JP6194859B2 - Semiconductor device and manufacturing method thereof - Google Patents

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Description

本発明は、半導体部品を樹脂で封止するとともに半導体部品の一部を樹脂より露出させてなる半導体装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor device in which a semiconductor component is sealed with resin and a part of the semiconductor component is exposed from resin.

従来より、この種の半導体装置としては、シリコン半導体よりなる半導体部品と、半導体部品を封止する樹脂と、を備え、半導体部品の一部は、樹脂の第１の面より突出することにより樹脂より露出する露出部とされたものが、提案されている（たとえば、特許文献１参照）。   Conventionally, this type of semiconductor device includes a semiconductor component made of a silicon semiconductor and a resin that seals the semiconductor component, and a part of the semiconductor component protrudes from the first surface of the resin. What was made into the exposed part which exposes more is proposed (for example, refer patent document 1).

このような半導体装置は、半導体部品の一部が樹脂より露出するように、金型で樹脂成形したり、あるいは、特許文献１に記載されているように、半導体部品全体を樹脂で封止した後、半導体部品の一部を露出させるようにレーザ照射によって樹脂を除去したりすることで製造される。   In such a semiconductor device, resin molding is performed with a mold so that a part of the semiconductor component is exposed from the resin, or the entire semiconductor component is sealed with resin as described in Patent Document 1. Thereafter, the resin is removed by laser irradiation so that a part of the semiconductor component is exposed.

特開２０１１−２６３８００号公報JP 2011-263800 A

本発明者は、この種の半導体装置について、試作検討を行った。図１６は、本発明者が試作した試作品としての半導体装置の概略斜視図であり、半導体部品１０の一部である露出部２が樹脂２０の第１の面２１より突出している。   The inventor has conducted a trial production of this type of semiconductor device. FIG. 16 is a schematic perspective view of a semiconductor device as a prototype manufactured by the inventor. The exposed portion 2 that is a part of the semiconductor component 10 protrudes from the first surface 21 of the resin 20.

ところで、このような半導体装置においては、露出部２の突出根元部と樹脂２０との境界にて、半導体部品１０の外表面と樹脂２０の第１の面２１とが交差する角部Ｊ１が形成される。   By the way, in such a semiconductor device, a corner portion J1 where the outer surface of the semiconductor component 10 and the first surface 21 of the resin 20 intersect is formed at the boundary between the protruding base portion of the exposed portion 2 and the resin 20. Is done.

このような角部Ｊ１は、半導体部品１０と樹脂２０との線膨張係数差等に起因して応力集中が起こる部位であり、この応力集中による半導体部品１０へのダメージ発生や、樹脂２０の剥離発生等が懸念される。   Such a corner portion J1 is a part where stress concentration occurs due to a difference in linear expansion coefficient between the semiconductor component 10 and the resin 20, and the semiconductor component 10 is damaged due to the stress concentration or the resin 20 is peeled off. There are concerns about the occurrence.

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、半導体部品を樹脂で封止するとともに半導体部品の一部を樹脂より突出させて露出部とした半導体装置において、露出部の突出根元部における応力集中を緩和することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and in a semiconductor device in which a semiconductor component is sealed with resin and a part of the semiconductor component protrudes from the resin to form an exposed portion, the protruding base portion of the exposed portion The purpose is to relieve stress concentration.

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、シリコン半導体よりなる半導体部品（１０）と、半導体部品を封止する樹脂（２０）と、を備え、半導体部品の一部は、樹脂の第１の面（２１）より突出することにより樹脂より露出する露出部（２）とされている半導体装置であって、露出部における第１の面からの突出根元部において、樹脂の一部が露出部の外表面に接触しつつ第１の面よりも露出部側に突出してなる突出部（２２）が形成されており、突出部は、露出部側から第１の面に向かって凹曲面状に拡がる形状とされていることを特徴とする。   In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, a semiconductor component (10) made of a silicon semiconductor and a resin (20) for sealing the semiconductor component are provided. A semiconductor device having an exposed portion (2) exposed from the resin by protruding from the first surface (21) of the first surface (21), wherein a part of the resin is formed at the protruding root portion from the first surface of the exposed portion. Is formed on the exposed portion side of the exposed portion while being in contact with the outer surface of the exposed portion, and the protruding portion is recessed from the exposed portion side toward the first surface. It has a shape that expands into a curved surface.

上述したように、従来では、半導体部品の露出部における突出根元部と樹脂との境界にて、半導体部品の外表面と樹脂の第１の面とが角部を形成していたので、この角部に対して、露出部における突出根元部への樹脂による応力集中が大きかった。   As described above, conventionally, the outer surface of the semiconductor component and the first surface of the resin form a corner at the boundary between the protruding root portion and the resin in the exposed portion of the semiconductor component. The stress concentration by the resin on the protruding root portion in the exposed portion was larger than that in the exposed portion.

それに対して、本発明によれば、突出根元部と樹脂との境界にて、上記したような凹曲面状の突出部を設けることにより、半導体部品と樹脂との間に実質的に角部が無い構成となることから、露出部の突出根元部における応力集中を緩和することができる。   On the other hand, according to the present invention, by providing the concave curved protrusion as described above at the boundary between the protrusion base and the resin, there is substantially a corner between the semiconductor component and the resin. Since there is no structure, the stress concentration at the protruding root portion of the exposed portion can be reduced.

ところで、上記請求項１に記載の半導体装置のような凹曲面状の突出部を、金型や樹脂のレーザ除去により形成することは、困難である。金型では寸法公差等の理由により当該形成が困難である。また、従来のレーザ除去では、レーザのスポットを大きくする必要があり、そうするとレーザ強度が低下して樹脂の除去が困難になる等の理由により、当該形成が困難になる。   By the way, it is difficult to form a concave curved protrusion like the semiconductor device according to claim 1 by laser removal of a mold or resin. The mold is difficult to form due to dimensional tolerances and the like. Further, in the conventional laser removal, it is necessary to enlarge the laser spot, and this makes the formation difficult because the laser intensity decreases and it becomes difficult to remove the resin.

本発明者は、レーザ除去の方法について検討を行い、請求項１のような凹曲面形状の突出部を形成するのに適した製造方法として、請求項５の製造方法を見出した。   The present inventor has studied a method for removing laser, and found the manufacturing method of claim 5 as a manufacturing method suitable for forming the convex portion having the concave curved surface as in claim 1.

すなわち、請求項５に記載の発明は、シリコン半導体よりなる半導体部品（１０）を樹脂（２０）で封止する封止工程と、樹脂にレーザ（Ｌ）を照射することにより、半導体部品の一部が樹脂の第１の面（２１）より突出して樹脂より露出するように樹脂を除去する除去工程と、を行う半導体装置の製造方法であって、さらに以下の特徴を有する。   That is, the invention according to claim 5 is a method of sealing a semiconductor component (10) made of a silicon semiconductor with a resin (20), and irradiating the resin with a laser (L). And a removing step of removing the resin so that the portion protrudes from the first surface (21) of the resin and is exposed from the resin, and further has the following characteristics.

請求項５の製造方法において、除去工程では、レーザとして、樹脂を除去可能なエネルギーを有する第１のレーザ（Ｌ１）と、第１のレーザよりもシリコン半導体への吸収率が小さい波長を有し且つ第１のレーザよりもエネルギーの小さい第２のレーザ（Ｌ２）とを用いる。   6. The manufacturing method according to claim 5, wherein in the removing step, the laser has a first laser (L1) having energy capable of removing the resin, and a wavelength having a smaller absorption rate to the silicon semiconductor than the first laser. A second laser (L2) having a smaller energy than the first laser is used.

そして、第１のレーザおよび第２のレーザを集光レンズ（Ｒ１）にて集光させることにより、集光レンズを通過したレーザが、第１のレーザの領域の周囲に第２のレーザの領域が位置する構成とされた複合レーザとなるようにする。   Then, by condensing the first laser and the second laser with the condensing lens (R1), the laser that has passed through the condensing lens is in the region of the second laser around the region of the first laser. The composite laser is configured to be positioned in the position.

そして、当該複合レーザとしてのレーザの照射においては、第１のレーザの領域を半導体部品と樹脂との界面（Ｋ１）から離した状態で樹脂に照射して樹脂の除去を行うとともに、当該界面には第２のレーザの領域のみが照射されるようにする。請求項５の製造方法は、これらの点を特徴としている。   In the laser irradiation as the composite laser, the resin is removed by irradiating the resin with the region of the first laser separated from the interface (K1) between the semiconductor component and the resin, and at the interface. In this case, only the region of the second laser is irradiated. The manufacturing method of claim 5 is characterized by these points.

それによれば、樹脂の除去については、比較的エネルギーの大きい第１のレーザの領域により効率良く行える。また、半導体部品と樹脂との界面付近では、比較的パワーが弱く半導体部品に損傷を与えない第２のレーザの領域により樹脂の除去が行われるので、当該界面付近の樹脂形状、すなわち突出部形状を精密に形成できる。よって、本発明によれば、上記凹曲面状をなす突出部を有する請求項１に記載の半導体装置を形成するのに適した製造方法が提供され得る。   According to this, the removal of the resin can be efficiently performed by the first laser region having a relatively large energy. Also, in the vicinity of the interface between the semiconductor component and the resin, the resin is removed by the region of the second laser that is relatively weak in power and does not damage the semiconductor component. Can be precisely formed. Therefore, according to the present invention, there can be provided a manufacturing method suitable for forming the semiconductor device according to claim 1, which has the protruding portion having the concave curved surface shape.

なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。   In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each means described in the claim and this column is an example which shows a corresponding relationship with the specific means as described in embodiment mentioned later.

本発明の第１実施形態にかかる半導体装置を示す概略斜視図である。1 is a schematic perspective view showing a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention. 図１に示される半導体装置の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the semiconductor device shown by FIG. 図１に示される半導体装置の要部を示す概略平面図である。FIG. 2 is a schematic plan view showing a main part of the semiconductor device shown in FIG. 1. 第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法における封止工程を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the sealing process in the manufacturing method of the semiconductor device concerning 1st Embodiment. 第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法の除去工程におけるレーザのエネルギー分布を示す図である。It is a figure which shows the energy distribution of the laser in the removal process of the manufacturing method of the semiconductor device concerning 1st Embodiment. 図５に示される照射工程におけるレーザの照射状態を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the irradiation state of the laser in the irradiation process shown by FIG. 図５に示される照射工程におけるレーザの照射状態を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows the irradiation state of the laser in the irradiation process shown by FIG. 本発明の第２実施形態にかかる半導体装置を示す概略斜視図である。It is a schematic perspective view which shows the semiconductor device concerning 2nd Embodiment of this invention. 第２実施形態にかかる半導体装置の製造方法を断面的に示す工程図である。It is process drawing which shows in cross-section the manufacturing method of the semiconductor device concerning 2nd Embodiment. 図９（ｄ）中のＡ−Ａ線に沿った部分の拡大断面図である。It is an expanded sectional view of the part along the AA line in FIG.9 (d). 図９に続く半導体装置の製造方法を斜視的に示す工程図である。FIG. 10 is a process diagram perspectively illustrating a method for manufacturing the semiconductor device following FIG. 9; 本発明の第３実施形態にかかる半導体装置を示す概略斜視図である。It is a schematic perspective view which shows the semiconductor device concerning 3rd Embodiment of this invention. 図１２に示される半導体装置の要部を示す概略平面図である。FIG. 13 is a schematic plan view showing a main part of the semiconductor device shown in FIG. 12. 図１３中のＢ−Ｂ線に沿った部分の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the part along the BB line in FIG. 第３実施形態にかかる半導体装置の製造方法における封止工程を示す概略斜視図である。It is a schematic perspective view which shows the sealing process in the manufacturing method of the semiconductor device concerning 3rd Embodiment. 本発明者の試作品としての半導体装置の概略斜視図である。It is a schematic perspective view of the semiconductor device as a prototype of this inventor.

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, parts that are the same or equivalent to each other are given the same reference numerals in the drawings in order to simplify the description.

（第１実施形態）
本発明の第１実施形態にかかる半導体装置Ｓ１について、図１〜図３を参照して述べる。この半導体装置Ｓ１は、たとえば自動車などの車両に搭載され、車両用の各種電子装置を駆動するための装置として適用されるものである。 (First embodiment)
The semiconductor device S1 according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. This semiconductor device S1 is mounted on a vehicle such as an automobile, for example, and is applied as a device for driving various electronic devices for the vehicle.

本実施形態の半導体装置Ｓ１は、大きくは、シリコン半導体よりなる半導体部品１０と、半導体部品１０を封止する樹脂２０と、を備えて構成されている。そして、半導体部品１０の一部は、樹脂２０の第１の面２１より突出することにより樹脂２０より露出する露出部２とされている。   The semiconductor device S1 of the present embodiment is mainly configured to include a semiconductor component 10 made of a silicon semiconductor and a resin 20 that seals the semiconductor component 10. A part of the semiconductor component 10 is an exposed portion 2 exposed from the resin 20 by protruding from the first surface 21 of the resin 20.

ここでは、半導体部品１０は、通常の半導体プロセスなどにより形成されたシリコン半導体などよりなる半導体チップである。この半導体部品１０は、表裏の関係にある両板面１１、１２および当該両板面１１、１２を連結する部品側面１３〜１６を、外表面とする板状をなすものとされている。   Here, the semiconductor component 10 is a semiconductor chip made of a silicon semiconductor or the like formed by a normal semiconductor process or the like. The semiconductor component 10 has a plate shape in which both plate surfaces 11 and 12 having a front-back relationship and component side surfaces 13 to 16 connecting the both plate surfaces 11 and 12 are external surfaces.

ここでは、半導体部品１０は典型的な矩形板状をなしているが、具体的には一端１０ａから他端１０ｂへ（図１（ｂ）の左から右へ）延びる長方形板状をなすものである。この半導体部品１０における各面については、一方の板面１１を第１の板面１１とし、他方の板面１２を第２の板面１２とし、これら両板面１１、１２の端部を連結する４個の側面を部品側面１３〜１６としている。   Here, the semiconductor component 10 has a typical rectangular plate shape. Specifically, the semiconductor component 10 has a rectangular plate shape extending from one end 10a to the other end 10b (from left to right in FIG. 1B). is there. For each surface of the semiconductor component 10, one plate surface 11 is a first plate surface 11, the other plate surface 12 is a second plate surface 12, and the ends of both the plate surfaces 11 and 12 are connected. The four side surfaces to be used are the component side surfaces 13 to 16.

ここで、本実施形態の半導体部品１０における部品側面１３〜１６とは、一端１０ａ側の端面としての部品側面１３、他端１０ｂ側の端面としての部品側面１４、および当該両端１０ａ、１０ｂ間に延びる（ここでは半導体部品１０の長手方向に延びる）２個の部品側面１５、１６である。そして、半導体部品１０においては、典型的には表裏の両板面１１、１２が、回路やセンシング部等の素子が形成される素子形成面とされる。   Here, the component side surfaces 13 to 16 in the semiconductor component 10 of the present embodiment are the component side surface 13 as the end surface on the one end 10a side, the component side surface 14 as the end surface on the other end 10b side, and the both ends 10a and 10b. Two component side surfaces 15 and 16 extending (in this case, extending in the longitudinal direction of the semiconductor component 10). In the semiconductor component 10, the front and back plate surfaces 11 and 12 are typically element formation surfaces on which elements such as circuits and sensing units are formed.

