JP6020100B2 - 物理量センサ - Google Patents
物理量センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP6020100B2 JP6020100B2 JP2012265315A JP2012265315A JP6020100B2 JP 6020100 B2 JP6020100 B2 JP 6020100B2 JP 2012265315 A JP2012265315 A JP 2012265315A JP 2012265315 A JP2012265315 A JP 2012265315A JP 6020100 B2 JP6020100 B2 JP 6020100B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pad
- region
- physical quantity
- protective film
- sealing member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
- Measuring Volume Flow (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
本発明の第1実施形態について図面を参照しつつ説明する。図1および図2に示されるように、物理量センサは、リードフレーム10と、リードフレーム10を封止して保持するモールド樹脂20と、モールド樹脂20上に搭載されたセンサチップ30と、センサチップ30とリードフレーム10のリード11とを接続するボンディングワイヤ40と、主にボンディングワイヤ40の接続部分を封止する封止部材50と、を備えている。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態の物理量センサは、第1実施形態に対して堰止手段を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態の物理量センサは、第1実施形態に対して第1領域34aの厚さを変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して溝部37aを複数形成したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
本発明の第5実施形態について説明する。本実施形態は、第4実施形態に対してセンシング部32側の溝部37aの形状を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
上記各実施形態を適宜組み合わせた物理量センサとしてもよい。例えば、上記第2実施形態を上記第3〜第5実施形態に組み合わせ、堰止手段を凸部37bとしてもよい。また、上記第3実施形態を上記第4、第5実施形態に組み合わせ、第1領域34aを第2領域34bより厚くしてもよい。
31 半導体基板
32 センシング部
33 パッド
34 保護膜
34a 第1領域
34b 第2領域
35、36 開口部
37a 溝部
37b 凸部
40 ワイヤ
50 封止部材
Claims (7)
- 一面側に物理量に応じたセンサ信号を出力するセンシング部(32)が形成されていると共に、前記センシング部と電気的に接続されて前記センサ信号を出力するパッド(33)が形成された半導体基板(31)と、前記半導体基板の一面に配置され、前記センシング部および前記パッドを露出させる開口部(35、36)が形成された保護膜(34)と、を有するセンサチップ(30)と、
前記パッドと電気的に接続されるワイヤ(40)と、
前記パッドと前記ワイヤとの接続部分を封止する封止部材(50)と、を備え、
前記保護膜は、前記センシング部と前記パッドとの間に位置する部分に段差を構成する堰止手段(37a)が形成され、前記センシング部側に位置する第1領域(34a)の表面と、前記パッド側に位置する第2領域(34b)の表面とが前記堰止手段によって分離されており、
前記堰止手段は、溝部であり、
前記保護膜の表面と前記溝部の側面との成す角度(θ1)は、90°未満とされていることを特徴とする物理量センサ。 - 一面側に物理量に応じたセンサ信号を出力するセンシング部(32)が形成されていると共に、前記センシング部と電気的に接続されて前記センサ信号を出力するパッド(33)が形成された半導体基板(31)と、前記半導体基板の一面に配置され、前記センシング部および前記パッドを露出させる開口部(35、36)が形成された保護膜(34)と、を有するセンサチップ(30)と、
前記パッドと電気的に接続されるワイヤ(40)と、
前記パッドと前記ワイヤとの接続部分を封止する封止部材(50)と、を備え、
前記保護膜は、前記センシング部と前記パッドとの間に位置する部分に段差を構成する堰止手段(37b)が形成され、前記センシング部側に位置する第1領域(34a)の表面と、前記パッド側に位置する第2領域(34b)の表面とが前記堰止手段によって分離されており、
前記堰止手段は、凸部であり、
前記凸部の先端面と前記凸部の側面との成す角度(θ2)は、90°未満とされていることを特徴とする物理量センサ。 - 前記保護膜は、前記第1領域の厚さが前記第2領域の厚さより厚くされていることを特徴とする請求項1または2に記載の物理量センサ。
- 前記堰止手段は、前記センシング部と前記パッドとの間に位置する部分に複数形成されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の物理量センサ。
- 前記堰止手段は、前記センシング部を囲む枠状とされていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の物理量センサ。
- 前記保護膜の端部は、前記半導体基板の端部と一致していることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の物理量センサ。
- 凹部(21)が形成され、前記凹部に前記センサチップを搭載するモールド樹脂(20)を有し、
前記センサチップは、前記一面と反対側の面の全面が前記凹部に接着剤(80)を介して前記モールド樹脂に搭載されていることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載の物理量センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012265315A JP6020100B2 (ja) | 2012-12-04 | 2012-12-04 | 物理量センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012265315A JP6020100B2 (ja) | 2012-12-04 | 2012-12-04 | 物理量センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014109538A JP2014109538A (ja) | 2014-06-12 |
JP6020100B2 true JP6020100B2 (ja) | 2016-11-02 |
Family
ID=51030245
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012265315A Active JP6020100B2 (ja) | 2012-12-04 | 2012-12-04 | 物理量センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6020100B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3078773B2 (ja) * | 1997-11-14 | 2000-08-21 | 松下電器産業株式会社 | 電子部品およびその製造方法 |
JP3610484B2 (ja) * | 1999-08-10 | 2005-01-12 | 株式会社日立製作所 | 熱式空気流量計 |
JP3821426B2 (ja) * | 2000-08-31 | 2006-09-13 | 三井金属鉱業株式会社 | 電子部品実装用基板 |
JP5212159B2 (ja) * | 2009-02-16 | 2013-06-19 | 株式会社デンソー | センサ装置 |
US9134153B2 (en) * | 2011-07-13 | 2015-09-15 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Flowmeter |
-
2012
- 2012-12-04 JP JP2012265315A patent/JP6020100B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014109538A (ja) | 2014-06-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5598787B2 (ja) | 積層型半導体装置の製造方法 | |
US10381280B2 (en) | Semiconductor packages and methods for forming semiconductor package | |
US6528869B1 (en) | Semiconductor package with molded substrate and recessed input/output terminals | |
KR100374241B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
JP5400094B2 (ja) | 半導体パッケージ及びその実装方法 | |
JP2009140962A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
KR20150047168A (ko) | 반도체 패키지 | |
KR20080057174A (ko) | 전자 부품 내장 기판 및 전자 부품 내장 기판의 제조 방법 | |
KR101944007B1 (ko) | 반도체 패키지 및 그 제조방법 | |
CN105489580A (zh) | 半导体衬底及半导体封装结构 | |
JP6318084B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2007227596A (ja) | 半導体モジュール及びその製造方法 | |
JP6020100B2 (ja) | 物理量センサ | |
JP2008300500A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP5686653B2 (ja) | 複合配線基板の製造方法 | |
WO2017043480A1 (ja) | 半導体パッケージ | |
JP4872605B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP7063718B2 (ja) | プリモールド基板とその製造方法および中空型半導体装置とその製造方法 | |
JP2011003818A (ja) | モールドパッケージ | |
JP2009016738A (ja) | 半導体装置 | |
JP2008124116A (ja) | 半導体装置 | |
KR101819558B1 (ko) | 반도체 패키지 및 그 제조방법 | |
JP5804762B2 (ja) | 圧電デバイス | |
KR20220090664A (ko) | 스트립 기판 및 반도체 패키지 | |
KR100324633B1 (ko) | 반도체장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150128 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151203 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160209 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160408 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160906 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160919 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6020100 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |