JP6032052B2 - Manufacturing method of electronic device - Google Patents

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Description

本発明は、半導体チップ等の板状のチップ部品の一部を樹脂で封止し、残部を樹脂より露出させてなる電子装置を製造する電子装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing an electronic device for manufacturing an electronic device in which a part of a plate-shaped chip component such as a semiconductor chip is sealed with resin and the remaining part is exposed from the resin.

この種の一般的な電子装置としては、板状をなす半導体チップ等のチップ部品と、チップ部品の一部である第１の部位を封止する樹脂と、を有し、チップ部品の残部である第２の部位は樹脂より露出した構成を備えたものが提案されている（たとえば特許文献１参照）。   As a general electronic device of this type, it has a chip part such as a plate-shaped semiconductor chip and a resin that seals a first part that is a part of the chip part, and the remaining part of the chip part A certain second part has been proposed that has a structure exposed from the resin (see, for example, Patent Document 1).

このような電子装置は、樹脂の成形用の金型を用い、次のようにして製造される。当該金型にチップ部品を収納し、第２の部位の両板面に金型を介して、樹脂材料よりなるフィルムを密着させた状態で、金型に樹脂を充填する。この充填後にフィルムを第２の部位から剥離することにより、第２の部位における両板面は樹脂より露出させつつ、第１の部位は樹脂で封止される。   Such an electronic device is manufactured as follows using a mold for molding a resin. A chip part is accommodated in the mold, and the mold is filled with resin in a state where a film made of a resin material is in close contact with both plate surfaces of the second portion via the mold. After the filling, the film is peeled from the second portion, whereby both plate surfaces in the second portion are exposed from the resin, and the first portion is sealed with the resin.

特開２０１３−１６６８６号公報JP 2013-16686 A

しかしながら、本発明者の検討によれば、上記従来の製造方法では以下のような問題が生じることがわかった。   However, according to the study of the present inventor, it has been found that the following problems occur in the conventional manufacturing method.

上記従来方法に基づいて、本発明者が試作したところ、図７（ａ）、（ｂ）に示されるように、チップ部品１０の第２の部位２において、第１の板面１１および第２の板面１２の両板面１１、１２は露出する。しかし、両板面１１、１２を連結する側面としてのチップ側面１４〜１６では、樹脂２０が付着し樹脂２０で封止された状態になりやすい。   When the inventor made a prototype based on the above-described conventional method, as shown in FIGS. 7A and 7B, the first plate surface 11 and the second plate 2 in the second portion 2 of the chip component 10. Both plate surfaces 11 and 12 of the plate surface 12 are exposed. However, the chip side surfaces 14 to 16 as the side surfaces connecting the two plate surfaces 11 and 12 are likely to be in a state where the resin 20 is adhered and sealed with the resin 20.

チップ部品１０の第２の部位２を、チップ側面を含む全面１１、１２、１４〜１６で露出させるには、金型形状をチップ部品１０に対応した特殊形状とする必要がある。通常、金型は上型と下型とを合致させるものであるため、第２の部位２の両板面１１、１２との密着性は確保しやすいが、寸法公差等を加味すると、チップ側面１４〜１６と金型との間では隙間が存在しやすくなる。   In order to expose the second portion 2 of the chip component 10 on the entire surface 11, 12, 14 to 16 including the chip side surface, the mold shape needs to be a special shape corresponding to the chip component 10. Usually, since the mold matches the upper mold and the lower mold, it is easy to ensure the adhesion between both plate surfaces 11 and 12 of the second part 2, but taking into account dimensional tolerances etc., the chip side surface A gap tends to exist between 14 to 16 and the mold.

そのため、図７（ａ）、（ｂ）に示されるように、第２の部位２におけるチップ側面１４〜１６に樹脂２０が付着する。このチップ側面１４〜１６を封止する樹脂２０は、不要な樹脂バリとなる。そこで、本発明者は、図７（ｂ）に示されるように、この樹脂バリを、レーザＬを照射して除去し、当該チップ側面１４〜１６を露出させることを試みた。   Therefore, as shown in FIGS. 7A and 7B, the resin 20 adheres to the chip side surfaces 14 to 16 in the second portion 2. The resin 20 that seals the chip side surfaces 14 to 16 becomes an unnecessary resin burr. Therefore, as shown in FIG. 7B, the present inventor tried to remove the resin burrs by irradiating the laser L to expose the chip side surfaces 14 to 16.

具体的には、第２の部位２における第１の板面１１側から、チップ側面１４〜１６に位置する樹脂２０に対して、レーザ照射を行った。しかしながら、複数回の照射により、樹脂２０がレーザＬで加熱されて炭化状態となり、図７（ｃ）に示されるように、レーザ照射側から遠い第２の板面１２側の角部Ｋ近傍で、樹脂残り２０を生じやすいことがわかった。この樹脂残り２０は、炭化状態であるので除去が困難である。   Specifically, laser irradiation was performed on the resin 20 located on the chip side surfaces 14 to 16 from the first plate surface 11 side in the second region 2. However, the resin 20 is heated by the laser L to be carbonized by multiple times of irradiation, and as shown in FIG. 7C, in the vicinity of the corner K on the second plate surface 12 side far from the laser irradiation side. It was found that the resin residue 20 is likely to occur. Since the resin residue 20 is in a carbonized state, it is difficult to remove.

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、板状のチップ部品の一部を樹脂で封止し、残部を樹脂より露出させてなる電子装置の製造方法において、チップ部品の露出部におけるチップ側面での樹脂残りを極力防止することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and in an electronic device manufacturing method in which a part of a plate-shaped chip component is sealed with resin and the remaining portion is exposed from the resin, the exposed portion of the chip component The purpose is to prevent the resin residue on the side surface of the chip as much as possible.

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、表裏の関係にある第１の板面（１１）、第２の板面（１２）およびこれら第１、第２の両板面を連結する側面としてのチップ側面（１３〜１６）を有する板状をなすチップ部品（１０）と、チップ部品の一部である第１の部位（１）を封止する樹脂（２０）と、を備え、チップ部品の残部である第２の部位（２）では、両板面とチップ側面とが樹脂より露出している電子装置の製造方法であって、以下の各工程を有する。   In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, the first plate surface (11), the second plate surface (12), and the first and second plate surfaces, which are in a front-back relationship, are provided. A chip-shaped chip component (10) having chip side surfaces (13 to 16) as side surfaces to be connected, and a resin (20) for sealing the first part (1) which is a part of the chip component. The second part (2), which is the remaining part of the chip component, is a method for manufacturing an electronic device in which both plate surfaces and chip side surfaces are exposed from the resin, and includes the following steps.

すなわち、チップ部品を用意する用意工程と、樹脂の成形用の金型（１００）にチップ部品を収納し、第２の部位のうち両板面に金型を介して樹脂材料よりなるフィルム（６０）を密着させた状態で、金型に前記樹脂を充填し、当該充填後にフィルムを第２の部位から剥離することにより、第２の部位における両板面は樹脂より露出させつつ、第２の部位におけるチップ側面と第１の部位とを樹脂で封止する樹脂封止工程と、第２の部位におけるチップ側面に位置する樹脂に対して、第１の板面側から、レーザ（Ｌ）を照射して、当該樹脂を除去することにより当該チップ側面を露出させる樹脂除去工程と、を備えている。   In other words, a chip component is prepared in a preparation step of preparing a chip component, and the chip component is housed in a resin molding die (100), and a film made of a resin material (60) on both plate surfaces of the second part via the die. ) With the resin filled in the mold, and after the filling, the film is peeled off from the second part, so that both plate surfaces in the second part are exposed from the resin, and the second part is exposed. Laser sealing (L) from the first plate surface side with respect to the resin sealing step of sealing the chip side surface and the first portion in the portion with resin, and the resin located on the chip side surface in the second portion And a resin removing step of exposing the chip side surface by irradiating and removing the resin.

