JP6116228B2 - 半導体発光装置及びその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、複数の半導体素子を備えた半導体発光装置に係り、特に区画制御用光源として好適な半導体発光装置に関する。
半導体発光素子を利用した発光装置は、自動車のヘッドランプや各種照明などの光源に利用されており、その多くは半導体発光素子からの光を蛍光体で代表される波長変換材料で変換し、発光素子からの光との混合光として利用する。この種の発光装置は、半導体発光素子の上に蛍光体を含む層(蛍光体層)を形成し、その上をガラス等のカバーで覆った構造を有している(特許文献1)。
半導体発光素子は1mm角程度の小さい素子であり、複数の素子を配置することによりサイズや出力の増大を図っている。また自動車のヘッドランプなどでは、光の配向を制御したり、方向を指示したりするために複数の素子の一部をオンオフして切り替えるものがある。このような用途で用いられる発光装置は区画制御用光源と呼ばれ、配列する素子のオンオフの輝度コントラストが高いことが要求される。
特開2009−218274号公報
従来の半導体発光装置の製造方法では、基板上に搭載された複数の発光素子のそれぞれに、蛍光体含有樹脂をポッティング等により滴下し、発光素子上の樹脂の厚みが均一となるようにガラス板を載せ、樹脂を硬化させている。蛍光体含有樹脂は、所望の発光色となる厚みを得るため及び発光素子の上面だけでなく側面にも蛍光体層を形成するために適切な量を滴下する必要がある。これにより発光素子の上面と側面を覆うように蛍光体層が形成される。
この製造方法では、ポッティングによって各発光体素子の直上に滴下されていた蛍光体含有樹脂は、上からガラス板に押し当てたときに、表面張力によってガラスとの接触面に沿って広がり、隣接する発光素子の上で蛍光体含有樹脂がくっつき、連続した蛍光体層が形成される。このように隣接する発光素子の上で蛍光体層が連続した発光装置では、一方の発光素子をオンとし、他方の発光素子をオフにした場合、オンとなる発光素子からの光が連続する蛍光体層を通って、他方の発光素子側に漏れてしまい、あたかもオフとした発光素子も発光しているように見えてしまい、オンオフの輝度コントラストが得られない。
このような一方の発光素子からの光が他方の発光素子上の蛍光体層に広がることを防止するために、発光素子間に光を遮蔽する壁構造を設けることが考えられるが、そのような構造を設けることは製造工程を複雑にする。また一般に隣接する発光素子の間には、素子側面から出射する光も光源光として利用するために反射性のある材料、例えば白色樹脂が充填される。充填は蛍光体層の樹脂の硬化後に行われるが、素子間の光漏れを防止する壁構造を設けた場合には、白色樹脂の充填が困難になる。
本発明は、簡易な手法でオンオフの輝度コントラストを高めることが可能な区間制御用光源に適した半導体発光装置を提供することを課題とする。
本発明は蛍光体層の上に設けられるガラス板表面の蛍光体含有樹脂に対するぬれ性を制御することによって、蛍光体含有樹脂のぬれ広がりを制限し、隣接する発光素子間の上に蛍光体層が存在しない領域を形成することにより上記課題を解決したものである。
すなわち本発明の半導体発光装置は、基板上に配置された複数の半導体素子と、各半導体素子の上を覆う蛍光体含有樹脂層と、前記蛍光体含有樹脂層の上に配置された光学部材とを備え、前記光学部材は、前記蛍光体含有樹脂層に接する面に、未硬化の蛍光体含有樹脂に対するぬれ性が互いに異なる第一の領域と第二の領域とを有し、前記第一の領域はぬれ性が前記第二の領域より高く、隣接する半導体素子の間に相当する領域に前記第二の領域を挟んで形成されていることを特徴とする。
また本発明の半導体発光装置は、基板上に配置された複数の半導体素子と、各半導体素子の上を覆う蛍光体含有樹脂層と、前記蛍光体含有樹脂層の上に配置された光学部材とを備え、前記光学部材の前記蛍光体含有樹脂層に接する面は、各半導体素子直上の領域と重なる粗面化領域を有し、前記粗面化領域は半導体素子直上の領域より、隣接する半導体素子直上の領域側に広く且つ隣接する粗面化領域との間に間隙を有することを特徴とする。
