JP6050486B2 - フィルタ素子および通信装置 - Google Patents
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Description
本発明は、弾性波素子、フィルタ素子および通信装置に関するものである。
圧電基板と、圧電基板の主面上に配置された励振電極とを有する弾性波素子が知られている。このような弾性波素子は、例えば、分波器の受信フィルタ(Rxフィルタ)または送信フィルタ(Txフィルタ)に利用されている。
ここで分波器のうちTx帯とRx帯との間隔が狭い場合は、環境温度(−30℃〜+85℃)の変化によって周波数が移動してしまうことから、Tx帯およびRx帯に求められる透過特性および減衰特性を満たすことが難しかった。これを解決する技術として、温度補償された圧電基板を用いる技術がある(特開2007−214902号公報等を参照)。
ところで、このようなTx帯およびRx帯の間隔が狭い分波器においては、環境温度の変化による周波数移動への対応に加えて、フィルタ特性には高い急峻性が求められている。
本発明はかかる実情に鑑みてなされたものであって、その目的は、フィルタ特性を向上させることが可能な弾性波素子、それを有するフィルタ素子およびそれらを備えた通信装置を提供することにある。
本発明の一実施形態に係る弾性波素子は、圧電基板と、該圧電基板の上面に配置された、弾性波を励起するIDT電極とを備え、該IDT電極は、前記弾性波の伝搬方向に交差する方向において互いに対向する第1バスバーおよび第2バスバーと、前記第1バスバーから前記第2バスバー側へ延びた複数の第1電極指と、前記第2バスバーから前記第1バスバー側へ延びた、前記複数の第1電極指に前記伝搬方向において隣接する部分を有する複数の第2電極指とを有しており、前記IDT電極における複数の前記第1電極指の前記第2バスバー側の先端部分を結ぶ第1仮想線と、前記IDT電極における複数の前記第2電極指の前記第1バスバー側の先端部分を結ぶ第2仮想線とが、前記第1仮想線と前記伝搬方向とのなす角度を第1傾斜角度θAとし、前記第2仮想線と前記伝搬方向とのなす角度を第2傾斜角度θBとしたとき、2°<θA≦10°、2°<θB≦10°の範囲にある。
本発明の一実施形態に係るフィルタ素子は、上述の弾性波素子と、前記圧電基板上に配置された、前記弾性波素子に直列に接続された直列共振子と、前記弾性波素子に並列に接続された並列共振子とを有する。
本発明の一実施形態に係る通信装置は、アンテナと、該アンテナに電気的に接続された上述のフィルタ素子と、該フィルタ素子に電気的に接続されたRF−ICとを備える。
本発明の弾性波素子およびこれを備えるフィルタ素子によれば、挿入損失の低減または通過帯域の急峻性の向上を図ることができ、フィルタ特性を向上させることができる。
また、これら弾性波素子、フィルタ素子を備えた通信装置によれば、それら素子のフィルタ特性の向上によって良好な通信を行なうことができる。
以下、本発明の実施形態に係る弾性波(SAW:Surface Acoustic Wave)素子について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。
弾性波素子(以下、SAW素子ともいう)は、いずれの方向が上方または下方とされてもよいものであるが、以下では、便宜的に、直交座標系xyzを定義するとともに、z方向の正側を上方として、上面、下面等の用語を用いるものとする。
(SAW素子の構成の概要)
図1は、本発明の一実施形態に係るSAW素子1の構成を示す平面図である。図2は図1のIc−Ic線における断面図である。
図1は、本発明の一実施形態に係るSAW素子1の構成を示す平面図である。図2は図1のIc−Ic線における断面図である。
SAW素子1は、図1に示すように、基板3と、基板3の上面3aに設けられた励振(IDT:InterDigital Transducer)電極5および反射器7とを有している。また、SAW素子1は、この他にも、上面3aを覆う保護層や、IDT電極5に信号の入出力を行なうための配線等を有していてもよい。
基板3は、タンタル酸リチウム(LiTaO3)結晶からなる圧電性を有する単結晶の基板によって構成されている。より具体的には、基板3は、36°〜48°Y−XカットのLiTaO3によって構成されている。基板3の平面形状および各種寸法は適宜に設定されてよい。一例として、基板3の厚み(z方向)は、例えば0.2mm以上0.7mm以下である。
IDT電極5は、図1に示すように、第1櫛歯電極13Aおよび第2櫛歯電極13Bからなる一対の櫛歯電極13で構成されている。なお、以下では、第1櫛歯電極13Aおよび第2櫛歯電極13Bを単に櫛歯電極13といい、これらを区別しないことがある。また、第1櫛歯電極13Aに係る構成等については、「第1バスバー21A」等のように、「第1」および「A」を付すことがあり、第2櫛歯電極13Bに係る構成等については、「第2バスバー21B」等のように、「第2」および「B」を付すことがある。また、これら「第1」、「第2」、「A」、および「B」を省略することがある。
櫛歯電極13は、図1に示すように、互いに対向する2本のバスバー21と、各バスバー21から他のバスバー21側へ延びる複数の電極指23と、複数の電極指23の間において各バスバー21から他のバスバー21側へ延びる複数のダミー電極指25とを有している。そして、1対の櫛歯電極13は、複数の電極指23が互いに交差するように(噛み合うように)配置されている。なお、ダミー電極指25は配置されていなくてもよい。
弾性波は、複数の電極指23に直交する方向に伝搬する。従って、基板3の結晶方位を考慮した上で、2本のバスバー21は、弾性波を伝搬させたい方向に交差する方向において互いに対向するように配置され、複数の電極指23は、弾性波を伝搬させたい方向に対して直交する方向に延びるように形成される。
なお、弾性波の伝搬方向は複数の電極指23の向き等によって設定されるが、本実施形態では便宜的に、弾性波の伝搬方向を基準として複数の電極指23の向き等を説明することがある。
また、直交座標系xyzは、x軸が電極指23に直交し(弾性波の伝搬方向に平行であり)、y軸が電極指23に平行であり、z軸がIDT電極5に直交するように定義されているものとする。すなわち、直交座標系xyzは、基板3の外形ではなく、IDT電極5(弾性波の伝搬方向)を基準として定義されているものとする。
バスバー21は、例えば、概ね一定の幅で直線状に延びる長尺状に形成されており、弾性波の伝搬方向(x方向)に対して傾斜している。従って、バスバー21の互いに対向する側の縁部21aは直線状であり、また、弾性波の伝搬方向に対して傾斜している。バスバー21(縁部21a)の傾斜角度は、例えば2本のバスバー21間において互いに同一である。なお、バスバー21は配線と一体的に形成されていてもよい。なお、バスバー21は、弾性波の伝搬方向に対して傾斜していなくてもよい。
複数の電極指23は、概ね一定の幅で直線状に延びる長尺状に形成されており、弾性波の伝搬方向に概ね一定の間隔で配列されている。一対の櫛歯電極13の複数の電極指23は、図2に示すように、隣接する電極指23の中心間間隔の繰り返し間隔であるピッチPtが、例えば、共振させたい周波数での弾性波の波長λの半波長と同等となるように設けられている。なお、ピッチPtの繰り返し間隔としては、隣接する電極指23の同じ側の端から端までの間隔を用いてもよい。また複数の電極指23のピッチPtとして、隣接する2本の電極指23の中心間間隔の平均値を用いることができる。
波長λ(2Pt)は、例えば、1.5μm以上6μm以下に設定される。各電極指23の幅w1は、SAW素子1に要求される電気特性等に応じて適宜に設定され、例えば、ピッチPtに対して0.3Pt以上0.7Pt以下に設定される。第1電極指23Aおよび第2電極指23Bの交差幅(噛み合いの深さ)は、例えば10λ以上70λ以下に設定される。
複数の電極指23の長さは、概ね同一となるように設定される。また、上述のように、2本のバスバー21の縁部21a(電極指23の根元位置)は、弾性波の伝搬方向に傾斜しており、互いに平行な直線状である。従って、複数の第1電極指23Aの第2バスバー21B側の先端部分を結ぶ第1仮想線L1および複数の第2電極指23Bの第1バスバー21A側の先端部分を直線で結ぶ第2仮想線L2が、弾性波の伝搬方向に対して、同じ方向に傾斜している。
ここで第1仮想線L1は、複数の第1電極指23Aの先端部分を結んだ線であればよく、理想的には直線で引かれるものである。第1電極指23Aの先端部分の位置がばらついている場合には、端部に位置する第1電極指23Aの先端部分同士を繋いだ理想の直線を第1仮想線L1とすればよい。第1仮想線L1が引かれる第1電極指23Aの先端部分は、第2バスバー21Bに対向する辺全体を指すものである。
本実施形態のように第1電極指23Aが矩形状で形成されている場合には、第2バスバー21Bに対向する第1電極指23Aの辺を第1仮想線L1が通ればよい。なお、第1仮想線L1は、後述する第1ギャップ24Aと重なるように定義してもよい。第2仮想線L2も前述した第1仮想線L1の定義と同様である。
