JP6044271B2 - 実装用基板へのはんだ接合材料の実装方法 - Google Patents
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Description
Substances)規制により従来のSn−Pb系はんだから、鉛を含有しないはんだへの移行が進み、その代表としてSn−Ag−Cu系のはんだが主に普及している。
基材上に銅めっき層を形成後、開口部を持つ絶縁層をその表面に形成し、前記開口部にSn−Bi系はんだめっき層を形成し、更にその上にSn−Ag−Cu系はんだを備えた基板1を製造する工程と、
前記基材とは別の基材上に電極層を形成後、逆テーパ形状の開口部を持つ絶縁層を形成し、その開口部にSn−Bi系はんだバンプを形成することにより作製した基板2を製造する工程と、
前記基板1の絶縁層の開口部と前記基板2の絶縁層の逆テーパ形状の開口部を合致させ、前記Sn−Ag−Cu系はんだの融点より低い温度で前記基板1に設けたSn−Ag−Cu系はんだと前記基板2に設けたSn−Bi系はんだバンプとを加熱接合する工程と、
前記基板1と前記基板2を剥離することにより、前記基板2に設けたSn−Bi系はんだバンプ上に前記基板1からはんだ層を転移させる工程と、
前記基板2に転移した前記はんだ層を実装用基板に転写させる工程と、を備えていることを特徴とする実装用基板へのはんだ接合材料の実装方法である。
あるいは王水中に浸漬することで除去が可能になる。これにより、ステンレス上に電解銅めっきが可能になる。
開口部を持つ絶縁層13を目的の径に開口する方法としては、スクリーン印刷法、フォトリソグラフィー法などの公知の方法が挙げられ、いずれの方法を用いてもよい。また、開口部を持つ絶縁層13の形成は、基板1の基材11上に銅めっき層12を形成する前に実施してもよく、また銅めっき層12を形成後に実施しても構わない。
そのものを実装した場合よりも耐衝撃性に優れたはんだ接合材料が得られる。
:200μm)、テーパ角度が45°になるように、厚み10μmのソルダーレジストを形成した後、該開口中にSn−3質量%Ag−0.5質量%Cuはんだめっきの厚みが9.9μmとなるようにめっきした。次に、Sn−Biめっき液 PF−05M(石原薬品製)を使用して、Sn−58質量%Biめっきバンプ層を0.2μm形成した。
12・・・銅めっき層
13・・・開口部を持つ絶縁層
14・・・Sn−Bi系はんだめっき層
15・・・Sn−Ag−Cu系はんだ層
21・・・屈曲性を有する基材
22・・・電極層
23・・・逆テーパ形状の開口部を持つ絶縁層
24・・・Sn−Bi系はんだバンプ
31・・・Sn−Cu−Bi系はんだ層
32・・・Sn−Ag−Cu−Bi系はんだ層
33・・・Sn−Ag−Cu系はんだ層
34・・・Sn−Ag−Cu−Bi層
35・・・Sn−Cu−Bi層
Claims (1)
- 半導体部品を実装する実装用基板へのはんだ接合材料の実装方法であって、
基材上に銅めっき層を形成後、開口部を持つ絶縁層をその表面に形成し、前記開口部にSn−Bi系はんだめっき層を形成し、更にその上にSn−Ag−Cu系はんだを備えた基板1を製造する工程と、
前記基材とは別の基材上に電極層を形成後、逆テーパ形状の開口部を持つ絶縁層を形成し、その開口部にSn−Bi系はんだバンプを形成することにより作製した基板2を製造する工程と、
前記基板1の絶縁層の開口部と前記基板2の絶縁層の逆テーパ形状の開口部を合致させ、前記Sn−Ag−Cu系はんだの融点より低い温度で前記基板1に設けたSn−Ag−Cu系はんだと前記基板2に設けたSn−Bi系はんだバンプとを加熱接合する工程と、
前記基板1と前記基板2を剥離することにより、前記基板2に設けたSn−Bi系はんだバンプ上に前記基板1からはんだ層を転移させる工程と、
前記基板2に転移した前記はんだ層を実装用基板に転写させる工程と、を備えていることを特徴とする実装用基板へのはんだ接合材料の実装方法。
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JP2012240432A JP6044271B2 (ja) | 2012-10-31 | 2012-10-31 | 実装用基板へのはんだ接合材料の実装方法 |
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JP2012240432A JP6044271B2 (ja) | 2012-10-31 | 2012-10-31 | 実装用基板へのはんだ接合材料の実装方法 |
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JP2014090129A JP2014090129A (ja) | 2014-05-15 |
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JP (1) | JP6044271B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117712035B (zh) * | 2024-02-06 | 2024-04-30 | 苏州锐杰微科技集团有限公司 | 一种用于解决基板翘曲问题的复合焊点低温互连方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2556971B2 (ja) * | 1986-08-12 | 1996-11-27 | 恵次 飯村 | 半田転写キャリア.フィルムと、半田転写キャリア、フィルムの再生方法 |
JPH11243274A (ja) * | 1998-02-25 | 1999-09-07 | Senju Metal Ind Co Ltd | はんだバンプの形成方法およびはんだバンプ形成用マスク |
JP2000307228A (ja) * | 1999-04-22 | 2000-11-02 | Mitsubishi Electric Corp | 鉛を含まないはんだ接合方法及びこれによって製造された電子モジュール |
JP2000340594A (ja) * | 1999-05-28 | 2000-12-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 転写バンプシートとその製造方法 |
JP2009277777A (ja) * | 2008-05-13 | 2009-11-26 | Tamura Seisakusho Co Ltd | はんだボール搭載方法及び電子部品実装用部材 |
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Publication number | Publication date |
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JP2014090129A (ja) | 2014-05-15 |
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