JP6015745B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- H01L29/0619—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE] with a supplementary region doped oppositely to or in rectifying contact with the semiconductor containing or contacting region, e.g. guard rings with PN or Schottky junction
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Description
図1は、本発明にかかる半導体装置としてダイオードを示す断面図である。図1に示す半導体装置100は、ダイオードの例を示すが、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)であってもよい。
次に、上記構成の半導体装置100についての特性について説明する。図9は、第1の実施の形態にかかるダイオードの活性部の製造工程におけるアニール後のキャリア濃度の深さ方向の分布の測定結果を示す図表である。プロトンのアニールを行うための炉において水素濃度が0%と16%のそれぞれでアニールを行った際の図1のX−X'軸部分の広がり抵抗測定法(SRA:Spreading Resistance Analysis)による測定結果を示している(図22〜24においても同様)。このSRA法により測定したキャリア濃度は、キャリアの移動度が結晶の理想値と同じ場合はほぼドーピング濃度を示す。一方、結晶欠陥が多い場合や結晶の乱れ(ディスオーダー)が多い場合には、移動度が下がるので広がり抵抗が増加し、キャリア濃度が低く測定される(つまり、見かけ上、ドーピング濃度が低い値となる)。図中0の位置は、カソード電極106とn+層101bの境界である(図22〜24においても同様)。水素H2濃度が0%の場合に比べて水素濃度が16%の場合には、n層101aからn+層101bおよびn層101aからn-ドリフト領域(n-型半導体基板101)のいずれにおいても全体的にドナー生成によるキャリア濃度が増加していることがわかる。
次に、第2の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法について説明する。第2の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法は、プロトンの注入エネルギー(加速エネルギーともいう)とアニール条件とが第1の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法と異なる。第2の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法のプロトンのアニール条件以外の構成は、第1の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法と同様である。
次に、第3の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法について説明する。第3の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法が第1の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法と異なる点は、欠陥回復とドナー化率とが所望の状態となるように、330℃以上380℃以下の温度のプロトンのアニールを行う点である。このため、第3の実施の形態においては、各工程を行う順序が第1の実施の形態と異なり、プロトンのアニール後に、ライフタイム制御のための電子線照射および熱処理を行う。
次に、第4の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法について説明する。第4の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法が第1の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法と異なる点は、ドナー化率を高くするために、300℃〜450℃の温度でプロトンのアニールを行う点である。このため、第4の実施の形態においては、各工程を行う順序が第1の実施の形態と異なり、プロトンのアニール後に、おもて面保護膜の形成と、ライフタイム制御のための電子線照射および熱処理とを行う。
次に、第5の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法について説明する。第5の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法が第1の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法と異なる点は、常圧( 例えば100,000Pa程度)雰囲気において雰囲気内の酸素を窒素で置換し、炉内から酸素分圧を低減させた状態でプロトンのアニールを行う点である。第5の実施の形態は、第2〜4の実施の形態にも適用可能である。
次に、第6の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法について説明する。第6の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法が第1の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法と異なる点は、プロトンのアニールを行うための炉に水素ガスによる爆発を防止する対策が施されている点である。例えば、炉内にn-型半導体基板を搬入するための開口部など炉内と外部との連結部や、炉と反応ガス管との連結部にOリング等の密封用部材を取り付けることで炉内の気密性を高めることにより、炉内での水素ガスによる爆発を防止している。
以上において本発明は、半導体基板にダイオードを形成する半導体装置の製造方法について説明したが、上述した実施の形態に限らず、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)のn層(フィールドストップ層)101aを作製するものについても同様に適用することが可能である。
次に、フィールドストップ層の位置についての説明を、第8の実施の形態として説明する。プロトン注入によるフィールドストップ層は、当然1つだけでなく複数形成してもよい。以下では、複数回のプロトン注入において、1段目のフィールドストップ層のプロトンピーク位置の好ましい位置について説明する。1段目のフィールドストップ層とは、ダイオードの場合はn+型カソード層、IGBTの場合はp+型コレクタ層側となる基板裏面から、深さ方向で最も深い箇所に位置するフィールドストップ層のことである。
次に、本発明にかかる半導体装置の製造方法におけるプロトンの加速エネルギーについての説明を、第9の実施の形態として説明する。上記のγの範囲を満たすように、空乏層が最初に達するフィールドストップ層のピーク位置が基板裏面からの距離Xを有するように当該フィールドストップ層を実際にプロトン注入で形成するには、プロトンの加速エネルギーを図16に示すの特性図から決めればよい。図16は、本発明にかかる半導体装置のプロトンの飛程とプロトンの加速エネルギーとの関係を示す特性図である。