本実施形態の半導体部品１０は、たとえば検出部としての図示しないセンシング部を有するセンサチップとして構成される。具体的には、当該センシング部としてダイアフラムを有する圧力センサや熱式流量センサ、または当該センシング部として可動部を有する加速度センサや角速度センサ等のセンサチップが挙げられる。このような場合、当該センシング部は、典型的には、半導体部品１０の他端１０ｂ側における第１の板面１１に設けられている。   The semiconductor component 10 of this embodiment is configured as a sensor chip having a sensing unit (not shown) as a detection unit, for example. Specifically, a sensor chip such as a pressure sensor or a thermal flow sensor having a diaphragm as the sensing part, or an acceleration sensor or an angular velocity sensor having a movable part as the sensing part may be used. In such a case, the sensing unit is typically provided on the first plate surface 11 on the other end 10 b side of the semiconductor component 10.

そして、半導体部品１０は、当該センシング部を露出させるように半導体部品１０の他端１０ｂ側、すなわち露出部２を露出させた状態で、一端１０ａ側の残部が樹脂２０で封止されている。この樹脂２０は、エポキシ樹脂などのモールド樹脂であり、後述するように金型を用いたトランスファーモールド法により成形されたものである。ここでは、樹脂２０は、矩形ブロック状をなし、その一面が第１の面２１とされている。
ここで、半導体部品１０における樹脂２０で封止されている部位を、被封止部１とする。そして、上述のように、半導体部品１０における樹脂２０より露出している露出部２は、第１の面２１より突出している部位、すなわち半導体部品１０における第１の面２１からの突出部に相当する。 The semiconductor component 10 is sealed with a resin 20 at the other end 10b side of the semiconductor component 10 so that the sensing portion is exposed, that is, with the exposed portion 2 exposed. The resin 20 is a mold resin such as an epoxy resin, and is formed by a transfer molding method using a mold as will be described later. Here, the resin 20 has a rectangular block shape, and one surface thereof is a first surface 21.
Here, the part sealed with the resin 20 in the semiconductor component 10 is defined as a sealed part 1. As described above, the exposed portion 2 exposed from the resin 20 in the semiconductor component 10 corresponds to a portion protruding from the first surface 21, that is, a protruding portion from the first surface 21 in the semiconductor component 10. To do.

そして、半導体部品１０において、被封止部１は、半導体部品１０の一端１０ａ側に位置し、露出部２は、被封止部１に隣接し被封止部１よりも半導体部品１０の他端１０ｂ側に位置する。ここで、上記図示しないセンシング部は露出部２に位置し、樹脂２０より露出している。   In the semiconductor component 10, the portion to be sealed 1 is located on the one end 10 a side of the semiconductor component 10, and the exposed portion 2 is adjacent to the portion to be sealed 1 and other than the portion to be sealed 1. Located on the end 10b side. Here, the sensing unit (not shown) is located in the exposed portion 2 and exposed from the resin 20.

そして、本実施形態では、当該露出部２における両板面１１、１２および全ての部品側面（ここでは３個の部品側面）１４、１５、１６が樹脂２０より露出している。つまり、半導体部品１０における露出部２については、全ての外表面が樹脂２０で封止されずに露出し、全面露出構成とされている。   In the present embodiment, both plate surfaces 11 and 12 and all component side surfaces (here, three component side surfaces) 14, 15 and 16 in the exposed portion 2 are exposed from the resin 20. That is, regarding the exposed portion 2 in the semiconductor component 10, all the outer surfaces are exposed without being sealed with the resin 20, and the entire surface is exposed.

このように、本実施形態では、上記センシング部を含む露出部２の全外表面を、樹脂２０より露出させることで、樹脂２０による応力から上記センシング部を解放して精度の良い検出を可能としている。   As described above, in this embodiment, the entire outer surface of the exposed portion 2 including the sensing portion is exposed from the resin 20 so that the sensing portion can be released from the stress caused by the resin 20 and accurate detection can be performed. Yes.

また、図１（ｂ）に示されるように、半導体部品１０は、被封止部１にてリードフレーム３０に固定され支持されている。ここでは、半導体部品１０の第２の板面１２とリードフレーム３０の第１の対向面３０ａとを対向させた状態で、被封止部１とリードフレーム３０とが、接着剤４０を介して接着されている。この接着剤４０は、たとえエポキシ樹脂等よりなるものである。   Further, as shown in FIG. 1B, the semiconductor component 10 is fixed and supported on the lead frame 30 by the sealed portion 1. Here, in a state where the second plate surface 12 of the semiconductor component 10 and the first opposing surface 30a of the lead frame 30 are opposed to each other, the sealed portion 1 and the lead frame 30 are interposed via the adhesive 40. It is glued. The adhesive 40 is made of an epoxy resin or the like.

このリードフレーム３０は、Ｃｕや４２アロイなどの導電性に優れた金属板材をエッチングやプレス等によりパターニング加工してなるものである。そして、リードフレーム３０は、半導体部品１０の被封止部１とともに、樹脂２０で封止されている。なお、図示しないが、典型的には、リードフレーム３０の一部は外部端子として構成され、この外部端子は樹脂２０より露出して外部と電気的に接続されるようになっている。   The lead frame 30 is formed by patterning a metal plate material having excellent conductivity such as Cu or 42 alloy by etching or pressing. The lead frame 30 is sealed with the resin 20 together with the sealed portion 1 of the semiconductor component 10. Although not shown, typically, a part of the lead frame 30 is configured as an external terminal, and the external terminal is exposed from the resin 20 and is electrically connected to the outside.

また、図１（ｂ）に示されるように、半導体部品１０とリードフレーム３０とは、樹脂２０の内部にてボンディングワイヤ５０により電気的に接続されている。このボンディングワイヤ５０は、Ａｕやアルミニウム等よりなり、通常のワイヤボンディングで形成されるものである。   Further, as shown in FIG. 1B, the semiconductor component 10 and the lead frame 30 are electrically connected by a bonding wire 50 inside the resin 20. The bonding wire 50 is made of Au, aluminum, or the like, and is formed by normal wire bonding.

ここで、本実施形態の半導体装置Ｓ１においては、さらに、半導体部品１０の露出部２における第１の面２１からの突出根元部において、樹脂２０の一部が樹脂２０の第１の面２１よりも露出部２側に突出してなる突出部２２が、形成されている。   Here, in the semiconductor device S <b> 1 of the present embodiment, a part of the resin 20 is further from the first surface 21 of the resin 20 in the protruding root portion from the first surface 21 in the exposed portion 2 of the semiconductor component 10. Also, a protruding portion 22 is formed to protrude to the exposed portion 2 side.

この突出部２２は、樹脂２０から露出部２の途中部まで（つまり突出根元部から突出方向の途中部まで）延長されたものであり、露出部２の外表面に接触しつつ当該外表面に沿って突出している。   The projecting portion 22 extends from the resin 20 to the middle portion of the exposed portion 2 (that is, from the projecting root portion to the middle portion in the projecting direction), and is in contact with the outer surface of the exposed portion 2 to the outer surface. Projecting along.

そして、突出部２２は、図１〜図３に示されるように、露出部２側から樹脂２０の第１の面２１に向かって凹曲面状に拡がる形状とされている。言い換えれば、突出部２２は、裾を構成する面が凹曲面とされた裾拡がり形状をなしている。   As shown in FIGS. 1 to 3, the protruding portion 22 has a shape that expands in a concave curved shape from the exposed portion 2 side toward the first surface 21 of the resin 20. In other words, the protruding portion 22 has a hem-expanded shape in which the surface constituting the skirt is a concave curved surface.

本実施形態では、露出部２の突出根元部における第１の板面１１、第２の板面１２および部品側面１５、１６のすべてに突出部２２が配置されている。つまり、突出部２２は、露出部２の突出根元部の全周を取り囲むように設けられている。そして、本実施形態における露出部２の突出根元部は、樹脂２０の延長部としての突出部２２により被覆された部分とされている。   In the present embodiment, the protruding portions 22 are disposed on all of the first plate surface 11, the second plate surface 12, and the component side surfaces 15 and 16 in the protruding root portion of the exposed portion 2. That is, the protruding portion 22 is provided so as to surround the entire circumference of the protruding root portion of the exposed portion 2. And the protrusion root part of the exposed part 2 in this embodiment is made into the part coat | covered with the protrusion part 22 as an extension part of the resin 20. FIG.