さらに、請求項１の製造方法においては、樹脂封止工程では、第２の部位における第２の板面側については、チップ部品の板厚方向の途中までフィルムにめり込むように、フィルムに密着させることにより、フィルムが第２の板面側の角部（Ｋ）からチップ側面まで回り込んでチップ側面に密着した密着状態を形成し、当該密着状態にて樹脂による封止を行うことにより、第２の部位においてチップ側面に位置する樹脂に、第２の板面側の角部からチップ部品の板厚方向の途中までチップ側面を露出させる凹部（２０ａ）を、形成するようにしたことを特徴とする。   Furthermore, in the manufacturing method of claim 1, in the resin sealing step, the second plate surface side in the second part is brought into close contact with the film so as to be embedded in the film partway in the plate thickness direction. By forming a close contact state in which the film goes from the corner (K) on the second plate surface side to the chip side surface and is in close contact with the chip side surface, and sealing with resin in the close contact state is performed. A recess (20a) is formed in the resin located on the side surface of the chip in the portion 2 to expose the chip side surface from the corner on the second plate surface side to the middle of the thickness direction of the chip component. And

レーザ照射を、チップ部品の第２の部位における第１の板面側から行い、チップ側面に位置する樹脂を除去する場合、上記した本発明者の検討のように、レーザ照射側から遠い第２の板面側の角部近傍で樹脂残りが生じやすい。   When the laser irradiation is performed from the first plate surface side in the second part of the chip component and the resin located on the chip side surface is removed, the second distant from the laser irradiation side as described above by the inventors. Resin residue is likely to occur near the corners on the plate surface side.

その点、本発明によれば、樹脂封止工程後において、チップ側面を封止する樹脂を、上記凹部を有するものとすることで、チップ側面のうち第２の板面側の角部の近傍部位に、樹脂を存在させず、当該部位を露出状態としている。そのため、レーザ照射による樹脂除去工程では、除去しやすい照射側にてチップ側面に付着している樹脂を除去すればよい。よって、本発明によれば、チップ部品の露出部におけるチップ側面での樹脂残りを極力防止することができる。   In that respect, according to the present invention, after the resin sealing step, the resin that seals the chip side surface has the concave portion, so that the vicinity of the corner portion on the second plate surface side of the chip side surface. The resin is not present at the site, and the site is exposed. Therefore, in the resin removal step by laser irradiation, the resin adhering to the side surface of the chip may be removed on the irradiation side that is easy to remove. Therefore, according to the present invention, it is possible to prevent the resin residue on the side surface of the chip in the exposed part of the chip component as much as possible.

ここで、請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の電子装置の製造方法において、用意工程では、一面側に第１の部位に対向する第１の対向面（３０ａ）と第２の部位に対向する第２の対向面（３１ａ）とを有する平板状のリードフレーム素材（３）を用意し、樹脂封止工程では、第１の対向面上に接着剤（４０）を介して第１の部位を固定するとともに、第２の対向面上にフィルムを搭載し、第２の部位における第２の板面側をフィルムに押し付けてめり込ませることで、前記密着状態を形成することを特徴とする。   Here, according to a second aspect of the present invention, in the method for manufacturing an electronic device according to the first aspect, in the preparation step, the first facing surface (30a) and the second facing the first portion on one surface side. A plate-like lead frame material (3) having a second facing surface (31a) facing the part is prepared. In the resin sealing step, an adhesive (40) is placed on the first facing surface. While fixing a 1st site | part, a film is mounted on a 2nd opposing surface, and the said 2nd board | plate surface side in a 2nd site | part is pressed against a film, and the said close_contact | adherence state is formed. It is characterized by that.

それによれば、平板状のリードフレーム上に半導体チップの第１の部位および第２の部位を搭載するので、半導体チップの水平度を確保しやすいという利点がある。   According to this, since the first part and the second part of the semiconductor chip are mounted on the flat lead frame, there is an advantage that it is easy to ensure the level of the semiconductor chip.

さらに、この場合、請求項３に記載の発明のように、リードフレーム素材は、第１の対向面の板厚よりも第２の対向面の板厚の方が小さいものとされることにより、第２の対向面が第１の対向面よりも低くなったものであることが好ましい。   Furthermore, in this case, as in the invention described in claim 3, the lead frame material is such that the thickness of the second facing surface is smaller than the thickness of the first facing surface, It is preferable that the second facing surface is lower than the first facing surface.

それによれば、第２の対向面上に搭載するフィルムを、第２の対向面部分の減厚分、厚いものにできるので、第２の部位をめり込ませやすくなる。   According to this, since the film mounted on the second facing surface can be thickened by the thickness of the second facing surface portion, the second portion can be easily recessed.

なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。   In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each means described in the claim and this column is an example which shows a corresponding relationship with the specific means as described in embodiment mentioned later.

（ａ）は、本発明の第１実施形態にかかる電子装置の外観斜視図、（ｂ）は同電子装置の概略断面図である。(A) is an external appearance perspective view of the electronic device concerning 1st Embodiment of this invention, (b) is a schematic sectional drawing of the electronic device. （ａ）〜（ｅ）は、第１実施形態にかかる電子装置の製造方法を断面的に示す工程図である。(A)-(e) is process drawing which shows the manufacturing method of the electronic device concerning 1st Embodiment in cross section. 図２（ｅ）中のＡ−Ａ線に沿った部分の拡大断面図である。It is an expanded sectional view of the part along the AA line in Drawing 2 (e). 第１実施形態にかかる電子装置の製造方法における樹脂封止工程後のワークの概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the workpiece | work after the resin sealing process in the manufacturing method of the electronic device concerning 1st Embodiment. 第１実施形態にかかる電子装置の製造方法における樹脂除去工程を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the resin removal process in the manufacturing method of the electronic device concerning 1st Embodiment. 本発明の第２実施形態にかかる電子装置の製造方法における樹脂除去工程を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the resin removal process in the manufacturing method of the electronic device concerning 2nd Embodiment of this invention. 本発明者の試作による電子装置の製造方法示す図であり、（ａ）は樹脂封止工程後のワークを示す外観斜視図、（ｂ）は樹脂除去工程を示す概略断面図、（ｃ）は樹脂除去工程後のワークを示す外観斜視図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the electronic device by trial manufacture of this inventor, (a) is an external appearance perspective view which shows the workpiece | work after a resin sealing process, (b) is a schematic sectional drawing which shows a resin removal process, (c) is It is an external appearance perspective view which shows the workpiece | work after a resin removal process.

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各図相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following drawings, parts that are the same or equivalent to each other are given the same reference numerals in the drawings for the sake of simplicity.

（第１実施形態）
本発明の第１実施形態にかかる電子装置Ｓ１について、図１を参照して述べる。この電子装置は、たとえば、自動車用の電子制御装置の一部に組み込まれ、各種制御や検出等を行うものとして適用されるものである。本実施形態の電子装置Ｓ１は、大きくは、板状をなすチップ部品１０と、チップ部品１０の一部を封止する樹脂２０と、を備えて構成されている。 (First embodiment)
The electronic device S1 according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. This electronic device is incorporated in, for example, a part of an electronic control device for an automobile and is applied to perform various controls and detections. The electronic device S1 of the present embodiment is roughly configured to include a plate-shaped chip component 10 and a resin 20 that seals a part of the chip component 10.

