JP2006331694A - 有機発光素子及び有機発光素子用基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 一対の電極1,2間に設けられる発光層3を基板4に積層して形成される有機発光素子に関する。基板4は、少なくとも一部が10W/(m・K)以上の熱伝導率を有し、且つ発光層側の表面の平均表面荒さが50nm以下である。さらに、基板4の表面に電極1が形成されているときには電極1が、あるいは基板4の表面に電極1が形成されていないときには基板4の発光層3側の表面が、70%以上の全光線反射率を有する。
【選択図】 図1
Description
100mm□、厚み0.3mmの銅板の表面を研磨し、基板Aとした。セイコーインスツル株式会社製プローブ顕微鏡「SPI3800N」を用いて、この基板Aの表面の300nm□エリアでの平均面荒さ(Ra)を測定したところ、38nmであった。また、この基板Aの熱伝導率は400W/(m・K)であった。
基板Aの表面に、平均粒子径100nmの銀粒子を含むペーストを塗布、焼成して、基板Bを作製した。上記と同様に基板Bの平均表面荒さを測定したところ、29nmであった。また、この基板Bの熱伝導率は400W/(m・K)であった。
100mm□、厚み1mmの窒化アルミニウム製基板を用意し、表面研磨して基板Cとした。上記と同様に基板Cの平均表面荒さを測定したところ、42nmであった。また、この基板Cの熱伝導率は220W/(m・K)であった。
基板Aの表面にアルミニウム膜をスパッタにより1200Å厚に成膜した。このアルミニウム膜の全光線反射率は約90%であった。次で、対抗ターゲット式スパッタ装置を用いてSiN膜を500Å厚に形成し、基板Dとした。上記と同様に基板Dの平均表面荒さを測定したところ、40nmであった。また、この基板Dの熱伝導率は400W/(m・K)であった。
基板Aの表面(発光層を積層する側の表面)をエンボス加工して、図6のように平均ピッチP=10μm、平均深さD=2μmの凹部を有する凹凸形状に形成し、この表面に対抗ターゲット式スパッタ装置を用いてSiN膜を500Å厚に形成することによって、基板Eとした。上記と同様に基板Eの表面の300nm□エリアでの平均表面荒さを測定したところ、エンボス加工の有無にかかわらず40nm程度であった。また、この基板Eの熱伝導率は400W/(m・K)であった。この基板Eは目視で表面が白濁していること確認することができ、光散乱性を有するものであった。また全光線反射率は約85%であった。
100mm□、厚み0.7mmのガラス基板を用い、基板Fとした。上記と同様に基板Fの平均表面荒さを測定したところ、4nmであった。また、この基板Fの熱伝導率は0.7W/(m・K)であった。
基板Aを真空蒸着装置にセットし、基板Aの全面にアルミニウムを1000Å厚に蒸着した。形成したアルミニウム膜の全光線反射率は約90%であった。次いで、基板Aの表面に9cm□の開口部を有するマスクを重ね、バソクプロインとセシウムを1:1のモル比で200Å、トリス(8−ヒドロキシキノリナ−ト)アルミニウム(Alq3)を100Åの厚みで成膜し、電子注入・輸送層を形成した。次いで緑色発光層として、Alq3にクマリンを1質量%ドープした層を500Å厚で積層することによって、有機発光層を設けた。さらに、4、4’−ビス[N−(ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(α−NPD)を400Å厚で、α−NPDと酸化バナジウムを2:1のモル比で共蒸着した層を200Åで設け、ホール輸送・注入層を形成した。続いて、8cmの開口部を有するマスクを用いて、ITOを1000Å厚にスパッタリングによって成膜し、陽極の透明電極を形成し、有機発光素子を得た。
基板Bを用いるようにした他は、実施例1と同様にして有機発光素子を得た。尚、形成したアルミニウム膜の全光線反射率は約90%であった。
基板Cを用い、アルミニウムを基板Cの表面に幅8cm×長さ10cmに形成し、またITOを幅10cm×長さ8cmに形成するようにした他は、実施例1と同様にして有機発光素子を得た。形成したアルミニウム膜の全光線反射率は約90%であった。
基板Dを用い、基板側の電極としてアルミニウムの代りにITOを形成するようにした他は、実施例3と同様にして有機発光素子を得た。
基板Eを用いるようにした他は、実施例3と同様にして有機発光素子を得た。
基板Fを用いるようにした他は、実施例3と同様にして有機発光素子を得た。
実施例3で得られた有機発光素子に対し、図7に示す寸法の封止ガラスを封止部材として用いて封止を行なった。封止ガラスの平坦面は光学研磨し、光散乱が認められない平坦面とした。さらに、封止した面と反対側の表面に、表面を#400のサンドブラストにより粗面化した厚み300μmのアルミニウム板を銀ペーストで貼付した。
実施例3で得られた有機発光素子に対し、図7に示す寸法の封止ガラスを封止部材として用いて封止を行った。さらに、基板4の封止した面と反対側の表面に、市販の放熱セラミック塗料を塗布して塗料層を形成した。この塗料層を2000倍の光学顕微鏡で観測したところ、凹凸および空隙が存在していることが確認できた。そして画像解析から、塗料層の表面積は基板4の表面積の少なくとも4倍以上であると見積もられた。
2 電極
3 発光層
4 基板
7 封止部材
8 絶縁層
10 凹部
Claims (7)
- 一対の電極間に設けられる発光層を基板に積層して形成される有機発光素子において、基板は、少なくとも一部が10W/(m・K)以上の熱伝導率を有し、且つ発光層側の表面の平均表面荒さが50nm以下であり、さらに、基板の表面に電極が形成されているときには電極が、あるいは基板の表面に電極が形成されていないときには基板の発光層側の表面が、70%以上の全光線反射率を有することを特徴とする有機発光素子。
- 基板は導電性の素材で形成され、一対の電極のうち一方の電極が基板の表面に絶縁層を介して形成されていることを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。
- 基板は導電性の素材で形成され、基板が一対の電極のうち一方の電極を兼ねることを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。
- 基板は絶縁性の素材で形成され、一対の電極のうち一方の電極が基板の表面に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。
- 基板の発光層側の表面が、平均ピッチが100nm〜300μm、平均深さが平均ピッチの2分の1以下である凹部を有する凹凸形状に形成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の有機発光素子。
- 基板の発光層と反対側の表面に凹凸を設けて、基板のこの表面を平坦面に対して1.5倍以上の表面積を有するように形成したことを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の有機発光素子。
- 少なくとも一部が10W/(m・K)以上の熱伝導率を有し、且つ発光層側の表面の平均表面荒さが50nm以下であり、さらに、基板の表面に電極が形成されているときには電極が、あるいは基板の表面に電極が形成されていないときには基板の発光層側の表面が、70%以上の全光線反射率を有することを特徴とする有機発光素子用基板。
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