JP6025138B2 - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents
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本発明の発光装置は、基板と、前記基板上に配置され、発光層を含む半導体層と、前記半導体層上に配置された複数の蛍光体粒子を含む波長変換層とを有する発光装置であって、前記半導体層の端部に少なくとも前記基板まで至る段差部を有し、前記半導体層の側面位置から前記基板の辺に至る前記段差部の幅は前記蛍光体粒子の平均粒径の半分より大きく、前記段差部の深さは前記蛍光体粒子の平均粒径より小さくなっており、前記段差部に面する少なくとも前記基板の側面は逆メサ形状を有することを特徴としている。
本発明の発光装置は、基板と、前記基板上に配置され、発光層を含む半導体層と、前記半導体層上に配置された複数の蛍光体粒子を含む波長変換層とを有する発光装置であって、前記半導体層の端部に少なくとも前記基板まで至る段差部を有し、前記半導体層の側面位置から前記基板の辺に至る前記段差部の幅は前記蛍光体粒子の平均粒径の半分より大きく、前記段差部の深さは前記蛍光体粒子の平均粒径より小さくなっており、前記段差部は、底面を形成する前記基板上に前記基板の辺方向に沿った凹部を有することを特徴としている。
本発明の発光装置は、基板と、前記基板上に配置され、発光層を含む半導体層と、前記半導体層上に配置された複数の蛍光体粒子を含む波長変換層とを有する発光装置であって、前記半導体層の端部に少なくとも前記基板まで至る段差部を有し、前記半導体層の側面位置から前記基板の辺に至る前記段差部の幅は前記蛍光体粒子の平均粒径の半分より大きく、前記段差部の深さは前記蛍光体粒子の平均粒径より小さくなっており、前記段差部は、底面を形成する前記基板上に前記基板の辺方向に沿って配列された複数のディンプル孔を有することを特徴としている。
11 半導体層
12 段差部
13 波長変換層
14,14c 蛍光体粒子
31 基板材料
32 エピタキシャル層
47 ディンプル孔
Claims (7)
- 基板と、前記基板上に配置され、発光層を含む半導体層と、前記半導体層上に配置された複数の蛍光体粒子を含む波長変換層とを有する発光装置であって、
前記半導体層の端部に少なくとも前記基板まで至る段差部を有し、前記半導体層の側面位置から前記基板の辺に至る前記段差部の幅は前記蛍光体粒子の平均粒径の半分より大きく、前記段差部の深さは前記蛍光体粒子の平均粒径より小さくなっており、
前記段差部の底面を形成する前記基板の表面は粗面化されていることを特徴とする発光装置。 - 基板と、前記基板上に配置され、発光層を含む半導体層と、前記半導体層上に配置された複数の蛍光体粒子を含む波長変換層とを有する発光装置であって、
前記半導体層の端部に少なくとも前記基板まで至る段差部を有し、前記半導体層の側面位置から前記基板の辺に至る前記段差部の幅は前記蛍光体粒子の平均粒径の半分より大きく、前記段差部の深さは前記蛍光体粒子の平均粒径より小さくなっており、
前記段差部に面する少なくとも前記基板の側面は逆メサ形状を有することを特徴とする発光装置。 - 基板と、前記基板上に配置され、発光層を含む半導体層と、前記半導体層上に配置された複数の蛍光体粒子を含む波長変換層とを有する発光装置であって、
前記半導体層の端部に少なくとも前記基板まで至る段差部を有し、前記半導体層の側面位置から前記基板の辺に至る前記段差部の幅は前記蛍光体粒子の平均粒径の半分より大きく、前記段差部の深さは前記蛍光体粒子の平均粒径より小さくなっており、
前記段差部は、底面を形成する前記基板上に前記基板の辺方向に沿った凹部を有することを特徴とする発光装置。 - 基板と、前記基板上に配置され、発光層を含む半導体層と、前記半導体層上に配置された複数の蛍光体粒子を含む波長変換層とを有する発光装置であって、
前記半導体層の端部に少なくとも前記基板まで至る段差部を有し、前記半導体層の側面位置から前記基板の辺に至る前記段差部の幅は前記蛍光体粒子の平均粒径の半分より大きく、前記段差部の深さは前記蛍光体粒子の平均粒径より小さくなっており、
前記段差部は、底面を形成する前記基板上に前記基板の辺方向に沿って配列された複数のディンプル孔を有することを特徴とする発光装置。 - 前記段差部の幅は、前記蛍光体粒子の平均粒径の2倍以下であり、前記段差部の深さは、前記蛍光体粒子の平均粒径の1/5以上でかつ前記蛍光体粒子の平均粒径の8/15以下であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1記載の発光装置。
- 前記段差部における前記基板上に前記蛍光体粒子の少なくとも1つが配置され、該蛍光体粒子は、前記半導体層の上面位置より突出するように配置されている請求項1乃至5のいずれか1記載の発光装置。
- 基板と、前記基板上に形成された発光層を含む半導体層とを備え、前記半導体層の端部に少なくとも前記基板まで至る段差部を有する発光素子を準備する工程と、
前記発光素子の上方から蛍光体粒子を含有した塗布液を吹き付けて、前記発光素子の上面に波長変換層を形成する工程と、を有し、
前記半導体層の側面位置から前記基板の辺に至る前記段差部の幅は、前記蛍光体粒子の平均粒径の半分より大きく形成され、前記段差部の深さは蛍光体粒子の平均粒径より小さく形成されており、
前記段差部の底面を形成する前記基板の表面は粗面化されていることを特徴とする発光装置の製造方法。
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