光から測定対象物との間の距離を測定する装置である。基板5の導電性薄膜31表面にレーザ光を射出し、距離測定装置9と導電性薄膜31との間の距離を求め、距離測定装置9と測定コイル11の高さの差から、測定コイル11と導電性薄膜31との間の距離Wを求めることができる。
【0061】
導電性薄膜31と測定コイル11の間の距離Wは、基板5の面内でばらつくため、基板5を水平に移動させ、基板5の距離Wを測定した部分を測定コイル11の真下に位置させる。
【0062】
その状態でインダクタンスブリッジ10に交流電圧を印加し、導電性薄膜31中に渦電流を生じさせ、接続中点23、24間に現れた交流電圧を測定すると、測定コイル11のインダクタンス成分のドリフト量Ldriftと、渦電流の影響による測定コイル11のインダクタンス成分の変化量ΔLとを合計した値が求められる。
【0063】
ドリフト量Ldriftと変化量ΔLとを合計した値から、予め求めておいたドリフト量Ldriftを差し引くと、変化量ΔLが求められる。
【0064】
この変化量ΔLと、測定した距離Wとをデータベースに照合し、対応する三次スプライン曲線を求めると、その三次スプライン曲線から、導電性薄膜31の膜厚Dを正確に求めることができる。
【0065】
なお、このとき使用したデータベース中の記憶データは、先ず、渦電流の影響が無い状態で接続点23、24間の交流電圧を測定し、次いで、既知の膜厚Dの基板を用い、距離Wと接続点23、24間の交流電圧を測定し、ドリフト量Ldriftを消去し、正確な変化量ΔLを用いている。
【0066】
以上のように、本発明では、予め導電性薄膜31と測定コイル11との間の距離Wと、導電性薄膜31の膜厚Dと、インダクタンス成分の変化量ΔLとを測定し、データベースにしておいてあるので、距離Wと変化量ΔLを測定することで膜厚Dを求めることができる。
距離Wが一定であれば、変化量ΔLを測定するだけで、膜厚Dを求めることができる。
【0067】
なお、上記実施例では、渦電流の影響が無い状態でドリフト量Ldriftを測定した後、実際に測定対象物を測定コイル11に近づけ、ドリフト量Ldriftと変化量ΔLの和を測定したが、逆に、ドリフト量Ldriftと変化量ΔLの和を測定した後、渦電流の影響が無い状態でドリフト量Ldriftを測定し、ドリフト量Ldriftの値を消去してもよい。
【0068】
以上は、導電性薄膜31と測定コイル11との間の距離をレーザを用いて測定したが、本発明はそれに限定されるものではない。例えば、膜厚センサー7に電極を設け、その電極と導電性薄膜31との間に形成されるキャパシタンス成分を測定して測定コイル11と導電性薄膜31との間の距離Wを求めてもよい。
【0069】
キャパシタンス成分の測定によって距離を求める場合、距離を測定した部分と同じ部分を、基板5を動かさずに、膜厚センサー7によって膜厚測定できるため、距離Wを正確に求めることができる。
【0070】
要するに、本発明は、基板5と測定コイル11との間の距離が変動する場合は、実際の距離Wを求められればよく、その方法によって限定されるものではない。
【0071】
また、以上は、インダクタンス成分の変化量ΔLを測定する際に、測定対象物の基板5を基板搬送ロボット41のハンド42上に配置していたが、本発明の膜厚測定方法は、それに限定されるものではない。
【0072】
例えば、成膜装置やエッチング装置内に固定された台上に基板を配置し、導電性薄膜の成長途中や導電性薄膜のエッチング中に、導電性薄膜の膜厚を測定することができる。
【0073】
その例を説明すると、図7の符号50は真空処理装置である。ここでは、真空処理装置50の例として、スパッタリング装置が示されている。
【0074】
この真空処理装置50は、真空槽51を有しており、その底壁上には、台52が配置されている。台52の表面には穴60が設けられており、この穴60の内部に、上記の膜厚センサー7が配置されている。
【0075】
穴60内では、測定コイル11が台52の表面側の位置に配置され、他方、基準コイル12は測定コイル11の下方の位置に配置されている。
