JP6018386B2 - 電子ビーム照射装置、マルチ電子ビーム照射装置、電子ビーム露光装置、および電子ビーム照射方法 - Google Patents
電子ビーム照射装置、マルチ電子ビーム照射装置、電子ビーム露光装置、および電子ビーム照射方法 Download PDFInfo
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Description
特許文献1 特開2007−329220号公報
特許文献2 特開平9−245708号公報
非特許文献1 P.N.Minh, L.T.T.Tuyen, T.Ono, H.Mimura, K.Yokoo and M.Esashi : Carbon nanotube on a Si tip for electron field emitter, Jpn. J. Appl. Phys., 41 Part2, 12A (2002), L1409-L1411
非特許文献2 P.N.Minh, L.T.T.Tuyen, T.Ono, H.Miyashita, Y.Suzuki, H.Mimura and M.Esashi : Selective growth of carbon nanotubes on Si microfabricated tips and application for electron field emitters, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 4, (2003), 1705-1709
非特許文献3 P.N.Minh, T.Ono, N.Sato, H.Mimura and M.Esashi : Microelectron field emitter array with focus lenses for multielectron beam lithography based on silicon on insulator wafer, J.Vac.Sci.Technol., B22, 3 (2004) 1273-1276
非特許文献4 J.H.Bae, P.N.Minh, T.Ono and M.Esashi : Schottky emitter using boron-doped diamond, J.Vac.Sci.Technol., B22, 3 (2004) 1349-1352
非特許文献5 C.-H.Tsai, T.Ono and M.Esashi : Fabrication of diamond Schottky emitter array by using electrophoresis pre-treatment and hot-filament chemical vapor deposition, diamond and related materials, 16 (2007) 1398-1402
Claims (16)
- 複数の電子ビームを出力する電子ビーム照射装置であって、
複数の電子放出部が設けられた基板を有し、前記複数の電子放出部のそれぞれから放出される電子を加速して集束させ、複数の電子ビームとして出力する面電子ビーム源と、
前記面電子ビーム源から出力される前記複数の電子ビームによる描画パターンを予め定められた倍率で対象物に照射する電子レンズと、
を備え、
前記複数の電子放出部のそれぞれは、前記基板に設けられた複数の穴部のそれぞれの底面に設けられ、
前記底面の形状は、前記複数の電子放出部が方向に応じて電子を放出する分布と、当該方向の電子のトンネル確率との乗算がより大きくなる方向を、前記面電子ビーム源が電子を加速して集束させる方向に向ける電子ビーム照射装置。 - 前記複数の電子放出部は、マトリクス状に配列され、駆動電圧に応じて電子をそれぞれ放出する請求項1に記載の電子ビーム照射装置。
- 前記複数の電子放出部のそれぞれは、ナノ結晶を含む請求項1または2に記載の電子ビーム照射装置。
- 前記複数の電子放出部のそれぞれは、放出される電子をトンネリングする絶縁膜を含む請求項1または2に記載の電子ビーム照射装置。
- 前記面電子ビーム源に接続され、前記複数の電子放出部から電子を放出させる駆動電圧を前記複数の電子放出部のそれぞれに対して個別に供給する電子回路部を更に備える請求項1から4のいずれか一項に記載の電子ビーム照射装置。
- 前記電子回路部は、前記駆動電圧に加えて、前記複数の電子放出部のそれぞれに、それぞれの配置に対応したオフセットバイアスを印加する請求項5に記載の電子ビーム照射装置。
- 前記複数の電子放出部は、それぞれの配置に応じて複数のブロックに分配され、
前記電子回路部は、ブロック毎にオフセットバイアスを印加する請求項6に記載の電子ビーム照射装置。 - 複数の電子ビームを出力する電子ビーム照射装置であって、
複数の電子放出部を有し、前記複数の電子放出部のそれぞれから放出される電子を加速して集束させ、複数の電子ビームとして出力する面電子ビーム源と、
前記面電子ビーム源から出力される前記複数の電子ビームによる描画パターンを予め定められた倍率で対象物に照射する電子レンズと、
前記面電子ビーム源に接続され、前記複数の電子放出部から電子を放出させる駆動電圧を前記複数の電子放出部のそれぞれに対して個別に供給する電子回路部と、
を備え、
前記複数の電子放出部は、それぞれの配置に応じて複数のブロックに分配され、
前記電子回路部は、前記駆動電圧に加えて、前記複数の電子放出部のそれぞれに、ブロック毎にオフセットバイアスを印加する電子ビーム照射装置。 - 前記複数の電子放出部は、中央に配置された中心ブロックと、前記中央のブロックを中心とした同心円状の1以上のブロックと、に分配される請求項7または8に記載の電子ビーム照射装置。
- 前記電子回路部は、半導体基板に形成される請求項5から9のいずれか一項に記載の電子ビーム照射装置。
- 前記電子レンズは、前記面電子ビーム源から出力される前記複数の電子ビームの描画パターンを予め定められた縮尺に縮小して、前記対象物に照射する請求項1から10のいずれか一項に記載の電子ビーム照射装置。
- 前記面電子ビーム源は、前記面電子ビーム源の一方の面に前記複数の電子放出部のそれぞれに対応してそれぞれ設けられ、対応する電子放出部が出力する電子をそれぞれ集束させて、複数の電子ビームとして出力させる複数の電極部を有する請求項1から11のいずれか一項に記載の電子ビーム照射装置。
- 前記面電子ビーム源と、前記複数の電極部とは、一体に形成される請求項12に記載の電子ビーム照射装置。
- 請求項1から13のいずれか一項に記載の電子ビーム照射装置を複数備えるマルチ電子ビーム照射装置。
- 請求項1から13のいずれか一項に記載の電子ビーム照射装置を一以上と、
一以上の前記電子ビーム照射装置が描画する描画パターン情報を記憶する記憶部と、
前記記憶部に記憶された描画パターン情報に応じて、一以上の前記電子ビーム照射装置に複数の電子ビームを出力させる制御信号を送信する制御部と、
前記対象物を載置するステージ部と、
を備え、
前記複数の電子ビームを照射して、前記描画パターン情報に応じた描画パターンを前記対象物に描画する電子ビーム露光装置。 - 基板に設けられた複数の電子放出部のそれぞれから放出される電子を加速して集束させ、複数の電子ビームとして出力する面電子ビーム出力段階と、
前記複数の電子ビームによる描画パターンを予め定められた倍率で対象物に照射する電子ビーム照射段階と、
を備え、
前記複数の電子放出部のそれぞれは、前記基板に設けられた複数の穴部のそれぞれの底面に設けられ、
前記底面の形状は、前記複数の電子放出部が方向に応じて電子を放出する分布と、当該方向の電子のトンネル確率との乗算がより大きくなる方向を、前記面電子ビーム出力段階において電子を加速して集束させる方向に向ける電子ビーム照射方法。
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