弾性波の伝搬方向に対する第1仮想線L1の傾斜角度θAと、弾性波の伝搬方向に対する第2仮想線L2の傾斜角度θBとは、例えば互いに同一となるように設定される。傾斜角度θの好ましい範囲については後述する。なお、傾斜角度θは、隣接する2つの電極指23の先端部分毎に定義もしくは測定される。また、傾斜角度θAおよび傾斜角度θBは大きさが異なっていてもよい。
複数のダミー電極指25は、例えば、概ね一定の幅で直線状に延びる長尺状に形成されている。第1ダミー電極指25Aは、第1バスバー21Aから第2電極指23B側に延びている。第2ダミー電極指25Bも第1ダミー電極指25Aと同様に、第2バスバー21Bから第1電極指23A側に延びている。複数のダミー電極指25は、x軸方向において、電極指23の間に配置されている(第1ダミー電極指25Aであれば第1電極指23Aの間に配置されている)。
そして、ダミー電極指25は、一方の櫛歯電極13のダミー電極指25の先端が、他方の櫛歯電極13の電極指23の先端とギャップ24を介して対向している。ダミー電極指25の幅(x方向)は、電極指23の幅と異なっていてもよいが、例えば電極指23の幅と同等に設定される。複数のダミー電極指25の長さ(y方向)は、例えば互いに同一である。ここで、第1バスバー21A側のギャップ24は第1ギャップ24Aといい、第2バスバー21B側のギャップ24は第2ギャップ24Bという。
ギャップ長G(ギャップ24のy方向の長さ)は、例えば、複数のギャップ長G間において互いに同一である。ギャップ長Gは、例えば0.10μm以上1.00μm以下である。また、弾性波の波長をλとするとギャップ長Gは、例えば0.1λ以上0.6λ以下である。
IDT電極5は、例えば金属材料によって形成されている。この金属材料としては、例えば、AlまたはAlを主成分とする合金(Al合金)が挙げられる。Al合金は、例えばAl−Cu合金である。なお、IDT電極5は、複数の金属層から構成されてもよい。IDT電極5の各種寸法は、SAW素子1に要求される電気特性等に応じて適宜に設定される。一例として、IDT電極5の厚み(z方向)は、例えば50nm以上400nm以下である。
IDT電極5は、基板3の上面3aに直接配置されていてもよいし、別の部材を介して基板3の上面3aに配置されていてもよい。別の部材としては、例えばTi、Cr、またはこれらの合金等を用いることができる。IDT電極5を別の部材を介して基板3の上面3aに配置する場合は、別の部材の厚みはIDT電極5の電気特性に殆ど影響を与えない程度の厚み(例えば、Tiの場合はIDT電極5の厚みの5%の厚み)に設定される。
IDT電極5によって基板3に電圧が印加されると、基板3の上面3a付近において上面3aに沿ってx方向に伝搬する弾性波が励起される。また、弾性波は、電極指23と電極指23の非配置領域(隣接する電極指23間の長尺状の領域)との境界において反射する。そして、電極指23のピッチPtを半波長とする定在波が形成される。定在波は、当該定在波と同一周波数の電気信号に変換され、電極指23によって取り出される。このようにして、SAW素子1は、共振子もしくはフィルタとして機能する。
反射器7は、格子状に形成されている。すなわち、反射器7は、弾性波の伝搬方向に交差する方向において互いに対向する反射器バスバー27と、これらバスバー27間において弾性波の伝搬方向に直交する方向に延びる複数の反射器電極指29とを有している。
反射器バスバー27は、例えば、概ね一定の幅で直線状に延びる長尺状に形成されており、弾性波の伝搬方向に平行に配置されている。2本の反射器バスバー27間の距離は、例えばIDT電極5の2本のバスバー21間の距離と概ね同一である。また、例えば図3に示すように、反射器バスバー27は、弾性波の伝搬方向に対して、例えばバスバー21(縁部21a)の傾斜角度と同じように傾斜していてもよい。バスバー21と反射器バスバー27とを同じ傾斜角度とすることで、基板3の上面3aにSAW素子1を複数設置する際に省スペースで配置することが可能となる。そのため、小型化に寄与することができ、設計の自由度を向上させることができる。
また、複数の反射器電極指29は、概ね一定の幅で直線状に延びる長尺状に形成されており、IDT電極5の電極指23と概ね同等のピッチPtで配列されている。反射器電極指29の幅は、例えば電極指23の幅と概ね同等である。反射器7は、例えば、IDT電極5と同一の材料によって形成されるとともに、IDT電極5と同等の厚みに形成されている。
保護層11は、例えば、IDT電極5および反射器7を覆うとともに、上面3aのうちIDT電極5および反射器7から露出する部分を覆っている。保護層11の厚みは、例えば1nm以上50nm以下に設定される。
保護層11は、絶縁性を有する材料からなり、腐食等からIDT電極5を保護することに寄与する。保護層11は、SiO2などの材料によって形成されており、IDT電極5をSiO2で埋め込むことにより、SAW素子1の温度の変化による電気特性への影響を低減することができる。
図4(a)および(b)は、傾斜角度θが0°のSAW素子のインピーダンス特性を示しているグラフである。横軸は周波数fを示している。図4(a)において、縦軸はインピーダンスの絶対値|Z|を示し、図4(b)において、縦軸はインピーダンスZの位相αを示している。なお、この傾斜角度θが0°のSAW素子の構成は、後述する比較例のSAW素子と同じである。
図4(a)に示すように、SAW素子1においては、インピーダンスの絶対値|Z|が極小になる共振点と、インピーダンスの絶対値|Z|が極大となる***振点とが現れる。また、図4(b)に示されるように、共振点と***振点との間においては、インピーダンスの位相αが最大位相αmaxとなる。
次に、本実施形態のSAW素子1の効果を確かめるために、傾斜角度θが異なる複数のSAW素子(比較例および実施例のSAW素子)を作製し、測定を行なった。なお、傾斜角度θAおよび傾斜角度θBは便宜上同一となるように設定した。比較例は傾斜角度θが0°のSAW素子であり、実施例は傾斜角度θが2°以上22°以下まで2°間隔で異なるものを作製した11個のSAW素子1である。
図5は、基板3に42°YX−LiTaO3、44°YX−LiTaO3および46°YX−LiTaO3を用い、SAW素子1の傾斜角度θを変化させたときのΔfの実測結果を示すグラフである。ここでΔfとは、図4(a)に示す通り、SAW素子1の共振点から***振点までの間隔を指すものである。横軸は傾斜角度θ(°)を示し、縦軸はΔf(MHz)を示している。
比較例および実施例に共通する条件を以下に示す。
IDT電極5・反射器7:
材料:Al−Cu合金
(ただし、基板3と導電層15との間には6nmのTiからなる下地層あり。)
厚さe(Al−Cu合金層):154nm
保護層11:
材料:SiO2
厚さT:15nm
IDT電極の電極指:
ピッチPt(第1電極指23Aと第2電極指23Bとの中心間間隔):1.06μm
Duty(w1/Pt):0.5
本数:300本
交差幅W:42.4μm
ダミー電極指の長さ:4.24μm
反射器の電極指の本数:30本
材料:Al−Cu合金
(ただし、基板3と導電層15との間には6nmのTiからなる下地層あり。)
厚さe(Al−Cu合金層):154nm
保護層11:
材料:SiO2
厚さT:15nm
IDT電極の電極指:
ピッチPt(第1電極指23Aと第2電極指23Bとの中心間間隔):1.06μm
Duty(w1/Pt):0.5
本数:300本
交差幅W:42.4μm
ダミー電極指の長さ:4.24μm
反射器の電極指の本数:30本
図5の結果から、傾斜角度θを2°よりも大きくすると、傾斜角度が0°のときと比較して、Δfを小さくできることが分かった。すなわち、第1傾斜角度θAおよび第2傾斜角度θBを2°よりも大きく設定し、第1および第2仮想線L1、L2に沿って並ぶように電極指の先端部分を配置することによって、Δfを小さくすることができる。その結果、フィルタ特性の急峻性を高くできるSAW素子が得られる。
このように第1仮想線L1および第2仮想線L2を弾性波の伝搬方向に対して同じ方向に傾斜させることにより、複数の電極指23の交差範囲(交差幅W(図1))のばらつきを少なくすることができ、高い電力を印加したときの耐久性能を向上させることができる。
(傾斜角度θの好ましい範囲)
図6は、基板3に42°YX−LiTaO3、44°YX−LiTaO3および46°YX−LiTaO3を用い、SAW素子1の傾斜角度θを変化させたときの、インピーダンスの位相αの最大位相αmaxの実測結果を示す図である。横軸は傾斜角度θ(°)を示し、縦軸はαmax(°)を示している。3種類の基板3の全てにおいて、θ=0°からθ=10°まで傾斜角度θを大きくしていくと、最大位相αmaxを大きくすることができ、伝搬損失を小さくすることができる。
図6は、基板3に42°YX−LiTaO3、44°YX−LiTaO3および46°YX−LiTaO3を用い、SAW素子1の傾斜角度θを変化させたときの、インピーダンスの位相αの最大位相αmaxの実測結果を示す図である。横軸は傾斜角度θ(°)を示し、縦軸はαmax(°)を示している。3種類の基板3の全てにおいて、θ=0°からθ=10°まで傾斜角度θを大きくしていくと、最大位相αmaxを大きくすることができ、伝搬損失を小さくすることができる。
図7(a)〜(d)は、基板3に46°YX−LiTaO3を用いた、傾斜角度θが0°と6°のSAW素子1のインピーダンス特性を示しているグラフである。図7中の点線は傾斜角度θが0°のSAW素子、実線は傾斜角度θが6°のSAW素子を示している。横軸は周波数fを示している。図7(a)において、縦軸はインピーダンスの絶対値|Z|を示し、図7(b)において、縦軸はインピーダンスZの位相αを示している。図7(c)は、図7(b)の点線で囲んだ部分を拡大した図である。図7(d)は、図7(b)の一点鎖線で囲んだ部分を拡大した図である。
この結果から、傾斜角度θが0°よりも傾斜角度θが6°の方が、最大位相αmaxが大きくなっていることが分かる。さらに、共振周波数から、共振周波数frと***振周波数faとのおおよそ中間周波数fmまでの周波数帯域wf1において、傾斜角度θが0°よりも傾斜角度θが6°の方が、位相が全体的に大きいことが分かる。つまり、周波数帯域wf1内では、傾斜角度θが0°よりも傾斜角度θが6°の方が、伝搬損失が小さいことを示している。
以上の通り、傾斜角度θを2°よりも大きくした場合には、Δfを小さくすることができるため、フィルタ特性の急峻性を向上することができる。また、傾斜角度θを10°以下にした場合には、最大位相αmaxを大きくすることができるため伝搬損失を小さくすることができる。すなわち、LiTaO3からなる基板3において、IDT電極5の電極指23を傾斜させることにより、急峻性を高くし、伝搬損失を低減することができる。
また、傾斜角度θを2°<θ≦10°とすることにより、Δfを小さくするとともに最大位相αmaxを大きくすることができる。その結果、フィルタ特性の急峻性を高くできるとともに、周波数帯域wf1内では伝搬損失が低減されたSAW素子を得ることができる。
(SAW素子の変形例1)
図8は、本発明の一実施形態の変形例に係るSAW素子1の要部を示す断面図である。本変形例のSAW素子1は、貼り合わせ基板300を用いている点で上述の実施形態と相違する。
図8は、本発明の一実施形態の変形例に係るSAW素子1の要部を示す断面図である。本変形例のSAW素子1は、貼り合わせ基板300を用いている点で上述の実施形態と相違する。
SAW素子1は、貼り合わせ基板300と、貼り合わせ基板300の上面300aに配置された、図1と同様のIDT電極5および反射器7とを有している。貼り合わせ基板300は、基板30と、基板30の下面30bに貼り合わされた支持基板10とを有している。
基板30は、タンタル酸リチウム(LiTaO3)単結晶等の圧電性を有する基板によって構成されている。より好適には、基板30は、36°〜48°Y−XカットのLiTaO3によって構成されている。
支持基板10は、基板30のIDT電極が形成される面(300a)に対向する面(30b)に、LiTaO3基板の熱膨張係数よりも小さい熱膨張係数を有する支持基板10が、直接または接着層を介して備え付けられている。本変形例は、接着面をプラズマなどで活性化処理した後に接着層無しに貼り合わせる、いわゆる直接接合によって貼り合わされている。なお、熱膨張係数としては、材料の線膨張係数等を用いることができる。
支持基板10は、基板3の材料よりも熱膨張係数が小さい材料によって構成されていることによって、SAW素子1の電気特性の温度変化を補償することができる。このような材料としては、例えば、サファイア等の結晶材料、多結晶または単結晶のシリコン等の半導体材料および酸化アルミニウム質焼結体等のセラミック材料を挙げることができる。なお、支持基板10は、互いに異なる材料からなる複数の層が積層されて構成されていてもよい。
基板30の厚みは、例えば一定であり、その大きさはSAW素子1が適用される技術分野やSAW素子1に要求される仕様等に応じて適宜に設定されてよい。一例として、基板30の厚みは、例えば2μm以上30μm以下である。圧電基板3の平面形状および各種寸法も適宜に設定されてよい。
支持基板10の厚みは、基板30の厚みと同様に適宜に設定されてよい。ただし、支持基板10の厚みは、温度補償が好適に行なわれるように、基板30の厚みを考慮して設定される。一例として、基板30の厚みが2μm以上30μm以下であるのに対して、支持基板10の厚みは100μm以上300μm以下である。支持基板10の平面形状および各種寸法は、例えば基板30と同等である。
基板30および支持基板10は、例えば、不図示の接着層を介して互いに貼り合わされていてもよい。接着層の材料は、有機材料であってもよいし、無機材料であってもよい。有機材料としては、例えば熱硬化性樹脂等の樹脂が挙げられる。無機材料としては、例えばSiO2が挙げられる。接着層の材料として、バルク波を支持基板10よりも反射しにくい材料を用いてもよい。その場合はバルク波の影響を低減することができる。
傾斜角度θが異なる複数のSAW素子(比較例および実施例のSAW素子)を作製し、測定を行なった。なお、傾斜角度θAと傾斜角度θBとは同一となるように設定している。比較例は、傾斜角度θが0°のSAW素子であり、実施例は、傾斜角度θが2°〜22°まで2°間隔で異ならせたものを作製した11個のSAW素子である。
図9は、基板30に42°YX−LiTaO3および46°YX−LiTaO3を用い、SAW素子1の傾斜角度θを変化させたときのΔfの実測結果を示すグラフである。横軸は傾斜角度θ(°)を示し、縦軸はΔf(MHz)を示している。
IDT電極5および反射器7など、基板30の上面300a上の構成は、上述の実施形態と同様である。本変形例の要部である貼り合わせ基板300の条件を以下に示す。
貼り合わせ基板300:
基板3 種類:42°YX−LiTaO3および46°YX−LiTaO3
厚み:20μm
支持基板10 種類:シリコン
厚み:230μm
貼り合わせ方式:直接接合
基板3 種類:42°YX−LiTaO3および46°YX−LiTaO3
厚み:20μm
支持基板10 種類:シリコン
厚み:230μm
貼り合わせ方式:直接接合
図9示す測定結果によれば、傾斜角度θを大きくしていくと、Δfが小さくなっていることが分かる。すなわち、第1傾斜角度θAおよび第2傾斜角度θBの傾斜角度を0°よりも大きく設定し、第1、第2仮想線L1、L2に沿って並ぶように電極指の先端部分を配置することによって、Δfを小さくすることができる。その結果、SAW素子1は、フィルタ特性の急峻性を向上することができる。なお、上述の実施形態のSAW素子1の図5に比較して、傾斜角度θに対するΔfの変化が滑らかではないが、本変形例では、バルク波によるスプリアスがインピーダンス特性上に影響を与えているためであると考えられる。
また図10は、基板30に42°YX−LiTaO3および46°YX−LiTaO3を用い、本変形例のSAW素子1の傾斜角度θを変化させたときの、インピーダンスの位相αの最大位相αmaxの実測結果を示す図である。横軸は傾斜角度θ(°)を示し、縦軸はαmax(°)を示している。
カット角が異なる2種類の貼り合わせ基板300の全てにおいて、傾斜角度θ=0°から傾斜角度θ=10°までは、傾斜角度θを大きくしていくと最大位相αmaxの低下を抑制することができる。
上述の実施形態では、傾斜角度θ=0°から傾斜角度θ=10°まで大きくしていくと、最大位相αmaxが大きくなる傾向にあった。しかし、本変形例のSAW素子1では貼り合わせ基板を用いているため、基板30をコア、支持基板10をクラッドと見立てた導波路になり、ある特定の周波数以外の周波数帯は、基板30内での弾性波伝搬の禁止帯となると考えられる。
したがって、ある特定の周波数以外の周波数帯では、基板30内部へは弾性波が漏洩しにくくなり、弾性波の基板30内への漏洩による伝搬損失は小さくなる。したがって、本変形例のSAW素子1では、傾斜角度θ=0°のときから伝搬損失が小さく、傾斜角度θ=0°から傾斜角度θ=10°まで傾斜角度を大きくしても最大位相αmaxが大きくなりにくく、変化が少ない結果になると考えられる。なお、前述した特定の周波数では、基板30内を弾性波が伝搬し、スプリアス特性としてインピーダンス特性上にその影響が現れる。
図11(a)〜(d)は、基板30に46°YX−LiTaO3を用いた、傾斜角度θが0°と6°に設定されたSAW素子1のインピーダンス特性を示しているグラフである。図11中の点線は傾斜角度θが0°のSAW素子、実線は傾斜角度θが6°のSAW素子をそれぞれ示している。横軸は周波数fを示している。
図11(a)において、縦軸はインピーダンスの絶対値|Z|を示し、図11(b)において、縦軸はインピーダンスZの位相αを示している。図11(c)は、図11(b)の点線で囲んだ部分を拡大したグラフである。図11(d)は、図11(b)の一点鎖線で囲んだ部分を拡大したグラフである。
傾斜角度θが0°の場合には、図11(d)中のs1で、あるいは図11(c)中のs2で示すある特定の周波数において、インピーダンス特性上にスプリアスが発生しているのが分かる。これが、貼り合わせ基板を用いるときに発生するスプリアスである。これは基板30の厚みなどが要因で発生する現象であり、この特定の周波数またはスプリアス同士の間隔が変化する。
この結果から、傾斜角度θが0°の場合と比較して、傾斜角度θが6°の場合にスプリアスが低減しているのが分かる。すなわち、複数の第1電極指23Aの先端部分を結ぶ第1仮想線L1と、複数の第2電極指23Bの先端部分を結ぶ第2仮想線L2とを、弾性波の伝搬方向に対して傾斜させることにより、Δfを小さくすることができ、フィルタ特性の急峻性を向上させることができる。加えて、このような構成によれば、貼り合わせ基板300内に発生するバルク波のスプリアスを低減する効果が得られる。