【0076】
膜厚センサー7内では、上記のインダクタンスブリッジ10が構成されており、そのインダクタンスブリッジ10は、真空槽51外に配置された膜厚測定装置8に接続されている。
【0077】
真空槽51の上部は、絶縁物54を介してカソード電極55が取り付けられており、カソード電極55の真空槽51の底面に向いた面には、導電性材料から成るターゲット56が配置されている。
【0078】
台52内には、静電吸着電極621、622が配置されており、台52上に導電性薄膜31をターゲット56側に向けて基板5を配置し、静電吸着電極621、622に正負の直流電圧を印加すると、基板5は台52の表面に静電吸着される。
【0079】
測定コイル11は、穴60内で、基板5とは非接触で近接した位置に固定されており、基板5が台52上に静電吸着された状態では、測定コイル11と導電性薄膜31との間の距離Wは、測定コイル11と基板5裏面(基板本体30表面)の距離に、基板本体30の厚みを加算した大きさになる。
【0080】
先ず、台52上に基板を配置しない状態でドリフト量Ldriftを測定し、次いで、直ちに既知の膜厚Dの導電性薄膜31を有する基板5を台52上に配置し(導電性薄膜31はターゲット56側に向けておく)、静電吸着した状態で、膜厚Dに対するインダクタンス成分の変化量ΔLを測定しておく。
【0081】
基板本体30の厚みは既知であるから、導電性薄膜31と測定コイル11との間の距離Wも既知であり、従って、距離Wを測定しなくても、膜厚Dとインダクタンス成分の変化量ΔLとの関係からデータベースが作製される。
【0082】
そして、実際の薄膜形成工程では、真空槽51内部を真空雰囲気にした状態で台52上に基板を配置する前に、ドリフト量Ldriftを測定し、次いで、真空雰囲気を維持しながら成膜対象の基板本体30を台52上に配置し、基板本体30を台52上に静電吸着した状態で真空槽51内にスパッタリングガスを導入し、ターゲット56をスパッタリングし、基板本体30表面に導電性薄膜31を成長させる。
【0083】
導電性薄膜31の成長途中で、インダクタンスブリッジ10に交流電圧を印加し、ドリフト量Ldriftと変化量ΔLの和を測定し、予め求めておいたドリフト量Ldriftを用いて変化量ΔLを算出する。基板本体30の厚みがデータベースを作製したときに用いた基板5の基板本体30の厚みと同じであれば、距離Wを測定する必要がなく、変化量ΔLとデータベース中の記憶データとから、成長途中の導電性薄膜31の膜厚Dを求めることができる。
【0084】
以上説明したように、真空処理装置50の台52中に膜厚センサー7を配置した場合には、成長途中の導電性薄膜31の膜厚Dを測定することができる。
【0085】
従って、繰り返し膜厚Dを測定しながら導電性薄膜31を成長させると、導電性薄膜31の膜厚Dが所定値に達したことを正確に検出することができる。そして、その時点でスパッタリングを終了させれば、膜厚精度のよい導電性薄膜31が得られる。
【0086】
なお、図7の符号61は加熱装置であり、スパッタリング中に基板5を加熱することもできる。この場合、実際に導電性薄膜を成長させるときの台52の温度と同じ温度でデータベースを作製しておくとよい。
【0087】
上記真空処理装置50はスパッタリング装置であったが、本発明はスパッタリング装置に限定されるものではなく、CVD装置、蒸着装置等の導電性薄膜を成長させる装置の他、エッチング装置等の導電性薄膜の膜厚を減少させる装置にも応用することができる。
【0088】
エッチング装置に応用した場合、導電性薄膜31のエッチング途中に膜厚Dを測定することができるので、終点検出が正確に行える。
【0089】
また、本発明は、真空雰囲気で処理を行う装置に限定されるものではない。即ち、真空雰囲気で膜厚測定を行うこともできるし、大気雰囲気や加圧雰囲気で成膜又はエッチングする装置に用いたり、また、大気圧下や加圧下で膜厚測定を行うこともできる。
【0090】