ここでは、チップ部品１０は、半導体チップ１０とされている。この半導体チップ１０は、通常の半導体プロセスなどにより形成されたシリコン半導体などよりなる。この半導体チップ１０は、表裏の関係にある両板面１１、１２および当該両板面１１、１２を連結する側面１３〜１６を有する板状をなす。   Here, the chip component 10 is a semiconductor chip 10. The semiconductor chip 10 is made of a silicon semiconductor formed by a normal semiconductor process or the like. The semiconductor chip 10 has a plate shape having both plate surfaces 11 and 12 having a front-back relationship and side surfaces 13 to 16 connecting the both plate surfaces 11 and 12.

ここでは、半導体チップ１０は典型的な矩形板状をなしているが、具体的には一端１０ａから他端１０ｂへ（図１（ｂ）の左から右へ）延びる長方形板状をなすものである。この半導体チップ１０における各面については、一方の板面１１を第１の板面１１とし、他方の板面１２を第２の板面１２とし、これら両板面１１、１２の端部を連結する４個の側面１３、１４、１５、１６をチップ側面１３、１４、１５、１６としている。   Here, the semiconductor chip 10 has a typical rectangular plate shape. Specifically, the semiconductor chip 10 has a rectangular plate shape extending from one end 10a to the other end 10b (from left to right in FIG. 1B). is there. As for each surface of the semiconductor chip 10, one plate surface 11 is a first plate surface 11, the other plate surface 12 is a second plate surface 12, and the ends of both the plate surfaces 11 and 12 are connected. The four side surfaces 13, 14, 15, and 16 are the chip side surfaces 13, 14, 15, and 16.

ここで、本実施形態の半導体チップ１０におけるチップ側面１３〜１６とは、一端１０ａ側の端面１３、他端１０ｂ側の端面１４、および当該両端１０ａ、１０ｂ間に延びる（ここではチップ長手方向に延びる）２個の側面１５、１６である。そして、半導体チップ１０においては、典型的には表裏の両板面１１、１２が、回路やセンシング部等の素子が形成される素子形成面とされる。   Here, the chip side surfaces 13 to 16 in the semiconductor chip 10 of the present embodiment extend between the end surface 13 on the one end 10a side, the end surface 14 on the other end 10b side, and the both ends 10a and 10b (here, in the chip longitudinal direction). Two side surfaces 15 and 16. In the semiconductor chip 10, the front and back plate surfaces 11 and 12 are typically element formation surfaces on which elements such as circuits and sensing units are formed.

本実施形態の半導体チップ１０は、たとえば検出部としての図示しないセンシング部を有するセンサチップとして構成される。具体的には、当該センシング部としてダイアフラムを有する圧力センサや熱式流量センサ、または当該センシング部として可動部を有する加速度センサや角速度センサ等のセンサチップが挙げられる。このような場合、当該センシング部は、典型的には、半導体チップ１０の他端１０ｂ側における第１の板面１１に設けられている。   The semiconductor chip 10 of the present embodiment is configured as a sensor chip having a sensing unit (not shown) as a detection unit, for example. Specifically, a sensor chip such as a pressure sensor or a thermal flow sensor having a diaphragm as the sensing part, or an acceleration sensor or an angular velocity sensor having a movable part as the sensing part may be used. In such a case, the sensing unit is typically provided on the first plate surface 11 on the other end 10 b side of the semiconductor chip 10.

そして、半導体チップ１０は、当該センシング部を露出させるように半導体チップ１０の他端１０ｂ側を露出させた状態で、一端１０ａ側の残部が樹脂２０で封止されている。この樹脂２０は、エポキシ樹脂などのモールド樹脂であり、後述するように金型を用いたトランスファーモールド法により成形されたものである。   The semiconductor chip 10 is sealed with the resin 20 at the other end of the semiconductor chip 10 so that the other end 10b side of the semiconductor chip 10 is exposed so as to expose the sensing part. The resin 20 is a mold resin such as an epoxy resin, and is formed by a transfer molding method using a mold as will be described later.

ここで、半導体チップ１０における樹脂２０で封止されている部位１、すなわち被封止部を、第１の部位１とし、樹脂２０より露出している部位すなわち露出部を、第２の部位２とする。そして、第１の部位１は、半導体チップ１０の一端１０ａ側に位置し、第２の部位２は、第１の部位１に隣接し第１の部位１よりも他端１０ｂ側に位置する。ここで、上記図示しないセンシング部は第２の部位２に位置し、樹脂２０より露出している。   Here, the part 1 sealed with the resin 20 in the semiconductor chip 10, that is, the sealed portion is the first part 1, and the part exposed from the resin 20, that is, the exposed part is the second part 2. And The first part 1 is located on the one end 10 a side of the semiconductor chip 10, and the second part 2 is adjacent to the first part 1 and located on the other end 10 b side than the first part 1. Here, the sensing unit (not shown) is located in the second region 2 and is exposed from the resin 20.

そして、本実施形態では、当該第２の部位２における両板面１１、１２および全ての側面（ここでは３個の側面）１４、１５、１６が樹脂２０より露出している。つまり、半導体チップ１０における第２の部位２については、全ての外面１１、１２、１４〜１６が樹脂２０で封止されずに露出し、全面露出構成とされている。   In the present embodiment, both plate surfaces 11 and 12 and all side surfaces (here, three side surfaces) 14, 15, and 16 in the second portion 2 are exposed from the resin 20. That is, for the second portion 2 in the semiconductor chip 10, all the outer surfaces 11, 12, 14 to 16 are exposed without being sealed with the resin 20, so that the entire surface is exposed.

このように、本実施形態では、上記センシング部を含む第２の部位２の全外面を、樹脂２０より露出させることで、樹脂２０による応力から上記センシング部を解放して精度の良い検出を可能としている。   As described above, in this embodiment, by exposing the entire outer surface of the second part 2 including the sensing unit from the resin 20, the sensing unit is released from the stress caused by the resin 20, and accurate detection is possible. It is said.

また、図１（ｂ）に示されるように、半導体チップ１０は、第１の部位１にてリードフレーム３０に固定され支持されている。ここでは、半導体チップ１０の第２の板面１２とリードフレーム３０の第１の対向面３０ａとを対向させた状態で、第１の部位１とリードフレーム３０とが、接着剤４０を介して接着されている。この接着剤４０は、たとえエポキシ樹脂等よりなるものである。   Further, as shown in FIG. 1B, the semiconductor chip 10 is fixed and supported by the lead frame 30 at the first portion 1. Here, in a state where the second plate surface 12 of the semiconductor chip 10 and the first opposing surface 30a of the lead frame 30 are opposed to each other, the first portion 1 and the lead frame 30 are interposed via the adhesive 40. It is glued. The adhesive 40 is made of an epoxy resin or the like.

このリードフレーム３０は、Ｃｕや４２アロイなどの導電性に優れた金属板材をエッチングやプレス等によりパターニング加工してなるものである。そして、リードフレーム３０は、半導体チップ１０の第１の部位１とともに、樹脂２０で封止されている。なお、図示しないが、典型的には、リードフレーム３０の一部は外部端子として構成され、この外部端子は樹脂２０より露出して外部と電気的に接続されるようになっている。   The lead frame 30 is formed by patterning a metal plate material having excellent conductivity such as Cu or 42 alloy by etching or pressing. The lead frame 30 is sealed with the resin 20 together with the first portion 1 of the semiconductor chip 10. Although not shown, typically, a part of the lead frame 30 is configured as an external terminal, and the external terminal is exposed from the resin 20 and is electrically connected to the outside.

