JP6047038B2

JP6047038B2 - 有機ｅｌ装置

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Publication number: JP6047038B2
Application number: JP2013049633A
Authority: JP
Inventors: 涼史三嶋
Original assignee: Kaneka Corp
Current assignee: Kaneka Corp
Priority date: 2013-03-12
Filing date: 2013-03-12
Publication date: 2016-12-21
Anticipated expiration: 2033-03-12
Also published as: JP2014175262A

Description

本発明は、有機ＥＬ（Electro Luminescence）装置に関するものである。

近年、白熱灯や蛍光灯に代わる照明装置として有機ＥＬ装置が注目され、多くの研究がなされている。

ここで、有機ＥＬ装置は、ガラス基板等の基材に、有機ＥＬ素子を積層したものである。
また、有機ＥＬ素子は、一方又は双方が透光性を有する２つの電極を対向させ、この電極の間に有機化合物からなる発光層を積層したものである。有機ＥＬ装置は、電気的に励起された電子と正孔との再結合のエネルギーによって発光する。すなわち、有機ＥＬ素子は、発光層の材料を適宜選択することにより、種々の波長の光を発光することができ、所望の発光色を選択することができる。

また、有機ＥＬ装置は、白熱灯や蛍光灯、ＬＥＤ照明に比べて厚さが極めて小さくて軽量であり、且つ面状に発光するので、設置場所の制約が少ないという特長を有している。さらに、有機ＥＬ装置は、白熱灯や蛍光灯に比べて発光効率が高いので消費電力が少なく、発熱が少ないという特長も有している。

特開２００８−３２１３１２号公報

ところで、有機ＥＬ装置には、基材側から有機ＥＬ素子で発生した光を取り出す、いわゆるボトムエミッション型有機ＥＬ装置と称されるものがある（例えば、特許文献１）。
一般的なボトムエミッション型の有機ＥＬ装置の構造は、ガラス基板上に透明電極層、発光層、裏面電極層が積層したものであり、発光層で発生した光は、透明電極層及びガラス基板を透過して外部に取り出される。
このボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を照明装置として利用する場合、発光層から発生した光をガラス基板側から有機ＥＬ装置の外部に取り出すことになるが、上記したガラス基板の屈折率が透明電極層の屈折率に対して小さいため、発光層から発生した光の大部分は、有機ＥＬ装置から外部に取り出される前にガラス基板と透明電極層の界面で全反射してしまう。そして、全反射した光は、外部に取り出される前に有機ＥＬ素子内部で各層の屈折率の違いによって反射を繰り返し、大部分が熱となって消滅してしまう。
このように、ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を使用した場合、全反射によって、光が消費されてしまい、十分な光取出効率が得られないという問題がある。

また、裏面電極層は、一般的に内部抵抗が小さい金属が使用されている。この金属製の裏面電極層では、上記した全反射した光が表面に入射した際に、表面の自由電子の振動電場と全反射した光とが共鳴し、光のエネルギーが表面に移動する、いわゆる、プラズモン散乱が生じることが知られている。このプラズモン散乱が生じた光は、再び外部に取り出されず、裏面電極層で消費されてしまう。特に金属の中でも内部抵抗が小さい銀では、このプラズモン散乱が起こりやすいとされており、プラズモン散乱による光の消費が多いことが知られている。すなわち、内部抵抗が小さいので裏面電極層として銀を使用したいが、裏面電極層に銀を使用した有機ＥＬ装置では、プラズモン散乱による消費が大きいので、発光層から発生した光を十分に外部に取り出すことができないという問題がある。