次に、本発明にかかる半導体装置の逆回復波形についての説明を、第10の実施の形態として説明する。図21は、本発明にかかる半導体装置の逆回復波形を示す特性図である。図21には、第1の実施の形態にしたがって作製された本発明(以下、実施例1とする)の逆回復波形と、プロトン注入を行わずに電子線照射のみとした比較例の逆回復波形とを示す。定格電圧は1200Vとし、FZシリコン基板のドーピング濃度(平均濃度)Nd、および、研削後のFZシリコン基板の仕上がり厚さW0は図17の通りである。基板裏面から最も深いフィールドストップ層のγは1である。電子線照射条件は、本発明では線量を300kGyとし、加速エネルギーを5MeVとした。比較例では線量を60kGyとした。本発明および比較例のいずれも定格電流密度(図17の1200Vの欄)における順電圧降下は1.8Vとした。試験条件は、電源電圧VCCを800Vとし、初期の定常的なアノード電流を定格電流(電流密度×活性面積約1cm2)とし、チョッパー回路においてダイオード、駆動用IGBT(同じ1200V)、中間コンデンサとの浮遊インダクタンスを200nHとした。
101 n-型半導体基板
101a n層(フィールドストップ層)
101b n+型カソード層(n+層)
102 p型アノード層
104 終端領域
105 アノード電極
106 カソード電極
107 フィールドプレート
108 絶縁層
200 半導体装置(IGBT)
Claims (20)
- 第1導電型の半導体基板の裏面からプロトン注入する注入工程と、
前記注入工程後に、前記半導体基板をアニール炉でアニール処理を行うことによって、前記半導体基板よりも高い不純物濃度を有する第1導電型の第1半導体領域を形成する形成工程と、を含み、
前記アニール炉は、水素ガスによる爆発を防止するための防爆手段を有し、
前記形成工程は、
前記アニール炉の内部に前記水素ガスを導入する前に、前記防爆手段によって、常圧雰囲気において雰囲気内の酸素ガスを窒素ガスで置換し、前記アニール炉の内部の酸素分圧を低減させる第1工程と、
前記第1工程の後、前記アニール炉を水素雰囲気とし、当該水素の容積濃度を6%〜30%とし、300℃〜450℃のアニール温度で前記アニール処理を行う第2工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 第1導電型の半導体基板の裏面からプロトン注入する注入工程と、
前記注入工程後に、前記半導体基板をアニール炉でアニール処理を行うことによって、前記半導体基板よりも高い不純物濃度を有する第1導電型の第1半導体領域を形成する形成工程と、を含み、
前記アニール炉は、水素ガスによる爆発を防止するための防爆手段を有し、
前記形成工程は、
前記アニール炉の内部に前記水素ガスを導入する前に、前記防爆手段によって、前記アニール炉の内部を減圧し、前記アニール炉の内部に窒素ガスと水素ガスとを導入して常圧雰囲気にすることで前記アニール炉の内部の酸素分圧を低減させる第1工程と、
前記第1工程の後、前記アニール炉を水素雰囲気とし、当該水素の容積濃度を6%〜30%とし、300℃〜450℃のアニール温度で前記アニール処理を行う第2工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記半導体装置はダイオードであり、前記第1導電型の前記第1半導体領域がn型のフィールドストップ層であり、前記半導体基板がドリフト層であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体装置は絶縁ゲート型バイポーラトランジスタであり、前記第1導電型の前記第1半導体領域がn型のフィールドストップ層であり、前記半導体基板がドリフト層であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記水素の容積濃度は、ドナー生成率が飽和せずに増加し、前記半導体基板のドリフト層からカソード電極までの領域のキャリア濃度をいずれも高めることができる濃度に設定することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記水素の容積濃度は、ドナー生成率が飽和せずに増加し、前記半導体基板の前記ドリフト層からコレクタ電極までの領域のキャリア濃度をいずれも高めることができる濃度に設定することを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記アニール処理のアニール温度は、330℃〜380℃であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記アニール処理の処理時間は、1時間〜10時間であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記アニール処理の処理時間は、3時間〜7時間であることを特徴とする請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記アニール処理の処理時間は、5時間以下であることを特徴とする請求項8または9に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記プロトン注入のプロトンの注入量は、3×1012/cm2〜5×1014/cm2であることを特徴とする請求項1〜10のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記プロトン注入のプロトンの注入量は、1×1013/cm2〜1×1014/cm2であることを特徴とする請求項11に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記プロトン注入のプロトンの注入エネルギーEの対数log(E)をyとし、前記プロトン注入のプロトンの飛程Rpの対数log(Rp)をxとすると、y=−0.0047x 4 +0.0528x 3 −0.2211x 2 +0.9923x+5.0474を満たすことを特徴とする請求項1〜12のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記形成工程において、前記水素の容積濃度を10%以上30%以下で行うことを特徴とする請求項1〜13のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板を裏面から研削する研削工程を含むことを特徴とする請求項1〜14のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記プロトン注入は、前記半導体基板の研削面側から行うことを特徴とする請求項15に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板に電子線を照射する照射工程を含むことを特徴とする請求項1〜16のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記電子線を照射した後に、前記半導体基板に熱処理を行う熱処理工程を含むことを特徴とする請求項17に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記プロトン注入のプロトンの、前記半導体基板の裏面からの飛程が15μm以上であることを特徴とする請求項3〜6のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
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