また、図１（ｂ）に示されるように、半導体チップ１０とリードフレーム３０とは、樹脂２０の内部にてボンディングワイヤ５０により電気的に接続されている。このボンディングワイヤ５０は、Ａｕやアルミニウム等よりなり、通常のワイヤボンディングで形成されるものである。   Further, as shown in FIG. 1B, the semiconductor chip 10 and the lead frame 30 are electrically connected by a bonding wire 50 inside the resin 20. The bonding wire 50 is made of Au, aluminum, or the like, and is formed by normal wire bonding.

次に、本実施形態の電子装置Ｓ１の製造方法について、図２〜図５を参照して述べる。まず、用意工程では、半導体プロセスにより形成された半導体チップ１０を用意する。また、用意工程では、図２（ａ）に示されるように、リードフレーム３０を含む平板状のリードフレーム素材３を用意する。   Next, a method for manufacturing the electronic device S1 of the present embodiment will be described with reference to FIGS. First, in the preparation step, a semiconductor chip 10 formed by a semiconductor process is prepared. Further, in the preparation step, as shown in FIG. 2A, a flat lead frame material 3 including the lead frame 30 is prepared.

このリードフレーム素材３は、一面側に第１の部位１に対向する第１の対向面３０ａと、第２の部位２に対向する第２の対向面３１ａとを有する。ここで、第１の対向面３０ａを有するリードフレーム３０と第２の対向面３１ａを有するフィルム支持部３１とは、同一平面上に位置する。これら両部３０、３１は図示しないタイバーや外枠等により一体に連結されている。   The lead frame material 3 has a first facing surface 30 a facing the first portion 1 and a second facing surface 31 a facing the second portion 2 on one surface side. Here, the lead frame 30 having the first facing surface 30a and the film support portion 31 having the second facing surface 31a are located on the same plane. These parts 30 and 31 are integrally connected by a tie bar, an outer frame or the like (not shown).

そして、用意工程では、このリードフレーム素材３に対して、エッチングやプレス等により、フィルム支持部３１を減厚する加工を行う。これにより、図２（ｂ）に示されるように、リードフレーム素材３は、第１の対向面３０ａの板厚よりも第２の対向面３１ａの板厚の方が小さいものとされる。   In the preparation process, the lead frame material 3 is processed to reduce the thickness of the film support 31 by etching, pressing, or the like. As a result, as shown in FIG. 2B, the lead frame material 3 has a thickness of the second facing surface 31a smaller than that of the first facing surface 30a.

そして、リードフレーム素材３の一面側においては、第２の対向面３１ａが第１の対向面３０ａよりも低くなったものとなる。この状態でも、上記リードフレーム３０とフィルム支持部３１とは、リードフレーム素材３の他面側にて同一平面上に位置したものとなっている。こうして、用意工程にて、半導体チップ１０とリードフレーム素材３とが用意される。   On the one surface side of the lead frame material 3, the second facing surface 31a is lower than the first facing surface 30a. Even in this state, the lead frame 30 and the film support portion 31 are located on the same plane on the other surface side of the lead frame material 3. Thus, the semiconductor chip 10 and the lead frame material 3 are prepared in the preparation process.

次に、樹脂封止工程を行う。この工程では、図２（ｅ）に示されるように、樹脂の成形用の金型１００に半導体チップ１０を収納し、第２の部位２のうち両板面１１、１２に金型１００を介してフィルム６０を密着させた状態で、金型１００に樹脂２０を充填する。   Next, a resin sealing process is performed. In this step, as shown in FIG. 2 (e), the semiconductor chip 10 is housed in a resin molding die 100, and both plate surfaces 11, 12 of the second part 2 are placed via the die 100. Then, the resin 20 is filled into the mold 100 with the film 60 in close contact.

そして、当該充填後にフィルム６０を第２の部位２から剥離する。これにより、第２の部位２における両板面１１、１２は樹脂２０より露出させつつ、第２の部位２におけるチップ側面１４〜１６と第１の部位１とが樹脂２０で封止された状態を、形成する。   And the film 60 is peeled from the 2nd site | part 2 after the said filling. Thereby, both the plate surfaces 11 and 12 in the second part 2 are exposed from the resin 20, and the chip side surfaces 14 to 16 and the first part 1 in the second part 2 are sealed with the resin 20. Is formed.

ここで、フィルム６０は、後で半導体チップ１０から剥離するために非接着性の樹脂材料よりなることが望ましい。そのような樹脂材料としては、たとえばＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）やポリイミド等が挙げられる。   Here, it is desirable that the film 60 is made of a non-adhesive resin material in order to be peeled from the semiconductor chip 10 later. Examples of such a resin material include PTFE (polytetrafluoroethylene) and polyimide.

本実施形態の樹脂封止工程では、第２の部位２のうち第１の板面１１とフィルム６０との密着状態の形成は、次の通りである。図２（ｅ）に示されるように、金型１００のうち第２の部位２における第１の板面１１に対向する部位に、フィルム６０を吸着等により貼り付けておく。そうすることで、ワークの金型１００への設置時に、第２の部位２における第１の板面１１をフィルム６０に密着させる。   In the resin sealing step of the present embodiment, the formation of the close contact state between the first plate surface 11 and the film 60 in the second portion 2 is as follows. As shown in FIG. 2 (e), a film 60 is attached to a portion of the mold 100 facing the first plate surface 11 in the second portion 2 by suction or the like. By doing so, the first plate surface 11 in the second part 2 is brought into close contact with the film 60 when the work is placed on the mold 100.

一方、本実施形態の樹脂封止工程では、第２の部位２のうち第２の板面１２については、図２（ｃ）、（ｄ）に示されるように、ワークの金型１００への設置前に、リードフレーム素材３のフィルム支持部３１を介して、フィルム６０を密着させておく。   On the other hand, in the resin sealing step of the present embodiment, the second plate surface 12 of the second portion 2 is applied to the workpiece mold 100 as shown in FIGS. 2 (c) and 2 (d). Prior to installation, the film 60 is brought into close contact via the film support portion 31 of the lead frame material 3.

具体的には、図２（ｃ）に示されるように、フィルム支持部３１の第２の対向面３１ａ上に、フィルム６０を搭載する。そして、図２（ｄ）に示されるように、第１の対向面３０ａ上に接着剤４０を介して、半導体チップ１０の第１の部位１を固定する。   Specifically, as shown in FIG. 2C, the film 60 is mounted on the second facing surface 31 a of the film support portion 31. Then, as shown in FIG. 2D, the first portion 1 of the semiconductor chip 10 is fixed via the adhesive 40 on the first facing surface 30a.

その一方で、第２の部位２における第２の板面１２側を、第２の対向面３１ａ上に搭載されたフィルム６０に押し付ける。これにより、第２の板面１２とフィルム６０との密着状態を形成する。   On the other hand, the second plate surface 12 side in the second part 2 is pressed against the film 60 mounted on the second facing surface 31a. Thereby, the contact | adherence state of the 2nd board surface 12 and the film 60 is formed.

このとき、第２の部位２に対して第１の板面１１側から、図示しない治具等により荷重を加えることにより、第２の部位２における第２の板面１２側を、半導体チップ１０の板厚方向の途中までフィルム６０にめり込ませるようにする。   At this time, by applying a load to the second portion 2 from the first plate surface 11 side with a jig (not shown) or the like, the second plate surface 12 side in the second portion 2 is placed on the semiconductor chip 10. The film 60 is sunk halfway in the thickness direction.