そこで、本発明は、従来に比べて光取出効率が高く、高輝度の有機ＥＬ装置を提供することを課題とする。

上記課題を解決するための請求項１に記載の発明は、基材上に透明電極層と有機発光層と裏面電極層が積層した有機ＥＬ装置において、前記基材は、屈折率が１．４０以上１．６０以下であり、前記透明電極層は、屈折率が１．８以上２．０以下の透明酸化物から形成されるものであり、かつ、最大厚みをＤｍａｘ、最小厚みをＤｍｉｎとしたときに、（Ｄｍａｘ−Ｄｍｉｎ）／（Ｄｍａｘ＋Ｄｍｉｎ）が０．１以下であり、前記裏面電極層は、銀によって形成されており、さらに、前記基材と透明電極層との間に、透明電極層側の面に凹凸面を有した表面凹凸層が介在しており、前記凹凸面の平均ピッチは、２００ｎｍより大きく１μｍ以下であり、前記凹凸面の高低差は、２００ｎｍ以上であって、かつ、前記平均ピッチより小さいものであり、表面凹凸層は、屈折率が１．６５以上１．７５以下の透明酸化物で形成されるものであって、平均厚みが１μｍ以上であり、厚み方向において、有機発光層の基材に対して最も距離が近い部位は、透明電極層の基材に対して最も距離が離れた部位よりも基材側に位置していることを特徴とする有機ＥＬ装置である。

本発明の構成によれば、基材と透明電極層の間に、基材の屈折率と透明電極層の屈折率の間の屈折率を有する表面凹凸層が介在している。そのため、基材の屈折率に対する表面凹凸層の屈折率の比率、及び、表面凹凸層に対する透明電極層の屈折率の比率は、基材の屈折率に対する透明電極層の屈折率の比率よりも小さいため、基材と表面凹凸層の界面での全反射量及び表面凹凸層と透明電極層の界面での全反射量の合計は、従来の基材と透明電極層の界面での全反射量に対して小さくなり、従来に比べて基材側から光を取り出す総量が多くなる。それ故に、本発明の構成によれば、従来に比べて光取出効率が高く、高輝度となる。
また、本発明の構成によれば、前記凹凸面の平均ピッチは、２００ｎｍより大きく１μｍ以下であり、前記凹凸面の高低差は、２００ｎｍ以上であって、かつ、前記平均ピッチより小さい。凹凸面の平均ピッチが２００ｎｍ以下では、有機発光層で生じる可視光の波長に対して凹凸面のピッチが小さくなりすぎるため、必要な回折が生じなくなるおそれがある。凹凸面の平均ピッチが１μｍより大きくなると、回折角が小さくなり、全反射が生じやすくなる。また、凹凸面の高低差が２００ｎｍ未満では、有機発光層で生じる可視光の波長に対し高低差が小さすぎるため、必要な回折が生じなくなるおそれがある。平均ピッチ以上となると、面内の電流分布が不均一となりやすく、局所的に電流が集中する場合がある。電流が集中すると有機発光層が破壊されたり寿命が短くなったりするおそれがある。
また、本発明の構成によれば、裏面電極層は、上記したようにプラズモン散乱を起こしやすい銀によって形成されている。そのため、従来の有機ＥＬ装置であれば、プラズモン散乱によって、光が消費されやすい。ところが、本発明によれば、上記したように全反射が起こりにくいので、裏面電極層側に光が反射されにくく、プラズモン散乱の発生を抑制することができる。
本発明の構成によれば、厚み方向において、有機発光層の基材に対して最も距離が近い部位は、透明電極層の基材に対して最も距離が離れた部位よりも基材側に位置しており、さらに、本発明の構成によれば、前記透明電極層は、最大厚みをＤｍａｘ、最小厚みをＤｍｉｎとしたときに、（Ｄｍａｘ−Ｄｍｉｎ）／（Ｄｍａｘ＋Ｄｍｉｎ）が０．１以下であり、厚みが平滑である。すなわち、表面凹凸層の凹凸面に少なくとも透明電極層及び有機発光層が追随して有機発光層内で正孔と電子が再結合する発光界面が曲面を形成している。そのため、基材の単位面積当たりの発光界面の面積が平滑な場合に比べて大きくなり、有機発光層の発光量が向上する。それ故に、本発明の構成によれば、高輝度の有機ＥＬ装置となる。

請求項２に記載の発明は、前記透明電極層の平均厚み及び前記有機発光層の平均厚みの合計は、凹凸面の高低差以下であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置である。

本発明の構成によれば、基材の単位面積当たりの発光界面の面積が増加しやすい。

請求項３に記載の発明は、前記表面凹凸層は、シリコン、チタン、ゲルマニウム、アルミニウム、ジルコニウム、及び、亜鉛からなる群から選ばれる金属元素を含んだ酸化物で形成されており、さらに、前記表面凹凸層は、ナノインプリント法によって形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機ＥＬ装置である。

