JP6014521B2 - 相変化メモリおよび半導体記録再生装置 - Google Patents
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Description
<相変化メモリのメモリ部の構成>
図1は、本実施の形態1における相変化メモリの要部であるメモリ部の模式的な構成を示す断面図である。図1に示すように、メモリ部MUは、下部電極BEを有し、この下部電極BE上にシード層SDLが形成されている。そして、このシード層SDL上に下地膜FDFが形成され、下地膜FDF上に記録再生膜MRFが形成されている。さらに、記録再生膜MRF上には、上部電極UEが形成されている。これらの膜は、例えば、スパッタリング法により形成することができる。
図3は、X=35原子%の場合におけるSnXTe100−X/Sb2Te3超格子膜のX線回折プロファイルを示す図である。図3に示すように、SnXTe100−X/Sb2Te3超格子膜には、SnSbTe合金相に対応する大きな複数のピークが観測されるとともに、Te相に対応する大きなピークも観測されていることがわかる。したがって、図3から、SnXTe100−X/Sb2Te3超格子膜は、少なくとも、hcp六方晶の結晶構造を有するSnSbTe合金相と、Te相とを含む構造をしていることがわかる。ここで、図3においては見えにくいが、2θ=24.5°付近に、SnTe(111)に対応する小さなピークが存在し、2θ=50.1°付近にSnTe(222)に対応する小さなピークが存在することが確認された。
図7は、X=20原子%の場合におけるSnXTe100−X/Sb2Te3超格子膜のX線回折プロファイルを示す図である。図7に示すように、SnXTe100−X/Sb2Te3超格子膜には、SnSbTe合金相に対応する大きな複数のピークが観測されるとともに、Te相に対応する大きなピークも観測されていることがわかる。したがって、図7から、SnXTe100−X/Sb2Te3超格子膜は、少なくとも、hcp六方晶の結晶構造を有するSnSbTe合金相と、Te相とを含む構造をしていることがわかる。ここで、図7においては見えにくいが、2θ=24.5°付近に、SnTe(111)に対応する小さなピークが存在し、2θ=50.1°付近にSnTe(222)に対応する小さなピークが存在することが確認された。
図11は、X=10原子%の場合におけるSnXTe100−X/Sb2Te3超格子膜のX線回折プロファイルを示す図である。図11に示すように、SnXTe100−X/Sb2Te3超格子膜には、SnSbTe合金相に対応する大きな複数のピークが観測されるとともに、Te相に対応する大きなピークも観測されていることがわかる。したがって、図11から、SnXTe100−X/Sb2Te3超格子膜は、少なくとも、hcp六方晶の結晶構造を有するSnSbTe合金相と、Te相とを含む構造をしていることがわかる。ここで、図11においては見えにくいが、2θ=24.5°付近に、SnTe(111)に対応する小さなピークが存在し、2θ=50.1°付近にSnTe(222)に対応する小さなピークが存在することが確認された。
図15は、X=5原子%の場合におけるSnXTe100−X/Sb2Te3超格子膜のX線回折プロファイルを示す図である。図15に示すように、SnXTe100−X/Sb2Te3超格子膜には、SnSbTe合金相に対応する大きな複数のピークが観測されるとともに、Te相に対応する大きなピークも観測されていることがわかる。したがって、図15から、SnXTe100−X/Sb2Te3超格子膜は、少なくとも、hcp六方晶の結晶構造を有するSnSbTe合金相と、Te相とを含む構造をしていることがわかる。ここで、図15においては見えにくいが、2θ=24.5°付近に、SnTe(111)に対応する小さなピークが存在し、2θ=50.1°付近にSnTe(222)に対応する小さなピークが存在することが確認された。
本実施の形態2では、前記実施の形態1における相変化メモリを使用した半導体記録再生装置について説明する。
図19は、本実施の形態2における半導体記録再生装置のメモリセルの構成を示す断面図である。図19において、本実施の形態2におけるメモリセルMC1は、例えば、単結晶シリコンからなる半導体基板1Sの主面に形成され、メモリセルMC1を選択する選択トランジスタSTである電界効果トランジスタと、選択トランジスタSTの上方に形成されたメモリ部MUとを備えている。メモリセルMC1では、メモリ部に含まれる記録再生膜MRFの原子配列または原子位置の変化により、記録再生膜MRFの電気抵抗を低抵抗状態と高抵抗状態との間で変化させて情報を記録する。
次に、本実施の形態2における半導体記録再生装置のメモリアレイの構成例について説明する。図20は、本実施の形態2における半導体記録再生装置のメモリセルアレイMA1の構成例を示す等価回路図である。
本実施の形態2におけるメモリセルアレイMA1は、上記のように構成されており、以下に、その動作について説明する。具体的に、メモリセルアレイMA1は以下に示すように動作する。例として、前記実施例2に記載されたX=20原子%のSnXTe100−X/Sb2Te3超格子膜を記録再生膜に用いた場合について説明する。