また、第1仮想線L1および第2仮想線L2を弾性波の伝搬方向に対して同じ方向に傾斜させることにより、複数の電極指23の交差範囲(交差幅W(図1))のばらつきを抑制することができ、高い電力を印加したときの耐久性能を向上させることができる。
共振周波数から、共振周波数frと***振周波数faとのおおよそ中間周波数fmまでの周波数帯域wf1において、例えば傾斜角度θが0°よりも傾斜角度θが6°の方が、伝搬損失が小さくなる現象や、***振周波数faよりも高い周波数付近からストップバンド端周波数fb(図示しない)までの周波数帯域wf2(図示しない)内では伝搬損失が大きくなる現象については、上述の実施形態と同様である。
(傾斜角度θの好ましい範囲)
図12は、基板30に46°YX−LiTaO3を用いた、傾斜角度θが0°と2°のSAW素子1のインピーダンス特性を示しているグラフである。なお、横軸は周波数fを示している。縦軸はインピーダンスZの位相αを示している。点線は傾斜角度θが0°のSAW素子、実線は傾斜角度θが2°のSAW素子を示している。
図12は、基板30に46°YX−LiTaO3を用いた、傾斜角度θが0°と2°のSAW素子1のインピーダンス特性を示しているグラフである。なお、横軸は周波数fを示している。縦軸はインピーダンスZの位相αを示している。点線は傾斜角度θが0°のSAW素子、実線は傾斜角度θが2°のSAW素子を示している。
この結果から、傾斜角度θを2°に設定している場合には、図12に示すように、s2の部分で示す周波数領域で発生しているスプリアスを大きく低減できることが分かる。また、図12に示すように、傾斜角度θが0°の場合ではtの部分に貼り合わせ基板特有の位相の凹みが発生しているが、傾斜角度θを2°にすることでこの凹みを大きく低減できることが分かる。
以上のとおり、傾斜角度θを大きくすることによりΔfを小さくすることができるため、フィルタ特性の急峻性を向上できる。また、傾斜角度θは、2°<θ≦10°とすることにより、Δfを小さくすることができるとともに最大位相αmaxを大きくすることができる。その結果、フィルタ特性の急峻性を高くできるとともに、周波数帯域wf1内では伝搬損失が低減されたSAW素子を得ることができる。
加えて、このような構成のSAW素子は、貼り合わせ基板を用いるときに発生する特有のスプリアスを抑制することができ、温度変化による周波数移動が小さい優れたSAW素子が得られる。
上述の実施形態では、第1仮想線L1および第2仮想線L2の傾斜に合わせてバスバー21も傾斜させた場合を示したが、図13に示すように、バスバー21は第1仮想線L1および第2仮想線L2に合わせて傾斜させなくてもよい。この場合には、電極指23およびダミー電極指25の長さを調整することにより、交差幅を一定に保ちつつ、電極指23の先端部分が第1仮想線L1または第2仮想線L2に沿うように配置すればよい。
(SAW素子の変形例2)
第1ダミー電極指25Aの幅は、図14に示す通り、第2電極指23Bの幅よりも大きくなっていてもよい。このとき、第2ダミー電極指25Bの幅も第1電極指23Aの幅よりも大きくなるように構成されている。
第1ダミー電極指25Aの幅は、図14に示す通り、第2電極指23Bの幅よりも大きくなっていてもよい。このとき、第2ダミー電極指25Bの幅も第1電極指23Aの幅よりも大きくなるように構成されている。
第1ダミー電極指25Aおよび第2ダミー電極指25Bの幅は、x軸方向に大きくなるように構成されている。第1ダミー電極指25Aおよび第2ダミー電極指25Bは、図14に示す通り、全体が幅広となっていてもよいし、図15に示す通り、一部が幅広となっていてもよい。すなわち、図15(a)に示す通り、第2ダミー電極指25Bが第2バスバー21B側の一部が幅広になっていてもよいし、図15(b)に示す通り、第2ダミー電極指25Bの第2電極指23A側の一部が幅広になっていてもよい。また、図14および図15に示す通り、第1電極指23Aおよび第2電極指23Bの一部が幅広になっていてもよい。
第1電極指23Aの幅は、第1電極指23Aおよび第2電極指23Bの交差領域Crの外において、交差領域Crの内に位置する幅よりも大きく設定される。また、第2電極指23Bの幅も交差領域Crの外において交差領域Crの内に位置する第2電極指23Bの幅よりも大きく設定される。なお、以下の説明において、ダミー電極指25および電極指23の幅が大きくなった部分を幅広部と称することがある。
電極指23の一部およびダミー電極指25の幅広部は、交差領域Cr内の電極指23のデューティーDtに対して、デューティーDtが大きくなるように設定される。デューティーDtは大きくすればするほど、後述するようにIDT電極5の外部に弾性波が漏えいすることを低減する効果を得ることができる。ここで、デューティーDtとは、図16に示すように、ダミー電極指25の幅広部の幅wを、ダミー電極指25および隣接する電極指23のピッチPtで割った値である。すなわち、デューティーDt=幅w/ピッチPtで算出できるものである。
本変形例のSAW素子1のようにIDT電極5の弾性波の伝搬方向に対して傾斜した斜め型共振子の場合は、図16に示すように、縦方向(x軸方向)の弾性波の伝搬方向上に交差領域Cr外のダミー電極指25および電極指23が位置することになる。そのため、交差領域Cr外のダミー電極指25および電極指23に幅広部を設けることにより、交差領域Cr外におけるダミー電極指25および電極指23のストップバンドを低域側に移動させることができる。これにより、共振周波数から数MHz低周波数側でも縦方向に伝搬する弾性波を効率よく反射することができ、交差領域Cr外のダミー電極指25および電極指23を通過して、さらにその外側への漏洩を低減することができる。その結果、共振付近の損失を低減することができる。
加えて、ダミー電極指25を有することによって、交差領域Cr内の弾性波の速度(音速)に対して交差領域Cr外の弾性波の音速を小さくすることができるため、横方向(y軸方向)に弾性波が漏れることを低減することができる。
このようなSAW素子1の効果を確かめるために、電極指23の一部およびダミー電極指25に幅広部を設けたSAW素子1を作製し、電気特性の測定を行なった。基本的な構成は上述の実施形態のSAW素子1と同様である。図17(a)は42°YX−LiTaO3の基板を用いたSAW素子1の測定結果を示すグラフであり、図17(b)は46.3°YX−LiTaO3の基板にシリコンからなる支持基板を貼り合わせた貼り合わせ基板を用いたSAW素子1の測定結果を示すグラフである。横軸は交差領域Cr外のデューティーDtを示し、縦軸は共振点のインピーダンスを示すものである。
この結果から、交差領域Cr外のダミー電極指25および電極指23のデューティーDtを交差領域Cr内における値である0.50から0.60まで変化させた場合に、共振点のインピーダンスを低減することができ、共振点の損失を低減することができる。また、図17によれば、交差幅を15λ〜30λに変化させた場合でも同様の効果を得られることが分かる。特に、共振点における損失低減の効果は、交差幅が短いほど大きいことが分かる。
(SAW装置の構成の概要)
図18は、上述したSAW素子1を適用したSAW装置51の例を示す断面図である。
図18は、上述したSAW素子1を適用したSAW装置51の例を示す断面図である。
SAW装置51は、例えば、分波器等のフィルタ素子を構成している。SAW装置51は、SAW素子31と、SAW素子31が実装される回路基板53とを有している。
SAW素子31は、例えば、いわゆるウェハレベルパッケージのSAW素子として構成されている。SAW素子31は、上述したSAW素子1と、基板3のSAW素子1側を覆うカバー33と、カバー33を貫通する端子35と、基板3のSAW素子1が配置された面とは反対側の面を覆う裏面部37とを有している。
カバー33は、樹脂等によって構成されており、弾性波の伝搬を容易化するための振動空間33aをIDT電極5および反射器7の上方(z方向の正側)に構成している。基板3の上面3a上には、IDT電極5に接続された配線38と、配線38に接続されたパッド39とが形成されている。端子35は、パッド39上において形成され、IDT電極5に電気的に接続されている。裏面部37は、例えば、温度変化等によって基板3表面にチャージされた電荷を放電するための裏面電極と、当該裏面電極を覆う保護層とを有している。
回路基板53は、例えばいわゆるリジッド式のプリント配線基板によって構成されている。回路基板53の実装面53aには、実装用パッド55が形成されている。
SAW素子31は、カバー33側を実装面53aに対向させて配置される。そして、端子35と実装用パッド55は、半田57によって接着される。その後、SAW素子31は封止樹脂59によって封止される。
(フィルタ素子の構成の概要)
図19は、本発明の一実施形態に係るフィルタ素子600の模式的な回路図である。フィルタ素子600は、ラダー型フィルタ回路を含む第1の弾性波フィルタ700と、DMS型フィルタ回路を含む第2の弾性波フィルタ800で構成されている。第1の弾性波フィルタ700の通過帯域は、第2の弾性波フィルタ800の通過帯域よりも低い周波数に位置するように設定されている。
図19は、本発明の一実施形態に係るフィルタ素子600の模式的な回路図である。フィルタ素子600は、ラダー型フィルタ回路を含む第1の弾性波フィルタ700と、DMS型フィルタ回路を含む第2の弾性波フィルタ800で構成されている。第1の弾性波フィルタ700の通過帯域は、第2の弾性波フィルタ800の通過帯域よりも低い周波数に位置するように設定されている。
第1の弾性波フィルタ700は、送信帯域フィルタとして動作し、電気的に直列に接続された直列SAW素子63、64、65、66と、電気的に並列に接続された並列SAW素子67、68、69とで構成されるラダー型フィルタである。並列SAW素子67、68、69はグランド端子70に接続されている。また、直列SAW素子63は送信信号端子62Aに接続され、直列SAW素子66はアンテナ端子61に接続されている。なお、直列SAW素子は直列共振子と、並列SAW素子は並列共振子とそれぞれ称することがある。また、直列共振子および並列共振子は、互いに交差する第1共振電極指および第2共振電極指を持つIDT電極構造の共振電極指を有している。なお、共振電極指は、上述の電極指23に相当するものである。
第2の弾性波フィルタ800は、受信帯域フィルタとして動作し、アンテナ端子61に接続されるアンテナ側SAW素子71と、第1のDMS型フィルタ72と、第2のDMS型フィルタ73と、受信信号端子62Bに接続される受信側SAW素子74とが直列に接続されている。
上述の実施形態のSAW素子1をフィルタ素子600に用いた場合について、第1の弾性波フィルタ700と比較例の弾性波フィルタ701との送信信号端子からアンテナ端子までの透過特性を、シミュレーターを用いて計算して求めた。
第1の弾性波フィルタ700は、下記に示す貼り合わせ基板300を用いた。
貼り合わせ基板300:
基板30 種類:46°YX−LiTaO3
厚み:20μm
支持基板10 種類:シリコン
厚み:230μm
貼り合わせ方式:直接接合
基板30 種類:46°YX−LiTaO3
厚み:20μm
支持基板10 種類:シリコン
厚み:230μm
貼り合わせ方式:直接接合
また、第2の弾性波フィルタ800は、下記に示す貼り合わせ基板301を用いた。
貼り合わせ基板301:
基板3 種類:42°YX−LiTaO3
厚み:20μm
支持基板10 種類:シリコン
厚み:230μm
貼り合わせ方式:直接接合
基板3 種類:42°YX−LiTaO3
厚み:20μm
支持基板10 種類:シリコン
厚み:230μm
貼り合わせ方式:直接接合
シミュレーションを行なったフィルタ素子の構成は、直列SAW素子63、64、65、66は傾斜角度θが6°のSAW素子とし、並列SAW素子67、68、69は傾斜角度θが0°のSAW素子として第1の弾性波フィルタ700とした。そして、比較例を、図20に示すような直列SAW素子75、76、77、78および並列SAW素子67、68、69の全てが傾斜角度θが0°のSAW素子である第1の弾性波フィルタ701とした。なお、傾斜角度θが0°のSAW素子としては、傾斜角度θが0°以上2°以下のSAW素子を用いればよい。
図21(a)〜(c)は、信号端子62Aからアンテナ端子61までの透過特性のシミュレーション結果を示しているグラフである。図21中の点線は比較例を、実線は実施例を示している。横軸は周波数fを示している。縦軸は透過特性を示し、図21(a)は、送信帯域近傍を拡大したグラフ、図21(b)は、送信帯域近傍の0[dB]から−80[dB]までの透過特性を示したグラフ、図21(c)は図21(b)の一点鎖線で囲んだ部分を拡大したグラフである。
比較例に対して、実施例は、直列SAW素子63、64、65、66の周波数帯域wf1内に相当する周波数域での透過特性が大きくなり、フィルタ特性の通過帯域の損失が低減していることが分かる。また、比較例では、直列SAW素子63、64、65、66において、貼り合わせ基板を用いるときに発生するスプリアスの特定周波数s1に相当する周波数域での透過特性上に、スプリアスが発生してフィルタ特性の損失が大きくなっている。それに対して、実施例では、傾斜角度θが6°のSAW素子のスプリアス低減効果により、特定周波数s1に相当する周波数域での透過特性上のスプリアスの発生が抑制され、フィルタ特性の損失が低減していることが分かる。環境温度が高くなった場合には、送信帯域フィルタの波形が低周波側に移動するとともに、周波数帯域wf1の透過特性が小さくなるため、周波数帯域wf1の透過特性を大きくしておくことは、フィルタ素子600の品質の向上に寄与する。
また、傾斜角度θが6°のSAW素子は、傾斜角度θが0°のSAW素子に比べてΔfを小さくすることができるため、透過特性−44[dB]において、比較例と実施例との周波数差Δfhは約0.5[MHz]であり、比較例に対して、実施例は、透過特性の急峻性が向上していることが分かる。
本発明の一実施形態の変形例のSAW素子は、実施例の第1の弾性波フィルタ700および比較例の第1の弾性波フィルタ701に貼り合わせ基板300を用いているが、貼り合わせ基板300の代わりにLiTaO3単層の基板3を用いた場合にも、比較例に対して実施例は、直列SAW素子63、64、65、66の周波数帯域wf1内に相当する周波数域での透過特性が大きくなり、フィルタの損失を低減させることができる。また、傾斜角度θが6°のSAW素子は、傾斜角度θが0°のSAW素子に比べてΔfを小さくすることができるため、比較例に対して実施例は、透過特性の急峻性を向上させることができる。
また、SAW素子1が図7(d)に示すように***振周波数faよりも高い周波数付近で位相が大きい特性を有している場合でも、SAW素子1を直列腕に直列に接続することにより、第1の弾性波フィルタ700の特性の劣化を低減することができる。
(フィルタ素子の変形例1)
上述の実施形態のフィルタ素子600では、直列SAW素子63、64、65、66の全てにSAW素子1を適用した場合であったが、設計によっては、フィルタ特性に悪影響が現れる場合がある。そのため、図22に示すように、直列SAW素子63、64、65、66のうち一部のみにSAW素子1を適用してもよい。一部の直列SAW素子にSAW素子1を適用することにより、設計によっては効率よく容量素子を配置することができたり、基板30上の電極指設計を小型化することができたりできるため、基板30上の設計自由度を向上させることができる。
上述の実施形態のフィルタ素子600では、直列SAW素子63、64、65、66の全てにSAW素子1を適用した場合であったが、設計によっては、フィルタ特性に悪影響が現れる場合がある。そのため、図22に示すように、直列SAW素子63、64、65、66のうち一部のみにSAW素子1を適用してもよい。一部の直列SAW素子にSAW素子1を適用することにより、設計によっては効率よく容量素子を配置することができたり、基板30上の電極指設計を小型化することができたりできるため、基板30上の設計自由度を向上させることができる。
具体的に、本変形例のフィルタ素子600では、直列SAW素子63、64、65、66の中でもピッチPtが最小のSAW素子65、66に斜め型共振子である本実施形態のSAW素子1を適用し、直列SAW素子63、64には通常のSAW素子を適用することで、十分な効果(周波数帯域wf1内に相当する周波数域での透過特性が大きくなる、透過特性の急峻性が向上する)が得られる。
一方で、直列SAW素子の全てにSAW素子1の構成を適用した場合(比較例2)には、周波数帯域wf1内に相当する周波数域での透過特性は良くなるものの、透過特性の急峻性は向上せず、悪影響として、後述する周波数帯域wf2内に相当する周波数域での透過特性が小さくなってしまうことがある。これは、図11(d)に示すように、SAW素子1の共振点よりも低周波数域に位置する周波数帯域wf2では、僅かに伝搬損失が大きくなっているためである。ピッチPtの大きい直列SAW素子にSAW素子1を適用した場合には、ピッチPtの大きい直列SAW素子の周波数帯域wf2がフィルタ特性の通過帯域の低周波側に位置し、フィルタ素子600の品質が低下することがある。
本変形例のフィルタ素子600の効果を確かめるために、フィルタ素子600のシミュレーションを行なった。シミュレーションの結果を図23にグラフで示す。図23(b)および(c)は、図23(a)における通過帯域の高周波側の端部付近の一部を拡大したものである。この結果から、通過帯域の高周波数側の特性を向上させることができることが分かる。なお、直列SAW素子63、64、65、66の中でもピッチPtが最小のSAW素子にSAW素子1の構成を適用すれば、効率よく高い効果を得られる。
上述の実施形態のフィルタ素子600または変形例のフィルタ素子600では、本実施形態のSAW素子1を複数用いる場合に、弾性波の伝搬方向に対して同じ方向にIDT電極5が傾斜した構成を用いたが、図24に示す通り、弾性波の伝搬方向に対して互いに異なる方向に傾斜していてもよい。図24では、直列SAW素子65、66において、互いに異なる方向にIDT電極5(電極指23の配列)が傾斜したSAW素子1を用いている場合である。