これにより、図２（ｄ）、（ｅ）、図３に示されるように、第２の部位２における第２の板面１２側については、フィルム６０が、第２の板面１２側の角部Ｋからチップ側面１４〜１６まで回り込んでチップ側面１４〜１６に密着した密着状態が形成される。   Thereby, as shown in FIGS. 2D, 2E, and 3, the film 60 has a corner on the second plate surface 12 side with respect to the second plate surface 12 side in the second portion 2. A close contact state is formed which wraps around from the portion K to the chip side surfaces 14 to 16 and closely contacts the chip side surfaces 14 to 16.

続いて、図２（ｄ）に示されるように、半導体チップ１０とリードフレーム３０との間でワイヤボンディングを行い、ボンディングワイヤ５０を形成する。こうして、リードフレーム素材３、フィルム６０および半導体チップ１０が一体とされたワークＷができあがる。そして、このワークＷを、金型１００に設置する。   Subsequently, as shown in FIG. 2D, wire bonding is performed between the semiconductor chip 10 and the lead frame 30 to form a bonding wire 50. In this way, a work W in which the lead frame material 3, the film 60, and the semiconductor chip 10 are integrated is completed. Then, this work W is installed in the mold 100.

この金型１００は、トランスファーモールド法に用いられる典型的なもので、図２（ｅ）に示されるように、脱着可能な上型１０１と下型１０２と備えている。そして、これら上下型１０１、１０２を離脱可能に合致させることにより、当該上下型１０１、１０２の間に、樹脂２０の外形に対応する空間形状を有するキャビティ１０３を形成する。   The mold 100 is a typical one used in the transfer molding method, and includes an upper mold 101 and a lower mold 102 that are detachable as shown in FIG. Then, by matching these upper and lower molds 101 and 102 so as to be detachable, a cavity 103 having a spatial shape corresponding to the outer shape of the resin 20 is formed between the upper and lower molds 101 and 102.

具体的にワークＷの設置は、図２（ｅ）に示されるように、上下型１０１、１０２を合致させ、ワークＷを上下型１０１、１０２で挟み付けることにより行う。このとき、図２（ｅ）に示されるように、第２の部位２における第１の板面１１と、上型１０１に設けられたフィルム６０とが密着する。   Specifically, as shown in FIG. 2 (e), the work W is installed by matching the upper and lower molds 101 and 102 and sandwiching the work W between the upper and lower molds 101 and 102. At this time, as shown in FIG. 2 (e), the first plate surface 11 in the second part 2 and the film 60 provided on the upper mold 101 are in close contact with each other.

一方、第２の部位２における第２の板面１２とフィルム６０およびフィルム支持部３１とは、金型１００からの荷重を受けて、上述した密着状態を維持する。こうして、半導体チップ１０の第２の部位２における両板面１１、１２とフィルム６０との密着は、金型１００を介して行われる。   On the other hand, the second plate surface 12, the film 60, and the film support portion 31 in the second portion 2 receive the load from the mold 100 and maintain the above-described close contact state. Thus, the adhesion between the two plate surfaces 11 and 12 and the film 60 in the second portion 2 of the semiconductor chip 10 is performed through the mold 100.

また、この金型１００のキャビティ１０３は、図２（ｅ）、図３に示されるように、半導体チップ１０の第２の部位２の側面１４〜１６と金型１００との間に、隙間１０３ａが存在するものである。この隙間１０３ａは、寸法公差等により形成されるもので、第１の部位１を封止する樹脂２０は、この隙間１０３ａに回り込んでくる。   Further, as shown in FIGS. 2E and 3, the cavity 103 of the mold 100 has a gap 103 a between the side surfaces 14 to 16 of the second portion 2 of the semiconductor chip 10 and the mold 100. Is something that exists. The gap 103a is formed by a dimensional tolerance or the like, and the resin 20 that seals the first portion 1 wraps around the gap 103a.

こうして、ワークＷを金型１００に設置した後、第２の部位２の両板面１１、１２とフィルム６０との上記密着状態にて、金型１００に樹脂２０を充填する。このとき、第２の部位２のうちフィルム６０が密着している第１の板面１１、第２の板面１２、および、チップ側面１４〜１６のうち当該第２の板面１２側のフィルム６０が回り込んで密着している部位は、樹脂２０が付着しない。   In this way, after the workpiece W is placed on the mold 100, the mold 100 is filled with the resin 20 in the above-described close contact state between the two plate surfaces 11 and 12 of the second portion 2 and the film 60. At this time, the film on the second plate surface 12 side of the first plate surface 11, the second plate surface 12, and the chip side surfaces 14 to 16, which are in close contact with the film 60 in the second region 2. The resin 20 does not adhere to the part where the 60 is wrapped around and is in close contact.

そして、樹脂２０の充填完了後、樹脂２０で封止されたワークＷから、金型１００を取り外す。このとき、第２の部位２における第１の板面１１からフィルム６０を剥離する。そして、リードフレーム素材３のタイバー等をカットするリードカットを行うことで、フィルム支持部３１とともに、第２の部位２における第２の板面１２からフィルム６０を剥離する。これらフィルム６０剥離後のワークＷの状態は、図４、図５に示される。   Then, after the filling of the resin 20 is completed, the mold 100 is removed from the workpiece W sealed with the resin 20. At this time, the film 60 is peeled from the first plate surface 11 in the second portion 2. And the film 60 is peeled from the 2nd board surface 12 in the 2nd site | part 2 with the film support part 31 by performing the lead cut which cuts the tie bar etc. of the lead frame raw material 3. FIG. The state of the workpiece W after the film 60 is peeled is shown in FIGS.

図４、図５に示されるワークＷでは、第２の部位２における両板面１１、１２は樹脂２０より露出し、第２の部位２におけるチップ側面１４〜１６と第１の部位１とは樹脂２０で封止されている。   In the workpiece W shown in FIGS. 4 and 5, both plate surfaces 11 and 12 in the second part 2 are exposed from the resin 20, and the chip side surfaces 14 to 16 and the first part 1 in the second part 2 are the same. Sealed with resin 20.

そして、第２の部位２においてチップ側面１４〜１６に位置する樹脂２０については、上記フィルム６０の痕跡としての凹部２０ａが形成されている。この凹部２０ａにより、第２の板面１２側の角部Ｋから半導体チップ１０の板厚方向の途中まで、チップ側面１４〜１６が露出している。ここまでが本実施形態の樹脂封止工程である。   And about the resin 20 located in the chip | tip side surfaces 14-16 in the 2nd site | part 2, the recessed part 20a as a trace of the said film 60 is formed. Due to the recess 20 a, the chip side surfaces 14 to 16 are exposed from the corner K on the second plate surface 12 side to the middle in the thickness direction of the semiconductor chip 10. This is the resin sealing process of this embodiment.

次に、図５に示されるように、樹脂除去工程を行う。この工程では、第２の部位２におけるチップ側面１４〜１６に位置する樹脂２０に対して、第１の板面１１側から、レーザＬを照射して当該樹脂２０を除去する。これにより当該チップ側面１４〜１６を露出させる。   Next, as shown in FIG. 5, a resin removal step is performed. In this step, the resin 20 is removed by irradiating the resin 20 positioned on the chip side surfaces 14 to 16 in the second part 2 with the laser L from the first plate surface 11 side. Thereby, the chip side surfaces 14 to 16 are exposed.