本発明の構成によれば、設計により凹凸面を形成しやすく、製造しやすい。

請求項４に記載の発明は、前記透明電極層は、インジウム亜鉛酸化物又はインジウム錫酸化物によって形成されるものであって、かつ、スパッタ法によって前記凹凸面上に直接積層していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の有機ＥＬ装置である。

本発明の構成によれば、前記透明電極層は、スパッタ法によって前記凹凸面上に直接積層しているため、凹凸面の形状がそのまま透明電極層が追随し、透明電極層表面に凹凸が形成されるため、透明電極層の有機発光層側から取り出される光の取出面積が増加し、さらに輝度が向上する。

請求項１乃至４のいずれかに記載の有機ＥＬ装置において、前記基材は、ガラス基板であることが好ましい（請求項５）。

本発明の構成によれば、光の全反射等による消費を低減することが可能であり、従来に比べて光取出効率が高く、高輝度の有機ＥＬ装置となる。

本発明の第１実施形態における有機ＥＬ装置を模式的に表す断面図である。図１の透明電極層の表面を模式的に表す斜視図である。図１の有機ＥＬ装置の製造方法を表す説明図であり、（ａ）〜（ｆ）は各製造工程を表す。図１の有機ＥＬ装置の発光界面を表す説明図である。

以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
なお、以下の説明において、特に断りがない限り、有機ＥＬ装置１の上下の位置関係は、図１の姿勢を基準に説明する。なお、下記に記載する物性は、特に断りの無い限り、標準状態（摂氏２５度、１気圧）での物性を表す。

本実施形態の有機ＥＬ装置１は、図１のように面状に広がりをもった透明基板２（基材）上に表面凹凸層３、透明電極層４、機能層５（有機発光層）、裏面電極層６が積層したものである。また、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、透明基板２側から光を取り出すボトムエミッション型の有機ＥＬ装置である。
そして、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、図１のように透明基板２と透明電極層４の間に、透明基板２の屈折率と透明電極層４の屈折率の中間値の屈折率を有する表面凹凸層３を介在させることによって、全反射を抑制することを特徴の一つとしている。さらに、この表面凹凸層３は、少なくとも片方の主面に所定の高低差を有する凹凸面７を有しており、この凹凸面７の高低差によって、図４のように駆動時の機能層５の発光場である発光界面１５をゆがめることによって、平滑な場合に比べて発光界面１５の総面積を増加させることも特徴の一つとしている。

これらを踏まえて以下、各層の構成について説明する。

透明基板２は、透光性及び絶縁性を有したものであり、屈折率が１．４０以上１．６０以下の基板であり、屈折率が１．４５以上１．５５以下の基板であることが好ましい。
透明基板２としては、上記した屈折率の範囲を有していれば特に限定されるものではないが、例えば、ソーダ石灰ガラスや、無アルカリガラスなどのガラス基板が採用できる。
透明基板２の平均厚みは、０．１ｍｍ以上２ｍｍ以下であることが好ましく、０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下であることがより好ましい。

透明基板２上に積層された表面凹凸層３は、図１，図２のように、少なくとも透明基板２側の面に凹凸面７を有している。
凹凸面７の形状は特に限定されないが、本実施形態の凹凸面７は、図１，図２のように凸部１１と凹部１２で形成されており、凸部１１はその先端部（頂点）が緩やかな丸みを帯びており、凹部１２はその基端部（底部）が緩やかな丸みを帯びている。

図１に示される凹凸面７の平均ピッチＷ１（凹凸面７を形成する隣接する凸部１１，１１の頂点間の距離）は、２００ｎｍより大きく１μｍ以下であり、４００ｎｍより大きく８００ｎｍ以下であることが好ましい。
図１に示される凹凸面７の高低差Ｈ１（凹凸面７を形成する凸部１１の頂点と凹部１２の底部との距離）は、２００ｎｍ以上であって、かつ、平均ピッチより小さいものである。
また、凹凸面７の高低差Ｈ１は、透明電極層４の平均厚み及び機能層５の平均厚みの合計以上となっている。
平均ピッチＷ１と高低差Ｈ１の比率は、１：０．５〜１：２であることが好ましい。