このように異なる方向にIDT電極5(電極指23の配列)が傾斜したSAW素子1を直列共振子に用いることにより、圧電基板300上の設計自由度を高めることができる。すなわち、例えば図24に例示するフィルタ素子600であれば、直列共振子65、66に適用されたSAW素子1のIDT電極5(電極指23の配列)が互いに異なる方向に傾斜することにより、両者の間にスペースができる。そのため、このスペースに並列共振子69を配置することができる。その結果、フィルタ素子600の小型化を図ることができる。
(フィルタ素子の変形例2)
さらに、直列SAW素子63、64、65、66の少なくとも1つに容量素子を並列に接続してもよい。例えば、変形例1に係るSAW素子1は直列SAW素子63、64、65、66の中でもピッチPtが小さくなっていることから、SAW素子1に容量素子を並列接続することにより、SAW素子1の***振点が低周波数側に移動する。これにより、SAW素子1の***振点が通過帯域の高周波数側の端部付近に位置するため、通過帯域の急峻性をさらに向上させることができる。容量素子としては、例えば、基板2上に櫛歯状の電極を配置することができる。
さらに、直列SAW素子63、64、65、66の少なくとも1つに容量素子を並列に接続してもよい。例えば、変形例1に係るSAW素子1は直列SAW素子63、64、65、66の中でもピッチPtが小さくなっていることから、SAW素子1に容量素子を並列接続することにより、SAW素子1の***振点が低周波数側に移動する。これにより、SAW素子1の***振点が通過帯域の高周波数側の端部付近に位置するため、通過帯域の急峻性をさらに向上させることができる。容量素子としては、例えば、基板2上に櫛歯状の電極を配置することができる。
<通信装置>
上述の実施形態のフィルタ素子600は、アンテナと、フィルタ素子600を制御するRF−ICとを有する通信装置に用いられる。アンテナはアンテナ端子61に接続され、RF−ICはフィルタ素子600の送信信号端子62Aおよび受信信号端子62Bに電気的に接続される。このような通信装置は、フィルタ素子600の急峻性が高いことから、ノイズまたはクロストークを低減することができるため、通信の品質を向上させることができる。
上述の実施形態のフィルタ素子600は、アンテナと、フィルタ素子600を制御するRF−ICとを有する通信装置に用いられる。アンテナはアンテナ端子61に接続され、RF−ICはフィルタ素子600の送信信号端子62Aおよび受信信号端子62Bに電気的に接続される。このような通信装置は、フィルタ素子600の急峻性が高いことから、ノイズまたはクロストークを低減することができるため、通信の品質を向上させることができる。
Claims (11)
- 36°〜48°Y−XカットのLiTaO3からなる圧電基板と、
該圧電基板の上面に2つの反射器の間に配置された、弾性波を励起するIDT電極とを備え、
該IDT電極は、
前記弾性波の伝搬方向に交差する方向において互いに対向する第1バスバーおよび第2バスバーと、
前記第1バスバーから前記第2バスバー側へ延びた複数の第1電極指と、
前記第2バスバーから前記第1バスバー側へ延びた、前記複数の第1電極指に前記伝搬方向において隣接する部分を有する複数の第2電極指と
を有しており、
前記IDT電極における複数の前記第1電極指の前記第2バスバー側の先端部分を結ぶ第1仮想線と、前記IDT電極における複数の前記第2電極指の前記第1バスバー側の先端部分を結ぶ第2仮想線とが、前記第1仮想線と前記伝搬方向とのなす角度を第1傾斜角度θAとし、前記第2仮想線と前記伝搬方向とのなす角度を第2傾斜角度θBとしたとき、
2°<θA≦10°
2°<θB≦10°
の範囲にあり、
前記圧電基板の前記IDT電極が配置された面の反対側の面に、前記圧電基板の熱膨張係数よりも小さい熱膨張係数を有する支持基板が配置されている
弾性波素子と、
前記圧電基板上に配置された、前記弾性波素子に直列に接続された直列共振子と、前記弾性波素子に並列に接続された並列共振子とを有するフィルタ素子であって、
前記直列共振子は、
互いに交差する複数の第1共振電極指および複数の第2共振電極指を有するIDT電極構造の共振電極指を備え、
前記共振電極指における前記第1共振電極指と前記第2共振電極指との中心間間隔が、前記弾性波素子の前記IDT電極における前記第1電極指と前記第2電極指との中心間間隔よりも大きく、
複数の前記第1共振電極指の先端部分を結ぶ第3仮想線および複数の前記第2共振電極指の先端部分を結ぶ第4仮想線と、前記直列共振子の弾性波の伝搬方向とのなす角度がそれぞれ0°以上2°以下である、
フィルタ素子。 - 前記第1仮想線および前記第2仮想線は、前記弾性波の伝搬方向に対して同じ方向に傾斜している請求項1に記載のフィルタ素子。
- 前記第1バスバーは前記第2電極指側に延びた第1ダミー電極指を有するとともに、前記第2バスバーは前記第1電極指側に延びた第2ダミー電極指を有する請求項1または2に記載のフィルタ素子。
- 前記第1ダミー電極指の幅は前記第2電極指の幅よりも大きく、前記第2ダミー電極指の幅は前記第1電極指の幅よりも大きい請求項3に記載のフィルタ素子。
- 前記第1電極指の幅は、前記第1電極指および前記第2電極指の交差領域の外において、該交差領域の内に位置する前記第1電極指の幅よりも大きく、前記第2電極指の幅は、前記交差領域の外において、該交差領域の内に位置する前記第2電極指の幅よりも大きい請求項1〜4のいずれかに記載のフィルタ素子。
- 前記第1電極指および前記第2電極指は、前記伝搬方向に交差する方向の前記交差領域における交差幅が、前記弾性波の波長をλとしたときに15λ以上30λ以下である請求項5に記載のフィルタ素子。
- 前記直列共振子を複数有しており、
前記弾性波素子は、前記IDT電極における前記第1電極指と前記第2電極指との中心間間隔が、前記直列共振子の前記共振電極指における前記第1共振電極指と前記第2共振電極指との中心間間隔のいずれよりも小さい、請求項1〜6のいずれかに記載のフィルタ素子。 - 前記弾性波素子に並列に接続された容量素子をさらに有する請求項1〜7のいずれかに記載のフィルタ素子。
- 前記弾性波素子を複数有している請求項1〜8のいずれかに記載のフィルタ素子。
- 複数の前記弾性波素子は、前記弾性波の伝搬方向に対して互いに異なる方向に傾斜している請求項9に記載のフィルタ素子。
- アンテナと、
該アンテナに電気的に接続された請求項1〜10のいずれかに記載のフィルタ素子と、
該フィルタ素子に電気的に接続されたRF−ICとを備える通信装置。
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WO2018193933A1 (ja) * | 2017-04-20 | 2018-10-25 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置、帯域通過型フィルタ及びマルチプレクサ |
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WO2019065670A1 (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | 株式会社村田製作所 | マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
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DE102017127713B3 (de) * | 2017-11-23 | 2019-02-28 | RF360 Europe GmbH | Elektroakustisches Filter mit einer verringerten akustischen Kopplung, Verfahren zum Verringern der akustischen Kopplung und Multiplexer |
JP7117880B2 (ja) | 2018-03-30 | 2022-08-15 | 京セラ株式会社 | 弾性波フィルタ、分波器および通信装置 |
JP7382707B2 (ja) * | 2018-05-17 | 2023-11-17 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスの製造方法 |
DE102018118384B4 (de) * | 2018-07-30 | 2023-10-12 | Rf360 Singapore Pte. Ltd. | Hochfrequenzfilter |
JP7231360B2 (ja) * | 2018-09-10 | 2023-03-01 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
CN113169722A (zh) * | 2018-11-14 | 2021-07-23 | 京瓷株式会社 | 弹性波装置、分波器以及通信装置 |
DE102018130144A1 (de) * | 2018-11-28 | 2020-05-28 | RF360 Europe GmbH | Elektroakustischer Resonator und HF-Filter |