次に、本実施形態の半導体装置Ｓ１の製造方法について、図４〜図７を参照して述べる。本製造方法は、大きくは、シリコン半導体よりなる半導体部品１０を樹脂２０で封止する封止工程と、樹脂２０にレーザＬを照射することにより、半導体部品１０の一部、すなわち露出部２が樹脂２０の第１の面２１より突出して露出するように樹脂２０を除去する除去工程と、を行うものである。   Next, a method for manufacturing the semiconductor device S1 of the present embodiment will be described with reference to FIGS. In the present manufacturing method, roughly, a semiconductor component 10 made of a silicon semiconductor is sealed with a resin 20, and the resin 20 is irradiated with a laser L so that a part of the semiconductor component 10, that is, the exposed portion 2 is formed. And a removing step of removing the resin 20 so as to protrude from the first surface 21 of the resin 20 and be exposed.

本実施形態の製造方法では、まず、リードフレーム３０に半導体部品１０を搭載する搭載工程を行う。この工程は具体的には、リードフレーム３０に接着剤４０を介して半導体部品１０を搭載し、ワイヤボンディングを行うことによりなされる。   In the manufacturing method of the present embodiment, first, a mounting process for mounting the semiconductor component 10 on the lead frame 30 is performed. Specifically, this process is performed by mounting the semiconductor component 10 on the lead frame 30 via the adhesive 40 and performing wire bonding.

そして、図４に示されるように、半導体部品１０を樹脂２０で封止する封止工程を行う。この工程では、具体的に、トランスファー成形やコンプレッション成形等により、リードフレーム３０、ボンディングワイヤ５０とともに、半導体部品１０の全体を樹脂２０で封止する。   Then, as shown in FIG. 4, a sealing process for sealing the semiconductor component 10 with the resin 20 is performed. In this step, specifically, the entire semiconductor component 10 is sealed with the resin 20 together with the lead frame 30 and the bonding wire 50 by transfer molding or compression molding.

次に、図５〜図７に示される、樹脂２０にレーザＬを照射する除去工程を行う。これにより、半導体部品１０の露出部２が樹脂２０の第１の面２１より突出して樹脂２０より露出するように樹脂２０が除去される。この除去工程により、上記図１〜図３に示される半導体装置Ｓ１ができあがる。   Next, a removal step of irradiating the resin 20 with the laser L shown in FIGS. As a result, the resin 20 is removed such that the exposed portion 2 of the semiconductor component 10 protrudes from the first surface 21 of the resin 20 and is exposed from the resin 20. By this removal step, the semiconductor device S1 shown in FIGS. 1 to 3 is completed.

この除去工程について、図５〜図７を参照して、詳細に述べる。図５〜図７に示されるように、除去工程では、レーザＬとして、樹脂２０を除去可能なエネルギーを有する第１のレーザＬ１と、第１のレーザＬ１よりもエネルギーの小さい第２のレーザＬ２とを用いる。また、この第２のレーザＬ２は、第１のレーザＬ１よりも半導体部品１０を構成するシリコン半導体への吸収率が小さい波長を有するものである。   This removal step will be described in detail with reference to FIGS. As shown in FIG. 5 to FIG. 7, in the removal process, as the laser L, a first laser L1 having energy capable of removing the resin 20 and a second laser L2 having energy lower than that of the first laser L1. And are used. Further, the second laser L2 has a wavelength with a smaller absorption rate to the silicon semiconductor constituting the semiconductor component 10 than the first laser L1.

そして、除去工程では、図５〜図７に示されるように、第１のレーザＬ１および第２のレーザＬ２を集光レンズＲ１にて集光させる。ここでは、第１および第２のレーザＬ１、Ｌ２の図示しない各光源側（図６の上方側）に曲面を有する集光レンズＲ１を用いている。   And in a removal process, as FIG. 5-7 shows, the 1st laser L1 and the 2nd laser L2 are condensed with the condensing lens R1. Here, a condensing lens R1 having a curved surface on each light source side (not shown) of the first and second lasers L1 and L2 (upper side in FIG. 6) is used.

そして、この集光レンズＲ１に対して、第１のレーザＬ１の周りに第２のレーザＬ２が位置する同心円状の配置となるように、第１のレーザＬ１および第２のレーザＬ２を入射させる。このような同心円状の入射がなされるように、第１のレーザＬ１および第２のレーザＬ２の図示しない各光源は、集光レンズＲ１上に配置されている。   Then, the first laser L1 and the second laser L2 are made incident on the condenser lens R1 so as to have a concentric arrangement in which the second laser L2 is positioned around the first laser L1. . The light sources (not shown) of the first laser L1 and the second laser L2 are arranged on the condenser lens R1 so that such concentric incidence is performed.

これにより、集光レンズＲ１を通過したレーザＬは、図５〜図７に示されるように、第１のレーザＬ１の領域の周囲に第２のレーザＬ２の領域が位置する構成とされた複合レーザとなる。具体的には、集光レンズＲ１を通過したレーザＬは、第１のレーザＬ１の領域の周囲に第２のレーザＬ２の領域が位置する同心円状の構成とされた複合レーザとして構成される。   As a result, the laser L that has passed through the condenser lens R1 has a configuration in which the region of the second laser L2 is positioned around the region of the first laser L1, as shown in FIGS. Become a laser. Specifically, the laser L that has passed through the condenser lens R1 is configured as a composite laser having a concentric configuration in which the region of the second laser L2 is located around the region of the first laser L1.

ここで、第２のレーザＬ２は、第１のレーザＬ１よりもシリコン半導体への吸収率が小さい波長として、１．５μｍ〜５μｍ程度の波長を有するものである。そのような第２のレーザＬ２の光源（発振器）としては、たとえばＥｒＹＡＧ（波長：約３μｍ）、ＨｏＹＡＧ（波長：約１．５μｍ）等が挙げられる。   Here, the second laser L2 has a wavelength of about 1.5 μm to 5 μm as a wavelength having a smaller absorption rate into the silicon semiconductor than the first laser L1. Examples of the light source (oscillator) of the second laser L2 include ErYAG (wavelength: about 3 μm), HoYAG (wavelength: about 1.5 μm), and the like.

一方、第１のレーザＬ１は、シリコン半導体への吸収率は関係なく、第２のレーザＬ２よりもエネルギーが大きく、樹脂２０を除去可能なものであればよい。そのため、第１のレーザＬ１の光源（発振器）としては、上記ＥｒＹＡＧやＨｏＹＡＧ等の１．５μｍ〜５μｍ程度の波長を有するもの、あるいは、ＣＯ２（波長：約１０μｍ）やＮｄＹＡＧ（波長：約１．０６μｍ）やファイバーレーザ等の１．５μｍ〜５μｍから外れた範囲の波長を有するものであってもよい。   On the other hand, the first laser L <b> 1 may have any energy greater than that of the second laser L <b> 2 and can remove the resin 20 regardless of the absorption rate into the silicon semiconductor. Therefore, as a light source (oscillator) of the first laser L1, one having a wavelength of about 1.5 μm to 5 μm, such as ErYAG or HoYAG, or CO2 (wavelength: about 10 μm) or NdYAG (wavelength: about 1.. 06 μm) or a fiber laser or the like may have a wavelength outside the range of 1.5 μm to 5 μm.

このように、第１のレーザＬ１の光源と第２のレーザＬ２の光源とは、同じ種類のものであってもよいし、異種のものであってもよい。ただし、同じ種類の場合でも、第１のレーザＬ１の光源と第２のレーザＬ２の光源とは別体のものである。   Thus, the light source of the first laser L1 and the light source of the second laser L2 may be the same type or different types. However, even in the same type, the light source of the first laser L1 and the light source of the second laser L2 are separate.