さらに本発明の半導体発光装置の製造方法は、基板上に複数の半導体素子を搭載するステップ(1)と、前記基板に搭載された各半導体素子の上に、蛍光体含有樹脂をポッティングするステップ(2)と、光学部材の一方の面に、前記基板上の各半導体素子に対応し、互いに間隔を持つ粗面化領域を形成するステップ(3)と、前記粗面化領域が形成された光学部材の面を、前記ステップ(2)の各半導体素子と前記粗面化領域とが一致するように、ポッティングされた蛍光体含有樹脂の上に載せて、前記蛍光体樹脂を硬化させるステップ(4)と、を含む。
本発明の半導体発光装置の製造方法であって、好適には、さらに前記複数の半導体素子の側面を覆い且つ前記半導体素子と基板との間及び隣接する半導体素子間を埋める反射樹脂層を形成するステップ(5)を含む。
本発明によれば、隣接する発光素子間の上に蛍光体含有樹脂層(以下、蛍光体層と略す)が存在しないので、個々の発光素子のオンオフが明確な光源を得ることができる。また本発明によれば、ガラス板の蛍光体含有樹脂に対するぬれ性を調節するだけで、簡単に且つ確実に、隣接する発光素子間の上に蛍光体層が存在しない領域を持つ半導体発光装置を提供することができる。
本発明の半導体発光装置の一実施形態を示す側断面図 (a)、(b)は、それぞれ透明部材の表面に形成されたぬれ性変化領域のパターンを示す図 (a)〜(c)は、それぞれぬれ性変化領域のパターンの変更例を示す図 ぬれ性変化領域のパターンの機能を説明する図 (a)〜(d)は、本発明の半導体発光装置の製造方法の一実施形態を示す工程図
以下、本発明の半導体発光装置の実施形態を、図面を参照して説明する。図1は、本実施形態の半導体発光装置の側断面を示す図である。図示するように、本実施形態の半導体発光装置10は、実装基板11と、実装基板11の外周に沿って設けられた外壁12と、実装基板11上に搭載された複数のLED素子13と、各LED素子13の上に形成された蛍光体層14と、複数のLED素子13及びその上の蛍光体層14を覆う透明板材(光学部材)15と、LED素子13の底面及び側面を覆う反射樹脂層16とを備えている。図ではLED素子13が2つの場合を示しているが、LED素子の数は3以上であってもよく、また配列方向は一次元方向であってもよいし、二次元方向に配列するものであってもよい。
実装基板11は、例えば、Auなどの配線パターンが形成されたAlNセラミック性の基板からなり、その配線パターンにAuバンプ17等の導電性材料によりLED素子13が機械的且つ電気的に接続されている。
外壁12は、反射樹脂層16を構成する白色樹脂を注入する時の枠体となるもので、セラミック等からなり、実装基板11に接着剤等により固定される。白色樹脂は、TiO2添加シリコーン樹脂等の高反射材入り樹脂からなり、実装基板11とLED素子13との間及びLED素子13の側面に充填され、LED素子13からの光を反射し発光装置の光出射側に向ける。
LED素子13は、上面から光を発する構造のものであれば種類は特に限定されず、2つの電極端子部が上面に形成されたフェイスアップ素子、2つの電極端子部が下面に形成されたフリップ素子、2つの電極端子部が上面と下面に形成されたMB(メタルボンド)素子等の公知の発光素子であって、蛍光体と組み合わせて所望の発光が得られるものを選択して用いられる。例えば、青色光や紫外光を発光するInGaN系、GaN系、AlGaN系などのLED素子が用いられる。
蛍光体層14は、LED素子13が発する光により励起されて所定波長の蛍光を発する蛍光体を、LED素子13が発する光及び蛍光に対して透明な樹脂に分散させたものである。一例として、LED素子がInGaN、GaN、AlGaNなどの青色から紫色の光を発する発光素子の場合、YAG系やSiAlONなどの蛍光体が用いられ、これにより白色の光を取り出すことができる。樹脂としては例えばシリコーン樹脂が用いられる。樹脂に含まれる蛍光体の含有量は、製造時の蛍光体含有樹脂の粘度や蛍光体層の厚みとの関係で適切な量に調整されており、通常、樹脂と蛍光体は同程度の重量である。
蛍光体層14は、蛍光体のほかに所定の粒子径のビーズを含んでいてもよい。ビーズはLED素子13とガラス板15との間に挟まれることによって、蛍光体層14の厚みを均一にするスペーサとして機能するものであり、蛍光体の最大粒子径と同等かそれ以上の粒子径のものが用いられる。特に限定されるものではないが、例えば蛍光体の平均粒子径が25〜30μmの場合、35〜40μm程度のビーズが用いられる。