表面凹凸層３は、上記したように透明基板２の屈折率と透明電極層４の屈折率の間の屈折率を有する層である。表面凹凸層３は、屈折率が１．６５以上１．７５以下の透明酸化物で形成されており、屈折率が１．６５以上１．７０以下の透明酸化物で形成されていることが好ましい。
表面凹凸層３の屈折率の範囲は、透明基板２の屈折率と不連続値となっている。
表面凹凸層３の平均厚みＤ１は１００ｎｍ以上５μｍ以下であり、５００ｎｍ以上３μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１μｍ以上２μｍ以下である。

表面凹凸層３は、上記したように透光性を有した透明酸化物によって形成されており、具体的には、シリコン、チタン、ゲルマニウム、アルミニウム、ジルコニウム、インジウム、錫、及び、亜鉛からなる群から選ばれる金属元素を含んだ酸化物で形成されている。これらの中でも、ＩＴＯ化合物、ＩＺＯ化合物、又はそれに類する化合物が、電極層としても機能させる観点からは、好ましく、例えば、屈折率が１．８のＩＴＯペースト材をナノインプリント法で形成し表面凹凸層３とすることができる。

表面凹凸層３は、導電性の有無は特に限定されないが、本実施形態では、絶縁体で形成されている。

表面凹凸層３上に積層された透明電極層４は、導電性を有した屈折率が１．８以上２．０以下の透明酸化物から形成されており、屈折率が１．８以上１．９以下の導電性透明酸化物から形成されていることが好ましい。
透明電極層４としては、上記した屈折率の範囲を有していれば特に限定されるものではないが、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化錫（ＳｎＯ₂）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の透明導電性酸化物などが好適に採用できる。その中でも、ＩＴＯ又はＩＺＯによって形成されていることが特に好ましい。
透明電極層４の屈折率の範囲は、表面凹凸層３の屈折率と不連続値となっている。

また、透明電極層４の平均厚みＤ２は、１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下であり、１５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることが好ましい。本実施形態では、透明電極層４の平均厚みは、２００ｎｍである。
さらに、透明電極層４は、最大厚みをＤｍａｘ、最小厚みをＤｍｉｎとしたときに、（Ｄｍａｘ−Ｄｍｉｎ）／（Ｄｍａｘ＋Ｄｍｉｎ）の式によって求められる値が０より大きく０．１以下である。すなわち、透明電極層４は、極めて平滑であり、下地となる表面凹凸層３の形状を正確に追随する。

透明電極層４上に積層された機能層５は、透明電極層４と裏面電極層６との間に設けられ、少なくとも一つの発光層を有している層である。機能層５は、主に有機化合物からなる複数の層から構成されている。この機能層５は、一般的な有機ＥＬ装置に用いられている低分子系色素材料や、共役系高分子材料などの公知のもので形成することができる。また、この機能層５は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などの複数の層からなる積層多層構造であってもよい。

また、機能層５の平均厚みは、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、７５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることが好ましい。

機能層５上に積層された裏面電極層６は、銀によって形成されている。
裏面電極層６の平均厚みは、２５ｎｍ以上４００ｎｍ以下であり、１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることが好ましい。
裏面電極層６は、スパッタ法又は真空蒸着法によって堆積されることが好ましい。特に、スパッタ法によって堆積されることがより好ましい。

続いて、有機ＥＬ装置１の各層の位置関係について説明する。

透明電極層４は、表面凹凸層３の凹凸面７に追随しており、厚み方向（積層方向）における透明電極層４の最下点は、表面凹凸層３の最上点（凸部１１の頂点）よりも低い位置にある。機能層５は、透明電極層４を介して表面凹凸層３の凹凸面７に追随しており、厚み方向における機能層５の最下点は、透明電極層４の最上点よりも低い位置にある。裏面電極層６は、透明電極層４及び機能層５を介して表面凹凸層３の凹凸面７に追随しており、厚み方向における裏面電極層６の最下点は、機能層５の最上点よりも低い位置にある。
本実施形態の有機ＥＬ装置１は、厚み方向において、機能層５の透明基板２に対して最も距離が近い部位（最下点）は、透明電極層４の透明基板２に対して最も距離が離れた部位（最上点）よりも透明基板２側に位置している。
なお、本実施形態では、透明電極層４、機能層５及び裏面電極層６のそれぞれの平均厚みの合計は、いずれも凹凸面７の高低差よりも小さいので、裏面電極層６の最下点は、表面凹凸層３の最上点（凸部１１の頂点）よりも低い位置にある。