なお、第１のレーザＬ１と第２のレーザＬ２とでは、同種の光源であっても異種の光源であってもよいが、駆動電源等により、第１のレーザＬ１のパルス数や強度を、第２のレーザＬ２よりも大きくしてやることにより、第１のレーザＬ１は、第２のレーザＬ２よりもエネルギーが大きいものとされる。たとえば、第２のレーザＬ２のパルス数が数十Ｈｚ（ヘルツ）である場合、第１のレーザＬ１のパルス数はｋＨｚ（キロヘルツ）オーダーとされる。   The first laser L1 and the second laser L2 may be the same type of light source or different types of light sources, but the number of pulses and the intensity of the first laser L1 may be set by a drive power source or the like. By making it larger than the second laser L2, the energy of the first laser L1 is greater than that of the second laser L2. For example, when the number of pulses of the second laser L2 is several tens of Hz (hertz), the number of pulses of the first laser L1 is set to the kHz (kilohertz) order.

これにより、本実施形態における複合レーザとしてのレーザＬのエネルギー分布は、図５に示されるように、第１のレーザＬ１の領域のエネルギーが、第２のレーザＬ２の領域のエネルギーよりも大きいものとなる。   Thereby, the energy distribution of the laser L as the composite laser in the present embodiment is such that the energy of the region of the first laser L1 is larger than the energy of the region of the second laser L2 as shown in FIG. It becomes.

つまり、第１のレーザＬ１の領域は、樹脂２０を除去するのに十分なエネルギーを有するものであるが、第２のレーザＬ２の領域は、シリコン半導体である半導体部品１０への損傷を抑制しつつ、第１のレーザＬ１の領域に比して弱いエネルギーを有するものとなる。特に、第２のレーザＬ２の領域では周辺部に行くにつれて、エネルギーが弱くなっていく。   That is, the region of the first laser L1 has sufficient energy to remove the resin 20, but the region of the second laser L2 suppresses damage to the semiconductor component 10 that is a silicon semiconductor. However, it has weaker energy than the region of the first laser L1. In particular, in the region of the second laser L2, the energy becomes weaker as it goes to the periphery.

そして、除去工程では、複合レーザとしてのレーザＬの照射においては、図５〜図７に示されるように、第１のレーザＬ１の領域を半導体部品１０と樹脂２０との界面Ｋ１から離した状態で樹脂２０に照射して樹脂２０の除去を行う。それとともに、当該界面Ｋ１には第２のレーザＬ２の領域のみが照射されるようにする。ここでは、レーザＬをアウターフォーカスにして照射している。   In the removing step, in the irradiation with the laser L as the composite laser, the region of the first laser L1 is separated from the interface K1 between the semiconductor component 10 and the resin 20 as shown in FIGS. The resin 20 is removed by irradiating the resin 20. At the same time, the interface K1 is irradiated only with the region of the second laser L2. Here, the laser L is irradiated with the outer focus.

このような照射を行うことで、半導体部品１０と樹脂２０との界面Ｋ１に照射される第２のレーザＬ２の領域の周辺部は、エネルギーが比較的小さい部分であるので、図７に示されるように、樹脂２０は凹曲面状の突出部２２を残すように除去される。なお、ここでは、複合レーザとしてのレーザＬの照射領域、すなわちレーザスポットの形状は、円形とされている。   By performing such irradiation, the peripheral portion of the region of the second laser L2 irradiated to the interface K1 between the semiconductor component 10 and the resin 20 is a portion having a relatively small energy, and is shown in FIG. As described above, the resin 20 is removed so as to leave the protruding portion 22 having a concave curved surface shape. Here, the irradiation region of the laser L as the composite laser, that is, the shape of the laser spot is circular.

このような除去工程におけるレーザＬの照射は、上記図１に示される樹脂２０の封止物に対して、半導体部品１０の上下左右方向から照射方向を変えて行う。これにより、除去工程による樹脂２０の除去が行われ、図１〜図３に示される本実施形態の半導体装置Ｓ１ができあがる。以上が、本実施形態の製造方法である。   Irradiation with the laser L in such a removal process is performed on the sealing material of the resin 20 shown in FIG. Thereby, the resin 20 is removed by the removing step, and the semiconductor device S1 of the present embodiment shown in FIGS. 1 to 3 is completed. The above is the manufacturing method of this embodiment.

ところで、上記図１６に示したように、従来では、半導体部品１０の露出部２における突出根元部と樹脂２０との境界にて、半導体部品１０の外表面と樹脂２０の第１の面２１とが角部Ｊ１を形成していたので、露出部２における突出根元部への樹脂２０による応力集中が大きかった。   By the way, as shown in FIG. 16, conventionally, at the boundary between the protruding root portion of the exposed portion 2 of the semiconductor component 10 and the resin 20, the outer surface of the semiconductor component 10 and the first surface 21 of the resin 20 However, since the corner portion J1 was formed, the stress concentration by the resin 20 on the protruding root portion in the exposed portion 2 was large.

それに対して、本実施形態によれば、露出部２の突出根元部と樹脂２０との境界にて、上記したような凹曲面状の突出部２２を設けることにより、半導体部品１０と樹脂２０との間に実質的に角部が無い構成となることから、露出部２の突出根元部における応力集中を緩和することができる。   On the other hand, according to the present embodiment, by providing the concave curved protrusion 22 as described above at the boundary between the protrusion base of the exposed portion 2 and the resin 20, the semiconductor component 10 and the resin 20 Therefore, the stress concentration at the protruding root portion of the exposed portion 2 can be reduced.

また、本実施形態の上記した製造方法によれば、樹脂２０の除去については、比較的エネルギーの大きい第１のレーザＬ１の領域により効率良く行える。また、半導体部品１０と樹脂２０との界面Ｋ１付近では、比較的パワーが弱く半導体部品１０に損傷を与えない第２のレーザＬ２の領域により樹脂２０の除去が行われるので、当該界面Ｋ１付近の樹脂形状、すなわち突出部２２形状を精密に形成できる。   Further, according to the above-described manufacturing method of the present embodiment, the removal of the resin 20 can be efficiently performed in the region of the first laser L1 having relatively high energy. Further, in the vicinity of the interface K1 between the semiconductor component 10 and the resin 20, the resin 20 is removed by the region of the second laser L2 that has relatively weak power and does not damage the semiconductor component 10. The resin shape, that is, the shape of the protrusion 22 can be precisely formed.

よって、本実施形態によれば、上記凹曲面状をなす突出部２２を有する半導体装置Ｓ１を形成するのに適した製造方法が提供される。   Therefore, according to the present embodiment, a manufacturing method suitable for forming the semiconductor device S1 having the protruding portion 22 having the concave curved surface shape is provided.

（第２実施形態）
本発明の第２実施形態にかかる半導体装置Ｓ２について、図８を参照して述べる。本実施形態は、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。 (Second Embodiment)
A semiconductor device S2 according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. This embodiment will be described focusing on the differences from the first embodiment.

上記第１実施形態では、露出部２の突出根元部における第１の板面１１、第２の板面１２および部品側面１５、１６のすべてに突出部２２が配置されていた。それに対して、図８に示されるように、本実施形態では、露出部２の突出根元部における第１の板面１１、第２の板面１２および部品側面１５、１６のうち部品側面１５、１６のみに突出部２２が配置されている。   In the first embodiment, the protruding portions 22 are arranged on all of the first plate surface 11, the second plate surface 12, and the component side surfaces 15 and 16 in the protruding root portion of the exposed portion 2. On the other hand, as shown in FIG. 8, in the present embodiment, the component side surface 15 out of the first plate surface 11, the second plate surface 12, and the component side surfaces 15, 16 at the protruding root portion of the exposed portion 2, The protrusions 22 are arranged only at 16.