透明板材15は、LED素子13が発する光及び蛍光に対し透明なガラスや透明な樹脂などからなる部材で、蛍光体層に接する表面に、上述した蛍光体含有樹脂(未硬化の樹脂)に対するぬれ性が高い領域と低い領域とが形成されている。なお蛍光体層に接する面と反対側の面は、図示する実施形態では蛍光体層に接する面と平行な平坦な面であるが、レンズ形状などが形成されていてもよい。
蛍光体含有樹脂に対しぬれ性が高い領域(第一領域)と低い領域(第二領域)は、具体的には、隣接するLED素子13の間の直上に当たる透明部材15表面に、第一領域が第二領域を挟むように形成される。第一領域および第二領域の形成パターンの一例を図2(a)、(b)に示す。図2(a)、(b)は、透明板材15を、蛍光体層に接する表面側から見た図(a)及びA−A断面図(b)であり、この表面におけるLED素子直上の領域20を点線で囲んで示している。形成パターンの変更例を図3(a)〜(c)に示す。
図2に示す実施例では、第一領域21はLED素子直上の領域20を含み、その外周を囲むように形成されている。それ以外の領域が蛍光体含有樹脂に対しぬれ性が低い第二領域22となっている。図3(a)に示す実施例では、隣接するLED素子13の間の直上に当たる部分を第二領域22とし、それ以外を第一領域21としている。この実施例では第二領域22の幅Wは、LED素子13の間隔Dよりも狭く、図2の実施例と同様に第一領域21はLED素子直上の領域20の外周よりも外側まで広がっている。図3(b)に示す実施例では、LED素子直上の領域20の外周を囲むように第一領域21が形成され、それ以外の領域は第二領域22となっている。また図3(c)に示す実施例では、LED素子直上の領域20の、他のLED素子直上の領域20と隣接する一辺に沿って、第一領域21が形成され、その間が第二領域22となっている。
これら実施例に共通する特徴は、LED素子直上の領域20の、少なくとも隣接する領域20との間に、領域の外周を含むように第一領域21が形成され、第一領域21と隣接する第一領域21とに挟まれる第二領域22の幅WはLED素子の間隔Dより狭いこと、すなわち第一領域21がLED素子直上の領域20の外周から所定の幅(=(D−W)/2)はみ出して形成されていることである。このような幅を設けることにより、蛍光体含有樹脂がLED素子直上の領域20に留まらず、ある程度外側に広がることによって、LED素子の側面から透明部材15表面に至るメニスカスによる曲面を持つフィレット(外周部)が形成され、LED素子の側面からの光を有効に利用することができる。
ただし、フィレット構造はあまり大きくしすぎると黄ムラの原因となる。よって、図2(a)や図3(b)に示したようにそれぞれの素子の四方が第二領域に囲まれるようにするのが好ましい。
図4を参照して、第一領域21及び第二領域22からなるパターンの機能及び上記フィレットを形成するに必要な第一領域21の幅D21について説明する。
図5(c)に示すように、LED素子13の上に滴下された未硬化(液状)の蛍光体含有樹脂は、透明部材15を上から圧接することにより、LED素子13の上面から横方向に広がる。このとき例えばスペーサが含まれている場合にはそのサイズに応じた厚みとなり、厚みとLED素子13の上面の面積で決まる体積に対し余剰の蛍光体含有樹脂は、透明部材15とLED素子13の側面に広がる。ここで透明部材15の第一領域21は、蛍光体含有樹脂に対するぬれ性が良好なのでそのまま広がり続けるが、第二領域22はぬれ性が低いため樹脂ははじかれ、それ以上広がることが阻止され、第一領域21とLED素子13の側面を覆う状態となる。この状態では蛍光体含有樹脂の表面張力により、第一領域21と第二領域22との境界からLED素子13の側面にかけて内側に凹んだフィレットが形成される。
このようなフィレットが形成されることによって、LED素子の側面から発する光は、蛍光体層14と白色樹脂層16との界面で反射し、蛍光体層に含まれる蛍光体を励起するとともに発光装置の光出射側から取り出される。一方、隣接する第一領域21と第一領域21との間には蛍光体層は存在せず白色樹脂層で埋められるので、LED素子の上面及び側面からの光は隣接する蛍光体層に達することはない。従って隣接するLED素子の一方がオフであるにも拘わらず、その上面から他方のオンであるLED素子の光が入り込むことはなく、オンオフの輝度コントラストが明瞭になる。
