JP6040632B2 - 試料厚測定方法、試料作成方法及び試料作成装置 - Google Patents
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Description
発明の目的および利点は、請求の範囲に具体的に記載された構成要素および組み合わせによって実現され達成される。前述の一般的な説明および以下の詳細な説明は、典型例および説明のためのものであって、本発明を限定するためのものではない、と理解されるものである。
図1は、実施形態に係る試料作成装置の一例を示す断面図である。
(付記1) 試料に電子線を照射することにより前記試料から発生する反射電子と二次電子を取得する工程と、前記反射電子と前記二次電子の強度比を算出する工程と、標準試料についての反射電子と二次電子の強度比と試料厚さの関係のデータを用い、算出された前記強度比に基づいて前記試料の厚さを算出する工程と、算出された前記厚さと目標となる厚さとを比較して前記試料の加工量を算出する工程と、前記試料にイオンビームを照射することにより前記試料の厚さを前記加工量だけ減らして前記目標厚に近づける工程と、を有することを特徴とする試料作成方法。
(付記2) 前記データの作成は、厚さが測定済みの前記標準試料に電子線を照射して前記標準試料の反射電子と二次電子を取得する工程と、前記反射電子の強度と前記二次電子の強度の強度比を前記標準試料の前記厚さ毎に算出する工程と、 前記厚さ毎に前記強度比を対応付けるデータを作成する工程と、を有することを特徴とする付記1に記載の試料作成方法。
(付記3) 前記データは、前記電子線を照射するための加速電圧の相違毎に作成されることを特徴とする付記1又は付記2に記載の試料作成方法。
(付記4) 前記加速電圧は2kV〜5kVの範囲で設定されることを特徴とする付記3に記載の試料作成方法。
(付記5) 前記標準試料として、厚さの異なる複数の箇所を有する1つの試料か、厚さの異なる複数の試料かのいずれかが使用されることを特徴とする付記1乃至付記4のいずれか1つに記載の試料作成方法。
(付記6) 前記イオンビームは、前記測定用試料の縁の一部を通して加工面に照射されることを特徴とする付記1乃至付記5のいずれか1つに記載の試料作成方法。
(付記7) 試料に電子線を照射することにより前記試料から発生する反射電子と二次電子を取得する工程と、前記反射電子と前記二次電子の強度比を算出する工程と、標準試料についての反射電子と二次電子の強度比と試料厚さの関係のデータを用い、算出された前記強度比に基づいて前記試料の厚さを算出する工程と、を有する試料厚測定方法。
(付記8) 試料を載せる試料台と、前記試料に電子線を照射する電子線照射部と、前記試料のうち前記電子線照射部側に配置され、前記試料から反射される反射電子線を測定する第1の測定器と、前記試料(周囲に配置され、前記電子線の照射により前記試料から発生する二次電子を測定する第2の測定器と、前記試料にイオンビームを照射するイオンビーム照射部と、前記第1の測定器の測定結果から得られた反射電子強度と前記第2の測定器の測定結果から得られた二次電子強度との強度比と試料厚さとの関係のデータに基づいて算出された前記試料の厚さに基づいて加工量を算出し、前記イオンビーム照射部を制御して前記加工量だけ前記試料の前記厚さを減らす制御部と、を有する試料作成装置。
(付記9)前記イオンビーム照射部は、前記試料の縁部に向けて前記イオンビームを照射できる位置に配置されることを特徴とする付記8に記載の試料作成装置。
2 試料台
3 電子線照射部
4 イオンビーム照射部
5 二次電子検出器
6 反射電子検出器
7 制御部
W 試料
W0 標準試料
Claims (5)
- 試料に電子線を照射することにより前記試料から発生する反射電子と二次電子を取得する工程と、
前記反射電子に対する前記二次電子の強度比を算出する工程と、
標準試料についての反射電子に対する二次電子の強度比と試料厚さの関係であって前記電子線の複数の異なる加速電圧毎に作成されたデータを用い、厚さが100nm以上の前記試料を測定する場合には100nmより薄い前記試料を測定する場合に比べて前記加速電圧を高くした条件とし、算出された前記強度比に基づいて前記試料の前記厚さを算出する工程と、
算出された前記厚さと目標となる厚さとを比較して前記試料の加工量を算出する工程と、
前記試料にイオンビームを照射することにより前記試料の厚さを前記加工量だけ減らして前記目標厚に近づける工程と、
を有することを特徴とする試料作成方法。 - 前記データの作成は、
厚さが測定済みの前記標準試料に電子線を照射して前記標準試料の反射電子と二次電子を取得する工程と、
前記反射電子の強度と前記二次電子の強度の強度比を前記標準試料の前記厚さ毎に算出する工程と、
前記厚さ毎に前記強度比を対応付ける特性データを複数の前記加速電圧毎に作成する工程と、
を有することを特徴とする請求項1に記載の試料作成方法。 - 前記試料の前記厚さが100nm以上の場合の測定時には前記加速電圧を5以上で10kV以下とし、100nmより薄い場合の測定時には前記加速電圧を2kV以上で5kV未満とする
ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の試料作成方法。 - 試料に電子線を照射することにより前記試料から発生する反射電子と二次電子を取得する工程と、
前記反射電子と前記二次電子の強度比を算出する工程と、
標準試料についての反射電子に対する二次電子の強度比と試料厚さの関係であって前記電子線の複数の異なる加速電圧毎に作成されたデータを用い、厚さが100nm以上の前記試料を測定する場合には100nmより薄い前記試料を測定する場合に比べて前記加速電圧を高くした条件とし、算出された前記強度比に基づいて前記試料の前記厚さを算出する工程と、
を有する試料厚測定方法。 - 試料を載せる試料台と、
前記試料に電子線を照射する電子線照射部と、
前記試料のうち前記電子線照射部側に配置され、前記試料から反射される反射電子線を測定する第1の測定器と、
前記試料の周囲に配置され、前記電子線の照射により前記試料から発生する二次電子を測定する第2の測定器と、
前記試料にイオンビームを照射するイオンビーム照射部と、
前記第1の測定器の測定結果から得られた反射電子強度に対する前記第2の測定器の測定結果から得られた二次電子強度の強度比を算出して標準試料についての前記強度比と試料厚さの関係であって前記電子線の複数の異なる加速電圧毎に作成されたデータを用い、厚さが100nm以上の前記試料を測定する場合には100nmより薄い前記試料を測定する場合に比べて前記加速電圧を高くした条件とし、算出された前記強度比に基づいて前記試料の前記厚さを算出し、算出された前記厚さと目標厚さを比較して前記試料の加工量を算出し、前記イオンビーム照射部を制御して前記加工量だけ前記試料の前記厚さを減らす制御部と、
を有する試料作成装置。
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