本実施の形態3では、SnXTe100−X/Sb2Te3超格子膜を記録再生膜に使用した相変化メモリの低電力動作メカニズムについて説明し、その後、Xの下限値と上限値について説明することにする。
例として、前記実施例2に記載されているX=20原子%の場合について説明する。
Ihkl≒|Fhkl|2・LZ・P
=|Fhkl|2・P・(1+cos22θ)/(sin2θ・cosθ)
・・・(式1)
Fhkl=Σfn・exp(2πi(hx(n)+ky(n)+lz(n)))
・・・(式2)
Fhkl:結晶構造因子
LZ:ローレンツ因子
P:多重度因子
θ:ブラッグ角
fn:原子散乱因子
n:原子の種類
h、k、l:ミラー指数
x、y、z:原子の結晶格子内での分数座標
S2=(I111/I222)obs/(I111/I222)cal ・・・(式3)
図22は、X=50原子%の場合におけるSnXTe100−X/Sb2Te3超格子膜のX線回折プロファイルを示す図である。図22に示すように、X=50原子%の場合におけるSnXTe100−X/Sb2Te3超格子膜内では、SnTe/Sb2Te3超格子相と、NaCl型(fcc構造)の結晶構造を有するSnSbTe相が共存していることが推測される。
I111≒|4f(Sn、Sb)−4fTe|2・LZ・P ・・・(式4)
次に、Xの下限値について説明する。例えば、SnSbTe合金相で「Snスイッチ」が生じている場合、Sn原子の量をどんなに減らしても、「Snスイッチ」し、低電力動作の下げ止まりがないと思われるかもしれない。しかしながら、そうではない。SnSbTe合金相内の「Snスイッチ」は、印加電場および印加電流に応じて、Sn原子が6配位中心位置と4配位中心位置の間で移動することで生じる。したがって、1部分格子あたり、最少1個のSn原子がないと、「Snスイッチ」は起こりようがない。図25に示すように、hcp構造として1部分格子を組んでいる場合、1部分格子は、空孔サイトを含めて27個の原子で構成されている。したがって、Xの下限値は、X=(Sn原子の数:1個)/(1部分格子の原子の総数:27個)≒3.7であり、小数はあり得ないため、X=4原子%となる。
続いて、Xの上限値について説明する。図26(a)は、X=50原子%の場合のSnXTe100−X/Sb2Te3超格子膜を使用した相変化メモリにおいて、リード抵抗のパルス電圧依存性を示す実験結果であり、図26(b)は、X=50原子%の場合のSnXTe100−X/Sb2Te3超格子膜を使用した相変化メモリにおいて、リード抵抗のダイナミック電流依存性を示す実験結果である。
最後に、本願発明の相変化メモリの書き換え耐性について説明する。
BE 下部電極
BL ビット線
BL1 ビット線
BL2 ビット線
BL3 ビット線
BL4 ビット線
CP1 コンタクトプラグ
CP2 コンタクトプラグ
DR ドレイン領域
FDF 下地膜
FRL 自由層
FXL 固定層
GE ゲート電極
GOX ゲート絶縁膜
ILD1 層間絶縁膜
ILD2 層間絶縁膜
ILD3 層間絶縁膜
MA1 メモリセルアレイ
MC1 メモリセル
MRF 記録再生膜
MTX 母体
MU メモリ部
M1 配線
M1a 配線
SDL シード層
SLP SnTe/Sb2Te3超格子相
SMC 選択セル
SR ソース領域
ST 選択トランジスタ
STI 素子分離領域
SW サイドウォールスペーサ
UE 上部電極
WL ワード線
WL1 ワード線
WL2 ワード線
WL3 ワード線
WL4 ワード線
WL5 ワード線
Claims (5)
- Sn、Sb、および、Teを含有する記録再生膜を備え、
前記記録再生膜は、
SnTeとSb2Te3からなるSnTe/Sb2Te3超格子相と、
SnSbTe合金相と、
Te相と、
を含む、相変化メモリ。 - Sn、Sb、および、Teを含有する記録再生膜を備え、
前記記録再生膜は、少なくとも、SnTeとSb2Te3からなるSnTe/Sb2Te3超格子相を含む、相変化メモリ。 - Sn、Sb、および、Teを含有し、かつ、SnXTe100−X膜とSb2Te3膜とを積層形成することにより得られる記録再生膜を備え、
前記記録再生膜は、
SnTeとSb2Te3とからなるSnTe/Sb2Te3超格子相と、
SnSbTe合金相と、
Te相と、
を含み、
前記Sn X Te 100−X 膜のXは、5原子%、10原子%、20原子%、35原子%、50原子%のいずれかである、相変化メモリ。 - 複数のメモリセルを備え、
前記複数のメモリセルのそれぞれは、
(a)メモリセルを選択する選択トランジスタ、
(b)前記選択トランジスタと電気的に接続され、Sn、Sb、および、Teを含有する記録再生膜を含むメモリ部、
を有し、
前記記録再生膜は、
SnTeとSb2Te3からなるSnTe/Sb2Te3超格子相と、
SnSbTe合金相と、
Te相と、
を含む、半導体記録再生装置。 - 複数のメモリセルを備え、
前記複数のメモリセルのそれぞれは、
(a)メモリセルを選択する選択トランジスタ、
(b)前記選択トランジスタと電気的に接続され、Sn、Sb、および、Teを含有する記録再生膜を含むメモリ部、
を有し、
前記記録再生膜は、少なくとも、SnTeとSb2Te3からなるSnTe/Sb2Te3超格子相を含む、半導体記録再生装置。
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