上記説明から明らかなように、第一領域21は、LED素子直上領域20の外周を含んでその外側に設けられ且つ隣接する第一領域21との間に第二領域22が形成されていればよく、第一領域21がLED素子直上領域20の外周からはみ出す幅D21はLED素子の大きさや蛍光体層14の厚み、蛍光体層14に含まれる蛍光体粒子の大きさなどによって適宜決めることができる。
図4を参照して、第一領域21及び第二領域22の幅の最適な範囲について説明する。LED素子13の間隔をW、第二領域22の幅をDとするとき、両側の蛍光体層14がつながるのを防止し且つフィレット141を形成するため、第二領域の幅Dは、W>D>0を満たす必要がある。但し第二領域の幅Dが蛍光体層14に含まれる蛍光体粒子の粒子径よりも小さい場合には、フィレット141からはみ出した蛍光体粒子が隣接する蛍光体層14とつながる可能性があるので、第二領域22の幅Dは蛍光体粒子の粒子径より大きいことが好ましく、蛍光体層同士がつながることを確実に防止するためには最大粒子の粒子径より大きいことが好ましい。
一方、LED素子側面からの光を取り出すのに十分なフィレットを形成するためには、第一領域21がLED素子直上領域20の外周からはみ出す幅D21(D21=(W−D)/2)は、製造時の位置合わせ精度から素子間隔の10%程度以上が好ましい。これによりLED素子側面から光を有効に利用して発光効率を高めることができる。従って、隣接する蛍光体層がつながらず、且つ適切なフィレットが形成されるための幅D21の好適な範囲は、
[素子間隔の10%]≦D21≦[(素子間隔)−(蛍光体粒子の最大粒子径)]÷2
となる。一例として、LED素子の厚み(側面の高さ)が約100μm、LED素子間の間隔が100μm程度、蛍光体粒子の最大粒子径が約30μmの発光装置の場合、幅D21は10μm以上、好ましくは20μm以上であり、35μm以下である。
次に透明部材15の表面のぬれ性を変化させる手法について説明する。蛍光体含有樹脂に対するぬれ性を変化させる手法としては、例えば、所定の領域の表面に微細凹凸を形成する、所定の領域の表面に蛍光体含有樹脂をはじく塗膜或いは蛍光体含有樹脂に対しぬれ性の大きい材料からなる塗膜を形成する、などの手法を採用することができる。
表面に微細な凹凸を形成する(粗面化する)ことにより、平坦な透明部材15の表面のぬれ性を高めることができ、上述した第一領域が形成される。微細な凹凸を付与する一般的な手法として、ケミカルエッチングやブラスト法があり、透明部材15の材料に応じて適宜選択することができる。透明部材15がガラスからなる場合にはブラスト法が好適である。凹凸の粗さは、山高さで「nm」から「μm」のオーダーが好ましい。またぬれ性を高めるとともに光の取り出し効率を向上するために、算術平均粗さRaを0.2μm以上であることが好ましく、0.4μm以上であることがより好ましい。またぬれ性を高めるとともに蛍光体層14の厚みの均一性を保つために、Raは2μm以下であることが好ましく、1.5μm以下であることがより好ましい。Raを2μm以下にすることにより、凹凸の隙間に粒子径の小さい蛍光体が入り込んで蛍光体樹脂中で不均一になり色ムラが生じやすくなることを防止できる。
塗膜によってぬれ性を変化させる場合、第二領域用として、はっ水性のあるフッ素樹脂などを用いることができる。第一領域用としては、透明基材15及び蛍光体層14のいずれにも接着性の高いシリコーン系の樹脂などを用いることができる。塗膜によってぬれ性を変化させる場合には、透明部材15の表面の第二領域とすべき部分に、はっ水性のある樹脂塗膜を形成する、或いは第一領域とすべき部分にぬれ性の高い樹脂塗膜を形成する、のいずれでもよいし、両方の領域にそれぞれ塗膜を形成してもよい。また上述した第一領域の粗面化と組み合わせることも可能である。
塗膜の厚みは塗工方法による制限があるが、2μm以下が好ましい。また塗膜を形成する場合には、塗膜の存在によってLED素子上の蛍光体層14の厚みが不均一にならないようにするため、第一領域21および第二領域22の形成パターンは、図2(a)又は図3(b)のパターンが好ましい。また、黄ムラを防止するという観点からもそれぞれの素子が第二領域22に囲まれる図2(a)や図3(b)のパターンが好ましい。