これは、本実施形態の半導体装置Ｓ２の製造方法における封止工程による樹脂２０の封止形態が、上記第１実施形態とは相違することによる。本実施形態の製造方法について、図９〜図１１を参照して、封止工程を中心に述べる。   This is because the sealing form of the resin 20 by the sealing process in the manufacturing method of the semiconductor device S2 of this embodiment is different from that of the first embodiment. The manufacturing method of this embodiment is described centering on a sealing process with reference to FIGS.

まず、図９（ａ）に示されるように、リードフレーム３０を含む平板状のリードフレーム素材３を用意する。このリードフレーム素材３は、一面側に半導体部品１０の被封止部１に対向する第１の対向面３０ａと、露出部２に対向する第２の対向面３１ａとを有するものである。   First, as shown in FIG. 9A, a flat lead frame material 3 including a lead frame 30 is prepared. The lead frame material 3 has a first facing surface 30 a facing the sealed portion 1 of the semiconductor component 10 and a second facing surface 31 a facing the exposed portion 2 on one surface side.

ここで、第１の対向面３０ａを有するリードフレーム３０と第２の対向面３１ａを有するフィルム支持部３１とは、同一平面上に位置する。これら両部３０、３１は図示しないタイバーや外枠等により一体に連結されている。   Here, the lead frame 30 having the first facing surface 30a and the film support portion 31 having the second facing surface 31a are located on the same plane. These parts 30 and 31 are integrally connected by a tie bar, an outer frame or the like (not shown).

そして、図９（ｂ）に示されるように、フィルム支持部３１の第２の対向面３１ａ上に、離型用の樹脂等よりなるフィルム６０を搭載する。そして、図９（ｃ）に示されるように、リードフレーム３０の第１の対向面３０ａ上に接着剤４０を介して、半導体部品１０の被封止部１を固定し、さらにワイヤボンディングによりボンディングワイヤ５０を形成する。   Then, as shown in FIG. 9B, a film 60 made of a release resin or the like is mounted on the second facing surface 31 a of the film support portion 31. Then, as shown in FIG. 9C, the portion to be sealed 1 of the semiconductor component 10 is fixed on the first facing surface 30a of the lead frame 30 via the adhesive 40, and further bonded by wire bonding. A wire 50 is formed.

こうして、リードフレーム素材３、フィルム６０および半導体部品１０が一体とされたワークＷができあがる。そして、図９（ｄ）に示されるように、このワークＷを、金型１００に設置する。   In this way, a work W in which the lead frame material 3, the film 60, and the semiconductor component 10 are integrated is completed. Then, as shown in FIG. 9 (d), this work W is placed on the mold 100.

この金型１００は、トランスファーモールド法に用いられる典型的なもので、図９（ｄ）に示されるように、脱着可能な上型１０１と下型１０２と備えている。そして、これら上下型１０１、１０２を離脱可能に合致させることにより、当該上下型１０１、１０２の間に、樹脂２０の外形に対応する空間形状を有するキャビティ１０３を形成する。   The mold 100 is a typical one used in a transfer molding method, and includes a removable upper mold 101 and a lower mold 102 as shown in FIG. 9 (d). Then, by matching these upper and lower molds 101 and 102 so as to be detachable, a cavity 103 having a spatial shape corresponding to the outer shape of the resin 20 is formed between the upper and lower molds 101 and 102.

なお、このとき、金型１００の上型１０１のうち露出部２における第１の板面１１に対向する部位に、フィルム６０を吸着等により貼り付けておく。そして、ワークＷの設置は、上下型１０１、１０２を合致させ、ワークＷを上下型１０１、１０２で挟み付けることにより行う。このとき、図９（ｄ）に示されるように、露出部２における第１の板面１１と、上型１０１に設けられたフィルム６０とが密着する。   At this time, the film 60 is attached to the portion of the upper mold 101 of the mold 100 facing the first plate surface 11 in the exposed portion 2 by suction or the like. Then, the work W is installed by matching the upper and lower molds 101 and 102 and sandwiching the work W between the upper and lower molds 101 and 102. At this time, as shown in FIG. 9D, the first plate surface 11 in the exposed portion 2 and the film 60 provided on the upper mold 101 are in close contact with each other.

ここで、金型１００は上型１０１と下型１０２とを合致させるものであるため、露出部２の両板面１１、１２との密着性は確保しやすいが、寸法公差等を加味すると、部品側面１４〜１６と金型１００との間では、図９（ｄ）、図１０に示されるように、隙間１０３ａが存在するものとなる。   Here, since the mold 100 matches the upper mold 101 and the lower mold 102, it is easy to ensure adhesion between the exposed plate 2 and the two plate surfaces 11 and 12, but taking into account dimensional tolerances, Between the component side surfaces 14-16 and the metal mold | die 100, as FIG.9 (d) and FIG.10 show, the clearance gap 103a exists.

そして、封止工程では、この図９（ｄ）、図１０の状態で、キャビティ１０３に対して樹脂２０を充填する。すると、キャビティ１０３にて被封止部１を封止する樹脂２０は、この隙間１０３ａに回り込んでくる。この樹脂２０の充填完了後、樹脂２０で封止されたワークＷから、金型１００を取り外す。このとき、露出部２における第１の板面１１からフィルム６０を剥離する。   In the sealing process, the resin 20 is filled into the cavity 103 in the state shown in FIGS. Then, the resin 20 that seals the portion to be sealed 1 in the cavity 103 wraps around the gap 103a. After the filling of the resin 20 is completed, the mold 100 is removed from the work W sealed with the resin 20. At this time, the film 60 is peeled from the first plate surface 11 in the exposed portion 2.

そして、リードフレーム素材３のタイバー等をカットするリードカットを行うことで、フィルム支持部３１とともに、露出部２における第２の板面１２からもフィルム６０を剥離する。これらフィルム６０剥離後のワークＷの状態が、図１１に示される。   Then, the film 60 is peeled from the second plate surface 12 in the exposed portion 2 together with the film support portion 31 by performing lead cutting for cutting a tie bar or the like of the lead frame material 3. The state of the workpiece W after the film 60 is peeled is shown in FIG.

図１１に示されるワークＷでは、露出部２における両板面１１、１２は、樹脂２０より露出し、露出部２における部品側面１４〜１６および被封止部１は、樹脂２０で封止されている。   In the workpiece W shown in FIG. 11, both plate surfaces 11 and 12 in the exposed portion 2 are exposed from the resin 20, and the component side surfaces 14 to 16 and the sealed portion 1 in the exposed portion 2 are sealed with the resin 20. ing.

こうして、封止工程を行った後、本実施形態においても、上記同様、複合レーザとしてのレーザＬによる除去工程を行う。ここでは、露出部２における部品側面１４〜１６に付着した樹脂２０を、上記同様のレーザ照射により除去する。これにより、上記図８に示される本実施形態の半導体装置Ｓ２ができあがる。   After performing the sealing process in this way, also in this embodiment, a removal process using the laser L as a composite laser is performed as described above. Here, the resin 20 adhering to the component side surfaces 14 to 16 in the exposed portion 2 is removed by laser irradiation similar to the above. As a result, the semiconductor device S2 of this embodiment shown in FIG. 8 is completed.

本実施形態によっても、露出部２の突出根元部における部品側面１５、１６と樹脂２０との境界にて、上記したような凹曲面状の突出部２２を設けることにより、半導体部品１０と樹脂２０との間に実質的に角部が無い構成となることから、露出部２の突出根元部における応力集中を緩和することができる。   Also in the present embodiment, the semiconductor component 10 and the resin 20 are formed by providing the concave curved protrusion 22 as described above at the boundary between the component side surfaces 15 and 16 and the resin 20 at the protrusion base of the exposed portion 2. Therefore, the stress concentration at the protruding root portion of the exposed portion 2 can be alleviated.

