JP6116228B2 - 半導体発光装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
[素子間隔の10%]≦D21≦[(素子間隔)−(蛍光体粒子の最大粒子径)]÷2
となる。一例として、LED素子の厚み(側面の高さ)が約100μm、LED素子間の間隔が100μm程度、蛍光体粒子の最大粒子径が約30μmの発光装置の場合、幅D21は10μm以上、好ましくは20μm以上であり、35μm以下である。
Claims (9)
- 基板上に配置された複数の半導体素子と、各半導体素子の上を覆う蛍光体含有樹脂層と、前記蛍光体含有樹脂層の上に配置された光学部材とを備えた半導体発光装置において、
前記光学部材は、前記蛍光体含有樹脂層に接する面に、未硬化の蛍光体含有樹脂に対するぬれ性が互いに異なる第一の領域と第二の領域とを有し、
前記第一の領域は、前記第二の領域より表面が粗く、各半導体素子の直上の領域の少なくとも外周を含み、且つ互いに隣接する半導体素子直上の領域の間に、前記半導体素子直上の領域の少なくとも隣接する一辺を含むように形成され、
前記第一の領域と隣接する第一の領域とに挟まれる前記第二の領域は、当該第一の領域と隣接する第一の領域の直下にある半導体素子の間隔よりも狭いことを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項1に記載の半導体発光装置であって、
前記第一の領域は、各半導体素子の直上の領域全体を含むことを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項1又は2に記載の半導体発光装置であって、
前記第一の領域の算術平均粗さRaは2μm以下であることを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項1又は2に記載の半導体発光装置であって、
前記第一の領域の算術平均粗さRaは0.2μm以上であることを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項1ないし4いずれか一項に記載の半導体発光装置であって、
前記半導体素子直上の領域の外周からはみ出す幅をD21とし、前記素子間隔をWとし、前記蛍光体の最大粒子径をaとするとき、前記半導体素子直上の領域の外周からはみ出す幅D21は、W×0.1≦D21≦(W−a)÷2であることを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項1ないし5いずれか一項に記載の半導体発光装置であって、
前記半導体素子直上の領域の外周からはみ出す幅D21は、10μm以上であって、35μm以下であることを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項1ないし6いずれか一項に記載の半導体装置であって、
さらに前記複数の半導体素子の側面及び底面を覆う反射樹脂層を備えたことを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項1ないし7いずれか一項に記載の半導体発光装置の製造方法であって、
基板上に複数の半導体素子を搭載するステップ(1)と、
前記基板に搭載された各半導体素子の上に、蛍光体含有樹脂をポッティングするステップ(2)と、
光学部材の一方の面に、前記基板上の各半導体素子に対応し、互いに間隔を持つ粗面化領域を形成し、前記第一の領域を形成するステップ(3)と、
前記粗面化領域が形成された光学部材の面を、前記ステップ(2)の各半導体素子と前記粗面化領域とが一致するように、ポッティングされた蛍光体含有樹脂の上に載せて、前記蛍光体樹脂を硬化させるステップ(4)と、を含む半導体発光装置の製造方法。 - 請求項8に記載の半導体発光装置の製造方法であって、さらに
前記複数の半導体素子の側面を覆い且つ前記半導体素子と基板との間及び隣接する半導体素子間を埋める反射樹脂層を形成するステップ(5)を含む半導体発光装置の製造方法。
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