なお、本発明によって測定できる導電性薄膜は、基板5の表面に露出しているものに限定されるものではない。例えば、基板本体30の表面に形成された導電性薄膜31の表面に、更に絶縁性薄膜が形成されている場合であっても測定することができる。この場合は、導電性薄膜31と測定コイル11との距離Wを直接測定してもよいし、導電性薄膜表面の絶縁性薄膜と測定コイル11との間の距離を測定し、絶縁性薄膜の膜厚を差し引いて、間接的に導電性薄膜31と測定コイル11との間の距離Wを求めてもよい。
【0091】
また、上記例では、データベース中の記憶データと測定結果を用い、3次スプライン補間して膜厚Dを求めたが、補間法はそれに限定されるものではなく、他の近似曲線を用いてもよい。要するに、データベース中に記憶されていない値の距離Wや変化量ΔLと、記録データとから、精度良く未知の膜厚Dを求められる補間法であればよい。
【0092】
【発明の効果】
本発明方法によれば、インダクタンス成分のドリフト量Ldriftの影響を消去できるので、正確な膜厚測定を行うことができる。
また、予め作製しておいたデータベースに照合し、近似曲線から膜厚Dを求められるので、距離Wが変動する場合であっても、基板又は測定コイルを動かして距離Wを一定にする必要がない。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)〜(c):本発明方法の手順を説明するための図
【図2】本発明方法の測定原理を説明するための図
【図3】測定コイルと基準コイルの相対的な位置関係を説明するための図
【図4】データベースを構成する測定値を、距離Wに対してインダクタンス成分の変化量ΔLをプロットしたグラフ
【図5】同じ測定値の膜厚Dをインダクタンス成分の変化量ΔLに対して関係付けたグラフ
【図6】インダクタンス成分の値の経時変化を説明するためのグラフ
【図7】本発明方法を用いることができる真空処理装置の一例
【図8】基板面内の膜厚分布を測定した例(1)
【図9】基板面内の膜厚分布を測定した例(2)
【図10】基板面内の膜厚分布を測定した例(3)
【図11】触針式膜厚計による膜厚測定方法を説明するための図
【符号の説明】
10……インダクタンスブリッジ
11……測定コイル
12……基準コイル
14、15……基準抵抗
31……導電性薄膜
Claims (3)
- 基準コイルと測定コイルが直列接続された回路と、2個の基準抵抗が直列接続された回路とが並列接続されたインダクタンスブリッジを用い、
前記基準コイルよりも前記測定コイルに近接した位置に導電性薄膜を配置し、前記インダクタンスブリッジに交流電圧を印加して前記導電性薄膜中に渦電流を発生させ、前記インダクタンスブリッジの出力端子である接続中点間に現れた電圧を測定する第1の工程を有し、
前記接続中点間に現れた電圧から、前記導電性薄膜の膜厚を求める膜厚測定方法であって、
前記導電性薄膜を前記基準コイルと前記測定コイルに近づけない状態で前記インダクタンスブリッジに交流電圧を印加し、前記直列接続回路の前記接続中点間に現れる交流電圧を測定する第2の工程と、
前記測定コイルと前記導電性薄膜との間の距離とを測定する距離測定工程と、
を有し、
予め、既知の異なる膜厚の基準用導電性薄膜を前記導電性薄膜として前記第1、第2の工程の測定結果の差と、前記距離測定工程との測定結果をデータベースとして記録し、
測定対象物である測定用導電性薄膜を前記導電性薄膜として前記第1、第2の工程と前記距離測定工程とを行い、前記第1、第2の工程の測定結果の差と前記距離測定工程の測定結果を前記データベースに照合し、
前記導電性薄膜の膜厚を求める膜厚測定方法。 - 前記第1の工程は、前記第2の工程を行った直前又は直後に行う請求項1記載の膜厚測定方法。
- 前記導電性薄膜の膜厚変化を検出する請求項1又は請求項2のいずれか1項記載の膜厚測定方法であって、前記第1の工程は、前記導電性薄膜の膜厚変化中に二回以上行う膜厚測定方法。
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