（第３実施形態）
本発明の第３実施形態にかかる半導体装置Ｓ３について、図１２〜図１４を参照して述べる。本実施形態の半導体装置Ｓ３は、上記第２実施形態の半導体装置Ｓ２において、さらに、露出部２における部品側面１４〜１６を取り囲むように、当該部品側面１４〜１６に対して隙間を有して対向する枠状の枠部２３が設けられたものである。 (Third embodiment)
A semiconductor device S3 according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the semiconductor device S3 of the second embodiment, the semiconductor device S2 of the second embodiment further has a gap with respect to the component side surfaces 14 to 16 so as to surround the component side surfaces 14 to 16 in the exposed portion 2. Opposing frame-like frame portions 23 are provided.

ここで、枠部２３は、樹脂２０が延長された部位として形成されたものであり、ここでは、半導体部品１０の露出部２に対応した矩形の枠形状をなしている。そして、この枠部２３は、図１３に示されるように、枠部２３の内周側の角部が凹曲面状に面取りされた形状とされたものとなっている。   Here, the frame portion 23 is formed as a portion where the resin 20 is extended. Here, the frame portion 23 has a rectangular frame shape corresponding to the exposed portion 2 of the semiconductor component 10. As shown in FIG. 13, the frame portion 23 has a shape in which a corner portion on the inner peripheral side of the frame portion 23 is chamfered into a concave curved surface shape.

この枠部２３を設けることにより、本実施形態では、枠部２３がこれに対向する半導体部品の露出部２の部品側面１４〜１６を覆うため、異物からの保護等が期待できる。それとともに、枠部２３は露出部２とは離間しているため、樹脂２０による応力が露出部２に発生しにくくなるという利点もある。   By providing this frame part 23, in this embodiment, since the frame part 23 covers the component side surfaces 14-16 of the exposed part 2 of the semiconductor component which opposes this, protection from a foreign material etc. can be anticipated. In addition, since the frame portion 23 is separated from the exposed portion 2, there is an advantage that stress due to the resin 20 is less likely to be generated in the exposed portion 2.

このような本実施形態の半導体装置Ｓ３は、上記第２実施形態の製造方法における封止工程を利用して製造できる。つまり、図１５に示されるように、封止工程において、露出部２の部品側面１４〜１６に付着する樹脂２０の厚みを積極的に大きくする。これは、上記図９（ｄ）、図１０に示される隙間１０３ａの幅を大きくすれば実現できる。   Such a semiconductor device S3 of this embodiment can be manufactured by using the sealing step in the manufacturing method of the second embodiment. That is, as shown in FIG. 15, in the sealing process, the thickness of the resin 20 attached to the component side surfaces 14 to 16 of the exposed portion 2 is positively increased. This can be realized by increasing the width of the gap 103a shown in FIG. 9 (d) and FIG.

そして、封止工程の後には、図１５にてハッチングで示される部位、すなわち、露出部２の部品側面１４〜１６に付着する樹脂２０のうち露出部２寄りの部位を、除去工程にて除去してやれば、枠部２３が形成される。このとき、枠部２３の内周の角部は、上記した複合レーザとしてのレーザＬの効果により、凹曲面状、いわゆるＲ形状に丸められた形状となる。   And after a sealing process, the site | part shown by hatching in FIG. 15, ie, the site | part near the exposed part 2 among the resin 20 adhering to the component side surfaces 14-16 of the exposed part 2 is removed by a removal process. Then, the frame part 23 is formed. At this time, the corner part of the inner periphery of the frame part 23 becomes a shape rounded into a concave curved surface shape, so-called R shape, by the effect of the laser L as the composite laser described above.

枠部２３において、仮に内周側の角部が存在すると、その角部に応力集中が発生し、枠部２３においてクラックの発生等が懸念される。しかし、本実施形態では、枠部２３の内周側の角部が凹曲面状に面取りされた形状をなしているので、そのような応力集中を緩和できるため、好ましい。   If there is a corner portion on the inner peripheral side in the frame portion 23, stress concentration occurs at the corner portion, and there is a concern about the occurrence of cracks in the frame portion 23. However, the present embodiment is preferable because the corner portion on the inner peripheral side of the frame portion 23 is chamfered into a concave curved surface, which can alleviate such stress concentration.

なお、上記第１実施形態と同様の半導体部品１０全体を封止する封止工程によっても、その後の除去工程において枠部２３を残すようにレーザＬの照射を行うことにより、本第３実施形態のような枠部２３を有する半導体装置を形成することができる。この場合は、露出部２の突出根元部における突出部２２は、上記第１実施形態と同様、当該突出根元部の全周に配置されたものとなってもよい。   Even in the sealing step for sealing the entire semiconductor component 10 similar to that in the first embodiment, the laser L is irradiated so as to leave the frame portion 23 in the subsequent removal step, whereby the third embodiment. A semiconductor device having the frame portion 23 as described above can be formed. In this case, the protruding portion 22 at the protruding root portion of the exposed portion 2 may be disposed around the entire protruding root portion, as in the first embodiment.

（他の実施形態）
なお、上記各実施形態では、集光レンズＲ１は固定式のものであったが、ガルバノミラー等の可動式の集光レンズＲ１であってもよい。 (Other embodiments)
In each of the above embodiments, the condensing lens R1 is a fixed type, but may be a movable condensing lens R1 such as a galvanometer mirror.

また、上記各実施形態では、上記図６に示されるように、レーザＬをアウターフォーカスにして照射しているが、レーザＬをインナーフォーカスにして照射してもよい。すなわち、集光レンズＲ１の中心を通過するレーザＬと垂直となる方向（光軸と垂直となる方向）のエネルギー分布は、焦点からの距離が等しい場合、最大エネルギーがアウターフォーカス側の方が大きくなるが、インナーフォーカスにてレーザＬを樹脂２０に照射しても特に問題はない。   In each of the above embodiments, as shown in FIG. 6, the laser L is irradiated with the outer focus. However, the laser L may be irradiated with the inner focus. That is, the energy distribution in the direction perpendicular to the laser L passing through the center of the condenser lens R1 (the direction perpendicular to the optical axis) has a larger maximum energy on the outer focus side when the distance from the focal point is equal. However, there is no particular problem even if the resin 20 is irradiated with the laser L by the inner focus.

また、上記実施形態では、レーザＬの光源側に曲面を有する集光レンズＲ１を用いたが、樹脂２０側に曲面を有する集光レンズＲ１を用いてもよい。この場合も、曲率を調整する等により、上記実施形態のようなものと同様の複合レーザとしてのレーザＬを形成し、同様の効果が期待できる。   Moreover, in the said embodiment, although the condensing lens R1 which has a curved surface in the light source side of the laser L was used, you may use the condensing lens R1 which has a curved surface in the resin 20 side. Also in this case, the laser L as a composite laser similar to that in the above embodiment is formed by adjusting the curvature, and the same effect can be expected.

また、上記実施形態では、複合レーザとしてのレーザＬの照射領域は、円形であったが、凹曲面状の突出部２２を形成することができるならば、円形でなくてもよい。   In the above embodiment, the irradiation area of the laser L as the composite laser is circular. However, the irradiation area may not be circular as long as the concave curved protrusion 22 can be formed.

また、半導体部品１０としては、一部が樹脂２０の第１の面２１より突出する露出部２とされているものであればよく、上記した板状のものに限定されない。たとえば、半導体部品１０としては、ブロック状等でもよい。   Further, the semiconductor component 10 may be any part as long as it is the exposed portion 2 protruding from the first surface 21 of the resin 20, and is not limited to the above-described plate shape. For example, the semiconductor component 10 may have a block shape.

また、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能であり、また、上記各実施形態は、上記の図示例に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、上記各実施形態において、実施形態の構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に特定の形状、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、位置関係等に限定されるものではない。   Further, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately changed within the scope described in the claims. The above embodiments are not irrelevant to each other, and can be combined as appropriate unless the combination is clearly impossible, and the above embodiments are not limited to the illustrated examples. Absent. In each of the above-described embodiments, it is needless to say that elements constituting the embodiment are not necessarily essential unless explicitly stated as essential and clearly considered essential in principle. Yes. Further, in each of the above embodiments, when numerical values such as the number, numerical value, quantity, range, etc. of the constituent elements of the embodiment are mentioned, it is clearly limited to a specific number when clearly indicated as essential and in principle. The number is not limited to the specific number except for the case. Further, in each of the above embodiments, when referring to the shape, positional relationship, etc. of the component, etc., the shape, unless otherwise specified and in principle limited to a specific shape, positional relationship, etc. It is not limited to the positional relationship or the like.