JP7330693B2 (ja) * | 2018-12-19 | 2023-08-22 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子 |
JP6856825B2 (ja) * | 2018-12-21 | 2021-04-14 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置、分波器および通信装置 |
CN109771741B (zh) * | 2019-03-01 | 2021-02-19 | 浙江师范大学 | 一种压电驱动式输液器 |
WO2020179905A1 (ja) * | 2019-03-06 | 2020-09-10 | 株式会社村田製作所 | フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
CN114365417A (zh) * | 2019-07-30 | 2022-04-15 | 京瓷株式会社 | 弹性波装置及通信装置 |
JP7456876B2 (ja) | 2020-07-31 | 2024-03-27 | 太陽誘電株式会社 | フィルタ及びマルチプレクサ |
US20220311417A1 (en) * | 2021-03-29 | 2022-09-29 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with busbar side edges that form angles with a perimeter of the cavity |
CN114221635A (zh) * | 2022-02-21 | 2022-03-22 | 成都频岢微电子有限公司 | 一种用作射频前端声表面波滤波器的谐振器 |
WO2023171741A1 (ja) * | 2022-03-11 | 2023-09-14 | 京セラ株式会社 | 弾性波フィルタ、分波器、および通信装置 |
CN114614791B (zh) * | 2022-05-12 | 2022-08-23 | 深圳新声半导体有限公司 | 级联谐振器和声表面波滤波器 |
WO2024004862A1 (ja) * | 2022-06-30 | 2024-01-04 | 京セラ株式会社 | フィルタ装置および通信装置 |
CN115208349A (zh) * | 2022-09-16 | 2022-10-18 | 深圳新声半导体有限公司 | 一种声表面波滤波器 |
CN117176102B (zh) * | 2023-09-21 | 2024-05-07 | 无锡市好达电子股份有限公司 | 声表面波装置 |
Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63110809A (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波伝播素子 |
JPH05122002A (ja) * | 1991-10-24 | 1993-05-18 | Toyo Commun Equip Co Ltd | リーキーsaw共振子 |
WO1996010293A1 (fr) * | 1994-09-29 | 1996-04-04 | Seiko Epson Corporation | Dispositif a ondes acoustiques de surface |
JPH09135142A (ja) * | 1995-11-08 | 1997-05-20 | Masao Takeuchi | 弾性表面波変換器及びこの変換器を用いた弾性表面波フィルタ |
JPH09331229A (ja) * | 1996-03-08 | 1997-12-22 | Yasutaka Shimizu | 弾性表面波素子 |
JP2005045475A (ja) * | 2003-07-28 | 2005-02-17 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置、通信機 |
JP2006094567A (ja) * | 2005-12-21 | 2006-04-06 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置 |
JP2006186435A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-13 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置 |
JP2007134889A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 複合圧電基板 |
JP2007325084A (ja) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Epson Toyocom Corp | 弾性表面波素子片および弾性表面波デバイス |
JP2009232242A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Fujitsu Ltd | 弾性波素子、フィルタ、通信モジュール、および通信装置 |
WO2011142380A1 (ja) * | 2010-05-13 | 2011-11-17 | 株式会社村田製作所 | 温度センサ |
JP2012010054A (ja) * | 2010-06-24 | 2012-01-12 | Ngk Insulators Ltd | 複合基板及びそれを用いた弾性波デバイス |
WO2012140831A1 (ja) * | 2011-04-12 | 2012-10-18 | パナソニック株式会社 | 弾性波素子と、これを用いたアンテナ共用器 |
WO2013002033A1 (ja) * | 2011-06-28 | 2013-01-03 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子およびそれを用いた弾性波装置 |
JP2013098991A (ja) * | 2011-11-02 | 2013-05-20 | Triquint Semiconductor Inc | 電気ドメインにおける音響共振器の温度補償 |
WO2013073472A1 (ja) * | 2011-11-18 | 2013-05-23 | 株式会社村田製作所 | チューナブル弾性波装置 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07297675A (ja) * | 1994-04-26 | 1995-11-10 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波共振器 |
JPH09153753A (ja) | 1995-11-28 | 1997-06-10 | Hitachi Ltd | 弾性表面波装置およびそれを用いたアンテナ分波器 |
EP0886375A4 (en) | 1996-03-08 | 2000-12-06 | Sanyo Electric Co | ACOUSTIC SURFACE ELEMENT AND PORTABLE TELEPHONE THEREFOR |
JP3576367B2 (ja) | 1998-01-30 | 2004-10-13 | 沖電気工業株式会社 | 弾性表面波フィルタ |
US6426583B1 (en) * | 1999-06-14 | 2002-07-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave element, method for producing the same and surface acoustic wave device using the same |
US6570470B2 (en) * | 2000-06-30 | 2003-05-27 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave ladder filter utilizing parallel resonators with different resonant frequencies |
US6593678B1 (en) * | 2000-10-24 | 2003-07-15 | Clarisay, Inc. | Surface acoustic wave filter having diminished bandwidth and method of operating the same |
JP2003198317A (ja) * | 2001-12-21 | 2003-07-11 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波共振子及び弾性表面波フィルタ |
US7105980B2 (en) * | 2002-07-03 | 2006-09-12 | Sawtek, Inc. | Saw filter device and method employing normal temperature bonding for producing desirable filter production and performance characteristics |
