JP6043698B2 - 光半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
実際の反応炉内の反応過程は複雑であるが、InGaAlAs系のMOVPE成長の反応過程とエッチングの過程の簡略的な化学反応式は以下のとおりである。
(成長時)
x(CH3)3In +y(C2H5)3Ga + z(CH3)3Al + AsH3 → InxGayAlzAs + (3x+6y+3z)CH4
(エッチング時)
InxGayAlzAs + 3(x+y+z)HCl → xInCl3 + yGaCl3 + zAlCl3 + AsH3 + H2
2 InGaAlAs量子井戸層
3 InP基板
4 圧力を上げて反応管内で塩化水素エッチングされた部分
Claims (4)
- 1つの半導体基板上に複数の半導体素子が集積された光半導体装置の製造方法であって、
所定の圧力の下で気相成長法により、前記半導体基板に形成された互いに接したパターン幅が異なる2つの領域を有するリッジ上に多重量子井戸構造を成長することと、
前記所定の圧力よりも高い圧力の下で、前記多重量子井戸構造をエッチングすることと
を含み、前記光半導体装置の前記2つの領域のうちの前記パターン幅が狭い領域には活性層に前記多重量子井戸構造をもつ分布帰還形レーザが集積され、前記光半導体装置の前記2つの領域のうちの前記パターン幅が広い領域には前記分布帰還形レーザの発振波長より短い波長の吸収端をもつ前記多重量子井戸構造よりなる光変調器が集積され、前記エッチングすることにより、前記分布帰還形レーザの前記多重量子井戸構造の井戸層の数を、前記光変調器の前記多重量子井戸構造の井戸層の数より少なくする、ことを特徴とする製造方法。 - 前記気相成長法は、有機金属気相成長法によることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 前記エッチングすることは、反応性ガスエッチングによることを特徴とする請求項1または2に記載の製造方法。
- 前記多重量子井戸構造の材料は、InGaAsP、InGaAlAs、InGaAsN、InGaAsのいずれかであり、前記分布帰還形レーザの発振波長が1.1μm以上1.6μm以下とする材料が選択され、前記多重量子井戸構造は前記分布帰還形レーザの発振波長を達成する厚みおよび結晶格子間の歪を有していることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の製造方法。
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