２ 半導体部品の露出部
１０ 半導体部品
２０ 樹脂
２１ 樹脂の第１の面
２２ 突出部
Ｋ１ 半導体部品と樹脂との界面
Ｒ１ 集光レンズ
Ｌ レーザ
Ｌ１ 第１のレーザ
Ｌ２ 第２のレーザ 2 Exposed portion of semiconductor component 10 Semiconductor component 20 Resin 21 First surface 22 of resin 22 Projection K1 Interface between semiconductor component and resin R1 Condensing lens L Laser L1 First laser L2 Second laser

Claims (6)

シリコン半導体よりなる半導体部品（１０）と、
前記半導体部品を封止する樹脂（２０）と、を備え、
前記半導体部品の一部は、前記樹脂の第１の面（２１）より突出することにより前記樹脂より露出する露出部（２）とされている半導体装置であって、
前記露出部における前記第１の面からの突出根元部において、前記樹脂の一部が前記露出部の外表面に接触しつつ前記第１の面よりも前記露出部側に突出してなる突出部（２２）が形成されており、前記突出部は、前記露出部側から前記第１の面に向かって凹曲面状に拡がる形状とされていることを特徴とする半導体装置。 A semiconductor component (10) made of silicon semiconductor;
A resin (20) for sealing the semiconductor component,
A part of the semiconductor component is a semiconductor device which is an exposed portion (2) exposed from the resin by protruding from the first surface (21) of the resin,
In the protruding base portion from the first surface in the exposed portion, a protruding portion (a portion of the resin protrudes to the exposed portion side from the first surface while being in contact with the outer surface of the exposed portion). 22), and the projecting portion has a shape of a concave curved surface from the exposed portion side toward the first surface. 前記半導体部品は、表裏の関係にある第１の板面（１１）、第２の板面（１２）およびこれら第１、第２の両板面を連結する側面としての部品側面（１３〜１６）を、外表面とする板状をなすものであり、
前記露出部の突出根元部における前記第１の板面、前記第２の板面および前記部品側面（１５、１６）のすべてに前記突出部が配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。 The semiconductor component includes a first plate surface (11), a second plate surface (12), and component side surfaces (13 to 16) as side surfaces that connect the first and second plate surfaces. ) In the form of a plate with the outer surface,
The projecting portion is arranged on all of the first plate surface, the second plate surface, and the component side surfaces (15, 16) in the projecting root portion of the exposed portion. The semiconductor device described. 前記半導体部品は、表裏の関係にある第１の板面（１１）、第２の板面（１２）およびこれら第１、第２の両板面を連結する側面としての部品側面（１３〜１６）を、外表面とする板状をなすものであり、
前記露出部の突出根元部における前記第１の板面、前記第２の板面および前記部品側面（１５、１６）のうち当該部品側面のみに前記突出部が配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。 The semiconductor component includes a first plate surface (11), a second plate surface (12), and component side surfaces (13 to 16) as side surfaces that connect the first and second plate surfaces. ) In the form of a plate with the outer surface,
The protruding portion is arranged only on the component side surface among the first plate surface, the second plate surface, and the component side surface (15, 16) in the protruding base portion of the exposed portion. The semiconductor device according to claim 1. 前記半導体部品の前記露出部における前記部品側面（１４〜１６）を取り囲むように、当該部品側面に対して隙間を有して対向する枠状の枠部（２３）が設けられており、
前記枠部は、前記樹脂が延長された部位として形成されたものであり、
前記枠部は、当該枠部の内周側の角部が凹曲面状に面取りされた形状とされたものであることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。 A frame-shaped frame portion (23) facing the component side surface with a gap is provided so as to surround the component side surface (14 to 16) in the exposed portion of the semiconductor component,
The frame portion is formed as a portion where the resin is extended,
The semiconductor device according to claim 3, wherein the frame portion has a shape in which a corner portion on an inner peripheral side of the frame portion is chamfered into a concave curved surface shape. シリコン半導体よりなる半導体部品（１０）を樹脂（２０）で封止する封止工程と、
前記樹脂にレーザ（Ｌ）を照射することにより、前記半導体部品の一部が前記樹脂の第１の面（２１）より突出して前記樹脂より露出するように前記樹脂を除去する除去工程と、を行う半導体装置の製造方法であって、
前記除去工程では、前記レーザとして、前記樹脂を除去可能なエネルギーを有する第１のレーザ（Ｌ１）と、前記第１のレーザよりもシリコン半導体への吸収率が小さい波長を有し且つ前記第１のレーザよりもエネルギーの小さい第２のレーザ（Ｌ２）とを用い、
前記第１のレーザおよび前記第２のレーザを集光レンズ（Ｒ１）にて集光させることにより、前記集光レンズを通過した前記レーザが、前記第１のレーザの領域の周囲に前記第２のレーザの領域が位置する構成とされた複合レーザとなるようにし、
当該複合レーザとしての前記レーザの照射においては、前記第１のレーザの領域を前記半導体部品と前記樹脂との界面（Ｋ１）から離した状態で前記樹脂に照射して前記樹脂の除去を行うとともに、当該界面には前記第２のレーザの領域のみが照射されるようにすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 A sealing step of sealing a semiconductor component (10) made of a silicon semiconductor with a resin (20);
Removing the resin by irradiating the resin with laser (L) so that a part of the semiconductor component protrudes from the first surface (21) of the resin and is exposed from the resin; A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
In the removing step, the laser has a first laser (L1) having energy capable of removing the resin, a wavelength having a smaller absorption rate into the silicon semiconductor than the first laser, and the first laser. And a second laser (L2) having a lower energy than the laser of
By condensing the first laser and the second laser with a condensing lens (R1), the laser that has passed through the condensing lens is moved around the region of the first laser. So as to be a composite laser configured to locate the laser region of
In the laser irradiation as the composite laser, the resin is removed by irradiating the resin with the first laser region being separated from the interface (K1) between the semiconductor component and the resin. The method of manufacturing a semiconductor device, wherein only the second laser region is irradiated on the interface. 前記複合レーザとしての前記レーザの照射領域は、円形であることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。   6. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 5, wherein an irradiation area of the laser as the composite laser is circular.
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JPH0350615Y2 (en) * 1987-08-28 1991-10-29
JP2823334B2 (en) * 1990-07-26 1998-11-11 株式会社東芝 Semiconductor device
JP2000150729A (en) * 1998-11-10 2000-05-30 Hitachi Ltd Resin sealed semiconductor device
DE102005038443A1 (en) * 2005-08-16 2007-02-22 Robert Bosch Gmbh Sensor arrangement with a substrate and with a housing and method for producing a sensor arrangement
TW200936287A (en) * 2007-11-26 2009-09-01 Nat Inst Of Advanced Ind Scien Mold removing method
JP5318737B2 (en) * 2009-12-04 2013-10-16 株式会社デンソー Sensor device and manufacturing method thereof
JP2012148299A (en) * 2011-01-18 2012-08-09 Towa Corp Laser processing apparatus
JP5333529B2 (en) * 2011-07-05 2013-11-06 株式会社デンソー Mold package manufacturing method
JP5435016B2 (en) * 2011-12-01 2014-03-05 株式会社デンソー Manufacturing method of semiconductor device
US8564012B2 (en) * 2012-02-10 2013-10-22 Intersil Americas LLC Optoelectronic apparatuses and methods for manufacturing optoelectronic apparatuses
JP5974777B2 (en) * 2012-09-26 2016-08-23 株式会社デンソー Mold package manufacturing method
JP6601995B2 (en) * 2013-11-19 2019-11-06 矢崎総業株式会社 Electric wire with terminal

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