JP2004336503A (ja) | 2003-05-09 | 2004-11-25 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
JP3774782B2 (ja) * | 2003-05-14 | 2006-05-17 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波素子の製造方法 |
DE102004045181B4 (de) | 2004-09-17 | 2016-02-04 | Epcos Ag | SAW-Bauelement mit reduziertem Temperaturgang und Verfahren zur Herstellung |
WO2006078001A1 (ja) * | 2005-01-21 | 2006-07-27 | National University Corporation Chiba University | 弾性表面波装置 |
CN100547919C (zh) * | 2005-03-28 | 2009-10-07 | 京瓷株式会社 | 弹性表面波共振子以及通信装置 |
JP4686342B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2011-05-25 | 株式会社日立メディアエレクトロニクス | 弾性表面波装置及びこれを搭載した通信端末。 |
JP2007214902A (ja) | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 弾性表面波素子 |
JP2008109413A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性波デバイスおよびフィルタ |
JP2008289031A (ja) | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Epson Toyocom Corp | 縦結合二重モードsawフィルタ |
DE102007051314B4 (de) * | 2007-10-26 | 2011-12-22 | Epcos Ag | Elektroakustisches Bauelement |
US8476991B2 (en) * | 2007-11-06 | 2013-07-02 | Panasonic Corporation | Elastic wave resonator, elastic wave filter, and antenna sharing device using the same |
DE102010005596B4 (de) * | 2010-01-25 | 2015-11-05 | Epcos Ag | Elektroakustischer Wandler mit verringerten Verlusten durch transversale Emission und verbesserter Performance durch Unterdrückung transversaler Moden |
JP2011182220A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-09-15 | Panasonic Corp | 弾性波共振器及びこれを用いた縦結合二重モードフィルタ、ラダー型フィルタ |
JP2011254354A (ja) * | 2010-06-03 | 2011-12-15 | Ngk Insulators Ltd | 複合基板及びそれを用いた弾性表面波デバイス |
WO2012105337A1 (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-09 | 京セラ株式会社 | 分波器および通信用モジュール部品 |
-
2014
- 2014-09-18 JP JP2015519120A patent/JP6050486B2/ja active Active
- 2014-09-18 CN CN201480058210.4A patent/CN105684308B/zh active Active
- 2014-09-18 US US15/033,593 patent/US10153748B2/en active Active
- 2014-09-18 WO PCT/JP2014/074679 patent/WO2015064238A1/ja active Application Filing
-
2016
- 2016-05-09 JP JP2016093933A patent/JP6352971B2/ja active Active
-
2018
- 2018-06-07 JP JP2018109676A patent/JP2018137826A/ja active Pending
Patent Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63110809A (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波伝播素子 |
JPH05122002A (ja) * | 1991-10-24 | 1993-05-18 | Toyo Commun Equip Co Ltd | リーキーsaw共振子 |
WO1996010293A1 (fr) * | 1994-09-29 | 1996-04-04 | Seiko Epson Corporation | Dispositif a ondes acoustiques de surface |
JPH09135142A (ja) * | 1995-11-08 | 1997-05-20 | Masao Takeuchi | 弾性表面波変換器及びこの変換器を用いた弾性表面波フィルタ |
JPH09331229A (ja) * | 1996-03-08 | 1997-12-22 | Yasutaka Shimizu | 弾性表面波素子 |
JP2005045475A (ja) * | 2003-07-28 | 2005-02-17 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置、通信機 |
JP2006186435A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-13 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置 |
JP2007134889A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 複合圧電基板 |
JP2006094567A (ja) * | 2005-12-21 | 2006-04-06 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置 |
JP2007325084A (ja) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Epson Toyocom Corp | 弾性表面波素子片および弾性表面波デバイス |
JP2009232242A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Fujitsu Ltd | 弾性波素子、フィルタ、通信モジュール、および通信装置 |
WO2011142380A1 (ja) * | 2010-05-13 | 2011-11-17 | 株式会社村田製作所 | 温度センサ |
JP2012010054A (ja) * | 2010-06-24 | 2012-01-12 | Ngk Insulators Ltd | 複合基板及びそれを用いた弾性波デバイス |
WO2012140831A1 (ja) * | 2011-04-12 | 2012-10-18 | パナソニック株式会社 | 弾性波素子と、これを用いたアンテナ共用器 |
WO2013002033A1 (ja) * | 2011-06-28 | 2013-01-03 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子およびそれを用いた弾性波装置 |
JP2013098991A (ja) * | 2011-11-02 | 2013-05-20 | Triquint Semiconductor Inc | 電気ドメインにおける音響共振器の温度補償 |
WO2013073472A1 (ja) * | 2011-11-18 | 2013-05-23 | 株式会社村田製作所 | チューナブル弾性波装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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