次に本実施形態の発光装置の製造方法を説明する。
まず、図5(a)に示すように、実装基板11の上面に形成された配線パターンに、複数のLED素子13を所定の間隔で搭載し、バンプ17により接続する。
次に蛍光体を分散させた未硬化の樹脂14’をディスペンサ等で適量ポッティングする(図5(b))。蛍光体含有樹脂のポッティング量は、所定の厚みの蛍光体層がLED素子上面全体を覆い且つその側面にフィレットが形成できる量であり、計算及び経験値から適切な量が決められる。本実施形態では蛍光体層が隣接する素子間では形成されないように制御されるため、従前よりも少ない量でよい。
一方、ガラス等の透明部材の表面を、図2及び図3に示したような所定のパターンで、ブラスト法やエッチング法により粗面化処理し、粗面化した領域(第一領域)と粗面化していない領域(第二領域)を持つ透明部材15を用意する。所定のパターンの粗面化は、例えば粗面化しない部分をマスク等で保護して処理することにより行うことができ、また一枚のガラス等の表面に複数の所定パターンを形成して複数の発光装置用の透明部材を作成し、その後カッティングし、一つの発光装置用の透明部材を用意してもよい。一つの発光装置用の透明部材の大きさは複数のLED素子の配列面積よりも若干大きい面積であり、粗面化パターンはLED素子のサイズに対応している。
このように用意した透明部材をLED素子上にポッティングした未硬化の樹脂の上に載せる(図5(c))。透明部材の実装は、例えば上面から透明部材のエッジ部分と最外側に配置されたLED素子のエッジを認識させ、透明部材15の第一領域21がLED素子外周を覆うように位置合わせして行う。なお図3(c)に示すように、隣接するLED素子の一辺に沿って第一領域21を形成した透明部材の場合には、LED素子の内側のエッジを認識させ、第一領域21の位置を合わせこむように実装してもよい。
未硬化樹脂の厚みが所定の厚みになるまで、例えば透明部材がスペーサに接触するまで押圧していくと、未硬化樹脂はLED素子と透明部材との間に広がっていく。ぬれ性の良好な透明部材の第一領域21では樹脂は表面張力により透明部材の表面を広がり続けるが、第一領域21よりもぬれ性の悪い第二領域22との境界で広がりが阻止され、それ以上広がることはない。これにより透明部材の第二領域22の下側には未硬化樹脂が存在しない空隙となる。またLED素子上面から外側にはみ出た樹脂は、LED素子の側面にも広がり、側面から第一領域21と第二領域22との境界を結ぶ凹状の曲面を持つフィレットが形成される。
未硬化樹脂を所定の硬化条件、例えば150℃、4時間の硬化時間で硬化し、LED素子13と蛍光体層14と透明部材15が固着した構造を製造する。その後、実装基板11の外周に沿って、複数のLED素子13を囲むように外壁12を接着し、その内側に白色樹脂16’を注入し、外壁12とほぼ同じ高さまで白色樹脂を充填する(図5(d))。白色樹脂を硬化し、反射樹脂層16を形成する。これにより図1に示したような半導体発光装置が得られる。
なお上述の製造方法では、透明部材の第一領域21を粗面化処理によって形成した場合を説明したが、樹脂塗膜を形成する場合には、例えば、第一領域21となる部分をマスクして第二領域22にはっ水性樹脂からなる樹脂塗膜をウェットコーティング等により形成すればよく、その他の工程は同様である。
本実施形態によれば、隣接するLED素子の間に相当する透明部材の表面部分に、他の部分と比べ蛍光体含有樹脂に対するぬれ性の低い領域を設けておくことにより、蛍光体層を形成する際に当該領域に蛍光体含有樹脂が広がらず、隣接するLED素子間に蛍光体層が確実に存在しない領域を作り出すことができる。これにより一つのLED素子からの光及びその上の蛍光体層からの光は、蛍光体層が存在しない領域に充填された白色樹脂(反射樹脂層)によって反射され出射光として有効利用されるとともに、それに隣接する他のLED素子上の蛍光体層には届かないため、オンオフの輝度の高いコントラストが得られる。
本発明によれば、半導体発光装置を構成する複数のLED素子間の光の漏れを有効に遮断することができ、区間制御用の発光装置として好適なオンオフの輝度のコントラストが高い半導体発光装置を提供することができる。
10…半導体発光装置、11・・・実装基板、12・・・外壁、13・・・LED素子、14・・・蛍光体層、15・・・透明基板、16・・・反射樹脂層、20・・・半導体素子直上の領域、21・・・第一領域、22・・・第二領域