さらに、これに用いるレーザＬについて述べる。このレーザＬは、樹脂２０を消失できるものであればよいが、半導体チップ１０を透過するとともに、樹脂２０よりも半導体チップ１０の方が当該レーザの吸収率が小さくなる波長のものが望ましい。   Furthermore, the laser L used for this will be described. The laser L may be any laser that can eliminate the resin 20, but preferably has a wavelength that allows the semiconductor chip 10 to pass through the semiconductor chip 10 and that the absorption rate of the laser is smaller than that of the resin 20.

これは、チップ側面１４〜１６の樹脂２０を除去するには、半導体チップ１０と樹脂２０との境界近傍を狙って照射することが効率的であることによる。当該境界近傍を狙うと、レーザＬが半導体チップ１０に照射されやすく、照射による半導体チップ１０のダメージが懸念される。その点、上記望ましい波長のレーザＬならば、そのようなダメージを軽減できる。   This is because it is efficient to irradiate near the boundary between the semiconductor chip 10 and the resin 20 in order to remove the resin 20 on the chip side surfaces 14 to 16. Aiming at the vicinity of the boundary, the laser L is likely to be irradiated onto the semiconductor chip 10, and there is a concern about damage to the semiconductor chip 10 due to irradiation. In that respect, such damage can be reduced with the laser L having the desired wavelength.

具体的には、赤外波長の中でも１．５μｍ帯から１０μｍ帯程度（好ましくは５μｍ以下）の波長を有するレーザＬを用いることが望ましい。このようなレーザＬとしては、具体的に、ＥｒＹＡＧ（波長：約３μｍ）、ＨｏＹＡＧ（波長：約１．５μｍ）、およびファイバーレーザなど、波長が１μｍを超えるレーザが採用される。   Specifically, it is desirable to use a laser L having a wavelength of about 1.5 μm to 10 μm (preferably 5 μm or less) among infrared wavelengths. As such a laser L, specifically, a laser having a wavelength exceeding 1 μm, such as ErYAG (wavelength: about 3 μm), HoYAG (wavelength: about 1.5 μm), or a fiber laser is employed.

半導体チップ１０を構成する半導体のレーザ吸収波長帯は１ｕｍ以下にあり、１μｍよりも長い長波長帯においては、半導体チップ１０は、レーザＬのエネルギーを吸収せずほぼ透過する。一方で、樹脂２０は当該長波長帯にも吸収ピークが存在し、広い領域においてレーザＬの吸収が可能である。たとえば、−ＯＨ基の振動波長≒３ｕｍ、ＳＨ基の振動波長≒４ｕｍ、エポキシ３員環の振動波長≒８ｕｍなどである。   The laser absorption wavelength band of the semiconductor constituting the semiconductor chip 10 is 1 μm or less, and in the long wavelength band longer than 1 μm, the semiconductor chip 10 does not absorb the energy of the laser L and almost transmits. On the other hand, the resin 20 also has an absorption peak in the long wavelength band, and can absorb the laser L in a wide region. For example, the vibration wavelength of —OH group≈3 μm, the vibration wavelength of SH group≈4 μm, and the vibration wavelength of epoxy three-membered ring≈8 μm.

したがって、１．５ｕｍ帯〜１０μｍ帯程度の赤外波長のレーザＬを照射することにより、半導体チップ１０の機能損傷がなく、樹脂２０を選択的に加熱、除去することができる。   Therefore, the resin 20 can be selectively heated and removed without damaging the function of the semiconductor chip 10 by irradiating the laser L having an infrared wavelength of about 1.5 μm to 10 μm.

このようにして、樹脂除去工程を行い、半導体チップ１０の第２の部位２における全外面１１、１２、１４〜１６が露出する。これにより、本実施形態の電子装置Ｓ１ができあがる。   In this way, the resin removing step is performed, and all the outer surfaces 11, 12, 14 to 16 in the second portion 2 of the semiconductor chip 10 are exposed. Thereby, the electronic device S1 of this embodiment is completed.

ところで、本実施形態によれば、樹脂封止工程後において、第２の部位２におけるチップ側面１４〜１６を封止する樹脂２０を、上記凹部２０ａを有するものとするようにしている。そうすることで、チップ側面１４〜１６のうち、従来では樹脂残りが生じやすい第２の板面１２側の角部Ｋの近傍部位に、樹脂２０を存在させず、当該部位を露出状態としている。   By the way, according to the present embodiment, after the resin sealing step, the resin 20 that seals the chip side surfaces 14 to 16 in the second portion 2 has the recess 20a. By doing so, the resin 20 is not present in the vicinity of the corner K on the second plate surface 12 side, which is likely to cause a resin residue in the chip side surfaces 14 to 16 in the related art, and the portion is exposed. .

そのため、レーザ照射による樹脂除去工程では、除去しやすい照射側にてチップ側面１４〜１６に付着している樹脂２０を除去すればよい。よって、本実施形態によれば、半導体チップ１０の露出部２におけるチップ側面１４〜１６での樹脂残りを極力防止することができる。   Therefore, in the resin removal step by laser irradiation, the resin 20 attached to the chip side surfaces 14 to 16 may be removed on the irradiation side that is easy to remove. Therefore, according to the present embodiment, the resin residue on the chip side surfaces 14 to 16 in the exposed portion 2 of the semiconductor chip 10 can be prevented as much as possible.

また、本実施形態では、第１の対向面３０ａと第２の対向面３１ａとを有する平板状のリードフレーム素材３を用意し、樹脂封止工程では、第１の対向面３０ａ上に第１の部位１を接着、固定するとともに、第２の対向面３１ａ上にて第２の部位２における第２の板面１２側をフィルム６０に押し付けてめり込ませている。そのため、半導体チップ１０の水平度を確保しやすい。   Moreover, in this embodiment, the flat lead frame raw material 3 which has the 1st opposing surface 30a and the 2nd opposing surface 31a is prepared, and a 1st on the 1st opposing surface 30a is prepared in the resin sealing process. The first portion 1 is bonded and fixed, and the second plate surface 12 side of the second portion 2 is pressed against the film 60 on the second facing surface 31a. Therefore, it is easy to ensure the level of the semiconductor chip 10.

さらに、この場合、リードフレーム素材３を、第１の対向面３０ａの板厚よりも第２の対向面３１ａの板厚の方が小さいものとすることにより、第２の対向面３１ａが第１の対向面３０ａよりも低くなったものとしている。そのため、第２の対向面３１ａ上に搭載するフィルム６０を、第２の対向面３１ａ部分が薄くなった分、厚いものにできるので、第２の部位２をめり込ませやすくなる
なお、フィルム６０が第２の部位２における第２の板面１２側がめり込みやすいものである等の場合には、リードフレーム素材３における両対向面３０ａ、３１ａは同一高さであってもよい。 Furthermore, in this case, the lead frame material 3 is such that the thickness of the second facing surface 31a is smaller than the thickness of the first facing surface 30a, so that the second facing surface 31a is the first facing surface 31a. It is assumed that it is lower than the opposite surface 30a. Therefore, since the film 60 mounted on the second facing surface 31a can be thickened as the second facing surface 31a portion is thinned, the second portion 2 is easily sunk. In the case where 60 is the one in which the second plate surface 12 side in the second part 2 is likely to be recessed, the opposing surfaces 30a and 31a in the lead frame material 3 may be the same height.

また、上記製造方法では、金型１００にワークＷを設置する前に、すなわちワークＷを形成するときに、第２の部位２における第２の板面１２にフィルム６０をめり込ませるようにしていたが、このことは、ワークＷの金型１００への金型の設置の際に行ってもよい。すなわち、上型１０１、下型１０２を合致させるときの押さえ荷重により、第２の部位２における第２の板面１２側をフィルム６０に押し付けてめり込ませてもよい。   Further, in the above manufacturing method, before the work W is installed in the mold 100, that is, when the work W is formed, the film 60 is sunk into the second plate surface 12 in the second portion 2. However, this may be performed when the mold is set on the mold 100 of the workpiece W. That is, the second plate surface 12 side in the second part 2 may be pressed against the film 60 and pressed in by a pressing load when the upper mold 101 and the lower mold 102 are matched.

（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について、図６を参照して述べる。本実施形態の樹脂除去工程では、第１の板面１１側からレーザＬを照射して樹脂２０を除去する前に、予備照射として、第２の板面１２側からレーザＬを照射して、当該第２の板面１２側の樹脂２０を一部除去しておくものである。 (Second Embodiment)
A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the resin removing process of the present embodiment, before removing the resin 20 by irradiating the laser L from the first plate surface 11 side, as a preliminary irradiation, irradiating the laser L from the second plate surface 12 side, The resin 20 on the second plate surface 12 side is partially removed.

これによれば、チップ側面１４〜１６に位置する樹脂２０のうち樹脂残りが生じやすい第２の板面１２側の樹脂量を少なくした上で、第１の板面１１側からレーザＬを照射して当該樹脂２０を除去するので、樹脂残りをより抑制することが期待できる。   According to this, after reducing the amount of resin on the second plate surface 12 side where resin residue easily occurs among the resins 20 located on the chip side surfaces 14 to 16, the laser L is irradiated from the first plate surface 11 side. Then, since the resin 20 is removed, it can be expected that the resin residue is further suppressed.

（他の実施形態）
なお、上記各実施形態におけるチップ部品１０としては、表裏の関係にある第１の板面１１、第２の板面１２およびこれら第１、第２の両板面を連結するチップ側面１３〜１６を有する板状をなすものであれば、上記半導体チップ１０以外にも、セラミックよりなるチップ、金属よりなるチップ等でもよい。また、チップ部品１０は上記した矩形板状に限らず、その他の多角形板状、円形板状等でもよいことはもちろんである。 (Other embodiments)
In addition, as the chip component 10 in each said embodiment, the chip | tip side surfaces 13-16 which connect the 1st board surface 11 and the 2nd board surface 12 which have a front-and-back relationship, and these both 1st and 2nd board surfaces. In addition to the semiconductor chip 10, a chip made of ceramic, a chip made of metal, or the like may be used. Of course, the chip component 10 is not limited to the rectangular plate shape described above, but may be other polygonal plate shapes, circular plate shapes, or the like.

また、上記第１実施形態では、チップ部品１０の第２の部位２については、両板面１１、１２および全てのチップ側面１４〜１６が露出する全面露出構成であった。ここで、チップ側面１４〜１６については、第２の部位２における３つのチップ側面１４〜１６のうちの１つもしくは２つのチップ側面のみが露出し、残りのチップ側面は樹脂２０で封止されたままであってもよい。   Moreover, in the said 1st Embodiment, about the 2nd site | part 2 of the chip component 10, it was the whole surface exposure structure which both the board surfaces 11 and 12 and all the chip side surfaces 14-16 exposed. Here, for the chip side surfaces 14 to 16, only one or two chip side surfaces of the three chip side surfaces 14 to 16 in the second part 2 are exposed, and the remaining chip side surfaces are sealed with the resin 20. It may be left alone.

つまり、第２の部位２におけるチップ側面１４〜１６については、少なくとも一部が露出するものであればよい。一部のチップ側面のみが露出する場合、当該露出するチップ側面のみについて、上記レーザＬによる樹脂除去工程を行えばよい。   That is, it is only necessary that at least a part of the chip side surfaces 14 to 16 in the second portion 2 is exposed. When only some of the chip side surfaces are exposed, the resin removal process by the laser L may be performed only on the exposed chip side surfaces.

また、電子装置としては、樹脂２０内には、上記図１以外にも、他の基板や部品等が内蔵されていてもよい。さらには、チップ部品１０とその第１の部位１を封止する樹脂２０とを備えていればよく、たとえば上記図１におけるリードフレーム３０やボンディングワイヤ５０は省略されたものであってもよい。   Further, as the electronic device, in addition to FIG. 1 described above, other substrates, components, and the like may be incorporated in the resin 20. Furthermore, it is sufficient if the chip component 10 and the resin 20 that seals the first part 1 are provided. For example, the lead frame 30 and the bonding wire 50 in FIG. 1 may be omitted.

また、上記図１において、チップ部品１０の第１の部位１を接着固定するリードフレーム３０に代えて、たとえば配線基板を採用し、この配線基板に第１の部位１を接着固定し、これらを樹脂２０で封止した構成でもよい。   1, instead of the lead frame 30 for bonding and fixing the first part 1 of the chip component 10, for example, a wiring board is adopted, and the first part 1 is bonded and fixed to the wiring board. The structure sealed with the resin 20 may be sufficient.

この場合には、上記図２におけるリードフレーム素材３のフィルム支持部３１に代えて、たとえば、当該配線基板とは別体の板材を用いればよい。具体的には、第２の部位２における第２の板面１２側に対向する部位に当該別体の板材を対向させ、この別体の板材にフィルム６０を搭載して、第２の部位２における第２の板面１２側をフィルム６０に押し付けてめり込ませるようにすればよい。そして、この状態で樹脂封止工程を行えばよい。   In this case, instead of the film support portion 31 of the lead frame material 3 in FIG. 2, for example, a plate material separate from the wiring board may be used. Specifically, the separate plate member is made to face the portion facing the second plate surface 12 side in the second portion 2, and the film 60 is mounted on the separate plate member, so that the second portion 2 The second plate surface 12 side in the above may be pressed against the film 60 so as to be recessed. And what is necessary is just to perform a resin sealing process in this state.

さらには、上記別体の板材や上記リードフレーム素材３のフィルム支持部３１ではなく、フィルム６０を支持する部材として金型１００を用いる方法も、可能である。たとえば、金型１００のうち第２の部位２における第２の板面１２に対向する部位に、フィルム６０を貼り付けておき、金型１００へワークＷを設置するときに、第２の部位２における第２の板面１２側を、フィルム６０に押しつけてめり込ませるようにしてもよい。   Furthermore, a method of using the mold 100 as a member for supporting the film 60 instead of the separate plate material or the film support portion 31 of the lead frame material 3 is also possible. For example, when the film 60 is pasted on a part of the mold 100 facing the second plate surface 12 in the second part 2 and the workpiece W is placed on the mold 100, the second part 2. The second plate surface 12 side may be pressed against the film 60 to be embedded.

また、上記したようなチップ部品１０を固定するリードフレーム３０を省略した構成を採用する場合、別体の板材や金型で直接フィルム６０を支持する上記方法を採用すればよい。そして、この場合も、チップ部品１０の第２の部位２をフィルム６０へ押し付けてめり込ませればよい。   Further, in the case of adopting a configuration in which the lead frame 30 for fixing the chip component 10 as described above is omitted, the above method of directly supporting the film 60 with a separate plate material or mold may be employed. In this case as well, the second portion 2 of the chip component 10 may be pressed against the film 60 and inserted.