続いて、有機ＥＬ装置１の製造方法について説明する。

まず、透明基板２上にナノインプリント法によって表面凹凸層３を形成する。
具体的には、図３（ａ）のようにあらかじめ超音波洗浄等によって洗浄した透明基板２の主面に表面凹凸層３の原料となるゾルゲル材料１０を塗布する。
このとき使用するゾルゲル材料１０は、本実施形態ではアルコキシシランを採用しているが、ゾルゲル材料１０はアルコキシシランに限定されるものではなく、金属アルコキシドや金属酸化物を添加することにより屈折率を調整できるものでもよい。
ゾルゲル材料１０の塗布方法としては、スピンコート、スプレイコート又はスリットコートのいずれでもよい。また塗布方法は、これらのスピンコート等の方法に限定されるものではない。

次に、ゾルゲル材料１０が塗布された透明基板２全体をプリベークする。
具体的には、ホットプレート又は遠赤外線ヒータによって、ゾルゲル材料１０の一部を蒸発させて、ゾルゲル材料１０を半硬化させる。
このとき、加熱する温度は、摂氏１８度以上摂氏１５０度以下であることが好ましく、加熱時間は５分以上６０分以下であることが好ましい。
摂氏１５０度より高い温度及び／又は６０分より長い時間で加熱すると、ゾルゲル材料１０が固化しすぎて、後の工程で使用する金型９の凹凸部８の形状が転写できない場合がある。摂氏１８度より低い温度及び／又は５分より短い時間で加熱すると、固化が十分でなく、金型９を圧着する際にゾルゲル材料１０の大部分が透明基板２上からはみ出てしまうおそれがある。

次に、図３（ｂ）のように凹凸部８を有する金型９をゾルゲル材料１０に圧着し、加熱する。
このとき、圧着圧力が１０Ｎ／ｃｍ²以上２０００Ｎ／ｃｍ²以下であることが好ましく、圧着時間は５分以上６０分以下であることが好ましい。
また、加熱温度は、摂氏１８度以上摂氏５００度以下であることが好ましく、圧着加熱時間は、５分以上６０分以下であることが好ましい。
ここで、金型９の形状について説明すると、金型９は、ゾルゲル材料１０の圧着面に凹凸部８を有している。この凹凸部８は、凹凸面７と一対をなす形状をしており、凹凸部８の形状と凹凸面７の形状は一致している。

次に、図３（ｃ）のように金型９をゾルゲル材料１０から離型する。
このとき、ゾルゲル材料１０が固化して表面凹凸層３が形成されている。

次に、図３（ｄ）のように表面凹凸層３の上に、スパッタ法にて、透明電極層４を成膜する。
このとき、透明電極層４は、表面凹凸層３の凹凸面７に追随して露出面に凹凸が形成されている。スパッタ法で形成されているため、透明電極層４の厚みは全面でほぼ均等となっている。

次に、図３（ｅ）のように真空蒸着装置によって、この基板に電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層などを順次積層し、機能層５を成膜する。
このとき、機能層５は、透明電極層４の露出面（表面形状）に追随して露出面が凹凸を形成している。すなわち、機能層５は、透明電極層４を介して表面凹凸層３の凹凸面７に追随している。真空蒸着法で形成されているため、機能層５の厚みは全面でほぼ均等となっている。

次に、図３（ｆ）のように真空蒸着装置によって、この基板に裏面電極層６を成膜する。
このとき、裏面電極層６は、透明電極層４の露出面（表面形状）に追随して露出面が凹凸を形成している。すなわち、裏面電極層６は、透明電極層４及び機能層５を介して表面凹凸層３の凹凸面７に追随している。真空蒸着法で形成されているため、裏面電極層６の厚みは全面でほぼ均等となっている。
このようにして本実施形態の有機ＥＬ装置１は製造される。

本実施形態の有機ＥＬ装置１は、スパッタ法によって透明電極層４を形成することによって表面凹凸層３の凹凸面７を追随させている。すなわち、透明電極層４と機能層５との界面において、表面凹凸層３の凹凸面７と略同一の凹凸が形成されている。そのため、機能層５が透明電極層４の凹凸上に積層され、図４のように駆動時における正孔及び電子の反応場である発光界面１５が透明電極層４の凹凸をなぞるように形成されるため、平滑な透明電極層４上に機能層５を積層した場合に比べて、発光界面１５の面積が大きくなり、輝度が向上する。

本実施形態の有機ＥＬ装置１は、裏面電極層６が機能層５に追随した形状をしている。そのため、透明電極層４と裏面電極層６との距離は、機能層５の面内どの位置においてもほぼ等間隔となるので、局所的に過剰な電圧が印加されず、短絡等が起こりにくい。それ故に信頼性が高い。

本実施形態の有機ＥＬ装置１は、裏面電極層６に銀を使用している。そのため、従来であれば、プラズモン散乱が起こりやすく、発光ロスが生じやすい。ところが、裏面電極層６は透明電極層４及び機能層５を介して表面凹凸層３に追随して凹凸が形成されているため、裏面電極層６の表面でプラズモン散乱が起こりにくく、機能層５側から伝わった光の大部分を反射させることができるので、プラズモン散乱による光の損失を抑制することができる。それ故に、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、従来の有機ＥＬ装置に比べて光取出効率が向上する。

上記した実施形態では、表面凹凸層３を従来のナノインプリント法と異なる手法のナノインプリント法によって形成したが、本発明はこれに限定されるものではなく、公知の熱ナノインプリント法や紫外線ナノインプリント法によって表面凹凸層３を形成してもよい。

１有機ＥＬ装置
２透明基板（基材）
３表面凹凸層
４透明電極層
５機能層
６裏面電極層
７凹凸面

Claims

基材上に透明電極層と有機発光層と裏面電極層が積層した有機ＥＬ装置において、
前記基材は、屈折率が１．４０以上１．６０以下であり、
前記透明電極層は、屈折率が１．８以上２．０以下の透明酸化物から形成されるものであり、かつ、最大厚みをＤｍａｘ、最小厚みをＤｍｉｎとしたときに、（Ｄｍａｘ−Ｄｍｉｎ）／（Ｄｍａｘ＋Ｄｍｉｎ）が０．１以下であり、
前記裏面電極層は、銀によって形成されており、
さらに、前記基材と透明電極層との間に、透明電極層側の面に凹凸面を有した表面凹凸層が介在しており、
前記凹凸面の平均ピッチは、２００ｎｍより大きく１μｍ以下であり、
前記凹凸面の高低差は、２００ｎｍ以上であって、かつ、前記平均ピッチより小さいものであり、
表面凹凸層は、屈折率が１．６５以上１．７５以下の透明酸化物で形成されるものであって、平均厚みが１μｍ以上であり、
厚み方向において、有機発光層の基材に対して最も距離が近い部位は、透明電極層の基材に対して最も距離が離れた部位よりも基材側に位置していることを特徴とする有機ＥＬ装置。
前記透明電極層の平均厚み及び前記有機発光層の平均厚みの合計は、凹凸面の高低差以下であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
前記表面凹凸層は、シリコン、チタン、ゲルマニウム、アルミニウム、ジルコニウム、及び、亜鉛からなる群から選ばれる金属元素を含んだ酸化物で形成されており、
さらに、前記表面凹凸層は、ナノインプリント法によって形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機ＥＬ装置。
前記透明電極層は、インジウム亜鉛酸化物又はインジウム錫酸化物によって形成されるものであって、かつ、スパッタ法によって前記凹凸面上に直接積層していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の有機ＥＬ装置。
前記基材は、ガラス基板であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の有機ＥＬ装置。