Claims (9)

  1. 基板上に配置された複数の半導体素子と、各半導体素子の上を覆う蛍光体含有樹脂層と、前記蛍光体含有樹脂層の上に配置された光学部材とを備えた半導体発光装置において、
    前記光学部材は、前記蛍光体含有樹脂層に接する面に、未硬化の蛍光体含有樹脂に対するぬれ性が互いに異なる第一の領域と第二の領域とを有し、
    前記第一の領域は、前記第二の領域より表面が粗く、各半導体素子の直上の領域の少なくとも外周を含み、且つ互いに隣接する半導体素子直上の領域の間に、前記半導体素子直上の領域の少なくとも隣接する一辺を含むように形成され、
    前記第一の領域と隣接する第一の領域とに挟まれる前記第二の領域は、当該第一の領域と隣接する第一の領域の直下にある半導体素子の間隔よりも狭いことを特徴とする半導体発光装置。
  2. 請求項1に記載の半導体発光装置であって、
    前記第一の領域は、各半導体素子の直上の領域全体を含むことを特徴とする半導体発光装置。
  3. 請求項1又は2に記載の半導体発光装置であって、
    前記第一の領域の算術平均粗さRaは2μm以下であることを特徴とする半導体発光装置
  4. 請求項1又は2に記載の半導体発光装置であって、
    前記第一の領域の算術平均粗さRaは0.2μm以上であることを特徴とする半導体発光装置。
  5. 請求項1ないし4いずれか一項に記載の半導体発光装置であって、
    前記半導体素子直上の領域の外周からはみ出す幅をD21とし、前記素子間隔をWとし、前記蛍光体の最大粒子径をaとするとき、前記半導体素子直上の領域の外周からはみ出す幅D21は、W×0.1≦D21≦(W−a)÷2であることを特徴とする半導体発光装置。
  6. 請求項1ないし5いずれか一項に記載の半導体発光装置であって、
    前記半導体素子直上の領域の外周からはみ出す幅D21は、10μm以上であって、35μm以下であることを特徴とする半導体発光装置。
  7. 請求項1ないしいずれか一項に記載の半導体装置であって、
    さらに前記複数の半導体素子の側面及び底面を覆う反射樹脂層を備えたことを特徴とする半導体発光装置。
  8. 請求項1ないし7いずれか一項に記載の半導体発光装置の製造方法であって、
    基板上に複数の半導体素子を搭載するステップ(1)と、
    前記基板に搭載された各半導体素子の上に、蛍光体含有樹脂をポッティングするステップ(2)と、
    光学部材の一方の面に、前記基板上の各半導体素子に対応し、互いに間隔を持つ粗面化領域を形成し、前記第一の領域を形成するステップ(3)と、
    前記粗面化領域が形成された光学部材の面を、前記ステップ(2)の各半導体素子と前記粗面化領域とが一致するように、ポッティングされた蛍光体含有樹脂の上に載せて、前記蛍光体樹脂を硬化させるステップ(4)と、を含む半導体発光装置の製造方法。
  9. 請求項8に記載の半導体発光装置の製造方法であって、さらに
    前記複数の半導体素子の側面を覆い且つ前記半導体素子と基板との間及び隣接する半導体素子間を埋める反射樹脂層を形成するステップ(5)を含む半導体発光装置の製造方法。
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DE102016208489A1 (de) * 2016-05-18 2017-11-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils und optoelektronisches bauteil
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2004087812A (ja) * 2002-08-27 2004-03-18 Sanyo Electric Co Ltd 発光体
JP2010050235A (ja) * 2008-08-20 2010-03-04 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置およびその製造方法
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