また、上記図１の電子装置において、ワイヤボンディング側である第１の板面１１を凹部２０ａが形成される側となる第２の板面とし、接着剤４０側である第２の板面１２をレーザ照射側となる第１の板面としてもよい。この場合も、上記したようにフィルム６０を別体の板材や金型で支持する方法を用い、チップ部品１０の第２の部位２における第２の板面側に、フィルム６０をめり込ませた状態で、樹脂封止を行えばよい。   Further, in the electronic device of FIG. 1, the first plate surface 11 on the wire bonding side is the second plate surface on the side where the recess 20a is formed, and the second plate surface 12 on the adhesive 40 side. May be the first plate surface on the laser irradiation side. Also in this case, the film 60 is embedded on the second plate surface side in the second portion 2 of the chip component 10 by using the method of supporting the film 60 with a separate plate or mold as described above. In this state, resin sealing may be performed.

また、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能であり、また、上記各実施形態は、上記の図示例に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、上記各実施形態において、実施形態の構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に特定の形状、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、位置関係等に限定されるものではない。   Further, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately changed within the scope described in the claims. The above embodiments are not irrelevant to each other, and can be combined as appropriate unless the combination is clearly impossible, and the above embodiments are not limited to the illustrated examples. Absent. In each of the above-described embodiments, it is needless to say that elements constituting the embodiment are not necessarily essential unless explicitly stated as essential and clearly considered essential in principle. Yes. Further, in each of the above embodiments, when numerical values such as the number, numerical value, quantity, range, etc. of the constituent elements of the embodiment are mentioned, it is clearly limited to a specific number when clearly indicated as essential and in principle. The number is not limited to the specific number except for the case. Further, in each of the above embodiments, when referring to the shape, positional relationship, etc. of the component, etc., the shape, unless otherwise specified and in principle limited to a specific shape, positional relationship, etc. It is not limited to the positional relationship or the like.

１ 第１の部位
２ 第２の部位
１０ チップ部品
１１ 第1の板面
１２ 第２の板面
１３〜１６ チップ側面
２０ 樹脂
２０ａ 凹部
６０ フィルム
１００ 金型
Ｋ 角部
Ｌ レーザ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 1st site | part 2 2nd site | part 10 Chip component 11 1st board surface 12 2nd board surface 13-16 Chip side surface 20 Resin 20a Recessed part 60 Film 100 Mold K Corner part L Laser

Claims (4)

表裏の関係にある第１の板面（１１）、第２の板面（１２）およびこれら第１、第２の両板面を連結する側面としてのチップ側面（１３〜１６）を有する板状をなすチップ部品（１０）と、
前記チップ部品の一部である第１の部位（１）を封止する樹脂（２０）と、を備え、
前記チップ部品の残部である第２の部位（２）では、前記両板面と前記チップ側面とが前記樹脂より露出している電子装置の製造方法であって、
前記チップ部品を用意する用意工程と、
前記樹脂の成形用の金型（１００）に前記チップ部品を収納し、前記第２の部位のうち前記両板面に前記金型を介して樹脂材料よりなるフィルム（６０）を密着させた状態で、前記金型に前記樹脂を充填し、
当該充填後に前記フィルムを前記第２の部位から剥離することにより、前記第２の部位における前記両板面は前記樹脂より露出させつつ、前記第２の部位における前記チップ側面と前記第１の部位とを前記樹脂で封止する樹脂封止工程と、
前記第２の部位における前記チップ側面に位置する前記樹脂に対して、前記第１の板面側から、レーザ（Ｌ）を照射して当該樹脂を除去することにより当該チップ側面を露出させる樹脂除去工程と、を備え、
前記樹脂封止工程では、前記第２の部位における前記第２の板面側については、前記チップ部品の板厚方向の途中まで前記フィルムにめり込むように前記フィルムに密着させることにより、前記フィルムが前記第２の板面側の角部（Ｋ）から前記チップ側面まで回り込んで前記チップ側面に密着した密着状態を形成し、
当該密着状態にて前記樹脂による封止を行うことにより、前記第２の部位において前記チップ側面に位置する前記樹脂に、前記第２の板面側の角部から前記チップ部品の板厚方向の途中まで前記チップ側面を露出させる凹部（２０ａ）を形成するようにしたことを特徴とする電子装置の製造方法。 A plate having a first plate surface (11), a second plate surface (12), and a chip side surface (13 to 16) as a side surface connecting both the first and second plate surfaces in a front-back relationship. A chip component (10) comprising:
A resin (20) for sealing the first part (1) which is a part of the chip component,
In the second part (2) which is the remaining part of the chip component, the two plate surfaces and the chip side surface are a method of manufacturing an electronic device in which the resin is exposed from the resin
A preparation step of preparing the chip component;
The chip component is housed in the resin molding die (100), and the film (60) made of a resin material is in close contact with the both plate surfaces of the second portion through the die. Then, the mold is filled with the resin,
By peeling the film from the second part after the filling, the both side surfaces of the second part are exposed from the resin, and the side surface of the chip and the first part in the second part are exposed. A resin sealing step of sealing the resin with the resin,
Resin removal that exposes the chip side surface by irradiating the resin located on the chip side surface in the second part with laser (L) from the first plate surface side to remove the resin. A process,
In the resin sealing step, with respect to the second plate surface side in the second part, the film is brought into close contact with the film so as to be sunk into the film partway in the plate thickness direction. Forming a close contact state that is in close contact with the side surface of the chip by going from the corner (K) on the second plate surface side to the side surface of the chip,
By sealing with the resin in the close contact state, the resin located on the side surface of the chip in the second portion is moved from the corner on the second plate surface side in the thickness direction of the chip component. A method of manufacturing an electronic device, characterized in that a recess (20a) for exposing the side surface of the chip partway is formed. 前記用意工程では、一面側に前記第１の部位に対向する第１の対向面（３０ａ）と前記第２の部位に対向する第２の対向面（３１ａ）とを有する平板状のリードフレーム素材（３）を用意し、
前記樹脂封止工程では、前記第１の対向面上に接着剤（４０）を介して前記第１の部位を固定するとともに、前記第２の対向面上に前記フィルムを搭載し、前記第２の部位における前記第２の板面側を前記フィルムに押し付けてめり込ませることで、前記密着状態を形成することを特徴とする請求項１に記載の電子装置の製造方法。 In the preparation step, a flat lead frame material having a first facing surface (30a) facing the first portion and a second facing surface (31a) facing the second portion on one side. Prepare (3),
In the resin sealing step, the first portion is fixed on the first opposing surface via an adhesive (40), the film is mounted on the second opposing surface, and the second 2. The method of manufacturing an electronic device according to claim 1, wherein the contact state is formed by pressing the second plate surface side of the portion of the second portion against the film to be indented. 前記リードフレーム素材は、前記第１の対向面の板厚よりも前記第２の対向面の板厚の方が小さいものとされることにより、前記第２の対向面が前記第１の対向面よりも低くなったものであることを特徴とする請求項２に記載の電子装置の製造方法。   In the lead frame material, the thickness of the second facing surface is smaller than the thickness of the first facing surface, so that the second facing surface becomes the first facing surface. The method of manufacturing an electronic device according to claim 2, wherein the method is lower. 前記樹脂除去工程では、前記レーザとして、前記半導体チップを透過するとともに、前記樹脂よりも前記半導体チップの方が当該レーザの吸収率が小さくなる波長のものを照射することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の電子装置の製造方法。   2. The resin removing step, wherein the laser is irradiated with a laser that transmits the semiconductor chip and has a wavelength at which the absorption rate of the laser is smaller than that of the resin. 4. A method for manufacturing an electronic device according to any one of items 3 to 3.
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